電路TLP

❶ 線性電路分為LM、NE、LF、LT、TL系列 光電耦合器分為4N、MOC、TLP、TIL系列這樣的說法對嗎

錯了....
4N,3N,2N,1N是美國半導體分立器件的標准編寫方法，N的數字表示的是該器件中的PN結數，2N是兩個PN結，也就是三極體，1N就是各種二極體的標准寫法了。與公司和半導體的類型無關。1N裡面既有整流管，也有開關管。
LM,NE,LF,TL都是公司前綴，表示的是生產或者發明這些半導體晶元的企業，
LM,LF，TL都是美國德州儀器的，
NE是日本NEC公司的，
還有很多，比如MC:摩托羅拉，ST:歐洲意法半導體等等，。

❷ tlp521應用電路

那肯定會被擊穿。tlp521的輸出三極體的擊穿電壓vceo是55v。它的正常工作電壓應該是5v（典型值）~24v（最大值）。

❸ 請問TLP是什麼意思

TLP: Transmission Line Pulse，傳輸線脈沖發生器，是一種集成電路靜電放電防護技術的研究測試手段。與傳統的HBM、MM、CDM、IEC模型不同，傳輸線脈沖發生器發出的是靜電模擬方波，而傳統模式發出的則是RC-LC模式的脈沖波形，與之相對應的，傳統的HBM等波形更直接的模擬了現實中的某種靜電形式，而TLP通過調節上升沿和脈沖寬度，間接地模擬了這些靜電脈沖形式的損傷能力和不同上升沿CLAMP觸發能力。由於使用了方波，TLP可以通過每次施加一個脈沖，獲得一個I-V點的方式，一直施加不同幅值的電流直到測量泄露電流（Leak)判定失效為止，即可獲得完整的器件在ESD過程中的I-V曲線，而這種曲線，則可以用於集成電路ESD防護設計的模擬，達到集成電路ESD防護結構設計目的。同樣由於使用了方波，還可以發現器件在ESD過程中的響應情況，包括開啟過程、關斷過程；由於一般器件開啟時都有snapback問題，而這種問題對於超深亞微米器件是致命的，因此這種測試技術對用於解決CDM模型的ESD防護結構研究至關重要；同時，近期利用MOS特性設計的超快超低壓開啟CLAMP結構越來越重要，這種結構完全依賴MOS的柵極耦合電壓，發現其關斷特性，獲得開啟與關閉的良好平衡點，此測試技術的意義也非常重要。正是因為該設備的重要性，ESD/EOS會議ESD研究論文中，使用到該設備的論文達到了近80%[1]

❹ TLP521與6N137有什麼區別

對於控制信號要選用中速或者高速的光耦，以保證信號經過光耦後不會發生延遲或者變形。
6N137光耦合器是一款用於單通道的高速光耦合器，其內部有一個850 nm波長AlGaAs LED和一個集成檢測器組成，其檢測器由一個光敏二極體、高增益線性運放及一個肖特基鉗位的集電極開路的三極體組成。具有溫度、電流和電壓補償功能，高的輸入輸出隔離，LSTTL/TTL兼容，高速(典型為10MBd)，5mA的極小輸入電流。
TLP521是可控制的光電藕合器件，光電耦合器廣泛作用在電腦終端機，可控硅系統設備，測量儀器，影印機，自動售票，家用電器，如風扇，加熱器等
電路之間的信號傳輸，使之前端與負載完全隔離，目的在於增加安全性，減小電路干擾，減化電路設計。
東芝TLP521－1，－2和－4組成的砷化鎵紅外發光二極體耦合到光三極體。
該TLP521－2提供了兩個孤立的 光耦8引腳塑料封裝，而TLP521－4提供了4個孤立的光耦中16引腳塑料DIP封裝
集電極-發射極電壓： 55V（最小值） 經常轉移的比例： 50 ％（最小） 隔離電壓： 2500 Vrms （最小）
6N137是高速光耦，比TLP521響應快

❺ 電路圖上tlp31是三極體嗎

應該是達林頓管，NPN型，封裝TO220管腳排列為BCE。

❻ tlp521 工作原理及特性參數等詳細資料

TLP521是可控制的光電藕合器件，光電耦合器廣泛作用在電腦終端機，可控硅系統設備，測量儀器，影印機，自動售票，家用電器，如風扇，加熱器等

電路之間的信號傳輸，使之前端與負載完全隔離，目的在於增加安全性，減小電路干擾，減化電路設計。

東芝TLP521－1，－2和－4組成的砷化鎵紅外發光二極體耦合到光三極體。

該TLP521－2提供了兩個孤立的光耦8引腳塑料封裝，而TLP521－4提供了4個孤立的光耦中16引腳塑料DIP封裝

集電極-發射極電壓：55V（最小值）經常轉移的比例：50％（最小）隔離電壓：2500Vrms（最小）

圖1TLP521TLP521-2TLP521-4光藕內部結構圖及引腳圖

圖2TLP521-2光電耦合器引腳排列圖

AbsoluteMaximumRatings絕對最大額定值(Ta=25℃)

Characteristic參數 Symbol符號 Rating數值 Unit單位

TLP521−1 TLP521−2TLP521−4

LED Forwardcurrent正向電流 IF 70 50 mA

Forwardcurrentderating正向電流減率 ΔIF/℃ −0.93(Ta≥50℃) −0.5(Ta≥25℃) mA/℃

Pulseforwardcurrent瞬間正向脈沖電流

IFP 1(100μpulse,100pps) A

Reversevoltage反向電壓 VR 5 V

Junctiontemperature結溫 Tj 125 ℃

接收側 Collector−emittervoltage集電極發射極電壓 VCEO 55 V

Emitter−collectorvoltage發射極集電極電壓 VECO 7 V

Collectorcurrent集電極電流 IC 50 mA

Collectorpowerdissipation(1circuit)集電極功耗 PC 150 100 mW

(1circuitTa≥25℃)集電極功耗減率 ΔPC/℃ −1.5 −1.0 mW/℃

Junctiontemperature結溫 Tj 125 ℃

Storagetemperaturerange儲存溫度范圍 Tstg −55~125 ℃

Operatingtemperaturerange工作溫度范圍 Topr −55~100 ℃

Leadsolderingtemperature無鉛焊接溫度 Tsol 260(10s) ℃

Totalpackagepowerdissipation整體功耗 PT 250 150 mW

(Ta≥25℃)整體功耗減率 ΔPT/℃ −2.5 −1.5 mW/℃

Isolationvoltage隔離電壓 BVS 2500(AC,1Min最小,R.H.≤60%) Vrms

註：使用連續負載很重的情況下（如高溫/電流/溫度/電壓和重大變化等），可能會導致本產品的可靠性下降明顯甚至損壞。

建議操作條件

Characteristic參數 Symbol符號 Min最小 Typ典型 Max最大 Unit單位

Supplyvoltage電源電壓 VCC ― 5 24 V

Forwardcurrent正向電流 IF ― 16 25 mA

Collectorcurrent集電極電流 IC ― 1 10 mA

Operatingtemperature操作溫度 Topr −25 ― 85 ℃

型號 Classi−fication(*1)分級標准 CurrentTransferRatio(%)(IC/IF)經常轉移率(%)(IC/IF) MarkingOfClassification標志的分類

IF=5mA,VCE=5V,Ta=25℃

最小 最大

TLP521 A 50 600 Blank,Y,Y,G,G,B,B,GB

RankY 50 150 Y,Y

RankGR 100 300 G,G

RankBL 200 600 B,B

RankGB 100 600 G,G,B,B,GB

TLP521−2TLP521−4 A 50 600 Blank,GR,BL,GB

RankGB 100 600 GR,BL,GB

*1:Ex.rankGB:TLP521−1(GB)

(Note):,,i.e.

TLP521−1(GB):TLP521−1,TLP521−2(GB):TLP521−2

單獨的電氣特性參數(Ta=25℃)

Characteristic參數 Symbol符號 TestCondition測試條件 Min最小 Typ典型 Max最大 Unit單位

LED Forwardvoltage正向電壓 VF IF=10mA 1.0 1.15 1.3 V

Reversecurrent反向電流 IR VR=5V — — 10 μA

Capacitance電容 CT V=0,f=1MHz — 30 — pF

接收側 Collector−emitterbreakdownvoltage集電極發射極擊穿電壓 V(BR)CEO IC=0.5mA 55 — — V

Emitter−collectorbreakdownvoltage發射極集電極擊穿電壓 V(BR)ECO IE=0.1mA 7 — — V

Collectordarkcurrent集電極暗電流 ICEO VCE=24V — 10 100 nA

VCE=24V,Ta=85℃ — 2 50 μA

Capacitance(collectortoemitter)電容（集電極到發射極） CCE V=0,f=1MHz — 10 — pF

耦合電氣特性參數s(Ta=25℃)

Characteristic參數 Symbol符號 TestCondition測試條件 Min最小 Typ典型 Max最大 Unit單位

Currenttransferratio經常轉移的比率 IC/IF IF=5mA,VCE=5VRankGB 50 — 600 %

100 — 600

SaturatedCTR飽和率 IC/IF(sat) IF=1mA,VCE=0.4VRankGB — 60 — %

30 — —

Collector−emittersaturationvoltage集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat) IC=2.4mA,IF=8mA — — 0.4 V

IC=0.2mA,IF=1mARankGB — 0.2 —

— — 0.4

IsolationCharacteristic耦合電氣特性參數(Ta=25℃)

Characteristic參數 Symbol符號 TestCondition測試條件 Min最小 Typ典型 Max最大 Unit單位

Capacitance(inputtooutput)電容（輸入輸出） CS VS=0,f=1MHz — 0.8 — pF

Isolationresistance隔離電阻 RS VS=500V,R.H.≤60% — 1011 — Ω

Isolationvoltage隔離電壓 BVS AC,1Min最小ute 2500 — — Vrms

AC,1second,inoil — 5000 —

DC,1Min最小ute,inoil — 5000 — Vdc

SwitchingCharacteristic開關特性參數(Ta=25℃)

Characteristic參數 Symbol符號 TestCondition測試條件 Min最小 Typ典型 Max最大 Unit單位

Risetime上升時間 tr VCC=10VIC=2mARL=100Ω — 2 — μs

Falltime下降時間 tf — 3 —

Turn−ontime開啟時間 ton — 3 —

Turn−offtime關斷時間 toff — 3 —

Turn−ontime開啟時間 tON RL=1.9kΩ(Fig.1)VCC=5V,IF=16mA — 2 — μs

Storagetime存儲時間 ts — 15 —

Turn−offtime關斷時間 tOFF — 25 —

圖3TLP521-1封裝圖圖4TLP521-2封裝圖

圖5TLP521-4封裝圖

圖6開關時間測試電路

特性曲線圖：

應用電路：

圖7打開或關閉12V直流電動機的TTL控制信號輸入電路圖

74HC04特性:

• 緩沖輸入

• 傳輸延遲(典型值):6nsatVCC=5V,CL=15pF,TA=25°C

• 扇出（驅動）能力：(在溫度范圍內)

-標准輸出...............10LSTTLLoads

-匯流排驅動...............15LSTTLLoads

• 寬工作溫度范圍...–55°Cto125°C

• 對稱的傳輸延遲和轉換時間

• 相對於LSTTL邏輯IC，功耗減少很多

• HCTypes

-工作電壓：2V到6V

-高抗擾度:NIL=30%,NIH=30%ofVCCatVCC=5V

• HCTTypes

-工作電壓：4.5V到5.5V

-兼容直接輸入LSTTL邏輯信號,VIL=0.8V(Max),VIH=2V(Min)

-兼容CMOS邏輯輸入,Il1μAatVOL,VO

該74HC04/74HCT04是高速CMOS器件，低功耗肖特基的TTL(LSTTL)電路。

功能作用：六反相器

圖1引腳圖功能

圖2邏輯圖

圖37404真值表

最大額定值

電源電壓 -0.5to+7.0V

DC輸入電壓 -1.5toVcc+1.5V

直流輸出電壓 -0.5toVcc+0.5V

鉗位二極體電流 ±20mA

直流輸出電流，每個引腳（輸出）

±25mA

功耗 600mW

建議操作條件:

OperatingConditions操作條件 最小 最大 單位

SupplyVoltage電源電壓(VCC) 2 6 V

DC輸入或輸出電壓（輸入電壓，輸出電壓） 0 VCC V

OperatingTemp.Range(TA)工作溫度 MM74HC -40 +85 ℃

MM54HC -55 +125 ℃

InputRiseorFallTimes輸入上升或下降時間(tr,tf) VCC=2.0V 1000 ns

VCC=4.5V 500 ns

VCC=6.0V 400 ns

直流電氣特性

Symbol符號 Parameter參數 Conditions條件 VCC TA=25℃ 74HCTA=-40to85℃ 54HCTA=-55to125℃ 單位

典型 GuaranteedLimits保證極限

VIH 輸入高電平電壓 2.0V 1.5 1.5 1.5 V

4.5V 3.15 3.15 3.15

6.0V 4.2 4.2 4.2

VIL 輸入低電平電壓 2.0V 0.5 0.5 0.5 V

4.5V 1.35 1.35 1.35

6.0V 1.8 1.8 1.8

VOH 輸出高電平電壓 VIN=VIL丨IOUT丨≤20μA 2.0V 2.0 1.9 1.9 1.9 V

4.5V 4.5 4.4 4.4 4.4

6.0V 6.0 5.9 5.9 5.9

VIN=VIL丨IOUT丨≤4.0mA丨IOUT丨≤5.2mA 4.5V 4.2 3.98 3.84 3.7 V

6.0V 5.7 5.48 5.34 5.2

VOL 輸出低電平電壓 VIN=VIH丨IOUT丨≤20μA 2.0V 0 0.1 0.1 0.1 V

4.5V 0 0.1 0.1 0.1

6.0V 0 0.1 0.1 0.1

VIN=VIH丨IOUT丨≤4.0mA丨IOUT丨≤5.2mA 4.5V 0.2 0.26 0.33 0.4 V

6.0V 0.2 0.26 0.33 0.4

IIN 最大輸入電流 VIN=VCCorGND 6.0V ±0.1 ±1.0 ±1.0 μA

ICC 電源電流 VIN=VCCorGNDIOUT=0μA 6.0V 2.0 20 40 μA

交流電氣特性:

Symbol符號 Parameter參數 條件 典型 GuaranteedLimit保證極限 單位

tPHL,tPLH 最高傳播延遲時間 8 15 ns

.0Vto6.0V,CLe50pF,tretfe6ns(unlessotherwisespecified)交流電氣特性:

Symbol符號 Parameter參數 Conditions條件 VCC TA=25℃ TAeb40to85℃ TAeb55to125℃ 單位

典型 保證界限

tPHL,tPLH 最大傳輸延遲時間 2.0V 55 95 120 145 ns

4.5V 11 19 24 29

6.0V 9 16 20 24

tTLH,tTHL MaximumOutputRiseandFallTime最大輸出上升和下降時間 2.0V 30 75 95 110 ns

4.5V 8 15 19 22

6.0V 7 13 16 19

CPD PowerDissipationCapacitance(Note5)功耗電容 (pergate) 20 pF

CIN 最大輸入電容 5 10 10 10 pF

應用電路：

圖4CMOS相反器構成震盪電路

圖5利用三個反向器組成一個clock的振盪器電路

❼ 誰給介紹TLP250驅動電路的原理

TLP250是一種可直接驅動小功率

MOSFET和IGBT的功率型光耦，由日

本東芝公司生產，其最大驅動能力達

1.5A。選用TLP250光耦既保證了功率

驅動電路與PWM脈寬調制電路的可靠

隔離，又具備了直接驅動MOSFET的能

力，使驅動電路特別簡單。

TLP250包含一個GaA1As光發射二極

管和一個集成光探測器，是8腳雙列封

裝，適合於IGBT或功率MOSFET柵極

驅動電路。

看它的內部結構你應該就知道了

1-空
2-輸入+
3-輸入-
4-空
5-電源負
6-輸出
7-輸出
8-電源正

❽ 求教電路：用的是tlp521-2光耦

恐怕你怎麼換R2 7腳也不能輸出5V，這個接法實現不了你的目的。8,7腳間的光電三級無論如何也要有壓降的，且R2有負反饋作用，影響三極體導通程度，所以7,8腳間壓降不會太小。你可以考慮提高8腳電壓，提高到7V估計就可以了。或者把R2接到8腳，另外一端接5V，7腳接地，1,2腳之間沒電壓時8腳可輸出5V，有電壓時估計8腳在零點幾伏。這么改控制邏輯要反向一下。

❾ 求解電路圖,TLP627是放大隔離,Q303是放大作用嗎屬於兩級放大嗎詳解.謝謝啊

TLP627主要是作隔離用，Q303是一個MOS，在這里是當個開關用，IO_OUTPUT3給一個低電平，光耦（TLP627）導通，驅動Q303導通

❿ 電路板上TLP和TNY可以互換嗎

電路板上t lp是不能和t NY進行更換的，這個的話是不同的，一個電子元器件