薄膜電路工藝

『壹』 薄膜集成電路的特點與應用

與厚膜混合集成電路相比較，薄膜電路的特點是所製作的元件參數范圍寬、精度高、溫度頻率特性好，可以工作到毫米波段。並且集成度較高、尺寸較小。但是所用工藝設備比較昂貴、生產成本較高。
薄膜混合集成電路適用於各種電路，特別是要求精度高、穩定性能好的模擬電路。與其他集成電路相比，它更適合於微波電路。

『貳』 薄膜集成電路是怎樣組裝而成的

薄膜集成電路是將整個電路的晶體管、二極體、電阻、電容和電感內等元件以及它們之間的互容連引線，全部用厚度在1微米以下的金屬、半導體、金屬氧化物、多種金屬混合體、合金或絕緣介質薄膜，並通過真空蒸發、濺射和電鍍等工藝製成的集成電路。薄膜集成電路中的有源器件，即晶體管，有兩種材料結構形式：一種是薄膜場效應硫化鎘或硒化鎘晶體管，另一種是薄膜熱電子放大器。更多的實用化的薄膜集成電路採用混合工藝，即用薄膜技術在玻璃、微晶玻璃、鍍釉和拋光氧化鋁陶瓷基片上制備無源元件和電路元件間的連線，再將集成電路、晶體管、二極體等有源器件的晶元和不使用薄膜工藝製作的功率電阻、大容量的電容器、電感等元件用熱壓焊接、超聲焊接、梁式引線或凸點倒裝焊接等方式，就可以組裝成一塊完整的集成電路。

『叄』 厚膜電路相對PCB電路和半導體集成電路有哪些特點

集成電路分為厚膜電路、薄膜電路和半導體集成電路。厚膜電路與薄膜電路的區別有兩點：其一是膜厚的區別，厚膜電路的膜厚一般大於10μm，薄膜的膜厚小於10μm，大多處於小於1μm；其二是製造工藝的區別，厚膜電路一般採用絲網印刷工藝，最先進的材料基板使用陶瓷作為基板，（較多的使用氧化鋁陶瓷），薄膜電路採用的是真空蒸發、磁控濺射等工藝方法。
厚膜電路的優勢在於性能可靠，設計靈活，投資小，成本低，多應用於電壓高、電流大、大功率的場合。

『肆』 集成電路工藝的薄膜工藝

薄膜集成電路工藝
整個電路的晶體管、二極體、電阻、電容和電感等元件及其間的互連線回,全部用厚度答在1微米以下的金屬、半導體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣介質薄膜，並通過真空蒸發工藝、濺射工藝和電鍍等工藝重疊構成。用這種工藝製成的集成電路稱薄膜集成電路。
薄膜集成電路中的晶體管採用薄膜工藝製作, 它的材料結構有兩種形式：①薄膜場效應硫化鎘和硒化鎘晶體管，還可採用碲、銦、砷、氧化鎳等材料製作晶體管；②薄膜熱電子放大器。薄膜晶體管的可靠性差，無法與硅平面工藝製作的晶體管相比，因而完全由薄膜構成的電路尚無普遍的實用價值。
實際應用的薄膜集成電路均採用混合工藝，也就是用薄膜技術在玻璃、微晶玻璃、鍍釉或拋光氧化鋁陶瓷基片上制備無源元件和電路元件間的互連線，再將集成電路、晶體管、二極體等有源器件的晶元和不便用薄膜工藝製作的功率電阻、大電容值的電容器、電感等元件用熱壓焊接、超聲焊接、梁式引線或凸點倒裝焊接等方式組裝成一塊完整電路。

『伍』 薄膜電路

問題也太專業了
是否要放在晶元上
或者簡單的連接電線
如果是連電線可以用修電腦專用的導電銀膠
如果是植入晶元沒有專門設備好像不行吧

導電銀膠是用銀粉做的膠水一樣的東西
在電路板上塗上以後可以當導線

『陸』 薄膜開關是怎麼做出來的

看圖

『柒』 薄膜與厚膜集成電路工藝優缺點

包括在製造工藝和功用等方面. 薄膜集成電路是將整個電路的晶體管、二極二、

『捌』 集成電路工藝主要分為哪幾類

集成電路工藝主要分為半導體集成電路、膜集成電路和混合集成電路3類。

半導體集成電路是採用半導體工藝技術，在硅基片上製作包括電阻、電容、三極體、二極體等元器件的集成電路；膜集成電路是在玻璃或陶瓷片等絕緣物體上，以「膜」的形式製作電阻、電容等無源元件的集成電路。

無源元件的數值范圍可以做得很寬，精度可以做得很高。技術水平尚無法用「膜」的形式製作晶體二極體、三極體等有源器件，因而膜集成電路的應用范圍受到很大的限制。在實際應用中，多半是在無源膜電路上外加半導體集成電路或分立元件的二極體、三極體等有源器件，使之構成一個整體，這就是混合集成電路。

根據膜的厚薄不同，膜集成電路又分為厚膜集成電路（膜厚為1～10μm）和薄膜集成電路（膜厚為1μm以下）兩種。在家電維修和一般性電子製作過程中遇到的主要是半導體集成電路、厚膜電路及少量的混合集成電路。

(8)薄膜電路工藝擴展閱讀：

1、按用途分類

集成電路按用途可分為電視機用集成電路、音響用集成電路、影碟機用集成電路、錄像機用集成電路、電腦（微機）用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種專用集成電路。

2、按應用領域分類

集成電路按應用領域可分為標准通用集成電路和專用集成電路。

3、按外形分類

集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用於大功率）、扁平型（穩定性好，體積小）和雙列直插型。

『玖』 薄膜集成電路的主要工藝

薄膜混合集成電路所用基片有多種，最常用的是玻璃基片,其次是微晶玻璃和被釉陶瓷基片,有時也用藍寶石和單晶硅基片。為了實現緊密組裝和自動化生產，一般使用標准基片。
在基片上形成薄膜有多種方法。製造薄膜網路常用物理汽相淀積(PVD)法,有時還用陽極氧化或電鍍法。在物理汽相淀積法中，最常用的是蒸發工藝和濺射工藝。這兩種工藝都是在真空室中進行的，所以統稱為真空成膜法。用這兩種方法，可以製造無源網路中的無源元件、互連線、絕緣膜和保護膜。陽極氧化法可以形成介質膜，並能調整電阻膜的阻值。在製造分布參數微波混合集成電路時，用電鍍法增加薄膜微帶線的厚度，以減少功耗。

『拾』 薄膜集成電路，什麼是薄膜集成電路

與此相對的是厚膜集成電路。它是將能實現某種功能的整個電路的晶體管、二內極管、電阻、電容和電感等容元件以及它們之間的互連引線，全部用厚度在1微米以下的金屬、半導體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣介質薄膜，並通過真空蒸發、濺射和電鍍等工藝製成的集成電路。
薄膜混合集成電路適用於各種電路，特別是要求精度高、穩定性能好的模擬電路。與其他集成電路相比，它更適合於微波電路。