碳基集成電路

A. 碳基晶元是哪個國家科學家提出來的百度百科

你好朋友，應該是我們國家提出來的，因為只有我們國家科學家有這個實力

B. 碳基集成電路將用什麼設備來加工

所謂的碳基集成電路，就是以碳納米管晶體管（簡稱CNT FET）為核心元件的晶元，前面的回答，對什麼是碳納米管晶體管以及用什麼設備加工，避而不談，所以不請自來，強答一發。先了解什麼是碳納米管晶體管。

還有許多概念產品，這里不一一列舉了，不過這些碳納米管晶體管萬變不離其宗：都有源極、漏極和柵極等晶體管的基本構件；碳納米管是核心器件，硅晶圓從過去的主角（核心材料），退居龍套位置（做襯底），即核心材料變了；更重要的是，核心材料變了，相應的半導體設備也會被淘汰，現有的光刻機派不上用場，因為碳納米管是「長出來的」，不是「刻」出來的，ASML現有的技術積累派不上用場，有希望化解我們一直以來在高端光刻機上被卡脖子的問題。原因很簡單，碳納米管晶體管器件製作，相應的集成電路製造，需要用到新工藝，面臨新挑戰，國內外站在一條起跑線上。

C. 碳基晶元是真事兒，還是在忽悠人

您好，很高興回答的您問題，以下是我的個人觀點。

當然是真事兒，而且這個晶元有很多優勢。

在硅基晶元的發展上，中國面對重重障礙，EDA軟體、IP、晶圓、生產工藝、設備等等的技術都遭到技術封鎖，高端晶元產業鏈幾乎沒有中國的份額，華為海思很不容易搞出晶元來，馬上就遭到美國的打壓。

碳基技術，真的會在不久的將來應用在國防科技，衛星導航，氣象監測，人工智慧，醫療器械這些與國家和人民生活息息相關的重要領域。

彭練矛說“相對於一些時髦的新應用技術，類似晶元這樣的基礎性研究應該獲得更多的關注，因為它對於一個國家的科技實力提升起著更為核心和支撐的作用。”

但是我認為要是投入到工業生產，還是要經過很長的一段路程，希望他們能快點找到解決辦法，所以，要真正做到晶元國產化，不僅要提高晶元研發能力和生產能力，還需要提高我國的光刻機研發的製造能力，這些科技都需要花費很長時人力物力和資金，雖然困難重重，我依然認為不久的將來一定會實現的。

D. 微電子專業能去研究碳基晶元嗎

可以，但是也要看你的個人水平。目前北大碳基晶元團隊的下一個目標，是在2~3年內完成90nm碳基CMOS先導工藝開發，性能上相當於28nm硅基器件。他們也說國內集成電路人才相對緊缺，如果你有興趣可以試一試。

E. 碳基晶元與光子晶元有什麼區別

這個晶元和光子晶元的區別還是很大的，如果你喜歡的話就最好要一個更好的。

F. 碳基晶元的缺點有哪些呢

碳基晶元的缺點有哪些呢？下面，帶大家一起來看一下吧！

碳基晶元的缺點是與反應速度相關

生命的所有特徵，如新陳代謝、繁殖和對環境刺激的反應，都必須依賴化學反應。以對環境刺激的反應為例，從獵豹的快速追逐獵物、變色龍刷子的變化體顏色、撞在強光上時的瞳孔收縮、植物的向光性，都是生物躲避傷害的本能。這種反應實際上是由體內化學反應支持的。這種化學反應的速度在很大程度上決定了生物反應的速度，碳基分子的活性保證了這種化學反應能夠及時進行，以應對地球環境的可能變化。為自然選擇提供可能性。或者惰性太強(如惰性元素)。

G. 生產碳基晶元需要光刻機嗎

在當今社會晶元已經在我們的生活中占據了非常重要的位置，小小的晶元背後凝聚著全世界最先進的科學技術沒有之一，以硅為材料的硅基晶元發展了幾十年，越來越多的晶體管被集成在這個方寸之間，現在高端手機晶元的晶體管已經超過了1百億個，在硅基晶元上摩爾定律已經接近了天花板，人們不斷在尋找新的材料來突破碳基晶元遇到的這個瓶頸，目前最先進的碳納米管製造的就是非常理想的晶體管材料，基於碳納米管製造的碳基晶元並不需要光刻機。

硅基晶元和碳基晶元的生產方式

中國在這場未來科技戰場的競爭中稍微領先

與麻省團隊的實用功利主義思路不同，北大的實驗團隊目標是可以完全超越硅基晶元的創新思想。2020年5月，北大實驗團隊在《科學》雜志上再次取得突破性進展，他們解決了一種重要的難題，如何實現高純度碳納米管的整齊排列搭建，他們創新性的制備出純度優於99.9999%的碳納米管溶液，利用高純度溶液通過維度限制組裝，在4英寸矽片上制備了排列整齊的高密度碳管搭建。

通過這種發放他們製造出的微處理器比麻省實驗室製造出的微處理器要小，但是相比特徵長度相似的硅晶體管，碳基晶體管顯示出了更大優越的性能。

最後總結：

碳基晶元的製造就是需要在晶圓上制備大面積，高密度高純度的碳管排列，目前北大的相關研究技術已經領先全球，假以時日我相信中國的碳基晶元研究一定會在商業應用上取得突破，早日突破國外的技術壁壘，製造出高端先進的碳基晶元。

H. 什麼是碳基晶元「碳基晶元」會取代硅基晶元嗎

在晶元的發展過程中，人們開始探尋新的材料想要代替硅基晶元，而其中碳元素由於本身具有許多優質特性，於是便採用碳納米管來做晶體管，由此做成的碳基晶元。

硅基晶元短時間內無法被取代
用碳納米管來做傳導，晶體管電子遷移率可達到硅晶體管的1000倍，電子的群眾基礎更好，而且碳納米館里的墊子自由城非常長，電子活動更自由，就不容易摩擦發熱，這樣一來看晶體管的極限運動速度會是硅晶體管的5~10倍，功耗方面只有硅晶體管的1/10，這樣一來工藝條件就會變得更寬松一些。
雖然這個概念已經被提了出來，但是想要真正的取代硅基晶元，還是沒有那麼簡單的，因為目前碳經濟管沒有辦法量長，碳元素太過活潑，而且介電常數比較低，所以我們目前的技術存在著一定的技術障礙，除了技術障礙之外，成本以及成本率的問題，目前同樣難以克服。