子電路封裝

Ⅰ quartus ii 9.0如何把做好的電路封裝成一個子模塊，全英文的看不懂。

1、首先成功安裝好quartus ii和modelsim，如下圖所示，點擊查看是否安裝成功。

Ⅱ 電子封裝劃分為哪幾個層次

1層次
指半導體集成電路組件(晶元),半導體廠商提供
系列標准晶元
針對系統用戶特殊要求的專用晶元
可稱為未加封裝的裸晶元更為確切。
確保晶元質量非常關鍵
保證晶元的功能符合要求及足夠高的初期合格率
2層次 ，包括：
單晶元封裝：對單個裸晶元進行封裝
多晶元組件：將多個裸晶元裝載在陶瓷等多層基板上，進行氣密性封裝（ MCM ）：
將多隻確保質量的好管芯封裝在多層互連基板上
與其它元器件一起構成具有部件或系統功能的多晶元組件
伴隨著集成電路組件的高速、高集成化而產生
與單晶元封裝相比，MCM具有更高的封裝密度
能更好地滿足電子系統微型化的需要
3層次
指構成板或卡的裝配工序，將多數個完成層次2的單晶元封裝和MCM，實裝在PCB板等多層基板上，基板周邊設有插接端子，用於與母板及其它板或卡的電氣連接。
4層次
稱為單元組裝。將多個完成層次3的板或卡，通過其上的插接端子，措載在稱為母板的大型PCB板上，構成單元組件。
5層次
指將多個單元構成架，單元與單元間用布線或電纜相連接
6層次
即總裝。將多個架並排，架與架之間由布線或電纜相連接，由此構成大規模電子設備
電子封裝工程中，一般稱層次1為0級封裝，層次2為1級封裝，層次3為2級封裝，層次4、5、6為3級封裝

Ⅲ 封裝形式的具體介紹

70年代流行的是雙列直插封裝，簡稱DIP(Dual In-line Package)。DIP封裝結構具有以下特點:
1.適合PCB的穿孔安裝;
2.比TO型封裝(圖1)易於對PCB布線;
3.操作方便。
DIP封裝結構形式有:多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式，塑料包封結構式，陶瓷低熔玻璃封裝式)，如圖2所示。
衡量一個晶元封裝技術先進與否的重要指標是晶元面積與封裝面積之比，這個比值越接近1越好。以採用40根I/O引腳塑料包封雙列直插式封裝(PDIP)的CPU為例，其晶元面積/封裝面積=3×3/15.24×50=1：86,離1相差很遠。不難看出，這種封裝尺寸遠比晶元大，說明封裝效率很低，佔去了很多有效安裝面積。
Intel公司這期間的CPU如8086、80286都採用PDIP封裝。 80年代出現了晶元載體封裝，其中有陶瓷無引線晶元載體LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引線晶元載體PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封裝SOP(Small Outline Package)、塑料四邊引出扁平封裝PQFP(Plastic Quad Flat Package)，封裝結構形式如圖3、圖4和圖5所示。
以0.5mm焊區中心距，208根I/O引腳的QFP封裝的CPU為例，外形尺寸28×28mm，晶元尺寸10×10mm，則晶元面積/封裝面積=10×10/28×28=1：7.8，由此可見QFP比DIP的封裝尺寸大大減小。QFP的特點是:
1.適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線;
2.封裝外形尺寸小，寄生參數減小，適合高頻應用;
3.操作方便;
4.可靠性高。
在這期間，Intel公司的CPU，如Intel 80386就採用塑料四邊引出扁平封裝PQFP。 90年代隨著集成技術的進步、設備的改進和深亞微米技術的使用，LSI、VLSI、ULSI相繼出現，硅單晶元集成度不斷提高，對集成電路封裝要求更加嚴格，I/O引腳數急劇增加，功耗也隨之增大。為滿足發展的需要，在原有封裝品種基礎上，又增添了新的品種——球柵陣列封裝，簡稱BGA(Ball Grid Array Package)。
BGA一出現便成為CPU、南北橋等VLSI晶元的高密度、高性能、多功能及高I/O引腳封裝的最佳選擇。其特點有:
1.I/O引腳數雖然增多，但引腳間距遠大於QFP，從而提高了組裝成品率;
2.雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷晶元法焊接，簡稱C4焊接，從而可以改善它的電熱性能:
3.厚度比QFP減少1/2以上，重量減輕3/4以上;
4.寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高;
5.組裝可用共面焊接，可靠性高;
6.BGA封裝仍與QFP、PGA一樣，佔用基板面積過大;
Intel公司對這種集成度很高(單晶元里達300萬只以上晶體管)，功耗很大的CPU晶元，如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ採用陶瓷針柵陣列封裝CPGA和陶瓷球柵陣列封裝CBGA，並在外殼上安裝微型排風扇散熱，從而達到電路的穩定可靠工作。 BGA封裝比QFP先進，更比PGA好，但它的晶元面積/封裝面積的比值仍很低。
Tessera公司在BGA基礎上做了改進，研製出另一種稱為μBGA的封裝技術，按0.5mm焊區中心距，晶元面積/封裝面積的比為1:4，比BGA前進了一大步。
1994年9月日本三菱電氣研究出一種晶元面積/封裝面積=1:1.1的封裝結構，其封裝外形尺寸只比裸晶元大一點點。也就是說，單個IC晶元有多大，封裝尺寸就有多大，從而誕生了一種新的封裝形式，命名為晶元尺寸封裝，簡稱CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP封裝具有以下特點:
1.滿足了LSI晶元引出腳不斷增加的需要;
2.解決了IC裸晶元不能進行交流參數測試和老化篩選的問題;
3.封裝面積縮小到BGA的1/4至1/10，延遲時間縮小到極短。
曾有人想，當單晶元一時還達不到多種晶元的集成度時，能否將高集成度、高性能、高可靠的CSP晶元(用LSI或IC)和專用集成電路晶元(ASIC)在高密度多層互聯基板上用表面安裝技術(SMT)組裝成為多種多樣電子組件、子系統或系統。由這種想法產生出多晶元組件MCM(Multi Chip Model)。它將對現代化的計算機、自動化、通訊業等領域產生重大影響。MCM的特點有:
1.封裝延遲時間縮小，易於實現組件高速化;
2.縮小整機/組件封裝尺寸和重量，一般體積減小1/4，重量減輕1/3;
3.可靠性大大提高。
隨著LSI設計技術和工藝的進步及深亞微米技術和微細化縮小晶元尺寸等技術的使用，人們產生了將多個LSI晶元組裝在一個精密多層布線的外殼內形成MCM產品的想法。進一步又產生另一種想法:把多種晶元的電路集成在一個大圓片上，從而又導致了封裝由單個小晶元級轉向硅圓片級(wafer level)封裝的變革，由此引出系統級晶元SOC(System On Chip)和電腦級晶元PCOC(PC On Chip)。
隨著CPU和其他ULSI電路的進步，集成電路的封裝形式也將有相應的發展，而封裝形式的進步又將反過來促成晶元技術向前發展。
封裝形式是指安裝半導體集成電路晶元用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護晶元及增強電熱性能等方面的作用，而且還通過晶元上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接。衡量一個晶元封裝技術先進與否的重要指標是晶元面積與封裝面積之比，這個比值越接近1越好。 結構方面： TO－>DIP－>LCC－>QFP－>BGA －>CSP；
材料方面：
金屬、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；
引腳形狀：
長引線直插－>短引線或無引線貼裝－>球狀凸點；
裝配方式：
通孔插裝－>表面組裝－>直接安裝。
DIP--Double In-line Package--雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標准邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。
PLCC--Plastic Leaded Chip Carrier--PLCC封裝方式，外形呈正方形，32腳封裝，四周都有管腳，外形尺寸比DIP封裝小得多。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優點。
PQFP--Plastic Quad Flat Package--PQFP封裝的晶元引腳之間距離很小，管腳很細，一般大規模或超大規模集成電路採用這種封裝形式，其引腳數一般都在100以上。
SOP--Small Outline Package--1968～1969年菲為浦公司就開發出小外形封裝（SOP）。以後逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形晶體管）、SOIC（小外形集成電路）等。

Ⅳ multisim中創建了一個子電路結構,怎樣把它封裝成模塊呢

你把要組的模塊全部選擇了 然後再點擊那個「用子電路取代的」按鈕 就可以了

Ⅳ 封裝形式的各種封裝形式

封裝大致分為兩類：DIP直插式和SMD貼片形式。具體有：

1、PFPF（plastic flat package）

塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱（見QFP）。

2、MSP（mini square package）

QFI 的別稱（見QFI），在開發初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機械工業會規定的名稱。

3、LQFP（low profile quad flat package）

薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。

4、piggy back

馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關與DIP. QFP. QFN 相似。在開發帶有微機的設備時用於評價程序確認操作。

5、QTCP（quad tape carrier package）

四側引腳帶載封裝。TCP 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳並從封裝四個側面引出。是利用TAB 技術的薄型封裝（見TAB. TCP）。

(5)子電路封裝擴展閱讀：

舉例分析封裝類型：

元器件的封裝都是有國際標準的，不同的元器件封裝形式不一樣，即使是同一個器件也可以有多個封裝，例如：

1、貼片三極體：SOT23－2

三極體有三個腳，發射極－基極－集電極，它的封裝就是這三個腿在PCB板上的1：1投影，即，將貼片三極體平放在PCB上後，焊盤與三極體的三個腿正好重合。

2、貼片電阻封裝：0805

貼片電阻有多種封裝規格，如1210，0805，0603，0402等。

3、單片機封裝：LQFP48

相信STC89C51單片機大家都見過，對DIP－40的封裝也都了解，下面看LQFP－48的封裝，這種封裝形式有4個邊，每個邊是12個引腳，一共是48個。

Ⅵ 對於電子元器件里封裝的用途你知道多少

隨著光電、微電製造工藝技術的飛速發展，電子產品始終在朝著更小、更輕、更便宜的方向發展，因此晶元元件的封裝形式也不斷得到改進。晶元的封裝技術多種多樣，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，種類不下三十種，經歷了從DIP、TSOP到BGA的發展歷程。晶元的封裝技術已經歷了幾代的變革，性能日益先進，晶元面積與封裝面積之比越來越接近，適用頻率越來越高，耐溫性能越來越好，以及引腳數增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便。

DIP封裝：上個世紀的70年代，晶元封裝基本都採用DIP（Dual ln-line Package，雙列直插式封裝）封裝，此封裝形式在當時具有適合PCB（印刷電路板）穿孔安裝，布線和操作較為方便等特點。DIP封裝的結構形式多種多樣，包括多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP等。但DIP封裝形式封裝效率是很低的，其晶元面積和封裝面積之比為1：1.86，這樣封裝產品的面積較大，理想狀態下晶元面積和封裝面積之比為1：1將是最好的，但這是無法實現的，除非不進行封裝，但隨著封裝技術的發展，這個比值日益接近，現在已經有了1：1.14的封裝技術。

TSOP封裝:到了上個世紀80年代，晶元的封裝技術TSOP出現，得到了業界廣泛的認可。TSOP是「Thin Small Outline Package」的縮寫，意思是薄型小尺寸封裝。採用SMT技術（表面安裝技術）直接附著在PCB板的表面。TSOP封裝外形尺寸時，寄生參數(電流大幅度變化時，引起輸出電壓擾動) 減小，適合高頻應用，操作比較方便，可靠性也比較高。同時TSOP封裝具有成品率高，價格便宜等優點，因此得到了極為廣泛的應用。

BGA封裝:20世紀90年代隨著技術的進步，晶元集成度不斷提高，I/O引腳數急劇增加，功耗也隨之增大，對集成電路封裝的要求也更加嚴格。為了滿足發展的需要，BGA封裝開始被應用於生產。BGA是英文Ball Grid Array Package的縮寫，即球柵陣列封裝。

BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了，但引腳間距並沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。

CSP封裝:CSP（Chip Scale Package），是晶元級封裝的意思。CSP封裝最新一代的晶元封裝技術，其技術性能又有了新的提升。CSP封裝可以讓晶元面積與封裝面積之比超過1:1.14，已經相當接近1:1的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當於TSOP內存晶元面積的1/6。與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍。

CSP封裝片的中心引腳形式有效地縮短了信號的傳導距離，其衰減隨之減少，晶元的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升。在CSP的封裝方式中，晶元是通過一個個錫球焊接在PCB板上，由於焊點和PCB板的接觸面積較大，所以晶元在運行中所產生的熱量可以很容易地傳導到PCB板上並散發出去。CSP封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，CSP的熱阻為35℃/W，而TSOP熱阻40℃/W。

Ⅶ 什麼是PCB封裝

pcb封裝就是把實際的電子元器件，晶元等的各種參數（比如元器件的大小，長寬，直插，貼片，焊盤的大小，管腳的長寬，管腳的間距等）用圖形方式表現出來，以便可以在畫pcb圖時進行調用。

電路板各種電子元器件的一種名字，主要說明元件的引腳的尺寸，間距等的信息，是電子元器件必須的一樣技術指標。

(7)子電路封裝擴展閱讀

PCB，中文名稱為印製電路板，又稱印刷線路板，是重要的電子部件，是電子元器件的支撐體，是電子元器件電氣連接的載體。由於它是採用電子印刷術製作的，故被稱為「印刷」電路板。

電子設備採用印製板後，由於同類印製板的一致性，從而避免了人工接線的差錯，並可實現電子元器件自動插裝或貼裝、自動焊錫、自動檢測，保證了電子設備的質量，提高了勞動生產率、降低了成本，並便於維修。

參考鏈接：網路_pcb

Ⅷ 在本次封裝的子電路 下次還能調用嗎

封裝的電子電路只適用於本次應用，下次不能調用

Ⅸ 常見晶元封裝有那幾種各有什麼特點

我們經常聽說某某晶元採用什麼什麼的封裝方式，在我們的電腦中，存在著各種各樣不同處理晶元，那麼，它們又是是採用何種封裝形式呢？並且這些封裝形式又有什麼樣的技術特點以及優越性呢？那麼就請看看下面的這篇文章，將為你介紹個中晶元封裝形式的特點和優點。

一、DIP雙列直插式封裝

DIP(DualIn－line Package)是指採用雙列直插形式封裝的集成電路晶元，絕大多數中小規模集成電路(IC)均採用這種封裝形式，其引腳數一般不超過100個。採用DIP封裝的CPU晶元有兩排引腳，需要插入到具有DIP結構的晶元插座上。當然，也可以直接插在有相同焊孔數和幾何排列的電路板上進行焊接。DIP封裝的晶元在從晶元插座上插拔時應特別小心，以免損壞引腳。

DIP封裝具有以下特點：

1.適合在PCB(印刷電路板)上穿孔焊接，操作方便。
2.晶元面積與封裝面積之間的比值較大，故體積也較大。
Intel系列CPU中8088就採用這種封裝形式，緩存(Cache)和早期的內存晶元也是這種封裝形式。

二、QFP塑料方型扁平式封裝和PFP塑料扁平組件式封裝

QFP（Plastic Quad Flat Package）封裝的晶元引腳之間距離很小，管腳很細，一般大規模或超大型集成電路都採用這種封裝形式，其引腳數一般在100個以上。用這種形式封裝的晶元必須採用SMD（表面安裝設備技術）將晶元與主板焊接起來。採用SMD安裝的晶元不必在主板上打孔，一般在主板表面上有設計好的相應管腳的焊點。將晶元各腳對准相應的焊點，即可實現與主板的焊接。用這種方法焊上去的晶元，如果不用專用工具是很難拆卸下來的。

PFP（Plastic Flat Package）方式封裝的晶元與QFP方式基本相同。唯一的區別是QFP一般為正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是長方形。

QFP/PFP封裝具有以下特點：

1.適用於SMD表面安裝技術在PCB電路板上安裝布線。
2.適合高頻使用。
3.操作方便，可靠性高。
4.晶元面積與封裝面積之間的比值較小。

Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板採用這種封裝形式。

三、PGA插針網格陣列封裝

PGA(Pin Grid Array Package)晶元封裝形式在晶元的內外有多個方陣形的插針，每個方陣形插針沿晶元的四周間隔一定距離排列。根據引腳數目的多少，可以圍成2-5圈。安裝時，將晶元插入專門的PGA插座。為使CPU能夠更方便地安裝和拆卸，從486晶元開始，出現一種名為ZIF的CPU插座，專門用來滿足PGA封裝的CPU在安裝和拆卸上的要求。

ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。把這種插座上的扳手輕輕抬起，CPU就可很容易、輕松地插入插座中。然後將扳手壓回原處，利用插座本身的特殊結構生成的擠壓力，將CPU的引腳與插座牢牢地接觸，絕對不存在接觸不良的問題。而拆卸CPU晶元只需將插座的扳手輕輕抬起，則壓力解除，CPU晶元即可輕松取出。

PGA封裝具有以下特點：

1.插拔操作更方便，可靠性高。
2.可適應更高的頻率。

Intel系列CPU中，80486和Pentium、Pentium Pro均採用這種封裝形式。

四、BGA球柵陣列封裝

隨著集成電路技術的發展，對集成電路的封裝要求更加嚴格。這是因為封裝技術關繫到產品的功能性，當IC的頻率超過100MHz時，傳統封裝方式可能會產生所謂的「CrossTalk」現象，而且當IC的管腳數大於208 Pin時，傳統的封裝方式有其困難度。因此，除使用QFP封裝方式外，現今大多數的高腳數晶元（如圖形晶元與晶元組等）皆轉而使用BGA(Ball Grid Array Package)封裝技術。BGA一出現便成為CPU、主板上南/北橋晶元等高密度、高性能、多引腳封裝的最佳選擇。

BGA封裝技術又可詳分為五大類：

1.PBGA（Plasric BGA）基板：一般為2-4層有機材料構成的多層板。Intel系列CPU中，Pentium II、III、IV處理器均採用這種封裝形式。

2.CBGA（CeramicBGA）基板：即陶瓷基板，晶元與基板間的電氣連接通常採用倒裝晶元（FlipChip，簡稱FC）的安裝方式。Intel系列CPU中，Pentium I、II、Pentium Pro處理器均採用過這種封裝形式。

3.FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬質多層基板。

4.TBGA（TapeBGA）基板：基板為帶狀軟質的1-2層PCB電路板。

5.CDPBGA（Carity Down PBGA）基板：指封裝中央有方型低陷的晶元區（又稱空腔區）。

BGA封裝具有以下特點：

1.I/O引腳數雖然增多，但引腳之間的距離遠大於QFP封裝方式，提高了成品率。
2.雖然BGA的功耗增加，但由於採用的是可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善電熱性能。
3.信號傳輸延遲小，適應頻率大大提高。
4.組裝可用共面焊接，可靠性大大提高。

BGA封裝方式經過十多年的發展已經進入實用化階段。1987年，日本西鐵城（Citizen）公司開始著手研製塑封球柵面陣列封裝的晶元（即BGA）。而後，摩托羅拉、康柏等公司也隨即加入到開發BGA的行列。1993年，摩托羅拉率先將BGA應用於行動電話。同年，康柏公司也在工作站、PC電腦上加以應用。直到五六年前，Intel公司在電腦CPU中（即奔騰II、奔騰III、奔騰IV等），以及晶元組（如i850）中開始使用BGA，這對BGA應用領域擴展發揮了推波助瀾的作用。目前，BGA已成為極其熱門的IC封裝技術，其全球市場規模在2000年為12億塊，預計2005年市場需求將比2000年有70%以上幅度的增長。

五、CSP晶元尺寸封裝

隨著全球電子產品個性化、輕巧化的需求蔚為風潮，封裝技術已進步到CSP(Chip Size Package)。它減小了晶元封裝外形的尺寸，做到裸晶元尺寸有多大，封裝尺寸就有多大。即封裝後的IC尺寸邊長不大於晶元的1.2倍，IC面積只比晶粒（Die）大不超過1.4倍。

CSP封裝又可分為四類：

1.Lead Frame Type(傳統導線架形式)，代表廠商有富士通、日立、Rohm、高士達（Goldstar）等等。
2.Rigid Interposer Type(硬質內插板型)，代表廠商有摩托羅拉、索尼、東芝、松下等等。
3.Flexible Interposer Type(軟質內插板型)，其中最有名的是Tessera公司的microBGA，CTS的sim-BGA也採用相同的原理。其他代表廠商包括通用電氣（GE）和NEC。
4.Wafer Level Package(晶圓尺寸封裝)：有別於傳統的單一晶元封裝方式，WLCSP是將整片晶圓切割為一顆顆的單一晶元，它號稱是封裝技術的未來主流，已投入研發的廠商包括FCT、Aptos、卡西歐、EPIC、富士通、三菱電子等。

CSP封裝具有以下特點：

1.滿足了晶元I/O引腳不斷增加的需要。
2.晶元面積與封裝面積之間的比值很小。
3.極大地縮短延遲時間。

CSP封裝適用於腳數少的IC，如內存條和便攜電子產品。未來則將大量應用在信息家電（IA）、數字電視（DTV）、電子書（E-Book）、無線網路WLAN／GigabitEthemet、ADSL／手機晶元、藍芽（Bluetooth）等新興產品中。

六、MCM多晶元模塊

為解決單一晶元集成度低和功能不夠完善的問題，把多個高集成度、高性能、高可靠性的晶元，在高密度多層互聯基板上用SMD技術組成多種多樣的電子模塊系統，從而出現MCM(Multi Chip Model)多晶元模塊系統。
MCM具有以下特點：

1.封裝延遲時間縮小，易於實現模塊高速化。
2.縮小整機/模塊的封裝尺寸和重量。
3.系統可靠性大大提高。

結束語

總之，由於CPU和其他超大型集成電路在不斷發展，集成電路的封裝形式也不斷作出相應的調整變化，而封裝形式的進步又將反過來促進晶元技術向前發展。