⑴ 蘇州有哪些集成電路公司
三、2006年蘇州市集成電路產業發展情況
2006年，蘇州市新成立（或新引進）的設計企業有：中科半導體集成技術研發中心、飛索半導體（中國）集成電路設計中心、真寬通信科技(蘇州)有限公司、蘇州矽湖微電子有限公司、蘇州芯源東升集成電路技術開發有限公司；封測企業有：三星電子（蘇州）半導體第二工廠、晶方半導體科技（蘇州）有限公司、蘇州震坤科技有限公司；配套企業有：蘇瑞電子材料有限公司、富士膠片電子材料（蘇州）有限公司、林德電子特種氣體（蘇州）有限公司、永光（蘇州）光電材料有限公司等十幾家企業。
1、 集成電路設計產業
蘇州市集成電路設計產業2006的銷售收入為3億元，同比增長7%。較去年有所增長，但幅度不大。截止到2006年底，蘇州地區共有10家企業通過信息產業部的設計企業認定及年審。他們分別是：世宏科技（蘇州）有限公司、金科集成電路（蘇州）有限公司、蘇州華芯微電子有限公司、蘇州國芯科技有限公司、飛思卡爾半導體（中國）有限公司蘇州分公司、蘇州銀河龍芯科技有限公司、蘇州國微工大微電子有限公司、希迪亞微電子（蘇州）有限公司、三星半導體（中國）研究開發有限公司、豪雅微電子（蘇州）有限公司。2006年蘇州地區新成立的設計企業共5家，他們是：
企業名稱 注冊地區 主要產品
飛索半導體（中國）集成電路設計中心 工業園區 FLASH SOC 系統研發
蘇州芯源東升集成電路技術開發有限公司 新 區 電源管理IC
真寬通信科技(蘇州)有限公司 工業園區 無源光網路核心晶元
蘇州矽湖微電子有限公司 工業園區 電源管理IC
中科半導體集成技術研發中心 工業園區 WLAN(無線區域網)晶元
從地區分布來開，蘇州的設計企業主要集中在工業園區和高新技術開發區，工業園區從事集成電路設計的企業有24家，高新技術開發區有5家。銷售額方面，工業園區與高新技術開發區的比例大約為3：2。
從業務范圍來看，蘇州從事集成電路設計的企業25家，IP設計1家，設計服務2家，探針卡設計1家。從產品的種類來看，主要的產品有如下幾類：MCU、LCD 驅動晶元、電源管理晶元、電表晶元、網路連接晶元等。
2、 集成電路製造產業
2006年，蘇州集成電路製造企業實現銷售收入23.7億元，同比增長5.3%。截止目前，蘇州共有2家晶圓製造企業，德芯電子（崑山）有限公司目前正在建設之中。
蘇州的分立器件製造大廠——固鍀電子股份有限公司於2006年10月30日起在深圳證券交易所首次公開發行不超過3800 萬股人民幣普通股(A股)，成為蘇州市首家上市的半導體企業。
3、 集成電路封測產業
2006年，蘇州封測產業實現銷售收入128.4億元，同比增長38%，佔全國封測業總收入比重提高到26%，繼2005年以來仍然是國內僅次於上海的封測產業重鎮。
2006年，蘇州新成立的封測企業共3家，分別是三星電子（蘇州）半導體第二工廠、晶方半導體科技（蘇州）有限公司、蘇州震坤科技有限公司。
奇夢達科技（蘇州）有限公司投產二年多的時間，就取得了驕人業績，名列國內十大封測企業第二位。
四、2006年蘇州市集成電路產業情況分析
縱覽2006年的蘇州集成電路產業發展情況可以看出，蘇州的封測產業穩步發展，形勢喜人；製造業在國內多個城市「造芯」的熱潮中追兵四起，佔比份額有所下降；設計業發展略顯緩慢。具體如下：
1. 封測業持續、穩定發展
2006年蘇州的封測產業實現銷售收入達到128.4億元，其中封測代工型企業實現銷售收入17.5億元，封測業同比增長達到38%。自2004年以來，蘇州的封測產業已連續三年同比增長超過35%（其中2004年同比增長38%，2005年同比增長37%），超過全國同期年平均30%的增長率。
蘇州的封裝測試測試產業經過近十年的發展，已經成為國內封測企業最集中、封測技術水平最高、封測人才最充裕、配套產業鏈最完整的地區。
2. 製造業的增長落後於全國總增長水平
2006年，在國內一片「造芯」熱的背景下，蘇州的集成電路製造產業，由於德芯電子尚未投產，其增長速度落後於全國的總增長水平。
2006年，國內IC製造業增長較快的城市主要是上海、北京和無錫。隨著中芯國際北京十二寸生產線、華虹NEC、ST-海力士的投產或擴張，上海、北京和無錫在全國集成電路製造業的佔比得到了提高。
3、設計業發展略顯滯後
蘇州的集成電路設計產業經過近8年，特別是最近3年來的發展，已經初步形成一定量的集聚。但放眼國內，蘇州在設計產業上的發展同北京、深圳等城市相比還有較大的差距。蘇州的集成電路設計產業，在04年首次突破1億元之後，05、06年的增長幅度不大，05、06年同比增長分別為33%和7%，而同期全國設計產業的年均增長率在50%以上。
企業信息
三星立足蘇州 邁向世界第一
2007年5月7日，三星電子位於蘇州工業園區的半導體第二工廠正式竣工開業。江蘇省委常委、蘇州市委書記王榮，市委副書記、園區工委書記王金華，韓國三星半導體總括社長黃昌圭，中國三星本社社長朴根熙等出席了當天的慶典。黃昌圭在致辭中透露，三星要力爭在2009年成為全球最大半導體廠商，此次建成投產的蘇州第二工廠將幫助以存儲器為主的三星半導體事業獲得市場龍頭地位。
三星電子(蘇州)半導體有限公司成立於1994年底，是蘇州工業園區第一家大規模投資的外商投資企業。經過多年發展，該公司與園區共同成長，已經發展成為三星電子在海外最重要的生產工廠，擁有近4000名員工，工廠面積達25萬平方米，投資總額超過6億美元，生產著三星電子的主力核心產品。其中，動態隨機存儲器、靜態隨機存儲器、快閃記憶體等產品均占據世界第一份額。另外，在今年上半年還將引進代表半導體最高封裝技術的多重晶元封裝存儲器產品。當天竣工的第二工廠佔地面積14.5萬平方米，經過7個多月的廠房建設和設備移轉，於今年2月底開始產品量產，該工廠將主要生產動態隨機存儲器的主流產品，預計到今年末，月產量將超過7000萬個。該工廠的建成投產將進一步提升三星園區基地的重要性，加快其韓國總部的製造重心向園區轉移。
據了解，目前韓國三星在園區投資建設了三星電子(蘇州)半導體有限公司、蘇州三星電子有限公司、蘇州三星電子液晶顯示器有限公司等項目，不僅建立了研發中心，還建設起白色家電、筆記本電腦和液晶顯示器等重要的生產基地。蘇州三星電子、蘇州三星半導體、蘇州三星電子液晶顯示器分別是三星在中國唯一的家電、半導體和LCD生產基地，蘇州三星電子電腦有限公司主要生產數碼多媒體產品。設在園區的研發中心則是三星在中國設立的半導體、通訊、軟體和外觀設計四個研發中心之一。
奇夢達24億元促蘇州工廠產能翻番
3月8日，全球第三大存儲產品製造商——奇夢達(Qimonda)在華投資的奇夢達科技（蘇州）有限公司舉行二期工廠破土動工儀式。奇夢達蘇州項目計劃3年內將投入2.5億歐元（摺合24.5675億元人民幣），建成奇夢達在全球的第四個後道生產基地。
奇夢達科技（蘇州）有限公司（原名英飛凌科技（蘇州）有限公司）是2003年7月28日，由英飛凌科技與中國蘇州工業園區創業投資有限公司合資成立的封裝測試存儲集成電路的工廠，其中英飛凌集團（Infineon）占股72.5%，蘇州工業園區創業投資有限公司（CSVC）占股27.5%，注冊資本為3億美元，未來十年的計劃投資額將超過10億美元。奇夢達是2006年5月1日從英飛凌科技公司分拆出來新成立的全新內存產品公司，目前已成為全球DRAM內存產品的主要供應商，並於2006年8月9日在紐約證券交易所上市。
奇夢達計劃於2007年底在新工廠進行設備安裝。在現有的10000平方米清潔室的基礎上，將繼續建設一個新的面積達10000平方米的清潔室。此次擴建還將使員工總數大大增加，該生產基地目前有1700名員工，預計達到最大產能時的員工總數將超過3000名，其產能將翻一番。奇夢達蘇州項目主要從事存儲集成電路（DRAM）組裝和測試，占奇夢達公司全球產能的50%，產品主要運用於個人電腦、伺服器、數字電視、手機、MPC播放器等，未來公司還希望成功將產品延伸到圖形，移動通訊和由低功率溝槽技術引導的消費類領域。
「奇夢達現在有超過三分之二的DRAM都是在300mm生產線上生產的，前道產能的提高需要後道產能也要相應地提升。隨著蘇州生產基地的擴建，我們將能更好地發揮我們在300mm晶圓生產上的競爭優勢，」奇夢達公司總裁兼首席執行官羅建華（Kin Wah Loh）表示。
蘇州工業園區管委會主任馬明龍先生也表示，奇夢達是蘇州IC產業的旗艦型、地標性企業，也是園區傾注全力、重點支持的重中之重項目。相信二期廠房的正式啟動，不僅將更好地滿足客戶需求，為公司帶來更加豐厚的利潤回報，同時也必將有力推進奇夢達全球拓展戰略，加快確立公司在儲存器領域的龍頭地位。
（一個新品牌－－奇夢達 奇夢達的名稱和品牌標識體現了這家新公司的哲學觀和品牌性格，並且闡述了公司的遠景和驅動價值。新名稱「奇夢達(Qimonda)」代表了全球一致的品牌內涵。 「Qi」代表「氣」，即呼吸及流動的能量。在西方，文字主要源自拉丁文並且被英文廣泛影響，對奇夢達---Qimonda (key-monda)的直接解讀是「開啟世界的鑰匙」(Key to the World)。而新標識中的主色系紫色代表著領導力，而其他的次色系、草寫字體、充滿活力的圓形標識以及強烈的發散性造型都強調了奇夢達的品牌價值：即創新、熱情、速度。「創新是促使我們在行業成功的重要驅動力之一，」奇夢達公司總裁兼首席執行官羅建華（Kin Wah Loh）解釋說：「熱情是昂揚在奇夢達公司上下的精神，而速度則是因應奇夢達公司所處的快速變化的內存市場而生的。」）
蘇州松下半導體新廠將成為松下全球最大生產基地
5月15日，總投資1億美元、預計年銷售額可達17億元人民幣的蘇州松下半導體有限公司新廠舉行開業典禮，蘇州市副市長周人言，高新區工委書記王竹鳴、副書記胡正明，日本松下電器產業株式會社副社長古池進等出席慶典儀式，並共同植樹紀念。
周人言代表蘇州市政府對公司新工廠的開業表示祝賀。他說，新工廠的正式啟用，標志著松下公司在蘇州的發展邁入了新的階段，也將為蘇州經濟的健康快速發展做出更大貢獻。
王竹鳴在致辭中表示，新工廠的投資建設是松下半導體有限公司在蘇州高新區進一步加快發展的標志，同時也充分顯示公司對中國市場，以及對蘇州高新區良好發展環境的肯定與信心。高新區將一如既往地為包括松下半導體在內的所有進區企業提供更加高效便捷的服務和優質可*的基礎設施配套，營造更加完善的投資環境，促進企業健康、快速發展。
蘇州松下半導體有限公司由世界500強企業之一的日本松下電器產業株式會社和松下電器(中國)有限公司共同出資、並於2001年12月在蘇州高新區注冊成立。隨著生產規模和產品結構的迅速擴大，以及新工廠的順利開業投產，公司月生產半導體元器件將達2億多個、激光半導體300多萬個、手機攝像頭100萬台、車載攝像頭13萬台、手機話筒1000萬個等。
鑒於蘇州松下半導體有限公司5年多來所取得的輝煌業績，以及新工廠的快速建成投產，日本松下電器產業株式會社副社長古池進對蘇州高新區優良的投資環境和政府服務予以高度贊賞，他表示，總投資超過1億美元的蘇州松下半導體有限公司二期新廠房將於今年下半年破土動工，預計2008年竣工投產。
展望未來，古池進副社長滿懷信心地表示，隨著蘇州松下半導體有限公司的不斷飛躍式發展，公司將發展成為松下半導體的全球主要生產供應基地和在高科技領域具有強大國際競爭力的優秀企業。
⑵ 集成電路各元件介紹
雙極型集成電路
bipolar integrated circuit
以通常的NPN或PNP型雙極型晶體管為基礎的單片集成電路。它是1958年世界上最早製成的集成電路。雙極型集成電路主要以硅材料為襯底，在平面工藝基礎上採用埋層工藝和隔離技術，以雙極型晶體管為基礎元件。按功能可分為數字集成電路和模擬集成電路兩類。在數字集成電路的發展過程中，曾出現了多種不同類型的電路形式，典型的雙極型數字集成電路主要有晶體管-晶體管邏輯電路(TTL)，發射極耦合邏輯電路(ECL)，集成注入邏輯電路(I2L)。TTL電路形式發展較早，工藝比較成熟。ECL電路速度快，但功耗大。I2L電路速度較慢，但集成密度高。
同金屬-氧化物-半導體集成電路相比，雙極型集成電路速度快，廣泛地應用於模擬集成電路和數字集成電路。
在半導體內，多數載流子和少數載流子兩種極性的載流子（空穴和電子）都參與有源元件的導電，如通常的NPN或PNP雙極型晶體管。以這類晶體管為基礎的單片集成電路，稱為雙極型集成電路。
雙極型集成電路是最早製成集成化的電路，出現於1958年。雙極型集成電路主要以硅材料為襯底，在平面工藝基礎上採用埋層工藝和隔離技術，以雙極型晶體管為基礎元件。它包括數字集成電路和線性集成電路兩類。
發展簡況 雙極型集成電路是在硅平面晶體管的基礎上發展起來的，最早的是雙極型數字邏輯集成電路。在數字邏輯集成電路的發展過程中，曾出現過多種不同類型的電路形式。常見的雙極型集成電路可分類如下。
DCTL電路是第一種雙極型數字邏輯集成電路，因存在嚴重的「搶電流」問題(見電阻-晶體管邏輯電路)而不實用。RTL電路是第一種有實用價值的雙極型集成電路。早期的數字邏輯系統曾採用過 RTL電路，後因基極輸入迴路上有電阻存在，限制了開關速度。此外,RTL邏輯電路的抗干擾的性能較差，使用時負載又不能多，因而被淘汰。電阻-電容-晶體管邏輯電路（RCTL）是為了改善RTL電路的開關速度而提出來的，即在RTL電路的電阻上並接電容。實際上 RCTL電路也未得到發展。DTL電路是繼 RTL電路之後為提高邏輯電路抗干擾能力而提出來的。DTL電路在線路上採用了電平位移二極體,抗干擾能力可用電平位移二極體的個數來調節。常用的 DTL電路的電平位移二極體，是用兩個硅二極體串接而成，其抗干擾能力可提高到1.4伏左右（見二極體-晶體管邏輯電路）。HTL電路是在 DTL電路的基礎上派生出來的。HTL電路採用反接的齊納二極體代替DTL電路的電平位移二極體,使電路的閾值提高到約7.4伏左右(見高閾值邏輯電路)。可變閾值邏輯電路(VTL)也是DTL電路系列中的另一種變形電路。閾值邏輯電路(TLC)是 HTL和VTL邏輯電路的總稱。TTL邏輯電路是在DTL邏輯電路基礎上演變而來，於1962年研製成功。為了提高開關速度和降低電路功耗,TTL電路在線路結構上經歷了三代電路形式的改進(見晶體管-晶體管邏輯電路)。
以上均屬飽和型電路。在進一步探索提高飽和型電路開關速度的同時，發現晶體管多餘載流子的存儲效應是一個極重要的障礙。存儲現象實質上是電路在開關轉換過程中由多餘載流子所引起。要提高電路開關速度,除了減少晶體管PN結電容，或者設法縮短多餘載流子的壽命以外，就得減少和消除晶體管內載流子存儲現象。60年代末和70年代初，人們開始在集成電路中利用熟知的肖特基效應。在TTL電路上制備肖特基勢壘二極體,把它並接在原有晶體管的基極和集電極上，使晶體管開關時間縮短到1納秒左右；帶肖特基勢壘二極體箝位的TTL門電路的平均傳輸延遲時間達2～4納秒。
肖特基勢壘二極體-晶體管-晶體管邏輯電路(STTL)屬於第三代 TTL電路。它在線路上採用了肖特基勢壘二極體箝位方法，使晶體管處於臨界飽和狀態，從而消除和避免了載流子存儲效應。與此同時,在TTL電路與非門輸出級倒相器的基極引入晶體管分流器，可以改善與非門特性。三極體帶有肖特基勢壘二極體，可避免進入飽和區，具有高速性能；輸出管加上分流器，可保持輸出級倒相的抗飽和程度。這類雙極型集成電路，已不再屬於飽和型集成電路，而屬於另一類開關速度快得多的抗飽和型集成電路。
發射極耦合邏輯電路(ECL)是電流型邏輯電路(CML)。這是一種電流開關電路, 電路的晶體管工作在非飽和狀態,電路的開關速度比通常TTL電路又快幾倍。ECL邏輯電路把電路開關速度提高到 1納秒左右，大大超過 TTL和STTL電路。ECL電路的出現,使雙極型集成電路進入超高速電路范圍。
集成注入邏輯電路 (I2L)又稱合並晶體管邏輯電路(MTL)，是70年代研製成的。在雙極型集成電路中，I2L電路的集成密度是最高的。
三層結構邏輯電路(3TL)是1976年中國在I2L電路的基礎上改進而成,因有三層結構而得名。3TL邏輯電路採用NPN管為電流源，輸出管採用金屬做集電極(PNM)，不同於I2L結構。
多元邏輯電路(DYL)和雙層邏輯電路(DLL)，是1978年中國研製成功的新型邏輯電路。DYL邏輯電路線性與或門,能同時實現開關邏輯和線性邏輯處理功能。DLL電路是通過ECL和TTL邏輯電路雙信息內部變換來實現電路邏輯功能的。
此外，在雙極型集成電路發展過程中，還有許多其他型式的電路。例如,發射極功能邏輯電路(EFL)、互補晶體管邏輯電路(CTL)、抗輻照互補恆流邏輯電路(C3L)、電流參差邏輯電路(CHL)、三態邏輯電路(TSL)和非閾值邏輯電路(NTL)等。
特點和原理 雙極型集成電路的製造工藝，是在平面工藝基礎上發展起來的。與製造單個雙極型晶體管的平面工藝相比，具有若干工藝上的特點。
①雙極型集成電路中各元件之間需要進行電隔離。集成電路的製造，先是把矽片劃分成一定數目的相互隔離的隔離區；然後在各隔離區內製作晶體管和電阻等元件。在常規工藝中大多採用PN結隔離，即用反向PN結達到元件之間相互絕緣的目的。除PN結隔離以外，有時也採用介質隔離或兩者混合隔離法（見隔離技術）。
②雙極型集成電路中需要增添隱埋層。通常，雙極型集成電路中晶體管的集電極，必須從底層向上引出連接點，因而增加了集電極串連電阻，這不利於電路性能。為了減小集電極串連電阻，製作晶體管時在集電極下邊先擴散一層隱埋層，為集電極提供電流低阻通道和減小集電極的串聯電阻。隱埋層，簡稱埋層，是隱埋在矽片體內的高摻雜低電阻區。埋層在製作集成電路之前預先「埋置」在晶片體內。其工藝過程是：在 P型矽片上，在預計製作集電極的正下方某一區域里先擴散一層高濃度施主雜質即N+區;而後在其上再外延生長一層N型硅單晶層。於是，N型外延層將N+區隱埋在下面,再在這一外延層上製作晶體管。
③雙極型集成電路通常採用擴散電阻。電路中按電阻阻值大小選擇制備電阻的工藝，大多數是利用晶體管基區P型擴散的同時，製作每方約 150～200歐·厘米的P型擴散電阻。但是,擴散電阻存在阻值誤差大、溫度系數高和有寄生效應等缺點。除採用擴散電阻外，有時也採用硅單晶體電阻。
④雙極型集成電路元件間需要互連線，通常為金屬鋁薄層互連線。單層互連布線時難以避免交叉的位置，必要時可採用濃磷擴散低阻區，簡稱磷橋連接法。
⑤雙極型集成電路存在寄生效應。雙極型集成電路的縱向NPN晶體管，比分立晶體管多一個P型襯底層和一個PN結。它是三結四層結構。增加的襯底層是所有元件的公共襯底，增加的一個PN結是隔離結(包括襯底結)。雙極型集成電路因是三結四層結構而會產生特有的寄生效應：無源寄生效應、擴散電阻的寄生電容和有源寄生效應。隔離電容是集電極N型區與隔離槽或襯底P型區形成的PN結產生的電容。隔離和襯底接最低電位，所以這個電容就是集電極對地的寄生電容。擴散電阻的寄生電容是擴散電阻P型區與集電極外延層N型區產生的PN結電容，也屬無源寄生效應。這一PN結電容總是處於反偏置工作狀態。有源寄生效應即 PNP寄生晶體管。在電路中，NPN晶體管的基區、集電區（外延層）和襯底構成PNP寄生晶體管。在通常情況下，因PN結隔離，外延層和襯底之間總是反向偏置。只有當電路工作時,NPN管的集電結正偏，寄生PNP管才進入有源區。
工藝制備 （見彩圖）是利用PN結隔離技術制備雙極型集成電路倒相器的工藝流程，圖中包括一個NPN晶體管和一個負載電阻R。原始材料是直徑為75～150毫米摻P型雜質的硅單晶棒，電阻率ρ=10歐·厘米左右。其工藝流程是：先經過切片、研磨和拋光等工藝(是矽片制備工藝)制備成厚度約300～500微米的圓形矽片作為襯底，然後進行外延生長、氧化、光刻、擴散、蒸發、壓焊和多次矽片清洗，最後進行表面鈍化和成品封裝。
製作雙極型集成電路晶元需要經過 5次氧化，對氧化硅 (SiO2)薄層進行5次光刻，刻蝕出供擴散摻雜用的圖形窗口。最後還經過兩次光刻，刻蝕出金屬鋁互連布線和鈍化後用於壓焊點的窗口。因此，整套雙極型集成電路掩模版共有 7塊。即使通常省去鈍化工藝，也需要進行6次光刻，需要6塊掩模版。
⑶ 國內集成電路行業，目前的情況怎麼樣前景如何
如果不是這個專來業，建議不要自來了
不是很好的產業，現在已經快到夕陽產業了
IC設計現在就是靠的是工藝的升級，工藝升級才會產生新問題，才會要設計人員
你知道現在的工藝達到多少了嗎？20nm已經有大公司量產了，概念是以後從物理層無法再升級，摩爾定律不再適用
那時候，所有的設計差不多完成，IC廠商只是把這些設計去流片而已
以後的IC設計的方向就是向多產業擴展，如汽車電子，4G，5G晶元，以及醫學晶元，這些是新課題，但能不能成功還是未知數
反正前途未卜，現在的行情還能支撐10年到20年，現在國內的需求還很大，但是等到3年以後就不好說了
⑷ 福建省晉華集成電路有限公司怎麼樣
簡介：晉華集成電路來是源一家半導體集成電路開發商，公司以實現集成電路晶元國產化為己任，旨在成為具有先進工藝與自主知識產權體系的集成電路內存（DRAM）製造企業。
法定代表人：盧文勝
成立時間：2016-02-26
注冊資本：1144482.5萬人民幣
工商注冊號：350582100369370
企業類型：其他有限責任公司
公司地址：福建省泉州市晉江市集成電路科學園聯華大道88號
⑸ 集成電路產業有哪些特點
摘要 第一，產業規模繼續增長，但進出口受經濟下行壓力影響較大。
⑹ 集成電路報考山東省公務員
具體看山東省的專業劃分 你可以參考一下國考專業劃分 計算機肯定不屬於 勉強靠邊的是電子科學與技術這個大類里包括電路與系統專業
如果要求嚴格的話 專業名稱不一樣還是有可能不通過的
具體包考的時候可以打電話到當地人事部門問一下再報
⑺ 集成電路的作用
集成電路的種類與用途
在電子行業，集成電路的應用非常廣泛，每年都有許許多多通用或專用的集成電路被研發與生產出來，本文將對集成電路的知識作一全面的闡述。
一、 集成電路的種類
集成電路的種類很多，按其功能不同可分為模擬集成電路和數字集成電路兩大類。前者用來產生、放大和處理各種模擬電信號；後者則用來產生、放大和處理各種數字電信號。所謂模擬信號，是指幅度隨時間連續變化的信號。例如，人對著話筒講話，話筒輸出的音頻電信號就是模擬信號，收音機、收錄機、音響設備及電視機中接收、放大的音頻信號、電視信號，也是模擬信號。所謂數字信號，是指在時間上和幅度上離散取值的信號，例如，電報電碼信號，按一下電鍵，產生一個電信號，而產生的電信號是不連續的。這種不連續的電信號，一般叫做電脈沖或脈沖信號，計算機中運行的信號是脈沖信號，但這些脈沖信號均代表著確切的數字，因而又叫做數字信號。在電子技術中，通常又把模擬信號以外的非連續變化的信號，統稱為數字信號。目前，在家電維修中或一般性電子製作中，所遇到的主要是模擬信號；那麼，接觸最多的將是模擬集成電路。
集成電路按其製作工藝不同，可分為半導體集成電路、膜集成電路和混合集成電路三類。半導體集成電路是採用半導體工藝技術，在硅基片上製作包括電阻、電容、三極體、二極體等元器件並具有某種電路功能的集成電路；膜集成電路是在玻璃或陶瓷片等絕緣物體上，以「膜」的形式製作電阻、電容等無源器件。無源元件的數值范圍可以作得很寬，精度可以作得很高。但目前的技術水平尚無法用「膜」的形式製作晶體二極體、三極體等有源器件，因而使膜集成電路的應用范圍受到很大的限制。在實際應用中，多半是在無源膜電路上外加半導體集成電路或分立元件的二極體、三極體等有源器件，使之構成一個整體，這便是混合集成電路。根據膜的厚薄不同，膜集成電路又分為厚膜集成電路（膜厚為1μm～10μm）和薄膜集成電路（膜厚為1μm以下）兩種。在家電維修和一般性電子製作過程中遇到的主要是半導體集成電路、厚膜電路及少量的混合集成電路。
按集成度高低不同，可分為小規模、中規模、大規模及超大規模集成電路四類。對模擬集成電路，由於工藝要求較高、電路又較復雜，所以一般認為集成50個以下元器件為小規模集成電路，集成50－100個元器件為中規模集成電路，集成100個以上的元器件為大規模集成電路；對數字集成電路，一般認為集成1～10等效門／片或10～100個元件／片為小規模集成電路，集成10～100個等效門／片或100～1000元件／片為中規模集成電路，集成100～10,000個等效門／片或1000～100,000個元件／片為大規模集成電路，集成10,000以上個等效門／片或100,000以上個元件／片為超大規模集成電路。
按導電類型不同，分為雙極型集成電路和單極型集成電路兩類。前者頻率特性好，但功耗較大，而且製作工藝復雜，絕大多數模擬集成電路以及數字集成電路中的TTL、ECL、HTL、LSTTL、STTL型屬於這一類。後者工作速度低，但輸人阻抗高、功耗小、製作工藝簡單、易於大規模集成，其主要產品為MOS型集成電路。MOS電路又分為NMOS、PMOS、CMOS型。
NMOS集成電路是在半導體矽片上，以N型溝道MOS器件構成的集成電路；參加導電的是電子。PMOS型是在半導體矽片上，以P型溝道MOS器件構成的集成電路；參加導電的是空穴。CMOS型是由NMOS晶體管和PMOS晶體管互補構成的集成電路稱為互補型MOS集成電路，簡寫成CMOS集成電路。
除上面介紹的各類集成電路之外，現在又有許多專門用途的集成電路，稱為專用集成電
路。
下面我們先介紹模擬集成電路中不同功能的電路。
1．集成運算放大器
集成運算放大器是一種高增益的直接耦合放大器，其內部包含數百個晶體管、電阻、電容，但體積只有一個小功率晶體管那麼大，功耗也僅有幾毫瓦至幾百毫瓦，但功能很多。它通常由輸人級、中間放大級和輸出級三個基本部分構成。運算放大器除具有十、一輸人端和輸出端外，還有十、一電源供電端、外接補償電路端、調零端、相位補償端、公共接地端及其他附加端等。它的放大倍數取決於外接反饋電阻，這給使用帶來很大方便。其種類有通用型運算放大器，比如uA709、5G922、FC1、FC31、F005、4E320、8FC2、SG006、BG305等；通用Ⅲ型有F748、F108、XFC81、F008、4E322等；低功耗放大器（UPC253、7XC4、5G26、F3078等）；低雜訊運算放大器（如F5037、XFC88）；高速運算放大器（如國產型號有F715、F722、4E321、F318，國外的有uA702）；高壓運算放大器（國產的有F1536、BG315、F143）；還有電流型、單電源、跨導型、靜電型、程式控制型運算放大器等。
2．穩壓集成電路
穩壓集成電路又稱集成穩壓電源，其電路形式大多採用串聯穩壓方式。集成穩壓器與分立元件穩壓器相比，體積小，性能高、使用簡便可靠。集成穩壓器的種類有，多端可調式、三端可調式、三端固定式及單片開關式集成穩壓
器。
多端可調集成穩壓器精度高、價格低，但輸出功率小，引出端多，給使用帶來不方便。
多端可調式集成穩壓器可根據需要加上相應的外接元件，組成限流和功率保護。國內外同類產品基本電路形式有區別，基本原理相似。國產的有W2系列、WB7系列、WA7系列、BG11等。
三端可調式輸出集成穩壓器精度高，輸出電壓紋波小，一般輸出電壓為1.25V～35V或l.25V～35V連續可調。其型號有W117、W138、LM317、LM138、LMl96等型號。
三端固定輸出集成穩壓器是一種串聯調整式穩壓器，其電路只有輸人、輸出和公共3個引出端，使用方便。其型號有W78正電壓系列、W79負電壓系列。
開關式集成穩壓器是新的一種穩壓電源，其工作原理不同上述三種類型，它是由直流變交流再變直流的變換器，輸出電壓可調，效率很高。其型號有AN5900、HA17524等型號，廣泛用於電視機、電子儀器等設備中。
3、音響集成電路
單響集成電路隨著收音機、收錄機、組合音響設備的發展而不斷開發。對音響電路要求多功能、大功率和高保真度。比如一塊單片收音機、錄音機電路，就必須具有變頻、檢波。中放、低放、AGC、功放和穩壓等電路。音響集成電路工藝技術不斷發展，採用數字傳輸和處理，使音響系統的各項電聲指標不斷提高。比如，脈沖碼調制錄音機、CD唱機，能使信噪比和立體聲分離度切變好，失真度減到最小。
音響集成電路按本身的電路功能分有，高、中頻放大集成電路、功放集成電路、低噪前置放大集成電路、立體聲解碼集成電路、單片收音機、收錄機集成電路。驅動集成電路及特殊功能集成電路。
高、中頻放大器集成電路體積小而緊湊，自動增益高、控制特性好、失真小，在收音機、收錄機中得到廣泛應用。其中調幅集成電路的型號有FD304、SL1018、SL1018AM、TB1018等型號。調頻集成電路有TA7303、TDA1576、LA1165、LA1210、TDA1062等型號。調幅、調頻共用集成電路內設AM變頻功能、AM檢波功能、FM鑒頻限幅功能。調頻立體聲接收機的專門用的立體聲解碼電路。後期（70年代以後）產品有LA3350、LA3361、HA11227、AN7140、BA1350、TA7343P等型號。單片集成電路已成為世界流行的一種單片音響集成電路。用單片收音機集成電路裝配收音機其成本低，調試方便。其中ULN2204型AM收音機集成電路，功能齊全，能在3V～12V電壓范圍內工作。類似型號有HA12402、TA7613、ULN2204A型等。
特殊功能集成電路有顯示驅動電路、電動機穩速電路、自動選曲電路及降噪電路等。
其中雙列5點LED電平顯示驅動集成電路可同時驅動10隻發光二極體，它是高中檔收錄機、收音機、CD唱機等音響設備中，用來作音量指示、交直流電平指示、交直流電源電壓指示的常用集成電路。比如，我國生產的SL322、SL325等型號，國外的LB1405、TA7666P型等。6、7、9點LED電平顯示驅動集成電路的型號有SL326、SL327、LB1407、LB1409型等。
特殊功能的集成電路除上述外，還有自動選曲集成電路、降噪集成電路等。比如，有NE464、LM1101、LA2730、uPC1180、HA12045、HA12028等型號，有的電路型號具有一定的兼容性。
4．電視集成電路
電視機採用的集成電路種類繁多，型號也不統一，但有趨向單片機和兩片機的高集成化發展。用於電視機的集成電路列舉如下：
（1）伴音系統集成電路
電視伴音系統目前新動向，就是採用電視多重伴音系統，使用各種單片式或多塊式電視雙伴音信號處理集成電路。比如，用於彩色電視機伴音電路的BL5250型、BJ5250、DG5250型伴音中放、音頻功放集成電路。該電路採用16引腳雙列直插式，並附有散熱片。D7176P、uPC1353C型伴音中放、限幅放大集成電路，具有高增益、直流工作點穩定、檢波失真小、頻響性能好、輸出功率大等特點。uPC1353C型與AN1353型功能完全相同。其直流音量控制范圍達80dB，輸出級電壓范圍為9V～18V，失真小於0.6%，最大音頻輸出功率為1.2W～2.4W。
用於伴音中放、功放的集成電路還有：D7176、TA7678AD、IX0052CE、IX0065CE、AN241P、CA3065、KA2101、LA1365、TA7176、KC583型等。
（2）行場掃描集成電路
行場掃描集成電路性能優於分立元件電路，並且有的集成掃描電路系統採用了數字自動同步電路，可得到穩定的場頻信號，保證了隔行掃描的穩定性，可省掉「場同步」電位器調整，提高了自動化程度。比如，D7609P、LA1460、TA7609P、TB7609等型號，電路功能有：同步分離、場輸出、場振盪、AFT、行振盪保護等。
D002（國產）、HA11669（國外）型電路，電路功能有行振盪、行激勵；D004（國產）、KC581C（國外）型電路，主要功能是場振盪、場輸出；D7242、TA7242P、KA2131、uPC1031Hz、LA1358、uPC1378h等型號，主要功能是場振盪、場輸出，場激勵；D103lHz、BG103lHz、LD1031Hz、uPC1031Hz型電路主要功能有：場振盪、場輸出。
（3）圖像中放、視放集成電路
早期的中頻通道集成電路，是用三塊集成電路分別完成中放、視頻檢波及AFT等功能。目前已出現把圖像中放、視頻，伴音中放，行場掃描三大系統壓縮在一塊晶元中的集成電路，使電路簡化，給使用、調試帶來更大方便。
該類集成電路有：D1366C、SF1366、uPC1366、CD003、HA1167、D7607AP、TA7607、AN5132、CD7680CD、HA1126D、HA11215A、TB7607、TA7611AP、LA1357N、AN5150。
M51353 P等。
（4）彩色解碼集成電路
彩色解碼電路的功能是恢復彩色信號，使圖像的顏色正常。早期的彩色解碼集成電路是由幾塊電路完成，如國產的5G3108、5G314、7CD1、7CD2、7CD3等；後來採用單片式PAL制彩色解碼集成電路，如TA7193AP／P、TA7644AP/P、IX02lCE、uPC1400c、M51338SP、M51393AP、IX0719CE、AN5625型等。其中的AN5625、uPC1400C等集成電路應用了數字濾波延時網路，有的把全部小信號處理集成到一塊電路中，使電路體積減小，功能更全。
（5）電源集成電路
目前多數電視機的電源控制採用了集成電路，電路類型有開關型和串聯型。
開關穩壓電源控制的集成電路有：W2019、IR9494、NJM2048、AN5900型等；屬於串聯型直流穩壓集成電路有：STR455、STR451、LA5110、LA5112、STR5404等型號。
（6）遙控集成電路
遙控集成電路分為遙控發射集成電路和遙控接收集成電路。比如，用於日立CEP－323D型彩電、福日HFC－323型彩電的集成電路為uPD1943G和LA7234型遙控集成電路。uPD1934G為遙控發射電路，發射紅外光信號；LA7224為遙控接收集成電路。
uPD1943G為20引腳雙引直插封裝（也有22列扁平封裝），其主要參數與特點如下：
①為CMOS電路，特點與M50119相似；
②電源電壓為3V，電源電流為0.lmA～1mA；
③輸出電流為13mA，功耗為0.25W；
④可配接4×8鍵，共32個控制功能。
M50142P和uPC1373H為一對遙控集成電路。
uPC1373H的主要參數與特點：
①電源電壓為6V～14.4V。
②電流變化范圍為1.3mA～3.5mA；
③允許耗散功率為0.27W；
④主要特點、結構、引腳排列與LA7224相同；
⑤常在第4腳對地接一個150k電阻。
5．電子琴集成電路
電子琴集成電路有5G2208、5G001、5G002、CW93520、LM6402、M112、Z8611等型號，其外形只有小鈕扣大小，內部含有振盪器、音符發生器、前置放大器等電路，能演奏22～61個基本音符。5G005型為音階發生器，LM8071集成電路可作回響主音階發生器，它是電子琴核心器件之一。M208是一種單片電子琴NMOS集成電路，內設短陣處理61琴鍵，並設可抗抖動電路。YM3812是一種新型電子琴專用音源集成電路。
6．CMO集成電路
在數字集成電路中，我們只介紹MOS數字集成電路中的CMOS電路。因為在一些小家電中，CMOS集成電路用得比較廣泛。
（1）CMOS集成電路的特點
CMOS電路的結構、製作工藝不同於TTL電路，CMOS集成電路的功耗很低。一般小規模CMOS集成電路的靜態平均功耗小於10uW，是各類實用電路中功耗最低的。比如
TTL集成電路的平均功耗為10mw是CMOS電路的10倍。但CMOS集成電路的動態功耗隨工作頻率的升高而增大。
CMOS電路的輸入特性用輸入電流和電容表示，由於電路的輸入電阻很高，輸入電路一般小於0.1uA；輸入電容是各種雜散電容總和，一般在5pF左右。
CMOS電路的輸出特性取決於輸出線路形式和輸出管的特性參數。大多數CMOS電路可用輸出驅動電流、邏輯電平及狀態轉換時間來表示輸出特性。
（2）CMOS集成電路的類型
CMOS電路的類型很多，但最常用的是門電路。
CMOS電路中的邏輯門有非門、與門、與非門、或非門、或門、異或門、異或非門，施密特觸發門、緩沖器、驅動器等。
非門也稱反相器，它是只有1個輸入端和1個輸出端的邏輯門。輸人為高電平時，輸出即為低電平；反之，輸出為高電平。輸出與輸入總是反相或互補的。與門具有2個或2個以上輸入端和1個輸出端。當所有輸人都是高電平時，輸出也為高電平；只要有1個或互個以上輸入低電平時，輸出就為低電平。
與非門則是當輸入端中有1個或1個以上是低電平時，輸出為高電平；只有所有輸入是高電平時，輸出才是低電平。
或門具有1個或端，2個或2個以上的輸入端。當所有輸入為低電平時，輸出才是低電平。如果有1個或1個以上輸入是高電平，則其輸出變相電平。或非門電路是當得入端都處於低電平時，其輸出才呈現高電平；只要有1個或互個以上輸入為高電平，輸出即為低電平。
異或門電路有2個輸入端，1個輸出端。當2個輸入端中只有一個是高電平時，輸出則為高電平；當輸入端都是低電平或都是高電平時，輸出才是低電平。
異或門倒相就變為異或非門。異或非門也稱作為「同或門」。異或非門只有2個輸入端，1個輸出端，當2個輸入端都是低電平或都是高電平時，輸出為高電平；2個輸入端只有1
個是高電平時，輸出才是低電平。
最基本線路構成的門電路存在著抗干擾性能差和不對稱等缺點。為了克服這些缺點，可以在輸出或輸入端附加反相器作為緩沖級；也可以輸出或輸入端同時都加反相器作為緩沖級。這樣組成的門電路稱為帶緩沖器的門電路。
帶緩沖輸出的門電路輸出端都是1個反相器，輸出驅動能力僅由該輸出級的管子特性決定，與各輸入端所處邏輯狀態無關。而不帶緩沖器的門電路其輸出驅動能力與輸入狀態有關。另一方面。帶緩沖器的門電路的轉移特性至少是由3級轉移特性相乘的結果，因此轉換區域窄，形狀接近理想矩形，並且不隨輸入使用端數的情況而變化、加緩沖器的門電路，抗干擾性能提高10％電源電壓。此外，帶緩沖器的門電路還有輸出波形對稱、交流電壓增益大、帶寬窄、輸入電容比較小等優點。不過，由於附加了緩沖級，也帶來了一些缺點。例如傳輸延遲時間加大，因此，帶緩沖器的門電路適宜用在高速電路系統中。
在數字電路中，由於TTL電路、CMOS電路、ECL電路等，它們的邏輯電平不同，當這些電路相互聯接時，一定要進行電平轉換，使各電路都工作在各自允許的電壓工作范圍內。
數字電路中的三態邏輯門，一般是指電路的輸出端的狀態可呈現三種輸出阻態，或簡稱「三態輸出」，這個狀態通常用字母「Z」表示。
三狀態電路在使用時的兩狀態特性與普通電路相同，而在禁止時的「Z」狀態特性則取決於三態門電路的漏電流大小。
⑻ 貼片集成電路與集成電路的區別
貼片集成電路與集成電路事實上就是，前者製造得比較薄，一般比如電腦主板等上邊焊專接的晶元這些屬，就是屬於貼片集成電路
集成電路事實上是總稱，里邊包括上述所說的
但是集成電路也可以稱呼一些比較大的集成電路器件，比如單片機
⑼ 什麼是集成電路
集成電路的發明，是多項技術不斷發展的綜合結果。
最早提出製造半導體集成電路思想的，是從事雷達研究的英國科學家達默。他在1952年5月發表的一篇論文中提出：「由於現在晶體管的出現和半導體方面的研究成果，有可能製造單塊形狀的電子器件而省去連接線。這種器件由多層絕緣材料、通導材料、整流材料和放大材料構成，在各層中去掉某一部分就能使器件具有某種電功能。」
達默的上述設想很有意義，可惜他本人未能使之付諸實施。進入50年代以後，軍事工業和宇航工業的迅速發展，迫切需要各種功能更強、能實現更加復雜功能的半導體器件，而且還希望這種器件越小巧越好。
在社會需要的刺激下，那些早期來到矽谷開創電子工業的一批年輕的微電子工程師們，很自然地把研究方向瞄準到上述目標上。他們設想把一些晶體管及一些元件在新的形式下組合成一種更復雜的線路，而不是簡單地拼湊在一起，這種線路稱為集成電路。從外形來看，它們就是小小的矽片，因此人們也把它們稱為晶元。至今，在各種計算機、計算器及各種電器設備中處處都可以看到這種晶元。早在第二次世界大戰期間，有人就已設法把油墨狀的電阻材料和鍍銀金屬片印在陶瓷基片上，做成電阻和連接線的組合體；而印刷電路工藝的發展和晶體管的發明，都為集成電路的發明做了必要的技術准備。
現在人們認為，世界上最早的集成電路，是1958年由美國物理學家基爾比和諾伊斯兩人各自獨立地研究發明的，為了認定這項發明的專利權，他們兩人所屬的公司之間曾為此引發了一場為時不短的爭執，因此，回顧一下他們各自的發明過程，是很有意思的。
基爾比於1923年生於美國密蘇里州傑斐遜市，1947年畢業於伊利諾大學，1950年在威斯康星大學獲碩士學位。
1958年5月，基爾比進入得克薩斯儀器公司還只有3個月，他被安排去進行電子設備微型化的研究。當時電子設備應用了電子管，後來逐步使用晶體管，但體積龐大。
按照國防部的要求，基爾比的任務是研究如何通過採用較小的元件、更細密的接線，使電子設備體積縮小，更加緊湊靈巧。
在這一年夏天，當基爾比的同事都去度假時，他卻在寧靜的環境中，坐在辦公桌前苦苦思索解決微型化問題的辦法。他在想出新辦法前，屢次碰壁，後來才想到，所需用的全部電路元件包括晶體管、電阻、電容在內，可以用同一種半導體材料製成；這些電路元件必須絕緣，因此能單獨起作用，彼此沒有干擾；而全部電路元件都焊接在半導體圓片的基片或附近，從而可以利用先進的半導體技術手段使電路相互連接，不必擔心元件在連接的地方會出現短路。當時基爾比把這種電路稱為固體電路(現在有人稱為微型電路)。1958年9月，基爾比的第一個安置在半導體鍺片上的電路——「相移振盪器」取得了成功。
諾伊斯於1927年出生於美國衣阿華州的一個小鎮。他對現實世界充滿了好奇心，在十二三歲時就同二哥先後製造過一架碩大的滑翔機，裝配出一輛汽車。他在大學同時學習物理、數學兩個專業，對晶體管及其應用也很感興趣，在晶體管方面奠定了堅實的理論基礎。在1949年考取博士研究生後，仍選修一些有助於晶體管基礎研究的課程，而在學術活動中，又有機會見到晶體管領域著名的專家肖克萊等人。
諾伊斯在1953年取得博士學位後，寧願到待遇低的小公司任職。他認為：「越是小地方，就越能得到多方面的鍛煉，有利於發揮作用。這樣既便於選擇合適的課題進行研究，又能成為企業家。」
當1955年肖克萊在矽谷創建「肖克萊半導體公司」時，諾伊斯就是其中被聘請來的優秀科技人才之一。在肖克萊半導體實驗室成立的第一年內，諾伊斯和他的同事們竭力鼓動肖克萊把研究重點轉向硅晶體管，但肖克萊執意要搞四層二極體的研究。由於認識上的分歧，1957年，諾伊斯和公司的另外7名年輕人一起離開了肖克萊公司，自己成立了「仙童半導體公司」，成為矽谷的第一家專門研製硅晶體管的公司。從這個意義上來說，諾伊斯早年想當企業家的願望果真實現了。
當時，仙童公司在生產晶體管中首先使用一種「平面工藝」。主持技術工作的是赫爾尼，他是當時矽谷最有才乾的科學家之一。他提出的平面工藝法，是通過各種措施把硅表面的氧化層盡量擠壓，直到壓成一張扁平的薄片為止，使器件的各電極在同一個平面上。因此，只要預先設計出晶體管的電極結構圖，通過照相製版的方法，把它精縮成掩模板，就可使立體形狀的晶體管製作成平面形狀的晶體管。於是，結構無論怎樣復雜和精密的晶體管，都可以用這種平面工藝壓縮在一片小小的半導體矽片上。
平面工藝法的提出，使仙童公司科學家的思路豁然開朗，他們一下子看到了令人振奮的應用前景，他們意識到，不只是幾個晶體管可以放置在一塊矽片上，幾十個、幾百個甚至幾百萬個晶體管都可以放到一塊矽片上。
平面工藝後來很快就應用到集成電路的製造上。仙童公司的科學家發現，運用照相平板印刷技術，可以在硅的表面上，把同樣的晶體管按照一定的規律重復地排列，同時又使這些晶體管彼此相連。仙童公司的副經理諾伊斯與他人共同提出了製造集成電路的平面工藝法，並主持製造出世界上第一塊用半導體硅製成的集成電路。
得克薩斯儀器公司的基爾比當然也認識到平面工藝法的重大價值。在諾伊斯之前半年就在製造「相移振盪器」時成功地實現了把電子線路安放在鍺片上的設想。但諾伊斯製成的硅集成電路比基爾比的鍺集成電路更實用，更容易生產。
當後來回憶自己在32歲發明集成電路的情況時，諾伊斯風趣地說：「我發明集成電路，那是因為我是一個『懶漢』。當時曾考慮，用導線連接電子元件太費事，我希望越簡單越好。」
而基爾比在得克薩斯儀器公司發明了後來稱為集成電路的「固體電路」後，立即得到該公司負責人的重視，他們意識到這種新電子器件的重要性，並預計它將會得到廣泛的應用，因此必須大力推廣。
1959年2月，基爾比為他本人的「固體電路」申請了專利。不久之後，得克薩斯儀器公司宣布，他們已生產出一種比火柴頭還小的半導體固體電路。而仙童公司的諾伊斯，雖然在此之前已使用平面工藝製造出半導體矽片集成電路，但並沒有及時申請專利，直到1959年7月，諾伊斯才想到要去辦專利申請手續，但時間已比基爾比晚了半年。
此後上述兩家公司為集成電路的發明權長期爭執不休，就是因為基爾比比諾伊斯申請專利的時間要早一些。基爾比先取得專利，但他的設計思想未能實現；而諾伊斯的平面工藝技術後來成為微電子革命的基礎，但他卻是在基爾比之後才申請專利的，更何況這一項技術在仙童公司並不是由他一人獨自發現並加以完善的。
最後經法庭裁決，集成電路的發明專利權屬於基爾比，而關鍵的有關集成電路的內部連接技術專利權屬於諾伊斯。從1961年起，兩人的專利使各自所在的公司都得到很大的經濟效益，而他們兩人也都因此成為國內外知名的發明家及微電子學的創始人，兩人還一起獲得美國科技人員最渴望得到的「巴倫坦獎章」。
⑽ 集成電路由哪些部分組成
首先設想IC的卻是英國人杜默，他在1952年就發表了IC的思想。IC內是許多二極晶體管、三極晶體管、電阻器、電容器等電子組件的「集成」(「集成電路」也因此得名)，所以省去了連接這些組件的導線空間。例如，著名的「奔騰微處理器(Pentium)」P5——它是美國英特爾(Inetl)公司在1990年初開發的，就集成了300萬個晶體管。當今，IC已經發展到第五代，一個「集成塊」內就有成千上萬個組件。