❶ 如圖！看電路圖，請告訴我電流是怎麼走的，尤其是光電流是怎麼走的，以及光電流和電源電流是否沖突！
黑色部分是金屬，會放出電子，因為電子向右飛行，打到陽極，所以電流表內會有自上而下的光電流，而電源提供的電流也是同樣方向。
其實不應該把光電流和電源電流區分開，這里只有一個完整的迴路，不過可以把光電管和電池理解為兩個電源，正是因為光電管的右側（陽極）接在滑動變阻器靠近電源正極的一端，所以從陰極飛出的電子才會定向向右飛行，因為電子帶負電，所以形成反方向的電流。
❷ 光電流與電壓的關系圖像解析
同一種光的頻率相等，根據光電效應方程E km =hv-W 0 ，最大初動能相等，通過E km =eU C ，知遏止電壓相等，藍光的頻率大於黃光的頻率，則藍光的遏止電壓大於黃光的遏止電壓．光越強，單位時間內產生的光電子數目越多，光電流越大．故A正確，B、C、D錯誤．
故選A．
❸ 光電流的大小和迴路電流大小關系 光電子越多 迴路電流越大嗎
不是。不能籠統地這樣說。光電子、光電流、迴路電流，三者是獨立的不同的概念。三者只有構成相關電路時，才有相互間量的關系。
金屬物體在光的照射下發射電子，使金屬帶正電的現象叫光電效應，發射出的電子叫光電子。很多光電子在電路中由高電勢向低電勢流動形成的電流叫光電流。目前具有實用意義的光電器件是光電二極體、三極體、光伏電池等。
光電二極體在光照作用下產生的光電子，只有在電路中構成電子流通的迴路，並且存在電勢差時才會產生光電流，光電流的大小不單是決定於產生光子的多少，而與產生的光電勢、光電流電路的電勢差和電路阻抗大小有關，服從於歐姆定律，即光電流和電勢差成正比，和阻抗成反比。
❹ 光電流與頻率的關系。
是的,光電效應的產生要求光頻率超過紅限頻率.在頻率高於紅限頻率的前提下,光照強度相同,頻率不同形成的光電流也不同.光強與光電流成正比是有條件的：頻率一定的情況下.光子和光電子在真空中的傳播速度不一樣.
❺ 達到飽和光電流後，電路中還有電流嗎
光電效應概述光照射到某些物質上，引起物質的電性質發生變化。這類光致電變的現象被人們統稱為光電效應
金屬表面在光輻照作用下發射電子的效應，發射出來的電子叫做光電子。光波長小於某一臨界值時方能發射電子，即極限波長，對應的光的頻率叫做極限頻率。臨界值取決於金屬材料，而發射電子的能量取決於光的波長而與光強度無關，這一點無法用光的波動性解釋。還有一點與光的波動性相矛盾，即光電效應的瞬時性，按波動性理論，如果入射光較弱，照射的時間要長一些，金屬中的電子才能積累住足夠的能量，飛出金屬表面。可事實是，只要光的頻率高於金屬的極限頻率，光的亮度無論強弱，光子的產生都幾乎是瞬時的，不超過十的負九次方秒。正確的解釋是光必定是由與波長有關的嚴格規定的能量單位(即光子或光量子)所組成。這種解釋為愛因斯坦所提出。光電效應由德國物理學家赫茲於1887年發現，對發展量子理論起了根本性作用，在光的照射下，使物體中的電子脫出的現象叫做光電效應。 光電效應分為光電子發射、光電導效應和光生伏打效應。前一種現象發生在物體表面，又稱外光電效應。後兩種現象發生在物體內部，稱為內光電效應。光電效應里，電子的射出方向不是完全定向的，只是大部分都垂直於金屬表面射出，與光照方向無關 ,光是電磁波，但是光是高頻震盪的正交電磁場，振幅很小，不會對電子射出方向產生影響.光電效應的臨界值取決於金屬材料,而發射電子的能量取決於光的波長而與光強度無關，這一點無法用光的波動性解釋。還有一點與光的波動性相矛盾，即光電效應的瞬時性，按波動性理論，如果入射光較弱，照射的時間要長一些，金屬中的電子才能積累住足夠的能量，飛出金屬表面。可是實是，只要光的頻率高與金屬的極限頻率，光的亮度無論強弱，光子的產生都幾乎是瞬時的，不超過十的負九次方。正確的解釋是光必定是由與波長有關的嚴格規定的能量單位(即光子或光量子)所組成。</p>2. 光電效應的算式<p>在以愛因斯坦方式量化分析光電效應時使用以下算式：光子能量 = 移出一個電子所需的能量 + 被發射的電子的動能</p>代數形式：</p>h是普朗克常數，<br>f是入射光子的頻率， <br>是功函數，從原子鍵結中移出一個電子所需的最小能量， <br>是被射出的電子的最大動能，<br>f0是光電效應發生的閥值頻率，<br>m是被發射電子的靜止質量， <br>vm是被發射電子的速度， <br>註：如果光子的能量（hf）不大於功函數（φ），就不會有電子射出。功函數有時又以W標記。</p>這個算式與觀察不符時（即沒有射出電子或電子動能小於預期），可能是因為系統沒有完全的效率，某些能量變成熱能或輻射而失去了。</p>3. 光電效應的實驗a．陰極(發射光電子的金屬材料)發射的光電子數和照射發光強度成正比。</p>b．光電子脫出物體時的初速度和照射光的頻率有關而和發光強度無關。這就是說，光電子的初動能只和照射光的頻率有關而和發光強度無關。c．僅當照射物體的光頻率不小於某個確定值時，物體才能發出光電子，這個頻率叫做極限頻率(或叫做截止頻率)，相應的波長λ。叫做紅限波長。不同物質的極限頻率」。和相應的紅限波長λ。是不同的。 幾種金屬材料的極限波長<br>一些金屬的極限波長(埃從實驗知道，產生光電流的過程非常快，一般不超過10的-9次方秒；停止用光照射，光電流也就立即停止。這表明，光電效應是瞬時的。 4. 光電效應的解釋-愛因斯坦方程，根據愛因斯坦的理論，當光子照射到物體上時，它的能量可以被物體中的某個電子全部吸收。電子吸收光子的能量hυ後，能量增加，不需要積累能量的過程。如果電子吸收的能量hυ足夠大，能夠克服脫離原子所需要的能量(即電離能量)I和脫離物體表面時的逸出功(或叫做功函數)W，那麼電子就可以離開物體表面脫逸出來，成為光電子，這就是光電效應。 愛因斯坦方程hυ=(1/2)mv^2+I+W 式中(1/2)mv^2是脫出物體的光電子的初動能。 金屬內部有大量的自由電子，這是金屬的特徵，因而對於金屬來說，I項可以略去，愛因斯坦方程成為 hυ=(1/2)mv^2+W 假如hυ<W,電子就不能脫出>金屬的表面。對於一定的金屬，產生光電效應的最小光頻率(極限頻率) υ0。由 hυ0=W確定。相應的極限波長為 λ0=C/υ0=hc/W。 發光強度增加使照射到物體上的光子的數量增加，因而發射的光電子數和照射光的強度成正比。 5. 光電效應的衍生<p>(一)反常光生伏特效應： 光生伏特效應，一般光生電壓不會超過Vg=Eg/e,但某些薄膜型半導體被強白光照射會出現比Vg高的多的光生電壓，稱反常光生伏特效應。（已觀察到5000V的光生電壓） <br>70年代又發現光鐵電體的反常光生伏特效應（APV）可產生1000V到100000V的電壓，且只出現在晶體自發極化方向上， <br>光生電壓：V=(Jc/(σD+△σl))l <br>(二)貝克勒爾效應： <br>將兩個同樣的電極浸在電解液中，其中一個被光照射，則在兩電極間產生電位差，稱為貝克勒爾效應。<br>（有可能模仿光合作用製成高效率的太陽能電池） (三)光子牽引效應： <br>當一束光子能量不足以引起電子-空穴產生的激光照射在樣本上，可在光束方向上於樣本兩端建立電勢差VL，其大小與光功率成正比，稱為光子牽引效應。 (四)俄歇效應（1925年法國人俄歇） <br>用高能光子或電子從原子內層打出電子，同時產生確定能量的電子（俄歇電子），使原子、分子稱為高階離子的現象稱為俄歇效應。 <br>應用：俄歇電子能譜儀用於表面分析，可辨別不同分子的(五)光電流效應（1927年潘寧） <br>放電管兩級間有光致電壓（電流）變化稱為光電流效應。 <br>（1）：低壓氣體可以放電（約100Pa的惰性氣體） <br>（2）：空間電荷效應與輝光放電： <br>放電管中由陰極到陽極存在7個不同的區域： <br>1：阿斯頓暗區：靠近陰極很薄的一層暗區。原因：從陰極由正離子轟擊出的二次電子動能很小，不足以激發原子發光。 <br>2：陰極輝區：繼阿斯頓暗區後很薄的發光層。 <br>3：陰極暗區：電子從陰極達到該區，獲能量越來越大，超過原子電離能，引起大量碰撞電離，雪崩電離過程集中發生在這里。產生電離後電子很快離開，這里形成了很強的正空間電荷，引起電場分布畸變，管壓大部分降在此處和陰極間 <br>以上三區為陰極位降區。 <br>4：負輝區：是發光最強的區域。電子在負輝區產生許多激發碰撞發出明亮的輝光。 <br>5：法拉第暗區：電子在負輝區損失能量，進入此區無足夠的能量產生激發。 <br>6：正柱區：在此區電子密度與正離子密度相等，凈空間電荷為零，因此又稱等離子區。 <br>7：陽極區：可看到陽極暗區和陽極輝區。</p>應用：氣體放電器件，如氣體放電燈（熒光燈、霓虹燈、原子光譜燈、氖泡）、穩壓管、冷陰極閘流管等。激光器中用正柱區實現粒子束反轉，粒子束裝置中冷陰極離子源，半導體工藝中等離子體刻蝕，薄膜濺射沉積，等離子體化學沉積等。 <br>（3）：光電流效應機理：亞穩態（壽命約10^(-4)s到10^(-2)s）原子較中性原子易於電離，多產生一些激發原子，尤其是亞穩態原子，可能改變放電管中載流子濃度。 <br>（4）：光電流光譜技術應用：光電流光譜無需常規光譜儀的光學系統，從紫外、可見、紅外到微波都可產生光電流效應。光電流光譜有8個數量級的動態范圍，靈敏度高、雜訊小，是一種超靈敏的光譜技術。（1976年格林等用激光證實光電流光譜） <br>（5）：焦希效應：當用可見光連續輻照以空氣或絕緣氣體為介質的氣體電容器時，流經電容器的低頻電流將發生變化，稱為焦希效應。 <br>（6）：馬爾特效應：當放電管陰極表面有金屬氧化膜，正離子轟擊表面時，二次電子發射作用增強，稱為馬爾特效應。 <br>6. 光電效應的應用<p>製造光電倍增管，光電效應，光電倍增管能將一次次閃光轉換成一個個放大了的電脈沖，然後送到電子線路去，記錄下來。算式在以愛因斯坦方式量化分析光電效應時使用以下算式： 光子能量 = 移出一個電子所需的能量 + 被發射的電子的動能 代數形式： hf=φ+Em φ=hf0 Em=(1/2)mv^2 其中 h是普朗克常數，h = 6.63 ×10^-34 J·s， f是入射光子的頻率， φ是功函數，從原子鍵結中移出一個電子所需的最小能量， f0是光電效應發生的閥值頻率， Em是被射出的電子的最大動能， m是被發射電子的靜止質量， v是被發射電子的速度， 註：如果光子的能量（hf）不大於功函數（φ），就不會有電子射出。功函數有時又以W標記。 這個算式與觀察不符時（即沒有射出電子或電子動能小於預期），可能是因為系統沒有完全的效率，某些能量變成熱能或輻射而失去了。</p>光控制電器 ，光電效應，利用光電管製成的光控制電器，可以用於自動控制，如自動計數、自動報警、自動跟蹤等等，右上圖是光控繼電器的示意圖，它的工作原理是：當光照在光電管上時，光電管電路中產生電光流，經過放大器放大，使電磁鐵M磁化，而把銜鐵N吸住，當光電管上沒有光照時，光電管電路中沒有電流，電磁鐵M就自動控制，利用光電效應還可測量一些轉動物體的轉速。</p>光電倍增管 ，光電效應，利用光電效應還可以製造多種光電器件，如光電倍增管、電視攝像管、光電管、電光度計等，這里介紹一下光電倍增管。這種管子可以測量非常微弱的光。右下圖是光電倍增管的大致結構，它的管內除有一個陰極K和一個陽極A外，還有若干個倍增電極K1、K2、K3、K4、K5等。使用時不但要在陰極和陽極之 間加上電壓，各倍增電極也要加上電壓，使陰極電勢最低，各個倍增電極的電勢依次升高，陽極電勢最高，這樣，相鄰兩個電極之間都有加速電場，當陰極受到光的照射時，就發射光電子，並在加速電場的作用下，以較大的動能撞擊到第一個倍增電極上，光電子能從這個倍增電極上激發出較多的電子，這些電子在電場的作用下，又撞擊到第二個倍增電極上，從而激發出更多的電子，這樣，激發出的電子數不斷增加，最後後陽極收集到的電子數將比最初從陰極發射的電子數增加了很多倍（一般為105～108倍）。因而，這種管子只要受到很微弱的光照， 就能產生很大電流，它在工程、天文、軍事等方面都有重要的作用。農業病蟲害防治，光電效應，農業蟲害的治理需要依據為害昆蟲的特性提出與環境適宜、生態兼容的技術體系和關鍵技術。為害昆蟲表現了對敏感光源具有個體差異性和群體一貫性的趨光性行為特徵，並通過視覺神經信號響應和生理光子能量需求的方式呈現出生物光電效應的作用本質。利用昆蟲的這種趨性行為誘導增益特性，一些光電誘導殺蟲燈技術以及害蟲誘導捕集技術廣泛地應用於農業蟲害的防治，具有良好的應用前景7. 光電效應獲獎：愛因斯坦，愛因斯坦因成功解釋了光電效應而獲得1921年諾貝爾物理學獎
❻ 設計一個電路原理圖:使用光敏二極體將光電流轉換光電壓並用LCD顯示出來
光電流轉換為電壓後，可將該電壓用經過放大電路後送入AD采樣經單片機處理後，輸出到LCD上顯示出來。
❼ 達到飽和光電流後,電路中還有電流嗎
光電管在光的照射下會產生光電效應,在電路中產生電流；在光強增高到達飽和電流時,繼續增大光強,而電流則不再增加,維持在飽和值；所以這時候電路中繼續存在電流,只是這個電流已經不再隨光強的增加而增大.
❽ 光電流的大小與哪些因素有關
光電流的大小與光的強度，頻率大小有關。
純電阻電路在U從零開始慢慢加大時，在不超過電路最大安全電壓情況下電流I也跟著慢慢變大；非純電阻電路在U從零開始慢慢加大時，剛開始電流I也跟著一起變大，當電壓達到電路最低工作電壓時電流突然減小，接著又隨著電壓的增大而增大。