pwm驅動電路

① 求高手設計一個PWM升壓電路，驅動MOS管。

這是一個類似電路 ，升壓用IGBT比較好 ，單片機的PWM波形一般不能直接驅動MOS管，驅動電流不足 一般加一個放大電路 和隔離電路

② 求單片機PWM通過光耦驅動MOS管的電路。

不建議使用以下這類用通用光耦搭的電路，有諸多麻煩。

③ 這個是用pwm電機驅動電路，按理說pwm=1，也就是高電平，電機會轉。可是有人說這個是低電平導通

必須是低電平，PNP的管子，R5阻值也大了。100歐就OK

④ 單片機PWM驅動電路

很明顯，你管子用錯了。。。 你圖裡面有4個NPN。
還有兩個是PNP 那兩個應該用8550 不是8050

另外，基極電版壓本權來就是0.7V ,這是三極體的特性，你電源給它5V，它也是0.7,給它4V它也是0.7V,給它3V它還是0.7V。 只是三極體基極電流會變化，那個0.7V永遠不會變化，明白嗎？你去掉那個電阻，把5V強加在基極上，三極體就燒掉了。
PWM工作時，只是控制三極體的開關通斷時間比例，你如果用示波器觀察，基極是0.7V---0V--0.7V---0V--0.7V---0V--0.7V的通斷變化值。
用萬用表你只能看到 0.7V 或不到0.7V 看不到高速度的變化。

⑤ 基於TLP250的PWM驅動電路，驅動IGBT。圖中的GPWM是個啥

gpwm接mosg，spwm接moss
圖中r20得到的電壓很高此電路帶負壓驅動穩壓二極體負責負壓

⑥ PWM如何控制電壓

可以用單片機的PWM信號控制mos管的開通和關斷，然後mos管後端接負載。內

一個MOS管，PWM的占空比變化容（比如從50到100%），MOS管輸出電壓（比如100V）會變化（在這樣的情形下，比如在純阻性負載上，其峰值電壓還是100V，平均值為50V）。

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconctor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

⑦ 如何從電路看是高低電平控制還是pwm控制

直接給一個高電平，相當於將電源電壓直接提供給了電機，所以速度最快。而以後你使用PWM信號，那麼PWM是有占空比的，也就是提供給電機的等效電壓要比你直接輸出高電平時所提供的電壓低，所以速度變慢了

⑧ 請問我想用PWM驅動mos管,參考了別人的電路，提高MOS管的關斷速度該怎麼理解

沒有R3 R6，快速關斷是D5，低電平時，D5迅速導通，就是快速關斷了，R6是限流保護，D3是限壓，R5是抬升電阻
R2 R3應該是一個常態負載，不過，為什麼要兩個電阻就不知道了

⑨ 一個PWM波占空比控制輸出電壓的電路，沒有太看懂

先來了解什麼是占空比。

占空比是指在一個脈沖循環內，通電時間相對於總時間所佔回的比例。答占空比(Duty Ratio)在電信領域中有如下含義：例如：脈沖寬度1μs，信號周期4μs的脈沖序列占空比為0.25。
當輸入端占空比大時，C21上的電壓高，V9013的基極電流大，ce間導通增強，集電集電壓下降，也就是說，C20上的電壓是與WPM的寬度成反比的。
C20C21都是濾波電容。

⑩ 想用PWM控制IRF3205，說是要加驅動電路，那麼PWM經過驅動電路後電壓和電流達到多大才能打開

MOS管一般4~8V就能開啟，驅動主要是為了管子更好的打開和關閉，一般的驅動很簡單，給你個驅動加隔離的圖