Ⅰ 求過流保護電路，檢測用0.1歐姆的電阻，電路流短路時MOS管關斷。
用1個NPN三極體，把基極和發射極接在取樣電阻兩端，集電極輸出到IO,當電流增大時，電阻上的壓降增加，超過三極體的導通電壓後，集電極輸出信號給單片機。
Ⅱ 用mos管設計一個小電壓控制大電壓大電流的開關電路有經驗的幫一下吧 急
這個你可以去參考開關電源電路，那些作為開關的場效應管大都是你想要的小電壓控制大電壓大電流的電路；
Ⅲ 穩壓管和mos管過壓保護電路
這個題你不懂的核心是你不知道那個「地」就是電路的「參考點」，無論輸入輸出信號都是以這個地為統一參考測量點。
當柵極電壓超過穩壓值的時候，穩壓二極體擊穿導通，對柵極電位進行了嵌位，以不被高尖峰的電壓擊穿。
Ⅳ 無刷電機過流保護電路，不急時會燒壞MOSFET,麻煩高手指點下。
MOS管的散熱沒解決好。
MOS管要很好的工作，必須有良好的散熱條件。根據你的描述，只有電流保護，不么熱保護。所以當PWM一半時，電流不到保護值，保護不動作。但這時MOS管的散熱不足，熱量積累造成燒毀。當PWM全開時，由於電流保護動作，雖然MOS管散熱不足，但時間很短，所以不會燒毀。
解決辦法：增大MOS管散熱面積。
換功率大些的管子也是一種解決方案。
Ⅳ 請教：MOS管做開關電路
MOS管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由於MOS管是電壓控制元件，所以主要回由柵源電壓uGS決定其答工作狀態。
MOS管在導通與截止兩種狀態發生轉換時同樣存在過渡過程，但其動態特性主要取決於與電路有關的雜散電容充、放電所需的時間，而管子本身導通和截止時電荷積累和消散的時間是很小的。
MOS管也是三端壓控元件，三端分別是G、D、S，可以等效於普通三極體的B、C、E三極，VGS的電壓（=VG-VS）控制Mos 開關狀態:
當VGS大於Von（開啟電壓，NMOS為2~4V，PMOS為-2~-4V）時就使得Mos打開，D& S兩極之間導通，壓降為零，阻抗較小，零點幾歐姆；
同理當VGS小於Von時就使得Mos處於關閉狀態，D& S兩極之間阻抗很大；
所以，G極就是控制極；
要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值為4V，可是擊穿電壓為正負20V；又比如IRF9530，開啟電壓為最大-4V，也就是說Vgs=-5V時已經打開，開啟電壓上限也為正負20V，當Vgs=-21V或者22V時，管子會被擊穿。通常使用時，可以使所加電壓Vgs=正負9伏比較適合。
Ⅵ 用MOS管和比較器如何搭建一個過流保護的電路啊請大俠搶救。
把mos管的DS串聯到迴路中，常態給mos管的GS間一個+10V的電壓，然後在比較同相端設定一個限定電壓，在反相端輸入采樣信號，當采樣的信號超過這個限定電壓時比較器輸出一個0電平把GS的電壓拉低，使MOS管關斷。當然比較器是單電源供電。
Ⅶ mos管的VGS兩端如何去做保護電路
在GS端加TVS管鉗位Vgs電壓。
Ⅷ 怎樣做MOS管過流與短路保護
電路板布線的時候 把一部分布線布的窄一點，當電流過大 這部分布線就會燒斷，布線寬度 參考銅的耐電流大小