丘克電路圖

Ⅰ 求《救國同盟》百度雲高清資源在線觀看，安德列·克拉夫丘克導演的

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導演:安德列·克拉夫丘克
編劇:奧列格·馬洛維奇克、尼基塔·維索茨基
主演:茵格保加·達坤耐特、帕維爾·普里盧茨內、馬克西姆·馬特維耶夫、尤里·鮑里索夫、亞歷山大·多莫加羅夫、基里爾·扎耶采夫、謝爾蓋·科爾塔科夫、維塔利·基什琴科、安東·沙金、阿爾喬姆·特卡琴科、列昂尼德·比切文、IvanYankovskiy、亞歷山大·奧斯特猶科夫、瑪爾塔·蒂莫菲娃、佩塔爾·澤卡維卡、阿列克塞·古斯科夫、伊戈爾·別特連科、拉里莎·馬萊萬納亞、亞歷山大·拉扎列夫、埃菲姆·彼得魯寧、伊萬·科列斯尼科夫、羅斯蒂斯拉夫·貝謝爾、德米特里·雷先科夫、迪米特里·納佐羅夫
類型:劇情、歷史、冒險
製片國家/地區:俄羅斯
語言:俄語
上映日期:2019-12-26(俄羅斯)
片長:136分鍾
又名:UnionofSalvation、Soyuzspaseniya
救國同盟是一部俄羅斯歷史片，講述了十二月黨人起義的故事。一群參加了俄法1812年戰爭的軍人，夢想改變俄羅斯帝國，試圖推翻沙皇專制。

Ⅱ 米哈歷丘克的「活死人」經歷究竟是什麼原因

米哈歷丘克的「活死人」經歷是在幾年前發生，當時他與妻子莉迪婭的婚姻出現問題。米哈歷丘克發現莉迪婭時常很晚才回家，之後又接到沒有人說話的電話，最後妻子坦承有情夫，並要求離婚。

列維茨基說：「米哈歷丘克仍能活 、呼吸和走路的原因，是他的心臟血管都充滿彈性，有足夠的力量泵輸血液。不過，他的心臟仍是活的，只可以說是陷入了沉睡狀態。」列維茨基估計米哈歷丘克的情況可能與他遇到的壓力有關。
列維茨基認為米哈歷丘克的情況的確十分獨特罕見，但「米哈歷丘克可以像普通人一樣活上許多年，雖然不能進行劇烈運動，但他仍適合進行一些輕松簡單的運動和進行不太激烈的性行為」。

Ⅲ 熔體泡生法生長高質量藍寶石的原理和應用

孫廣年於旭東沈才卿

第一作者簡介：孫廣年，中寶協人工寶石委員會第一、二屆委員，第三屆副主任委員，浙江省巨化集團晶體材料廠廠長。

一、引言

材料科學是現代文明的三大支柱（能源、信息、材料）之一，是人類文明的物質基礎。晶體生長屬於材料科學范疇並且是它的發展前沿。業已證明，一些高新科學技術的發展，無一不和晶體材料密切相關；軍事工業的發展，例如導彈、無人駕駛飛機、潛艇、人造衛星及宇宙飛船等的窗口材料都需要晶體生長的優質材料，這些材料的好壞決定著技術水平的高低，而且只有在材料方面有所突破，才能希望相關技術有所突破。高質量的無色藍寶石由於它的特殊優良性能，有著非常廣泛的用途，例如藍寶石單晶具有獨特而優良的物理化學性質，特別是在0.2～5.0μm波段有良好的透光性，可廣泛用於紅外軍事裝備、衛星和空間技術等領域。由於藍寶石晶體的電介質絕緣、有恆定的介電常數等特性，使其成為應用最廣泛的襯底材料之一。為此，世界各國都在想方設法進行研究和生產。浙江省巨化集團公司晶體材料廠經過多年的努力，用熔體泡生法和熔體提拉法相融合的技術生產出了高質量的無色藍寶石，已生產出直徑達到220mm以上，重28kg以上，不僅可以用於軍事工業的窗口材料，也可以用於襯底材料和發光二極體（LED）節能環保行業，具有無限的潛力和發展前景。

二、高質量藍寶石晶體生長技術簡要

藍寶石是剛玉寶石的一種，除了紅色的紅寶石以外，其他剛玉寶石都叫藍寶石。無色藍寶石是藍寶石中的一種，化學成分為三氧化二鋁（Al₂O₃），三方晶系，拋光表面具亮玻璃光澤至亞金剛光澤，一軸晶負光性，折射率值為1.762～1.770，雙折射率為0.008～0.010，摩氏硬度為9，密度約為4.00g/cm³。

藍寶石的人工合成方法主要有焰熔法、助熔劑法和熔體法，其中熔體法又包括好幾種方法。但是，焰熔法和助熔劑法都不能生長出高質量的藍寶石大晶體，原因是：焰熔法生長的寶石晶體除單個晶體比較小外，晶體還具有大量的鑲嵌結構，質量欠佳；助熔劑法生長的寶石晶體也很小，並且包含有助熔劑陽離子，質量也不太好。只有熔體法生長的寶石晶體具有純度和完整性都高的特點，並且單個晶體大，能成為現代高科技及國防工業急需的高質量寶石晶體。熔體法生長寶石的原理是：將構成寶石成分的原料放在耐高溫坩堝中加熱熔化，然後在受控條件下，通過降溫使熔體出現過冷卻，從而使晶體生長出來的方法。由於降溫的受控條件不同，因此從熔體中生長出高質量寶石晶體的方法也稍有不同。目前，世界上主要的熔體法高質量藍寶石晶體生長技術有以下4種：①Czochalski熔體晶體提拉法；②EFG（Edge-defined Film-fed Growth）熔體導模法；③HEM（Heat Exchanger Method）熔體熱交換法；④Kyropoulos Method熔體泡生法。以上4種從熔體中生長寶石晶體的方法，其技術特點和優缺點簡要介紹如下。

1.熔體晶體提拉法

熔體晶體提拉法（簡稱熔體提拉法）是利用籽晶從熔體中提拉生長出晶體的方法。該方法能在短期內生長出大而無位錯的高質量單晶，是由J.丘克拉斯基（J.Czochalski）在1917年首先發明的，所以又稱丘克拉斯基法，簡稱 Cz提拉法，為熔體中生長晶體最常用的方法之一。其主要技術特點是所有使用提拉法生長晶體的共同基礎，簡述如下：將寶石組分的原料裝在坩堝中，並被加熱到原料的熔點以上，此時，坩堝內的原料被熔化成熔體；在坩堝的上方有一根可以旋轉和升降的提拉桿，桿的下端帶有一個夾頭，其上裝有籽晶，降低提拉桿，使籽晶插入熔體中，調好溫度，使籽晶既不熔掉也不長大，然後緩慢地向上提拉和轉動籽晶桿。同時，緩慢地降低加熱功率，經過縮頸—擴肩—等徑生長—收尾的生長全過程，就能得到所需直徑的晶體。整個生長裝置安放在一個可以封閉的外套里，以便使生長環境中有所需要的氣氛和壓強；通過外罩的窗口，可以觀察到生長的情況。其生長原理見圖1。此方法的主要優點是：①在生長過程中可方便地觀察晶體生長的狀況；②晶體在熔體表面處生長，不與坩堝相接觸，這樣能顯著減小晶體的應力，並防止坩堝壁的寄生成核；③可以方便地使用定向籽晶和「縮頸」工藝。「縮頸」後的籽晶，其位錯可大大減少，這樣可使擴肩後生長的晶體，其位錯密度降低，得到完整性很高的晶體。此方法的主要缺點是晶體比較小，最多能達到直徑2～3英寸

1英寸＝25.4mm。，不能適應現代高科技和國防工業對大尺寸晶體的要求。在生長大尺寸晶體上，其他3種方法都優於Czochalski熔體晶體提拉法。

20世紀70年代，由於激光材料研究的需要，我國開始研製人造釔鋁榴石（YAG）和人造釓鎵榴石（GGG）晶體的熔體提拉法生長技術，由於軍事工業發展的需要和尖端科技研究及應用的需要，熔體提拉法生長寶石晶體技術後來得到了進一步的發展和完善，現在已能夠順利生長出許多有實用價值的寶石晶體（圖2,3），如合成無色藍寶石、合成紅寶石、人造釔鋁榴石（YAG）、人造釓鎵榴石（GGG）、合成變石等。

圖1 熔體提拉法晶體生長示意圖

圖2 熔體提拉法生長的藍寶石晶體

圖3 熔體提拉法生長的激光晶體

2.熔體導模法

熔體導模法是改進型的熔體晶體提拉法，可以控制晶體形狀。其主要工藝技術特點是：將一個高熔點的惰性模具放於熔體之中，模具的上表面具有所需形狀的「圖案」，下部帶有細的管道直通模具頂端，熔體由於毛細作用被吸引到模具的上表面，與一個籽晶接觸後，熔體隨籽晶的提拉而高於模具表面時，能自動拓展到「圖案」的邊緣，在隨後的提拉中生長出模具頂端形狀的晶體。它的主要優點是可以按我們的要求生長出多種形狀的晶體，Saint-Gon公司用此技術能夠生長直徑450mm到500mm的藍寶石光學用晶片，而日本京瓷公司則可以用改良的技術生長LED襯底使用的C面晶片，並擁有該項技術的專利。其原理示意如圖4所示。此方法生長晶體的設備和工藝技術難度較大，不易推廣。

圖4 熔體導模法晶體生長示意圖

圖5 熔體熱交換法生長的350mm藍寶石晶體

3.熔體熱交換法

熔體熱交換法的實質是控制溫度，讓熔體在坩堝內直接凝固結晶。其主要技術特點是：要有一個溫度梯度爐，這個溫度梯度爐是在真空石墨電阻爐的底部裝上一個鎢鉬製成的熱交換器，內有冷卻氦氣流過。把裝有原料的坩堝放在熱交換器的頂端，兩者中心相互重合，而籽晶置於坩堝底部的中心處，當坩堝內的原料被加熱熔化以後，氦氣流經熱交換器進行冷卻，使籽晶不被熔化。隨後，加大氦氣的流量，帶走更多的熔體熱量，使籽晶逐漸長大，最後使 整個坩堝內的熔體全部凝固。此方法的主要優點是：晶體生長時，坩堝、晶體、加熱區都不動，消除了由於機械運動而造成晶體的缺陷；同時，可以控製冷卻速率，減少晶體的熱應力及由此產生的晶體開裂和位錯等缺陷，是生長優質大晶體的好方法。但這個方法的設備條件高，整個工藝復雜，運行成本高，因此並沒有被廣泛應用。該工藝為Crystal System公司專利技術，主要為美國軍方提供整流罩，目前已經生長出直徑350mm的藍寶石晶體（圖5）。

4.熔體泡生法

熔體泡生法是1926年由Kyropouls發明的，經過幾十年來科研工作者的不斷改進和完善，目前是解決熔體晶體提拉法不能拉大直徑晶體的方法之一。其生長晶體原理示意如圖6所示，其主要技術特點是：將待生長的晶體原料放在耐高溫的坩堝中加熱熔化，然後調整爐內溫度場，使熔體上部處於稍高於熔點狀態；籽晶桿上安放一顆籽晶，讓籽晶接觸熔融液面，待籽晶表面稍熔後，降低表面溫度至熔點，提拉並轉動籽晶桿，使熔體頂部處於過冷狀態而結晶於籽晶上，在不斷提拉的過程中，生長出圓柱狀晶體。晶體在生長過程中或生長結束時不與坩堝接觸，這就大大減少了晶體的應力，可以獲得高質量的大直徑晶體。它與熔體晶體提拉法不同之處在於擴肩時晶體直徑比較大，幾乎與坩堝直徑相同（比較圖1和圖6），加上晶體不與坩堝接觸，這些就是熔體泡生法的工藝特點和難點所在。浙江巨化集團公司晶體材料廠通過將熔體泡生法與熔體提拉法技術相融合，開發了這種高質量的藍寶石生長技術，並以生長無色優質藍寶石晶體為主要產品，有人也把此方法稱為「熔體泡生提拉法」。目前已能生長出直徑220mm以上，重28kg以上的高質量無色藍寶石晶體，產品見圖6。

圖6 熔體泡生法生長晶體的原理示意圖及其產品

三、熔體泡生法生長高質量無色藍寶石晶體的工藝

1）將純凈的α－Al₂O₃原料裝入坩堝中。坩堝上方裝有可旋轉和升降的提拉桿。桿的下端有一個籽晶夾具，其上裝有一粒定向的無色藍寶石籽晶（註：生長無色藍寶石時不加致色劑，籽晶也要用無色藍寶石，無色藍寶石晶體比有色藍寶石晶體用處更大）。

2）將坩堝加熱到 2050℃以上，降低提拉桿，使籽晶插入熔體中。

3）控制熔體的溫度，使液面溫度略高於熔點，熔去少量籽晶以保證能在籽晶的清潔表面上開始生長。

4）在實現籽晶與熔體充分沾潤後，使液面溫度處於熔點，緩慢向上提拉和轉動籽晶桿。控制好拉速和轉速，籽晶就逐漸長大。

5）小心地調節加熱功率，使液面溫度等於熔點，實現寶石晶體的縮頸—擴肩—等徑生長—收尾的生長全過程。

整個生長裝置安放在一個外罩里，以便抽真空後充入惰性氣體，使生長環境中保持所需要的氣體和壓強。通過外罩上的窗口可觀察晶體生長情況，以便隨時調節溫度，使晶體生長過程正常進行，用這種方法可以生長出大直徑高質量的無色藍寶石晶體。

四、熔體泡生法生長優質藍寶石的技術要點

藍寶石屬三方晶系，晶體結構存在著兩個主要的滑移體系（底面滑移系和柱面滑移系），因此在採用提拉法生長藍寶石單晶工藝中，溫場的溫度梯度和晶體生長方向的合理選擇將對藍寶石單晶的質量產生關鍵的影響。

1.建立合理的溫度梯度是生長優質晶體的首要條件

熱系統是溫度梯度的決定因素，是生長優質晶體的基本條件。當晶體恆溫生長時，根據界面穩定條件：

中國人工寶石

而

中國人工寶石

所以有

中國人工寶石

因此界面保持穩定的最大生長速率為

中國人工寶石

式中：

和

分別為界面附近熔體和晶體中的溫度梯度；K₁和K_s分別為熔體和晶體的熱導率；L為結晶潛熱；ρ為晶體密度。

從式（3）中可以看出，晶體的最大生長速率取決於晶體中溫度梯度的大小，要提高晶體的生長速率，必須加大溫度梯度。但是，晶體中溫度梯度過大，將會增加晶體的熱應力，引起位錯密度增加，甚至導致晶體開裂。

因此，根據無色藍寶石單晶的熱導率等性質，建立合理的溫度梯度是生長完整單晶的前提。

2.晶體的生長方向選擇很重要

無色藍寶石屬於三方晶系，存在有兩個主要的滑移系：（0001）面沿

方向的底面滑移系和

面沿

方向的柱面滑移系。滑移最易沿原子密度大的晶向發生，因此晶體生長界面與（0001）面交角大時，由於底面滑移，易於產生大量晶界；當滑移比較嚴重時，則可能產生滑移帶，形成孿晶；相反，則不易產生滑移，晶界不易生成。

沿0°取向即（0001）生長時，晶體外形的對稱截面雖易呈六角形，但是缺陷會優先在光軸方向增殖，容易形成鑲嵌結構，破壞晶體結構的完整性。

由此可見，選擇合適的晶體生長方向是必要的，我們根據多次試驗找到了生長優質無色藍寶石的晶體生長方向。我們認為，根據所建立的溫度梯度，選擇合適的晶體生長方向是生長高質量無色藍寶石單晶的關鍵。

五、熔體泡生法生長優質無色藍寶石的應用

熔體泡生法生長的優質藍寶石通常應用於國防工業、軍工科技和尖端科學技術研究領域，其邊角料或不合格原料可以用於珠寶首飾行業。熔體泡生法生長的優質藍寶石之所以在國防工業、軍工科技和尖端科學技術研究領域中有廣泛的應用，是由無色藍寶石晶體本身的優良性能決定的。無色藍寶石單晶的部分性能參數見表1。

表1 無色藍寶石單晶部分性能

1.優質無色藍寶石晶體在基底中的應用

優質無色藍寶石晶體由於其卓越的性能，在一些基底應用中成為首選材料。主要表現在以下幾個領域內：

1）藍光 LED發光二極體基底材料（BLED』s）——在無色藍寶石基底上生長Ⅲ—V族和Ⅱ—Ⅵ族化合物；

2）紅外探測器——無色藍寶石晶體可以作為生長碲鎘汞晶體（HgCdTe）的基底；

3）砷化鎵晶片（GaAs）的基底；

4）微波集成電路材料。

一方面在微電子集成電路應用方面，R面—

晶面的無色藍寶石襯底是異質外延硅的首選材料：由於無色藍寶石單晶具有高且穩定的介電常數，使其特別適合作微波和高速集成電路以及壓力感測的異質襯底。另一方面，在無色藍寶石單晶上可以外延鉈等混合超導化合物，製作高電阻器件，也可以用來生長GaAs或者用它做其他一些材料的載片。

另外，A面—

晶面無色藍寶石單晶襯底：由於無色藍寶石單晶具有穩定的介電常數和高絕緣性，可用作高溫超導材料的載體。

再有，C面—｛0001｝晶面的無色藍寶石單晶襯底有單面或者雙面拋光的，被廣泛應用於外延生長Ⅲ—V和Ⅱ—Ⅵ族化合物，如藍光 LED用的GaN襯底（白光 LED是在藍光 LED的基礎上，經過熒光粉效應而產生的）。其次，也被用於製作紅外探測用的汞鎘銻化合物器件的載體。

2.優質無色藍寶石在發光二極體（LED）領域中的應用

LED的應用領域非常廣，包括通訊、消費性電子、汽車、照明、信號燈等。我們可大體把它們區分為背光源、照明、電子設備、顯示屏、汽車等五大領域。在地球資源日漸衰竭的今日，環保和節能是當今各產業發展的重心，尤其是需要消耗大量電力的照明產業，在光源的研發上，更趨向於環保和節能。發光二極體（LED）的出現，是對人類照明世界的一次革命，對人類的未來有著重大影響與改變。LED除了耗能低、壽命長之外，還有以下優點：

1）應用非常靈活：可以做成點、線、面各種形狀的輕、薄、短小產品；

2）環保效益佳：由於光譜中沒有紫外線和紅外線，也沒有熱量和輻射，屬於典型的綠色照明光源，而且廢棄物可回收，無污染；

3）控制極為方便：只要調整電流，就可以隨意調光，不同光色的組合變化多端，利用時序控制電路，更能達到豐富多彩的動態變化效果。

LED不僅可用於大型廣告顯示屏，還可以用於建築和交通照明。白光 LED的出現，是 LED從標識功能向照明功能跨出的實質性一步。白光LED最接近日光，能較好地反映照射物體的真實顏色，所以，從技術角度看，白光 LED無疑是LED最尖端的技術。

白光LED的市場應用將非常廣泛，也是白熾鎢絲燈泡及熒光燈的「殺手」。目前，白色LED已開始進入一些實際應用領域，如應急燈、手電筒、閃光燈等產品已相繼問世。

據美國能源部預測，2010年前後，美國約有55%的白熾燈和熒光燈將被白光 LED替代，每年節電價值可達350億美元，可形成一個500億美元的大產業。日本提出，白光 LED將在2008年左右大規模替代傳統白熾燈。為了搶占未來市場的制高點，通用電氣、飛利浦、奧斯拉姆等世界三大照明工業巨頭紛紛行動，與半導體公司合作成立 LED照明企業，目標是在 2010年前把LED發光效率再提高8倍，價格降低99%，前景多麼誘人！

3.優質無色藍寶石在GaN外延襯底材料中的應用

優質無色藍寶石晶體是目前唯一商用的GaN外延襯底材料，而半導體發光技術的新成就，為優質無色藍寶石晶體的應用開創了新的前景。通過在無色藍寶石晶體基片上外延GaN，可以製作藍光發光二極體（LED）。

目前LED的重要用途和前景正逐漸被人們所認識，隨著 LED產業化的飛速發展，大尺寸、高品質的藍寶石晶體將成為市場的新寵。

六、結語

我們用熔體泡生法與熔體提拉法相融合的技術生長出了優質的大直徑無色藍寶石。為了獲得高質量的無色藍寶石單晶，在晶體生長過程中，從晶體本身的特性出發，建立了合理選擇溫度梯度和晶體生長方向相融合的生長工藝。熔體泡生法生長的高質量無色藍寶石單晶的應用領域非常廣泛，可以應用於國防工業、軍工科技和尖端科學技術研究領域，尤其是在襯底領域和發光二極體（LED）方面的應用，表現出優異的發展前景。

參考文獻

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Ⅳ 相控換流器技術原理

本書分為十章，第1~6章為基礎部分，講述電力電子技術的基本概念，常用的電力電子器件，以及基本的電力電子電路及其分析方法;第7~10章為應用部分, 在以上的基礎上講述了電力電子技術的電力系統、電機驅動和電源技術中的應用等。

折疊編輯本段目錄
前言

第一章 緒論

1.1 概述

1.2 現代電力電子裝置與傳統線性電子裝置的比較

1.3 電力電子技術的應用領域

1.4 功率處理器及換流器分類

1.5 關於本書的安排

1.6 電力電子技術與相關學科間的關系

第二章 功率半導體器件

2.1 概述

2.2 功率半導體器件的分類

2.3 功率半導體器件的適用范圍

2.4 功率二極體

2.5 晶閘管

2.6 可控開關的理想特性

2.7 雙極型功率晶體管

2.8 MOS場效應管

2.9 絕緣柵雙極晶體管

2.10 可關斷晶閘管

2.11 功率模塊

2.12 幾種可控開關器件的比較

2.13 未來功率半導體器件的發展趨勢

第三章 工頻相控交-直換流器

3.1 概述

3.2 工頻整流的基本原理

3.3 單相不可控橋式整流器

3.4 三相不可控橋式整流器

3.5 三相可控(晶閘管)工頻換流器

3.6 有源逆變工作方式

3.7 交流側波形及功率因數分析

3.8 其它類型的三相換流器

第四章 開關型直-直換流器

4.1 概述

4.2 開關型直-直換流器的控制

4.3 降壓換流器

4.4 升壓換流器

4.5 升降壓換流器

4.6 丘克換流器

4.7 全橋直-直換流器

4.8 開關型直-直換流器的比較

第五章 開關型直-交逆變器

5.1 概述

5.2 開關型逆變器的基本概念

5.3 單相逆變器

5.4 三相逆變器

5.5 PWM逆變器中開關元件的交接時間對輸出電壓的影響

5.6 採用其它控制方式的三相PWM逆變器

5.7 整流工作方式

5.8 小結

第六章 諧振換流器

6.1 概述

6.2 諧振換流器的分類

6.3 諧振電路的基本概念

6.4 負載諧振換流器

6.5 諧振開關換流器

6.6 ZVS-CV換流器

6.7 諧振型直流連接逆變器

6.8 高頻連接換流器

6.9 小結

第七章 在電力工業中的應用

7.1 概述

7.2 高壓直流輸電

7.3 靜止無功補償

7.4 靜止無功發生器

7.5 有源電力濾波器

7.6 可再生能源和儲能系統與電網間的互聯

第八章 電機驅動裝置

8.1 概述

8.2 電機驅動裝置設計的一般准則

8.3 直流電機驅動

8.4 感應電機驅動

8.5 同步電機驅動

8.6 步進電機驅動

8.7 小結

第九章 在電源技術中的應用

9.1 概述

9.2 線性電源的不足

9.3 開關電源

9.4 幾種常見的具有電隔離的直流開關電源

9.5 直流開關電源的控制

9.6 電源保護

9.7 反饋環中的電隔離

9.8 開關電源設計中的幾個問題

9.9 電源調整器和交流不間斷電源

9.10 小結

第十章 電力電子裝置對電網的影響及其抑制措施

10.1 概述

10.2 換流器諧波及功率因數

10.3 諧波標准與推薦導則

10.4 單相不可控整流器的波形校正方法

10.5 雙向功率潮流換流器的改進方法

10.6 三相不可控整流器的校正方法

Ⅳ 直流低壓升高壓小製作怎麼做

背景技術：

目前直流斬波電路主要有Buck、Boost、Buck-Boost和Cuk四種電路，都是利用電感電流不突變，或者電容電壓不能突變的原理實現升降壓。Buck稱為降壓斬波電路，能夠實現將輸入直流電壓變換為比輸入電壓更低的輸出電壓；Boost稱為升壓斬波電路，能夠實現將輸入直流電壓變換為比輸入電壓更高的輸出電壓；Buck-Boost稱為降壓升壓斬波電路，能夠實現將輸入直流電壓變換為比輸入電壓高或者比輸入電壓低的輸出電壓；Cuk稱為丘克電路，變換功能與Buck-Boost相似。這四種電路都涉及了電力電子元件的占空比控制，但是如果僅僅採用有電子元器件組成的電力電子元件驅動電路，這種驅動電路的元器件會相當多，而且電路對這些元器件的要求會很高，調節很不方便。

技術實現要素：

本實用新型的目的是為了解決現有直流斬波電路存在的上述問題，提出一種結構簡單可靠、調節方便的由單片機控制的直流升降壓電路，由單片機PWM驅動構成驅動電路來實現升降壓。

為實現上述目的，本實用新型採用如下技術方案：直流電源的正極從左至右依次串聯第一電感、第二電容、第二電感和第三電容，第三電容接直流電源的負極，第三電容與負載並聯，第一MOSFET場效應管的漏極接第一電感的右側節點，第一MOSFET場效應管的源極接地，第二MOSFET場效應管的漏極接第二電容的右側節點，第二MOSFET場效應管的源極接地，第一電感的左側節點依次串聯第一電阻、第一光耦的輸出端、第三電阻的一端，第三電阻的另一端接第一MOSFET場效應管的柵極，第一電感的左側節點還依次串聯第二電阻、第二光耦的輸出端、第四電阻的一端，第四電阻的另一端接第二MOSFET場效應管的柵極，單片機通過不同控制埠分別連接第一光耦的輸入端和第二光耦的輸入端。

進一步地，第一MOSFET場效應管的漏極和源極之間反向並聯第二二極體，第二MOSFET場效應管的漏極和源極之間反向並聯第四二極體。

更進一步地，單片機控制第一MOSFET場效應管和第二MOSFET場效應管關閉或導通，第一MOSFET場效應管和第二MOSFET場效應管各自的一次導通與一次關閉組成一個運轉周期，導通時間與運轉周期的比值為占空比。

本實用新型採用上述技術方案後具有的有益效果是：本實用新型能通過單片機直接、方便地控制輸出電壓的大小，不僅能夠簡化了電路結構，而且能夠實現電路輸出電壓的智能化調節和控制。

附圖說明

圖1是本實用新型的結構連接示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型作進一步描述，以下實施例僅用於更加清楚地說明本實用新型的技術方案，而不能以此來限制本實用新型的保護范圍。

如圖1所示，本實用新型包括直流電源E和與直流電源E並聯的第一電解電容C1，直流電源E的正極從左至右依次地串聯第一電感L1、第二電容C2、第二電感L2和第三電容C3，第三電容C3接直流電源E的負極，直流電源E的負極與地GND相接。第三電容C3與負載電機Motor並聯。

第一電感L1的左側節點依次串聯第一電阻R1、第一光耦U1的輸出端、第三電阻R3的一端，第三電阻R3的另一端連接到第一MOSFET場效應管D1的柵極。第一電感L1的左側節點還依次串聯第二電阻R2、第二光耦U2的輸出端、第四電阻R4的一端，第四電阻R4的另一端接到第二MOSFET場效應管D3的柵極。第一MOSFET場效應管D1的漏極連接第一電感L1的右側節點，第一MOSFET場效應管D1的源極接地GND，即第一MOSFET場效應管D1的漏極和源極跨接在第一電感L1的右側節點和地GND之間，第一MOSFET場效應管D1的漏極和源極之間反向並聯第二二極體D2，第二二極體D2也跨接在第一電感L1的右側節點和地GND之間。第二MOSFET場效應管D3的漏極連接第二電容C2的右側節點，第二MOSFET場效應管D3的源極接地GND，即第二MOSFET場效應管D3的漏極和源極跨接在第二電容C2的右側節點和地GND之間，第二MOSFET場效應管D3的漏極和源極之間反向並聯第四二極體D4，第四二極體D4也跨接在第二電容C2的右側節點和地GND之間。

單片機通過不同控制埠分別連接第一光耦U1和第二光耦U2的輸入端，單片機通過第一光耦U1和第二光耦U2輸出電信號，分別控制第一MOSFET場效應管D1和第二MOSFET場效應管D3的關閉或導通。第一MOSFET場效應管D1和第二MOSFET場效應管D3各自的的一次導通與一次關閉組成一個運轉周期，導通時間與運轉周期的比值為占空比。

當單片機控制第一MOSFET場效應管D1關閉期間，同時控制第二MOSFET場效應管D3導通，經第一電感L1的電流i1給第二電容C2充電，電流又經第二MOSFET場效應管D3流向地GND，第二電容C2兩端的電壓需要慢慢建立起來。當單片機控制第一MOSFET場效應管D1導通期間，單片機同時控制第二MOSFET場效應管D3關閉，直流電源E通過電流i1給第一電感L1充電，同時第二電容C2放電，第二電感L2通過電流i2存儲第二電容C2放出的電能。當單片機控制第一MOSFET場效應管D1和第二MOSFET場效應管D3的導通和關閉輪流切換時，只要保證導通和關閉這兩種狀態的運轉周期短，第二電感L2的電流i2最後將在某個值附近微小波動，電流i2流經負載電機Motor，使得負載電機Motor獲得電壓上負下正的電壓，通過第二電容C2濾波後，負載電機Motor的電壓基本沒有波動，從而使得電流i2的波動基本消除，從而使得電流i2穩定為某一個數值。

當單片機控制第一MOSFET場效應管D1占空比較大時，直流電源E放出的能量較多，最後使得電流i2較大，則使得負載電機Motor電壓較大，甚至可以大於直流電源E的電壓。當單片機控制第一MOSFET場效應管D1的占空比較小時，直流電源E放出的能量較少，最後使得電流i2較小，則使得負載電壓較小，電路實現了輸出電壓的升降壓作用。由此，通過單片機直接控制輸出電壓的大小，能方便的控制輸出電壓的大小，不僅能夠實現斬波電路驅動電路簡化，而且能夠實現電路輸出電壓的智能化控制。

以上所述僅是本實用新型的優選實施方式，應當指出，對於本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型技術原理的前提下，還可以做出若干改進和變形，這些改進和變形也應視為本實用新型的保護范圍。

Ⅵ 太陽能草坪燈的系統組成

太陽能草坪燈是一個獨立的太陽能發電系統。它能夠獨立的完成把太陽能轉換為電能，並能把電能轉換成熱能供照明和裝飾使用，而不需要電線的傳輸。主要的系統組成部分有光伏發電系統和供電系統。 一個獨立的光伏發電系統一般由三部分組成：太陽電池組件；充、放電控制器、逆變器、測試儀表和計算機監控等電力電子設備和蓄電池或其它蓄能和輔助發電設備。
光伏發電系統具有以下的特點：沒有轉動部件，不產生噪音； 沒有空氣污染、不排放廢水；沒有燃燒過程，不需要燃料； 維修保養簡單，維護費用低；運行可靠性、穩定性好；作為關鍵部件的太陽電池使用壽命長，晶體硅太陽電池壽命可達到25年以上；根據需要很容易擴大發電規模。
如直流負載光伏系統示意圖所示。其中包含了光伏系統中的幾個主要部件：光伏組件方陣：由太陽電池組件（也稱光伏電池組件）按照系統需求串、並聯而成，在太陽光照射下將太陽能轉換成電能輸出，它是太陽能光伏系統的核心部件。 一般來說，一個合格的太陽能充放電控制器具有以下幾種充放電保護模式：
a 直充保護點電壓：直充也叫急充，屬於快速充電，一般都是在蓄電池電壓較低的時候用大電流和相對高電壓對蓄電池充電，但是，有個控制點，也叫保護點，就是上表中的數值，當充電時蓄電池端電壓高於這些保護值時，應停止直充。直充保護點電壓一般也是「過充保護點」電壓，充電時蓄電池端電壓不能高於這個保護點，否則會造成過充電，對蓄電池是有損害的。
b 均充控制點電壓：直充結束後，蓄電池一般會被充放電控制器靜置一段時間，讓其電壓自然下落，當下落到「恢復電壓」值時，會進入均充狀態。為什麼要設計均充？就是當直充完畢之後，可能會有個別電池「落後」（端電壓相對偏低），為了將這些個別分子拉回來，使所有的電池端電壓具有均勻一致性，所以就要以高電壓配以適中的電流再充那麼一小會，可見所謂均充，也就是「均衡充電」。均充時間不宜過長，一般為幾分鍾~十幾分鍾，時間設定太長反而有害。對配備一塊兩塊蓄電池的小型系統而言，均充意義不大。所以，路燈控制器一般不設均充，只有兩個階段。
c 浮充控制點電壓：一般是均充完畢後，蓄電池也被靜置一段時間，使其端電壓自然下落，當下落至「維護電壓」點時，就進入浮充狀態，採用PWM（既脈寬調制）方式，類似於「涓流充電」（即小電流充電），電池電壓一低就充上一點，一低就充上一點，一股一股地來，以免電池溫度持續升高，這對蓄電池來說是很有好處的，因為電池內部溫度對充放電的影響很大。其實PWM方式主要是為了穩定蓄電池端電壓而設計的，通過調節脈沖寬度來減小蓄電池充電電流。這是非常科學的充電管理制度。具體來說就是在充電後期、蓄電池的剩餘電容量（SOC）>80%時，就必須減小充電電流，以防止因過充電而過多釋氣（氧氣、氫氣和酸氣）。
d 過放保護終止電壓：這比較好理解。蓄電池放電不能低於這個值，這是國標的規定。蓄電池廠家雖然也有自己的保護參數（企標或行標），但最終還是要向國標靠攏的。需要注意的是，為了安全起見，一般將12V電池過放保護點電壓人為加上0.3V作為溫度補償或控制電路的零點漂移校正，這樣12V電池的過放保護點電壓即為11.10V，那麼24V系統的過放保護點電壓就為22.20V 。很多生產充放電控制器的廠家都採用22.2V（24V系統）標准。 充
電控制器作為光伏電池和鉛酸蓄電池的介面電路，一般都希望讓其工作在最大功率點，實現更高的效率，但是在實現最大功率點跟蹤（MPPT）的同時，還需要考慮進行蓄電池充電控制。常用的主電路拓撲主要有降壓型電路（Buck）變換器、升壓型電路（Boost）變換器、丘克電路（Cuk）變換器等。一般光伏電池輸出電壓波動較大，而Buck變換器或Boost變換器只能進行降壓或升壓變換，受此影響，光伏電池不能在大范圍內完全工作於最大功率點，從而造成系統效率下降。同時，Buck變換器輸入電流紋波較大，如果輸入端不加一個儲能電容就會使系統工作在斷續狀態下，從而導致光伏電池輸出電流時斷時續，不能處於最佳工作狀態；而Boost變換器輸出電流紋波較大，用此電流對蓄電池進行充電，不利於蓄電池的使用壽命；Cuk變換器同時具有升壓和降壓功能，將Cuk變換器應用於光伏系統充電控制器中，可以在較大范圍內實現最大功率點跟蹤，有利於系統效率的提高。因此，常選用Cuk變換器作為充電控制器的主電路，其系統拓撲如Cuk充電控制器主電路圖所示。
uk變換器在負載電流連續的情況下，其電路的穩態過程有：
1、開關管Vr導通期間
此期間開關管Vr導通，電容C2上的電壓使二極體D2反偏而截止，這時輸入電流iL2使Ll儲能；C2的放電電流iL2使L2儲能，並供電給負載，如Cuk變換器連續工作模式等效電路圖（a）所示。
2、開關管Vr截止期間此期間開關管Vr截止，二極體D2正偏而導通，電源和Ll的釋能電流iLl向C2充電，同時L2的釋能電流iL2以維持負載，如Cuk變換器連續工作模式等效電路圖（b）所示。因此，Vr截止期間C2充電，Vr導通期間C2向負載放電，C2起能量傳遞的作用。 太陽能草坪燈的電路原理比較簡單。它的控制器是採用升壓電路來實現的。
元器件選擇：BT1選用3.8V/80mA太陽能電池板，單晶硅為好，多晶硅次之；BT2選用兩節1.2V/600mA Ni-Cd電池，如需要增大發光度或延長時間，可相應提高太陽能板及電池功率。VQ2、VQ3、VQ5的β在200左右，VQ4需β值大的晶體管。VD1盡量選管壓低的，如鍺管或肖特基二極體。LED可選用白、藍、綠色超高亮度散光或聚光。當選用紅黃橙等低壓降LED時，電路需重新設定。R3、R5建議選用1%精度電阻；R4用亮阻10kΩ～20kΩ，暗阻1MΩ以上的光敏電阻。其他電阻可選用普通碳膜（1/4）W、（1/8）W電阻。L1用（1/4）W色電感，直流阻抗要小。
該電路的工作原理：白天有太陽光時，由BT1把光能轉換為電能，由VD1對BT2充電，由於有光照，光敏電阻呈低阻，VQ4 b極為低電平而截止。當晚上無光照時光敏電阻呈高阻，VQ4導通，VQ2 b極為低電平也導通，由VQ3、VQ5、C2、R6、L1組成的DC升壓電路工作，LED得電發光。
DC升壓電路其核心就是一個互補管振盪電路，其工作過程為：VQ2導通時電源通過L1、R6、VQ4向C2充電，由於C2兩端電壓不能突變，VQ3 b極為高電平，VQ3不導通，隨著C2的充電其壓降越來越高，VQ3 b極電位越來越低，當低至VQ3導通電壓時VQ3導通，VQ5相繼導通，C2通過VQ5 ce結、電源、VQ3 eb結（由於VQ2導通，我們假設其ec結短路，VQ3 e極直接電源正極）放電。
當放完電後VQ3截止，VQ5截止，電源再次向C2充電，之後VQ3導通，VQ5導通，C2放電，如此反復，電路形成振盪，在振盪過程中，VQ5導通時電源經L1和VQ5 ce結到地，電流經L1儲能，VQ5截止時L1產生感應電動勢，和電源疊加後驅動LED，LED發光。本可以提高電池電壓直接驅動LED，以提高效率，但電池電壓提高，相應的太陽能電池價格也大幅提高，只要電路元件設置合適，其效率還是可以接受的。當白天充電不夠時（如遇上陰雨天等），BT2可能發生過放電，這樣會損壞電池，為此特加R5構成過放保護：當電池電壓降至2V時，由於R5的分壓使VQ4基極電位不足以使VQ4導通，從而保護電池。增加R5會影響VQ4的導通深度。

Ⅶ 開關穩壓電源的設計和應用的圖書目錄

第1章 緒論1
1.1 關於開關穩壓電源1
1.2 開關電源的發展史2
1.3 開關電源的應用7
1.4 本書的基本結構8
參考文獻9
第2章 PWM開關電路拓撲10
2.1 開關電源中申力電子電路的分類10
2.2 非隔離型DC?DC變換電路11
2.2.1 降壓（Buck）型電路12
2.2.2 升壓（Boost）型電路17
2.2.3 升降壓（Buck?Boost）型電路22
2.2.4 丘克（Cuk）型電路25
2.2.5 Sepic型電路27
2.2.6 Zeta型電路28
2.3 隔離型電路30
2.3.1 正激型電路30
2.3.2 反激型電路34
2.3.3 半橋電路36
2.3.4 全橋型電路40
2.3.5 推挽型電路43
2.4 整流電路47
2.4.1 全橋整流電路47
2.4.2 全波整流電路48
2.4.3 倍流整流電路48
2.4.4 同步整流技術51
2.5 回饋型電路53
2.5.1 非隔離回饋型電路53
2.5.2 隔離回饋型電路55
2.6 小結56
參考文獻56
第3章 軟開關技術57
3.1 軟開關的基本概念57
3.1.1 硬開關與軟開關57
3.1.2 零電壓開關與零電流開關59
3.2 軟開關電路的分類59
3.2.1 准諧振電路59
3.2.2 零電壓開關PWM電路和零電流開關PWM電路60
3.2.3 零電壓轉換PWM電路和零電流轉換PWM電路61
3.3 典型的軟開關電路61
3.3.1 零電壓准諧振電路61
3.3.2 移相全橋型零電壓開關PWM電路64
3.3.3 有源箝位正激型電路68
3.3.4 零電壓轉換PWM電路71
3.3.5 不對稱半橋型電路72
3.3.6 軟開關PWM三電平直流變換器73
3.4 諧振變換電路的原理及分類75
3.5 典型的諧振變換電路76
3.5.1 串聯諧振電路76
3.5.2 並聯諧振電路78
3.5.3 串並聯諧振電路81
3.6 小結85
參考文獻85
第4章 開關電源控制系統的原理87
4.1 開關電路的建模87
4.1.1 理想開關模型88
4.1.2 狀態空間平均模型89
4.1.3 小信號模型90
4.2 系統的傳遞函數92
4.2.1 開關電路92
4.2.2 PWM比較器96
4.2.3 調節器96
4.3 基於小信號模型的分析方法97
4.3.1 系統的穩定性97
4.3.2 動態指標100
4.4 電壓模式控制和電流模式控制101
4.4.1 電壓模式控制102
4.4.2 峰值電流模式控制103
4.4.3 平均電流模式控制108
4.5 並機均流控制的原理109
4.6 小結113
參考文獻113
第5章 常用電力電子器件115
5.1 二極體115
5.2 電力MOSFET119
5.2.1 結構和工作原理119
5.2.2 主要參數122
5.2.3 新型MOSFET器件簡介123
5.3 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)124
5.3.1 結構與工作原理124
5.3.2 主要參數126
5.3.3 IGBT的發展及新型結構工藝簡介126
5.4 MOSFET及IGBT的驅動及保護128
5.4.1 MOSFET及IGBT的驅動128
5.4.2 MOSFET及IGBT的保護132
5.5 功率模塊與功率集成電路134
5.6 小結136
參考文獻137
第6章 無源器件138
6.1 常用電容器及選型138
6.1.1 電容器的主要參數138
6.1.2 電解電容器140
6.1.3 有機薄膜電容器143
6.1.4 瓷介電容器143
6.2 電感及變壓器144
6.2.1 常用的軟磁材料144
6.2.2 電感148
6.2.3 變壓器152
6.3 小結155
參考文獻156
第7章 功率電路的設計157
7.1 開關電源的主要技術指標及分析157
7.1.1 輸入參數157
7.1.2 輸出參數158
7.1.3 電磁兼容性能指標160
7.1.4 其他指標161
7.2 主電路設計162
7.2.1 主電路的選型162
7.2.2 硬開關與軟開關電路的選擇162
7.2.3 正激、推挽、半橋和全橋型電路的主電路元器件參數的計算163
7.2.4 反激型電路的主電路元器件參數的確定169
7.3 熱設計和結構設計172
7.3.1 開關元件的熱設計172
7.3.2 變壓器和電抗器的熱設計173
7.3.3 機箱結構的設計175
7.4 小結175
參考文獻176
第8章 控制電路的設計177
8.1 電壓模式控制電路的設計177
8.1.1 電壓調節器的結構形式177
8.1.2 電壓調節器的參數178
8.2 峰值電流模式控制電路的設計181
8.3 平均電流模式控制電路的設計181
8.4 控制電路結構和主要組成部分的原理183
8.5 典型的PWM控制電路185
8.6 小結198
參考文獻199
第9章 功率因數校正技術200
9.1 諧波和功率因數的定義200
9.2 開關電源的功率因數校正技術203
9.3 單相功率因數校正電路204
9.3.1 基本原理204
9.3.2 主電路參數計算206
9.3.3 單相功率因數校正的控制電路209
9.4 三相功率因數校正電路212
9.5 軟開關功率因數電路214
9.6 單級功率因數校正技術215
9.6.1 單相單級功率因數變換器215
9.6.2 三相單級功率因數變換器219
9.7 小結221
參考文獻222
第10章 開關電源的電磁兼容問題224
10.1 電磁兼容的基本概念224
10.2 開關電路的EMI模型225
10.3 EMI濾波器的設計230
10.4 抗干擾實驗及抗干擾設計233
10.5 小結235
參考文獻235
第11章 開關電源設計實例236
11.1 90W反激型電源適配器設計236
11.1.1 技術指標236
11.1.2 輸入PFC電路的設計236
11.1.3 反激型電路的設計241
11.2 同步Buck型電路的設計244
11.2.1 技術指標244
11.2.2 電感的設計244
11.2.3 MOSFET的計算245
11.2.4 控制晶元的選擇245
11.3 3kW通信用開關電源設計247
11.3.1 技術要求247
11.3.2 主電路設計247
11.3.3 控制電路的結構253
11.4 6kW電力操作電源設計254
11.4.1 技術要求254
11.4.2 主電路設計254
11.5 小結259
參考文獻259

Ⅷ 電力電子應用技術的MATLAB模擬的目錄

前言
第1章 MATLAB基礎知識
1.1 MATLAB簡介
1.2 MATLAB環境
1.3 MATLAB基本應用
1.3.1 數據結構
1.3.2 數值運算
1.3.3 程序設計基礎
1.3.4 MATLAB的基本繪圖
第2章 Simulink環境和模型庫
2.1 系統模擬(Simulink)環境
2.1.1 Simulink工作環境
2.1.2 Simulink的基本操作
2.1.3 創建Simulink模擬模型
2.1.4 創建Simulink模擬模型的子系統
2.2 認識Simulink的重要模塊庫
2.3 S——函數的設計方法
第3章 SimPowerSystems模型庫
3.1 SimPowerSystems模型庫概述
3.1.1 SimPowerSystems模型庫簡介
3.1.2 SimPowerSystems模型庫內容
3.2 電源庫
3.2.1 直流電壓源
3.2.2 交流電壓源
3.2.3 三相司編程電壓源
3.3 元器件庫
3.3.1 斷路器
3.3.2 串聯RLC支路
3.3.3 變壓器
3.4 電機庫
3.5 電力電子庫
3.5.1 絕緣柵雙極型晶體管
3.5.2 二極體
3.5.3 通用橋式電路
3.6 應用庫
3.7 其他模塊庫
3.7.1 控制模塊
3.7.2 測量模塊
3.8 圖形用戶界面
3.8.1 調用方法
3.8.2 屬性參數對話框
3.8.3 Steady State Voltages and Currents窗口
3.8.4 Initial States Setting窗口
3.8.5 Load Flow and Machine Initialization窗口
3.8.6 Link to the LTI Viewer窗口
3.8.7 Impedance vs. Frequency Measurement窗口
3.8.8 快速傅里葉分析工具窗口
3.8.9 磁滯設置工具窗口
3.9 應用舉例
第4章 DC-DC電路的模擬
4.1 降壓(Buck)變換器
4.2 升壓(Boost)變換器
4.3 升降壓(Buck-Boost)變換器
4.4 丘克(Cuk)變換器
4.5 帶隔離變壓器的DC-DC變換器
4.5.1 單端正激變換器(Forward Converter)
4.5.2 單端反激變換器(Flyback Converter)
第5章 DC-AC電路的模擬
5.1 方波逆變電路
5.1.1 單相方波逆變電路」
5.1.2 三相方波逆變電路
5.2 單相PWM逆變電路
5.2.1 雙極性SPWM
5.2.2 單極性SPWM
5.2.3 倍頻SPWM
5.3 三相PWM逆變電路
5.3.1 SPWM逆變電路
5.3.2 死區時間的影響
5.3.3 電流跟蹤PWM
5.3.4 空間矢量PWM
5.4 多電平逆變電路
第6章 AC-DC電路的模擬
第7章 直流調速系統的模擬
第8章 交流調速系統的模擬
第9章 其他應用
參考文獻
……

Ⅸ 阿納托利·季莫什丘克的個人能力

烏克蘭中場大將季莫舒克加盟拜仁一事也已經如同肥皂劇一般無趣了。好在，現在也結束了。在輸給漢堡之後沒多久，拜仁俱樂部證實了這一消息。澤尼特的隊長將於7月1日正式加盟拜仁，轉會費1400萬美元（1090萬歐元），合約為期3年。29歲的季莫舒克早已被拜仁看中，惟一的障礙就是目前拜仁的隊長范博梅爾。前段時間，荷蘭人和拜仁徹底談崩，他確定將於本賽季結束之後離開，這為季莫舒克的加盟打開了最後的通道。1月中旬，蒂莫什丘克和經紀人第二次來到慕尼黑，就轉會一事進行最後的確認。按照《圖片報》的說法，「烏克蘭人終於說了『我願意』。」
2000年4月，21歲的季莫舒克就作為烏克蘭國腳參加與保加利亞的比賽。隨後他就開始成為了國家隊固定的一員，2006年的德國世界盃中，他更是隨同烏克蘭參加了所有的5場比賽，給人留下了深刻的印象。第一次參加世界盃的烏克蘭就闖入了1/4決賽，最終0-3負於後來的冠軍的義大利。迄今為止，他已經代表烏克蘭隊參加了78場國際比賽，在著名球星舍甫琴科江河日下的情況下，身為副隊長的他已經成為了球隊的真正精神領袖。2012年，隨著核彈頭舍普琴科的退役，季莫什丘克正式接過了舍普琴科的烏克蘭隊長袖標，東歐鐵鏟季莫什丘克講率領烏克蘭國家隊征戰今後的國際賽事。

Ⅹ 超低溫應用在哪些領域

【澳柯瑪】超低溫技術屬於高科技，目前來看主要應用於一些非民用領域，具體可以參考如下：
第一，現在市場中很多的冰箱都是需要超低溫的。所以，在這一點上還是需要很好的分析，因為冰箱或者是冷櫃對於溫度確實是有要求的，而這種溫度是比普通的還要低，確實是需要好好的分析和選擇，這樣才能夠更好的保障實際的情況。其實，對於這種超低溫的產品在冰箱中是很常見；
第二，在一些冷庫中使用的也是比較多。就是對水溫有具體的要求，所以，在這些場合也是會經常使用的；具體的溫度就是需要看需求的溫度；不同的場合在實際的使用過程中也是不同的，自己還是應該很好的分析和說明，因為就目前的市場中很多人確實還是會很關注這樣的情況。
第三，醫葯生物行業是超低溫技術應用的「大戶」。醫葯行業很多設備都是利用超低溫技術研發出的，比如澳柯瑪-50低溫保存箱、澳柯瑪-86°C低溫保存箱等。
第四：航空航天、南極科考等科研院所和疾病防控方面。