大規模電路

㈠ 數字電路，超大規模和甚大規模。

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小規模集成電路（SSI）：10-100個元件。
中規模集成回電路（MSI）：答100-1000 個元件。
大規模集成電路（LSI）：10^3-10^5 個元件。
超大規模集成電路（VLSI）：10^6-10^7 個元件或。
特大規模集成電路（ULSI）：10^7-10^9 個元件。
巨大規模集成電路（GSI）：10^9 以上個元件。

㈡ 大規模集成電路如何實現的

大規模集成電路： (Large Scale Integration )，通常指含邏輯門數為100門～9999門（或含元件數1000個～99999個），在一個晶元上集合有1000個以上電子元件的集成電路。集成電路（integrated circuit，港台稱之為積體電路）是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極體、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體。可用字母「IC」（也有用文字元號「N」等）表示。

中文名
大規模集成電路

外文名
Large Scale Integration

簡稱
LSI

邏輯門數
邏輯門數為100門～9999門

功能結構
集成電路按其功能、結構的不同，可以分為模擬集成電路、數字集成電路和數/模混合集成電路三大類。

模擬集成電路又稱線性電路,用來產生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間邊疆變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等），其輸入信號和輸出信號成比例關系。而數字集成電路用來產生、放大和處理各種數字信號（指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如VCD、DVD重放的音頻信號和視頻信號）。

按製作工藝
集成電路按製作工藝可分為半導體集成電路和膜集成電路。

膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。

㈢ 超大規模集成電路的發展現狀

截至2012年晚期，數十億級別的晶體管處理器已經得到商用。隨著半導體製造工藝從32納米水平躍升到下一步22納米，這種集成電路會更加普遍，盡管會遇到諸如工藝角偏差之類的挑戰。值得注意的例子是英偉達的GeForce 700系列的首款顯示核心，代號『GK110』的圖形處理器，採用了全部71億個晶體管來處理數字邏輯。而Itanium的大多數晶體管是用來構成其3千兩百萬位元組的三級緩存。Intel Core i7處理器的晶元集成度達到了14億個晶體管。所採用的設計與早期不同的是它廣泛應用電子設計自動化工具，設計人員可以把大部分精力放在電路邏輯功能的硬體描述語言表達形式，而功能驗證、邏輯模擬、邏輯綜合、布局、布線、版圖等可以由計算機輔助完成。

㈣ 什麼是以大規模集成電路為基礎發展起來的新技術

微電子技術
是以大規模集成電路為基礎發展起來的新技術。

㈤ 大規模集成電路的大規模集成電路特點

超大規模集成電路是指集成度（每塊晶元所包含的元器件數）大於10的集成電路。集成電路一般是在一塊厚0.2～0.5mm、面積約為0.5mm的P型矽片上通過平面工藝製做成的。這種矽片（稱為集成電路的基片）上可以做出包含為十個（或更多）二極體、電阻、電容和連接導線的電路
與分立元器件相比，集成電路元器件有以下特點：
1. 單個元器件的精度不高，受溫度影響也較大，但在同一矽片上用相同工藝製造出來的元器件性能比較一致，對稱性好，相鄰元器件的溫度差別小，因而同一類元器件溫度特性也基本一致；
2. 集成電阻及電容的數值范圍窄，數值較大的電阻、電容佔用矽片面積大。集成電阻一般在幾十Ω～幾十 kΩ范圍內，電容一般為幾十pF。電感目前不能集成；
3. 元器件性能參數的絕對誤差比較大，而同類元器件性能參數之比值比較精確；
4. 縱向NPN管β值較大，佔用矽片面積小，容易製造。而橫向PNP管的β值很小，但其PN結的耐壓高。
它的設計特點：
由於製造工藝及元器件的特點，模擬集成電路在電路設計思想上與分立元器件電路相比有很大的不同。
1. 在所用元器件方面，盡可能地多用晶體管，少用電阻、電容；
2. 在電路形式上大量選用差動放大電路與各種恆流源電路，級間耦合採用直接耦合方式；
3. 盡可能地利用參數補償原理把對單個元器件的高精度要求轉化為對兩個器件有相同參數誤差的要求；盡量選擇特性只受電阻或其它參數比值影響的電路

㈥ 大規模及超大規模集成電路發明者

這不是一個人兩個人的功勞，而是一個時代的產物。
1971年，Intel推出1kb動態隨機存儲回器（DRAM），標志著大規模答集成電路出現；1988年，16M DRAM問世，1平方厘米大小的矽片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路（VLSI）階段

㈦ 單片機和大規模集成電路的區別

在一片半導體晶元上（一般是矽片）製造出許多晶體管，並按照電路的要求把它們內連接起來，形成一定功容能的器件，這種製造工藝叫「集成」，產品就是集成電路。 單片機就是把計算機的基本部件（CPU、RAM、ROM、I/O等）集成在一片晶元上的大規模集成電路，只是集成電路的一個品種。

㈧ 數字集成電路是不是大規模集成電路

不是的，模擬電路，數字電路都有小規模的和大規模的集成電路；
集成電路，根據集成度，一般可分為小規模、中規模和大規模；
按功能及應用的不同，集成電路也分模擬和數字類別；

㈨ 大規模集成電路的中國超大規模集成電路發展

「超大規模集成電路設計專項的實施和順利進展，為我國在2010年由世界第二大集成電路消費國走向集成電路設計大國奠定堅實的基礎。」這是在最近的一次會議上國家「十五」863超大規模集成電路設計專項負責人說過的一句話。
對集成電路的作用，行內有四句話形容的非常好，說是：電子信息產品和國防電子裝備的核心，是信息產業核心競爭力最重要的體現，是信息技術與產業掌握發展主動權和實現跨越發展的基石，是自主發展信息產業和現代服務業並提高其附加值所必備的技術保證。
「掌握集成電路和軟體的關鍵技術並實現產業化，對我國實現以信息化帶動工業化，確保國家信息安全，具有至關重要的作用。」該負責人說。
「集成電路和軟體重大專項」是我國「十五」計劃期間的十二項重大科技專項之一。科技部在863計劃集成電路方面，共設立了超大規模集成電路設計、100nm集成電路製造裝備和集成電路配套材料三個專項，而在超大規模集成電路設計方面成果尤為顯著。
全面達到預期目標
據該負責人介紹，超大規模集成電路設計專項自實施以來，在三個方面取得了重大進展，分別是在人才建設、微處理器、網路通信等方面。
「我們在7+1個國家集成電路設計產業化基地和9個國家集成電路人才培養基地建設方面取得了顯著成效；而在微處理器CPU和DSP設計方面，『眾志』、『C—Core』、『龍芯』和『漢芯』等都實現了由技術突破向重點推廣的縱深發展。最後一個是在網路通信、信息安全、信息家電等領域的SoC系統晶元開發和應用方面,「COMIP」、「華夏網芯」和「星光多媒體」等晶元取得開發和應用的重點突破。另外，在MPW、IP核聯盟、EDA工具、國際合作四項服務體系的建設也逐步完善。在實施效果中不但體現了立項的指導思想，而且除IP核應用推廣聯盟工作尚需進一步探索外，專項全面達到了立項的戰略目標和預期成果。」該負責人說。
作為知識高度密集產業，人才是發展我國集成電路設計產業的關鍵，專項大規模培養的人才對解決我國集成電路人才匱乏的瓶頸問題起到了重要作用。而一批具有自主知識產權的核心晶元產品和一批具有核心技術競爭力的集成電路設計企業先後出現，為集成電路的最終產業化打下了堅實的基礎。
體現國家意志，集聚一流人才，發揮後發優勢，搶抓國際IT產業結構重組的難得機遇，高起點地推進具有戰略前瞻意義的超大規模集成電路設計技術及產業的自主創新與跨越。這是專項實施時的初衷，而現在，專項組的科研人員們幾近圓滿地完成了這一任務。
為信息產業發展提供有力支撐
「『十五』期間，我國電子信息產業保持高速持續發展，而集成電路設計是具有戰略性的關鍵核心技術。本專項的實施對集成電路技術和產業具有顯著的推動作用，集成電路設計產業產值從1999年的5億元增長到2005年的近150億元，為支撐我國信息技術和產業的發展發揮著越來越大的作用。」該負責人介紹道。
在專項實施過程中，建設了一大批的產業化基地，這些基地的建設有效地調動了中央和地方的資源對集成電路設計業的推動；營造了集成電路設計業在市場、政策、資金和人才等方面健康發展的氛圍；形成了人才、技術和企業的集聚，為我國信息產業的發展提供強有力的支撐。

㈩ 大規模和超大規模集成電路

關於晶體管，若按照英文直譯transistor，指的就是三極體。但由於中文中通常也專會有晶體二極體、晶屬體三極體的說法，因而把這些概念就容易搞混了。基本上來說，晶體管指的是是半導體基本器件，是硅或者鍺製作的，可以用於檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。
電子管，是一種在氣密性封閉容器（一般為玻璃管）中產生電流傳導，利用電場對真空中的電子流的作用以獲得信號放大或振盪的電子器件。早期應用於電視機、收音機擴音機等電子產品中，近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件（香港人稱使用電子管功率放大器為「煲膽」）。
而所謂集成電路，就是把很多的半導體器件集成到一塊晶元上，材質通常就是硅。小、中、大、超大隻不過表示了集成的程度。因而各種集成度的晶元都會在一些場合看到，只不過，計算機上用的集成度高的晶元，看起來更多而已。