mcm電路

『壹』 常見晶元封裝有哪幾種

一、DIP雙列直插式封裝

DIP(DualIn－ Package)是指採用雙列直插形式封裝的集成電路晶元，絕大多數中小規模集成電路(IC)均採用這種封裝形式，其引腳數一般不超過100個。採用DIP封裝的CPU晶元有兩排引腳，需要插入到具有DIP結構的晶元插座上。當然，也可以直接插在有相同焊孔數和幾何排列的電路板上進行焊接。DIP封裝的晶元在從晶元插座上插拔時應特別小心，以免損壞引腳。

DIP封裝具有以下特點：

1.適合在PCB(印刷電路板)上穿孔焊接，操作方便。
2.晶元面積與封裝面積之間的比值較大，故體積也較大。
Intel系列CPU中8088就採用這種封裝形式，緩存(Cache)和早期的內存晶元也是這種封裝形式。

二、QFP塑料方型扁平式封裝和PFP塑料扁平組件式封裝

QFP（Plastic Quad Flat Package）封裝的晶元引腳之間距離很小，管腳很細，一般大規模或超大型集成電路都採用這種封裝形式，其引腳數一般在100個以上。用這種形式封裝的晶元必須採用SMD（表面安裝設備技術）將晶元與主板焊接起來。採用SMD安裝的晶元不必在主板上打孔，一般在主板表面上有設計好的相應管腳的焊點。將晶元各腳對准相應的焊點，即可實現與主板的焊接。用這種方法焊上去的晶元，如果不用專用工具是很難拆卸下來的。

PFP（Plastic Flat Package）方式封裝的晶元與QFP方式基本相同。唯一的區別是QFP一般為正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是長方形。

QFP/PFP封裝具有以下特點：

1.適用於SMD表面安裝技術在PCB電路板上安裝布線。
2.適合高頻使用。
3.操作方便，可靠性高。
4.晶元面積與封裝面積之間的比值較小。

Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板採用這種封裝形式。

三、PGA插針網格陣列封裝

PGA(Pin Grid Array Package)晶元封裝形式在晶元的內外有多個方陣形的插針，每個方陣形插針沿晶元的四周間隔一定距離排列。根據引腳數目的多少，可以圍成2-5圈。安裝時，將晶元插入專門的PGA插座。為使CPU能夠更方便地安裝和拆卸，從486晶元開始，出現一種名為ZIF的CPU插座，專門用來滿足PGA封裝的CPU在安裝和拆卸上的要求。

ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。把這種插座上的扳手輕輕抬起，CPU就可很容易、輕松地插入插座中。然後將扳手壓回原處，利用插座本身的特殊結構生成的擠壓力，將CPU的引腳與插座牢牢地接觸，絕對不存在接觸不良的問題。而拆卸CPU晶元只需將插座的扳手輕輕抬起，則壓力解除，CPU晶元即可輕松取出。

PGA封裝具有以下特點：

1.插拔操作更方便，可靠性高。
2.可適應更高的頻率。

Intel系列CPU中，80486和Pentium、Pentium Pro均採用這種封裝形式。

四、BGA球柵陣列封裝

隨著集成電路技術的發展，對集成電路的封裝要求更加嚴格。這是因為封裝技術關繫到產品的功能性，當IC的頻率超過100MHz時，傳統封裝方式可能會產生所謂的「CrossTalk」現象，而且當IC的管腳數大於208 Pin時，傳統的封裝方式有其困難度。因此，除使用QFP封裝方式外，現今大多數的高腳數晶元（如圖形晶元與晶元組等）皆轉而使用BGA(Ball Grid Array Package)封裝技術。BGA一出現便成為CPU、主板上南/北橋晶元等高密度、高性能、多引腳封裝的最佳選擇。

BGA封裝技術又可詳分為五大類：

1.PBGA（Plasric BGA）基板：一般為2-4層有機材料構成的多層板。Intel系列CPU中，Pentium II、III、IV處理器均採用這種封裝形式。

2.CBGA（CeramicBGA）基板：即陶瓷基板，晶元與基板間的電氣連接通常採用倒裝晶元（FlipChip，簡稱FC）的安裝方式。Intel系列CPU中，Pentium I、II、Pentium Pro處理器均採用過這種封裝形式。

3.FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬質多層基板。

4.TBGA（TapeBGA）基板：基板為帶狀軟質的1-2層PCB電路板。

5.CDPBGA（Carity Down PBGA）基板：指封裝中央有方型低陷的晶元區（又稱空腔區）。

BGA封裝具有以下特點：

1.I/O引腳數雖然增多，但引腳之間的距離遠大於QFP封裝方式，提高了成品率。
2.雖然BGA的功耗增加，但由於採用的是可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善電熱性能。
3.信號傳輸延遲小，適應頻率大大提高。
4.組裝可用共面焊接，可靠性大大提高。

BGA封裝方式經過十多年的發展已經進入實用化階段。1987年，日本西鐵城（Citizen）公司開始著手研製塑封球柵面陣列封裝的晶元（即BGA）。而後，摩托羅拉、康柏等公司也隨即加入到開發BGA的行列。1993年，摩托羅拉率先將BGA應用於行動電話。同年，康柏公司也在工作站、PC電腦上加以應用。直到五六年前，Intel公司在電腦CPU中（即奔騰II、奔騰III、奔騰IV等），以及晶元組（如i850）中開始使用BGA，這對BGA應用領域擴展發揮了推波助瀾的作用。目前，BGA已成為極其熱門的IC封裝技術，其全球市場規模在2000年為12億塊，預計2005年市場需求將比2000年有70%以上幅度的增長。

五、CSP晶元尺寸封裝

隨著全球電子產品個性化、輕巧化的需求蔚為風潮，封裝技術已進步到CSP(Chip Size Package)。它減小了晶元封裝外形的尺寸，做到裸晶元尺寸有多大，封裝尺寸就有多大。即封裝後的IC尺寸邊長不大於晶元的1.2倍，IC面積只比晶粒（Die）大不超過1.4倍。

CSP封裝又可分為四類：

1.Lead Frame Type(傳統導線架形式)，代表廠商有富士通、日立、Rohm、高士達（Goldstar）等等。
2.Rigid Interposer Type(硬質內插板型)，代表廠商有摩托羅拉、索尼、東芝、松下等等。
3.Flexible Interposer Type(軟質內插板型)，其中最有名的是Tessera公司的microBGA，CTS的sim-BGA也採用相同的原理。其他代表廠商包括通用電氣（GE）和NEC。
4.Wafer Level Package(晶圓尺寸封裝)：有別於傳統的單一晶元封裝方式，WLCSP是將整片晶圓切割為一顆顆的單一晶元，它號稱是封裝技術的未來主流，已投入研發的廠商包括FCT、Aptos、卡西歐、EPIC、富士通、三菱電子等。

CSP封裝具有以下特點：

1.滿足了晶元I/O引腳不斷增加的需要。
2.晶元面積與封裝面積之間的比值很小。
3.極大地縮短延遲時間。

CSP封裝適用於腳數少的IC，如內存條和便攜電子產品。未來則將大量應用在信息家電（IA）、數字電視（DTV）、電子書（E-Book）、無線網路WLAN／GigabitEthemet、ADSL／手機晶元、藍芽（Bluetooth）等新興產品中。

六、MCM多晶元模塊

為解決單一晶元集成度低和功能不夠完善的問題，把多個高集成度、高性能、高可靠性的晶元，在高密度多層互聯基板上用SMD技術組成多種多樣的電子模塊系統，從而出現MCM(Multi Chip Model)多晶元模塊系統。
MCM具有以下特點：

1.封裝延遲時間縮小，易於實現模塊高速化。
2.縮小整機/模塊的封裝尺寸和重量。
3.系統可靠性大大提高。

晶元封裝分類
1,按晶元的裝載方式;
裸晶元在裝載時,它的有電極的一面可以朝上也可以朝下,因此,晶元就有正裝片和倒裝片之分,布線面朝上為正裝片,反之為倒裝片.
另外,裸晶元在裝載時,它們的電氣連接方式亦有所不同,有的採用有引線鍵合方式,有的則採用無引線鍵合方式
2,按晶元的基板類型;
基板的作用是搭載和固定裸晶元,同時兼有絕緣,導熱,隔離及保護作用.它是晶元內外電路連接的橋梁.從材料上看,基板有有機和無機之分,從結構上看,基板有單層的,雙層的,多層的和復合的.
3,按晶元的封接或封裝方式；
裸晶元裸晶元及其電極和引線的封裝或封接方式可以分為兩類,即氣密性封裝和樹脂封裝,而氣密性封裝中,根據封裝材料的不同又可分為:金屬封裝,陶瓷封裝和玻璃封裝三種類型.
前三類屬一級封裝的范疇,涉及裸晶元及其電極和引線的封裝或封接,

4,按晶元的外型結構;
按晶元的外型,結構分大致有DIP,SIP,ZIP,S-DIP,SK-DIP,PGA, 其中前6種屬引腳插入型
SOP,MSP,QFP,SVP,LCCC,PLCC,SOJ,BGA,CSP, , ,隨後的9種為表面貼裝型：
DIP:雙列直插式封裝.顧名思義,該類型的引腳在晶元兩側排列,是插入式封裝中最常見的一種,引腳節距為2.54 mm,電氣性能優良,又有利於散熱,可製成大功率器件.
SIP:單列直插式封裝.該類型的引腳在晶元單側排列,引腳節距等特徵與DIP基本相同.ZIP:Z型引腳直插式封裝.該類型的引腳也在晶元單側排列,只是引腳比SIP粗短些,節距等特徵也與DIP基本相同.
S-DIP:收縮雙列直插式封裝.該類型的引腳在晶元兩側排列,引腳節距為1.778 mm,晶元集成度高於DIP.
SK-DIP:窄型雙列直插式封裝.除了晶元的寬度是DIP的1/2以外,其它特徵與DIP相同.PGA:針柵陣列插入式封裝.封裝底面垂直陣列布置引腳插腳,如同針柵.插腳節距為2.54 mm或1.27mm,插腳數可多達數百腳.用於高速的且大規模和超大規模集成電路.
SOP:小外型封裝.表面貼裝型封裝的一種,引腳端子從封裝的兩個側面引出,字母L狀.引腳節距為1.27mm.
MSP:微方型封裝.表面貼裝型封裝的一種,又叫QFI等,引腳端子從封裝的四個側面引出,呈I字形向下方延伸,沒有向外突出的部分,實裝佔用面積小,引腳節距為1.27mm.
QFP:四方扁平封裝.表面貼裝型封裝的一種,引腳端子從封裝的兩個側面引出,呈L字形,引腳節距為1.0mm,0.8mm,0.65mm,0.5mm,0.4mm,0.3mm,引腳可達300腳以上.
SVP:表面安裝型垂直封裝.表面貼裝型封裝的一種,引腳端子從封裝的一個側面引出,引腳在中間部位彎成直角,彎曲引腳的端部與PCB鍵合,為垂直安裝的封裝.實裝佔有面積很小.引腳節距為0.65mm,0.5mm .
LCCC:無引線陶瓷封裝載體.在陶瓷基板的四個側面都設有電極焊盤而無引腳的表面貼裝型封裝.用於高速,高頻集成電路封裝.
PLCC:無引線塑料封裝載體.一種塑料封裝的LCC.也用於高速,高頻集成電路封裝.
SOJ:小外形J引腳封裝.表面貼裝型封裝的一種,引腳端子從封裝的兩個側面引出,呈J字形,引腳節距為1.27mm.
BGA:球柵陣列封裝.表面貼裝型封裝的一種,在PCB的背面布置二維陣列的球形端子,而不採用針腳引腳.焊球的節距通常為1.5mm,1.0mm,0.8mm,與PGA相比,不會出現針腳變形問題.
CSP:晶元級封裝.一種超小型表面貼裝型封裝,其引腳也是球形端子,節距為0.8mm,0.65mm,0.5mm等.

TCP等，最後一種是TAB型
TCP:帶載封裝.在形成布線的絕緣帶上搭載裸晶元,並與布線相連接的封裝.與其他表面貼裝型封裝相比,晶元更薄,引腳節距更小,達0.25mm,而引腳數可達500針以上.
5,按晶元的封裝材料
按晶元的封裝材料分有金屬封裝,陶瓷封裝,金屬-陶瓷封裝,塑料封裝.
金屬封裝:金屬材料可以沖,壓,因此有封裝精度高,尺寸嚴格,便於大量生產,價格低廉等優點.
陶瓷封裝:陶瓷材料的電氣性能優良,適用於高密度封裝.
金屬-陶瓷封裝:兼有金屬封裝和陶瓷封裝的優點.
塑料封裝:塑料的可塑性強,成本低廉,工藝簡單,適合大批量生產.
後二類屬二級封裝的范疇,對PCB設計大有用處,

『貳』 多晶元組件(MCM),多晶元組件(MCM)是什麼意思

MCM一般採用DCA（裸晶元直接安裝技術）或CSP，可使電路圖形線寬達到幾微米到幾十微米的等級。在MCM基礎上設計的與外部電路連接的扁平引線間距為0.5mm，把幾塊MCM利用SMT組裝在普通的PCB上即可實現系統的功能。 它是為適應現代電子系統短、小、輕、薄和高速、高性能、高可靠性、低成本的發展方向而在多層印製板(PCB)和表面安裝技術(SMT)的基礎上發展起來的新一代微電子封裝與組裝技術，是實現系統集成的有力手段。 MCM組裝的是超大規模集成電路和專用集成電路的裸片，而不是中小規模的集成電路，技術上MCM追求高速度、高性能、高可靠性和多功能，而不象一般混合IC技術以縮小體積重量為主。 多晶元組件技術的基本特點 (1)MCM是將多塊未封裝的IC晶元高密度安裝在同一基板上構成的部件，省去了IC的封裝材料和工藝，節約了原材料，減少了製造工藝，縮小整機／組件封裝尺寸和重量。 (2)MCM是高密度組裝產品，晶元面積占基板面積至少20％以上，互連線長度極大縮短，封裝延遲時間縮小，易於實現組件高速化。 (3)MCM的多層布線基板導體層數應不小於4層，能把模擬電路、數字電路、功率器件、光電器件、微波器件及各類片式化元器件合理有效地組裝在封裝體內，形成單一半導體集成電路不可能完成的多功能部件、子系統或系統。使線路之間的串擾雜訊減少，阻抗易控，電路性能提高。 (4)MCM避免了單塊IC封裝的熱阻、引線及焊接等一系列問題，便產品的可靠性獲得極大提高。 (5)MCM集中了先進的半導體IC的微細加工技術，厚、薄膜混合集成材料與工藝技術，厚膜、陶瓷與PCB的多層基板技術以及MCM電路的模擬、模擬、優化設計、散熱和可靠性設計、晶元的高密度互連與封裝等一系列新技術，因此，有人稱其為混合形式的全片規模集成WSI(Wafer-scaleIntegration)技術。 多晶元組件技術的基本類型 根據多層互連基板的結構和工藝技術的不同，MCM大體上可分為三類：①層壓介質MCM(MCM-L)；②陶瓷或玻璃瓷MCM(MCM-C)；③硅或介質材料上的淀積布線MCM(MCM-D)。表1給出MCM三種基本類型的結構、材料和性能。 MCM-L是採用多層印製電路板做成的MCM，製造工藝較成熟，生產成本較低，但因晶元的安裝方式和基板的結構所限，高密度布線困難，因此電性能較差，主要用於30MHz以下的產品。 MCM-C是採用高密度多層布線陶瓷基板製成的MCM，結構和製造工藝都與先進IC極為相似，其優點是布線層數多，布線密度、封裝效率和性能均較高，主要用於工作頻率(30-50)MHz的高可靠產品。它的製造過程可分為高溫共燒陶瓷法(HTCC)和低溫共燒陶瓷法(LTCC)，由於低溫下可採用Ag、Au、Cu等金屬和一些特殊的非傳導性材料，近年來，低溫共燒陶瓷法佔主導地位。 MCM-D是採用薄膜多層布線基板製成的MCM，其基體材料又分為MCM-D／C(陶瓷基體薄膜多層布線基板的MCM)、MCM-D／M(金屬基體薄膜多層布線基板的MCM)、MCM-D／Si(硅基薄膜多層布線基板的MCM)等三種，MCM-D的組裝密度很高，主要用於500MHz以上的產品。 三維多晶元組件通常所說的多晶元組件都是指二維的(2D-MCM)，它的所有元器件都布置在一個平面上，不過它的基板內互連線的布置已是三維。隨著微電子技術的進一步發展，晶元的集成度大幅度提高，對封裝的要求也更加嚴格，2D-MCM的缺點也逐漸暴露出來。目前，2D-MCM組裝效率最高可達85％，已接近二維組裝所能達到的最大理論極限，這已成為混合集成電路持續發展的障礙。為了改變這種狀況，三維的多芯生組件(3D-MCM)就應運而生了，其最高組裝密度可達200％。3D-MCM是指元器件除了在x-y平面上展開以外，還在垂直方向(z方向)上排列，與2D-MCM相比，3D-MCM具有以下的優越性： ①進一步減小了體積，減輕了重量。相對於2D-MCM而言，3D-MCM可使系統的體積縮小10倍以上，重量減輕6倍以上。 ②3D-MCM中晶元之間的互連長度比2D-MCM短得多，因此可進一步減小信號傳輸延遲時間和信號雜訊，降低了功耗，信號傳輸(處理)速度增加。 ③由於3D-MCM的組裝效率目前己高達200％，進一步增大了組裝效率和互連效率，因此可集成更多的功能，實現多功能的部件以至系統(整機)。 ④互連帶寬，特別是存儲器帶寬往往是影響計算機和通信系統性能的重要因素。降低延遲時間和增大匯流排寬度是增大信號寬度的重要方法。3D-MCM正好具有實現此特性的突出優點。 ⑤由於3D—MCM內部單位面積的互連點數大大增加，具有更高的集成度，使其整機(或系統)的外部連接點數和插板大大減小，因此可靠性得到進一步提高。 3D-MCM雖然具有以上所述的優點，但仍然有一些困難需要克服。和2D-MCM相比，3D-MCM的封裝密度增加了，必然導致單位基板面積上的發熱量增大，因此散熱是關鍵問題，一般採用以下方法：採用低熱阻材料，如金剛石或化學氣相淀積(CVD)金剛石薄膜；採用水冷或強制空冷；採用導熱粘膠或散熱通孔將熱量盡快散發出去。另外，作為一項新技術，3D-MCM還需進一步完善，需更新設備，開發新的軟體，還要承擔一定的風險。 多晶元組件的應用及發展趨勢 多晶元組件(MCM)在組裝密度(封裝效率)、信號傳輸速度、電性能以及可靠性等方面獨具優勢，是目前能最大限度地提高集成度、提高高速單片IC性能，製作高速電子系統，實現整機小型化、多功能化、高可靠性、高性能的最有效途徑。 MCM早在80年代初期就曾以多種形式存在，但由於成本昂貴，大都只用於軍事、航天及大型計算機上。隨著技術的進步及成本的降低，近年來，MCM在計算機、通信、雷達、數據處理、汽車行業、工業設備、儀器與醫療等電子系統產品上得到越來越廣泛的應用，已成為最有發展前途的高級微組裝技術。例如利用MCM製成的微波和毫米波SOP(System-on-a-package)，為集成不同材料系統的部件提供了一項新技術使得將數字專用集成電路、射頻集成電路和微機電器件封裝在一起成為可能。3D-MCM是為適應軍事宇航、衛星、計算機、通信的迫切需求而近年來在國外得到迅速發展的高新技術，是實現系統集成的重要技術途徑。目前3D-MCM已被應用到高性能大容量的存儲器組件和計算機系統，充分發揮了三維多晶元組件技術的優越性。 隨著微電子技術的發展，微電子封裝將向微型化、輕型化和薄型化方向發展。3-D封裝技術具有降低功耗、減輕重量、縮小體積、減弱雜訊、降低成本等優點，它將是未來微電子封裝的主要發展方向。電子系統(整機)向小型化、高性能化、多功能化、高可靠和低成本發展已成為目前的主要趨勢，從而對系統集成的要求也越來越迫切。實現系統集成的技術途徑主要有兩個：一是半導體單片集成技術，二是MCM技術。前者是通過晶片規模的集成技術(WSl)，將高性能數字集成電路(含存儲器、微處理器、圖象和信號處理器等)和模擬集成電路(含各種放大器、變換器等)集成為單片集成系統。後者是通過三維多晶元組件(3D-MCM)技術實現WSI的功能。 三維多晶元組件技術是現代微組裝技術發展的重要方向，是新世紀微電子技術領域的一項關鍵技術。

『叄』 MCM封裝是什麼什麼是MCM封裝

什麼是MCM封裝？ MCM是一種由兩個或兩個以上裸晶元或者晶元尺寸封裝（CSP）的IC組裝在一個基板上的模塊，模塊組成一個電子系統或子系統。基板可以是PCB、厚／薄膜陶瓷或帶有互連圖形的矽片。整個MCM可以封裝在基板上，基板也可以封裝在封裝體內。MCM封裝可以是一個包含了電子功能便於安裝在電路板上的標准化的封裝，也可以就是一個具備電子功能的模塊。它們都可直接安裝到電子系統中去（PC，儀器，機械設備等等）。

『肆』 LED和SMD有什麼區別

一、LED（Light Emitting Diode），發光二極體，是一種固態的半導體器件，它可以直接把電轉化為光。LED的心臟是一個半導體的晶片，晶片的一端附在一個支架上，一端是負極，另一端連接電源的正極，使整個晶片被環氧樹脂封裝起來。半導體晶片由三部分組成，一部分是P型半導體，在它裡面空穴佔主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子，中間通常是1至5個周期的量子阱。當電流通過導線作用於這個晶片的時候，電子和空穴就會被推向量子阱，在量子阱內電子跟空穴復合，然後就會以光子的形式發出能量，這就是LED發光的原理。而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料來決定的。

二、SMD 它是Surface Mounted Devices的縮寫，意為：表面貼裝器件它是SMT(Surface Mount Technology 中文:表面黏著技術）元器件中的一種。
「在電子線路板生產的初級階段，過孔裝配完全由人工來完成。首批自動化機器推出後，它們可放置一些簡單的引腳元件，但是復雜的元件仍需要手工放置方可進行波峰焊。 表面貼裝元件在大約二十年前推出，並就此開創了一個新紀元。從無源元件到有源元件和集成電路，最終都變成了表面貼裝器件(SMD)並可通過拾放設備進行裝配。在很長一段時間內人們都認為所有的引腳元件最終都可採用SMD封裝。
三、SMD元件主要有片式晶體管和集成電路 集成電路又包括SOP、SOJ、PLCC、LCCC、QFP、BGA、CSP、FC、MCM等。 舉例如下：
1、連接件(Interconnect)：提供機械與電氣連接/斷開，由連接插頭和插座組成，將電纜、支架、機箱或其它PCB與PCB連接起來；可是與板的實際連接必須是通過表面貼裝型接觸。

2、a有源電子元件(Active)：在模擬或數字電路中，可以自己控制電壓和電流，以產生增益或開關作用，即對施加信號有反應，可以改變自己的基本特性。
b無源電子元件(Inactive)：當施以電信號時不改變本身特性，即提供簡單的、可重復的反應。

3、異型電子元件(Odd-form)：其幾何形狀因素是奇特的，但不必是獨特的。因此必須用手工貼裝，其外殼(與其基本功能成對比)形狀是不標準的例如：許多變壓器、混合電路結構、風扇、機械開關塊，等。各種SMT元器件的參數規格 Chip片電阻,電容等： 尺寸規格: 0201, 0402, 0603, 0805, 1206,1210, 2010, 等。 鉭電容： 尺寸規格:TANA,TANB,TANC,TANDSOT 晶體管：SOT23,SOT143, SOT89等 melf圓柱形元件：二極體,電阻等 SOIC集成電路： 尺寸規格: SOIC08, 14, 16, 18, 20, 24, 28,32 QFP 密腳距集成電路PLCC集成電路：PLCC20, 28, 32, 44, 52, 68, 84 BGA 球柵列陣包裝集成電路：列陣間距規格: 1.27, 1.00, 0.80 CSP 集成電路：元件邊長不超過裡面晶元邊長的1.2倍, 列陣間距<0.50的microBGA 噴嘴噴霧霧粒的統計平均直徑，有很多評價方法，通常有算術統計平均直徑，幾何統計平均直徑，不過最常用的是索泰爾平均，簡稱SMD。
其原理是將所有的霧粒用具有相同表面積和體積的均一直徑的圓球來近似，所求的圓球直徑即為索泰爾平均直徑。
由於這種統計平均很好的反映了課題的物理特性，因此在實際中應用最廣。SMT的特點 組裝密度高、電子產品體積小、重量輕，貼片元件的體積和重量只有傳統插裝元件的1/10左右，一般採用SMT之後，電子產品體積縮小40%~60%，重量減輕60%~80%。 可靠性高、抗振能力強。焊點缺陷率低。 高頻特性好。減少了電磁和射頻干擾。 易於實現自動化，提高生產效率。降低成本達30%~50%。 節省材料、能源、設備、人力。可見兩者根本不一樣，不過有SMD封裝的LED

『伍』 MCM的特點

MCM技術是實現電子整機小型化、多功能化、高性能和高可靠性的十分有效的技術途徑。與其它集成技術相比較，MCM技術具有以下技術特點：
延時短，傳輸速度提高
由於採用高密度互連技術，其互連線較短，信號傳輸延時明顯縮短。與單晶元表面貼裝技術相較，其傳輸速度提高4－6倍，可以滿足100MHz的速度要求。
體積小，重量輕
採用多層布線基板和裸晶元，因此其組裝密度較高，產品體積小，重量輕。其組裝效率可達30%，重量可減少80－90%。
可靠性高
統計表明，電子產品的失效大約90%是由於封裝和電路互連所引起的，MCM集有源器件和無源元件於一體，避免了器件級的封裝，減少了組裝層次，從而有效地提高了可靠性。
高性能和多功能化
MCM可以將數字電路、模擬電路、微波電路、功率電路以及光電器件等合理有效地集成在一起，形成半導體技術所無法實現的多功能部件或系統，從而實現產品的高性能和多功能化。
軍事微電子領域的優勢地位
減小產品尺寸和重量，同時提高電性能和可靠性，這是MCM技術的價值之所在，也是MCM技術得以產生和發展的驅動力。在要求高性能、小型化和價格是次要因素的應用領域，尤其在軍事、航空航天應用領域，MCM技術具有十分穩固的優勢地位。
由於受半導體技術發展水平的限制，在我國晶元主要來源於國外，軍用高頻和大功率等晶元的來源一直是是一項非常棘手的問題，因此採用MCM二次集成技術具有十分重要的現實意義。毫無疑問，MCM在軍事微電子領域將具有非常廣泛的應用市場和發展前景。
據美國信息網路公司預測，2000年到2005年世界MCM市場的平均年增長率是13.5%，從2000年的0.533億件到2005年的1.004億件。其中2001年全球軍事/航天MCM產品為96.7萬塊，2005年全球軍事/航天MCM產品將為41.5萬塊，增長率為-15.6%。未來MCM在全球軍事電子領域的市場將會出現衰退，但其原因並不在於其它技術的競爭，而在於全球軍備投資的減少。

『陸』 台達變頻器ms300的MO1與MCM有電壓嗎

有的，最大是直流48V，50mA。變頻器使用手冊上有標注的。

一、變頻器輸出端子

變頻器的外接輸出控制端子可分為模擬輸出，脈沖輸出，晶體管輸出，接點輸出四類。

模擬輸出(FMA)，其輸出的是直流電壓如0-10V，但其只能監視一個數據，即只能在輸出頻率，輸出電流，輸出電壓，輸出轉矩，輸入功率，PG反饋量，PID反饋值等參數中選擇一種進行顯示。其允許連接負載阻抗最小5kΩ。

脈沖波形輸出即FMP，又稱為頻率值監視，其通過晶體管脈沖電壓輸出，監視信號內容和FMA相同。其輸出端由晶體管構成，可連接的阻抗最小為10kΩ。

晶體管輸出是可編程序的，所以又稱為狀態輸出端。各輸出端子的具體應用可通過設置來決定。它以晶體管集電極開路方式輸出各種監視信號。其可輸出正在運行，頻率到達。頻率檢測，模擬頻率給定信號斷線檢出，過載報警等數十種信號。

接點輸出是通過變頻器內部的繼電器輸出觸點信號，所以其觸點電流較大，有的變頻器還具有可選信號輸出的繼電器。接點輸出端子有的也是可編程序的，這樣的輸出端子大多隻能用於直流低電壓電路。有的變頻器還具有可選信號輸出繼電器，且可選擇在異常時動作或者正常時動作。

變頻器

二、變頻器

變頻器（Variable-frequency Drive，VFD）是應用變頻技術與微電子技術，通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設備。

變頻器主要由整流（交流變直流）、濾波、逆變（直流變交流）、制動單元、驅動單元、檢測單元微處理單元等組成。變頻器靠內部IGBT的開斷來調整輸出電源的電壓和頻率，根據電機的實際需要來提供其所需要的電源電壓，進而達到節能、調速的目的，另外，變頻器還有很多的保護功能，如過流、過壓、過載保護等等。隨著工業自動化程度的不斷提高，變頻器也得到了非常廣泛的應用。

『柒』 什麼是氧化鋁陶瓷基板

氧化鋁陶瓷是一種以三氧化二鋁（Al2O3）為主體的陶瓷材料，再在氧化鋁陶瓷基片上面蝕刻金屬電路，就是氧化鋁陶瓷基板了。
因為陶瓷類材料具有良好的高頻性能和電學性能，且具有熱導率高、化學穩定性和熱穩定性優良等有機基板不具備的性能，是新一代大規模集成電路以及功率電子模塊的理想封裝材料。因此，近年來斯利通陶瓷電路板得到了廣泛的關注和迅速發展。

『捌』 什麼叫集成電路、集成模塊

一、概述
集成電路（integrated circuit，港台稱之為積體電路）是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極體、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，這樣，整個電路的體積大大縮小，且引出線和焊接點的數目也大為減少，從而使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。
集成電路具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優點，同時成本低，便於大規模生產。它不僅在工、民用電子設備如收錄機、電視機、計算機等方面得到廣泛的應用，同時在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應用。用集成電路來裝配電子設備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設備的穩定工作時間也可大大提高。
它在電路中用字母「IC」（也有用文字元號「N」等）表示。
[編輯本段]二、集成電路的分類

（一）按功能結構分類
集成電路按其功能、結構的不同，可以分為模擬集成電路、數字集成電路和數/模混合集成電路三大類。
模擬集成電路又稱線性電路,用來產生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間邊疆變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等），其輸入信號和輸出信號成比例關系。而數字集成電路用來產生、放大和處理各種數字信號（指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如VCD、DVD重放的音頻信號和視頻信號）。
（二）按製作工藝分類
集成電路按製作工藝可分為半導體集成電路和薄膜集成電路。
膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。
（三）按集成度高低分類
集成電路按集成度高低的不同可分為小規模集成電路、中規模集成電路、大規模集成電路、超大規模集成電路、特大規模集成電路和巨大規模集成電路。
（四）按導電類型不同分類
集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路,他們都是數字集成電路.
雙極型集成電路的製作工藝復雜，功耗較大，代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極型集成電路的製作工藝簡單，功耗也較低，易於製成大規模集成電路，代表集成電路有CMOS、NMOS、PMOS等類型。
（五）按用途分類
集成電路按用途可分為電視機用集成電路、音響用集成電路、影碟機用集成電路、錄像機用集成電路、電腦（微機）用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種專用集成電路。
1.電視機用集成電路包括行、場掃描集成電路、中放集成電路、伴音集成電路、彩色解碼集成電路、AV/TV轉換集成電路、開關電源集成電路、遙控集成電路、麗音解碼集成電路、畫中畫處理集成電路、微處理器（CPU）集成電路、存儲器集成電路等。
2.音響用集成電路包括AM/FM高中頻電路、立體聲解碼電路、音頻前置放大電路、音頻運算放大集成電路、音頻功率放大集成電路、環繞聲處理集成電路、電平驅動集成電路，電子音量控制集成電路、延時混響集成電路、電子開關集成電路等。
3.影碟機用集成電路有系統控制集成電路、視頻編碼集成電路、MPEG解碼集成電路、音頻信號處理集成電路、音響效果集成電路、RF信號處理集成電路、數字信號處理集成電路、伺服集成電路、電動機驅動集成電路等。
4.錄像機用集成電路有系統控制集成電路、伺服集成電路、驅動集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。
（六）按應用領域分
集成電路按應用領域可分為標准通用集成電路和專用集成電路。
(七)按外形分
集成電路按外形可分為圓形(金屬外殼晶體管封裝型,一般適合用於大功率)、扁平型(穩定性好,體積小)和雙列直插型.
[編輯本段]三、集成電路發展簡史
1.世界集成電路的發展歷史
1947年：貝爾實驗室肖克萊等人發明了晶體管，這是微電子技術發展中第一個里程碑；
1950年：結型晶體管誕生；
1950年： R Ohl和肖特萊發明了離子注入工藝；
1951年：場效應晶體管發明；
1956年：C S Fuller發明了擴散工藝；
1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史；
1960年：H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝；
1962年：美國RCA公司研製出MOS場效應晶體管；
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路晶元都是基於CMOS工藝；
1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍；
1966年：美國RCA公司研製出CMOS集成電路，並研製出第一塊門陣列（50門）；
1967年：應用材料公司（Applied Materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備製造公司；
1971年：Intel推出1kb動態隨機存儲器（DRAM），標志著大規模集成電路出現；
1971年：全球第一個微處理器4004由Intel公司推出，採用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發明；
1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802；
1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世；
1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的矽片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規模集成電路（VLSI）時代的來臨；
1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之後，IBM基於8088推出全球第一台PC；
1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世；
1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；
1985年：80386微處理器問世，20MHz；
1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的矽片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路（ULSI）階段；
1989年：1Mb DRAM進入市場；
1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，後來50MHz晶元採用 0.8μm工藝；
1992年：64M位隨機存儲器問世；
1993年：66MHz奔騰處理器推出,採用0.6μm工藝；
1995年:Pentium Pro, 133MHz，採用0.6-0.35μm工藝；
1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世,採用0.25μm工藝；
1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，採用0.25μm工藝，後採用0.18μm工藝；
2000年: 1Gb RAM投放市場；
2000年：奔騰4問世，1.5GHz，採用0.18μm工藝；
2001年：Intel宣布2001年下半年採用0.13μm工藝。
2.我國集成電路的發展歷史
我國集成電路產業誕生於六十年代，共經歷了三個發展階段：
1965年-1978年：以計算機和軍工配套為目標，以開發邏輯電路為主要產 品，初步建立集成電路工業基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件；
1978年-1990年：主要引進美國二手設備，改善集成電路裝備水平，在「治散治亂」的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產化；
1990年-2000年：以908工程、909工程為重點，以CAD為突破口，抓好科技攻關和北方科研開發基地的建設，為信息產業服務，集成電路行業取得了新的發展。
[編輯本段]四、集成電路的封裝種類
1、BGA(ball grid array)
球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式製作出球形凸點用 以 代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 晶元，然後用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也 稱為凸 點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不 用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。 該封裝是美國Motorola 公司開發的，首先在攜帶型電話等設備中被採用，今後在美國有 可 能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225。現在 也有 一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。 BGA 的問題是迴流焊後的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為 ， 由於焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。 美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為 GPAC(見OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)
帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊) 以 防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中 採用 此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84 到196 左右(見QFP)。
4、C－(ceramic)
表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。
5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用於ECL RAM，DSP(數字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用於紫外線擦除型EPROM 以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數從8 到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad
表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用於封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的Cerquad 用於封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。
帶引腳的陶瓷晶元載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用於封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。
8、COB(chip on board)
板上晶元封裝，是裸晶元貼裝技術之一，半導體晶元交接貼裝在印刷線路板上，晶元與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實現，晶元與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，並用 樹脂覆 蓋以確保可靠性。雖然COB 是最簡單的裸晶元貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB 和 倒片 焊技術。
9、DFP(al flat package)
雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現在已基本上不用。
10、DIC(al in-line ceramic package)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).
11、DIL(al in-line)
DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。
12、DIP(al in-line package)
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標准邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數情況下並不加 區分， 只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。
13、DSO(al small out-lint)
雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導體廠家採用此名稱。
14、DICP(al tape carrier package)
雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳製作在絕緣帶上並從封裝兩側引出。由於 利 用的是TAB(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用於液晶顯示驅動LSI，但多數為 定製品。 另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處於開發階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機 械工 業)會標准規定，將DICP 命名為DTP。
15、DIP(al tape carrier package)
同上。日本電子機械工業會標准對DTCP 的命名(見DTCP)。
16、FP(flat package)
扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導體廠家采 用此名稱。
17、flip-chip
倒焊晶元。裸晶元封裝技術之一，在LSI 晶元的電極區製作好金屬凸點，然後把金屬凸 點 與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的佔有面積基本上與晶元尺寸相同。是所有 封裝技 術中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹系數與LSI 晶元不同，就會在接合處產生反應，從而影響連接的可 靠 性。因此必須用樹脂來加固LSI 晶元，並使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。
18、FQFP(fine pitch quad flat package)
小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小於0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采 用此名稱。
19、CPAC(globe top pad array carrier)
美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。
20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹脂保護環掩蔽，以防止彎曲變 形。 在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護環處切斷引腳並使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。 這種封裝 在美國Motorola 公司已批量生產。引腳中心距0.5mm，引腳數最多為208 左右。
21、H-(with heat sink)
表示帶散熱器的標記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。
22、pin grid array(surface mount type)
表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝採用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可製作得 不 怎麼大，而引腳數比插裝型多(250～528)，是大規模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材製作封裝已經實用化。
23、JLCC(J-leaded chip carrier)
J 形引腳晶元載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半 導體廠家採用的名稱。
24、LCC(Leadless chip carrier)
無引腳晶元載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是 高 速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFN－C(見QFN)。
25、LGA(land grid array)
觸點陳列封裝。即在底面製作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現 已 實用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應用於高速 邏輯 LSI 電路。 LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由於引線的阻 抗 小，對於高速LSI 是很適用的。但由於插座製作復雜，成本高，現在基本上不怎麼使用 。預計 今後對其需求會有所增加。
26、LOC(lead on chip)
晶元上引線封裝。LSI 封裝技術之一，引線框架的前端處於晶元上方的一種結構，晶元 的 中心附近製作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在晶元側面 附近的 結構相比，在相同大小的封裝中容納的晶元達1mm 左右寬度。
27、LQFP(low profile quad flat package)
薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP 外形規格所用的名稱。
28、L－QUAD
陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，晶元用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發的一種 封裝， 在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的LSI 邏輯用封裝，並於1993 年10 月開始投入批量生產。
29、MCM(multi-chip mole)
多晶元組件。將多塊半導體裸晶元組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可 分 為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。 MCM－L 是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎麼高，成本較低 。 MCM－C 是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高於MCM－L。
MCM－D 是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組 件。 布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。
30、MFP(mini flat package)
小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導體廠家採用的名稱。
31、MQFP(metric quad flat package)
按照JEDEC(美國聯合電子設備委員會)標准對QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標准QFP(見QFP)。
32、MQUAD(metal quad)
美國Olin 公司開發的一種QFP 封裝。基板與封蓋均採用鋁材，用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5W～2.8W 的功率。日本新光電氣工業公司於1993 年獲得特許開始生產 。
33、MSP(mini square package)
QFI 的別稱(見QFI)，在開發初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機械工業會規定的名稱。
34、OPMAC(over molded pad array carrier)
模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 採用的名稱(見 BGA)。
35、P－(plastic)
表示塑料封裝的記號。如PDIP 表示塑料DIP。
36、PAC(pad array carrier)
凸點陳列載體，BGA 的別稱(見BGA)。
37、PCLP(printed circuit board leadless package)
印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)採用的名稱(見QFN)。引
腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規格。目前正處於開發階段。
38、PFPF(plastic flat package)
塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家採用的名稱。
39、PGA(pin grid array)
陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都 采 用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數為陶瓷PGA，用於高速大規模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64 到447 左右。 了為降低成本，封裝基材可用玻璃環氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PG A。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝 型PGA)。
40、piggy back
馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關與DIP、QFP、QFN 相似。在開發帶有微機的設 備時用於評價程序確認操作。例如，將EPROM 插入插座進行調試。這種封裝基本上都是 定製 品，市場上不怎麼流通。
41、PLCC(plastic leaded chip carrier)
帶引線的塑料晶元載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 ， 是塑料製品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中採用，現在已經 普 及用於邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 到84。 J 形引腳不易變形，比QFP 容易操作，但焊接後的外觀檢查較為困難。 PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以前，兩者的區別僅在於前者用塑料，後者用陶瓷。但現 在已經出現用陶瓷製作的J 形引腳封裝和用塑料製作的無引腳封裝(標記為塑料LCC、PC LP、P －LCC 等)，已經無法分辨。為此，日本電子機械工業會於1988 年決定，把從四側引出 J 形引 腳的封裝稱為QFJ，把在四側帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)。
42、P－LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
有時候是塑料QFJ 的別稱，有時候是QFN(塑料LCC)的別稱(見QFJ 和QFN)。部分
LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝，用P－LCC 表示無引線封裝，以示區別。
43、QFH(quad flat high package)
四側引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP 本體製作得 較厚(見QFP)。部分半導體廠家採用的名稱。
44、QFI(quad flat I-leaded packgac)
四側I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈I 字 。 也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進行碰焊連接。由於引腳無突出部分，貼裝佔有面 積小 於QFP。 日立製作所為視頻模擬IC 開發並使用了這種封裝。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也採用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 於68。
45、QFJ(quad flat J-leaded package)
四側J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈J 字形 。 是日本電子機械工業會規定的名稱。引腳中心距1.27mm。
材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數情況稱為PLCC(見PLCC)，用於微機、門陳列、 DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數從18 至84。
陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用於紫外線擦除型EPROM 以及 帶有EPROM 的微機晶元電路。引腳數從32 至84。
46、QFN(quad flat non-leaded package)
四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。現在多稱為LCC。QFN 是日本電子機械工業 會規定的名稱。封裝四側配置有電極觸點，由於無引腳，貼裝佔有面積比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，當印刷基板與封裝之間產生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點 難於作到QFP 的引腳那樣多，一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC 標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。
塑料QFN 是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm 外， 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。
47、QFP(quad flat package)
四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側面引出呈海鷗翼(L)型。基材有 陶 瓷、金屬和塑料三種。從數量上看，塑料封裝占絕大部分。當沒有特別表示出材料時， 多數情 況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用於微處理器，門陳列等數字 邏輯LSI 電路，而且也用於VTR 信號處理、音響信號處理等模擬LSI 電路。引腳中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規格。0.65mm 中心距規格中最多引腳數為304。
日本將引腳中心距小於0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但現在日本電子機械工業會對QFP 的外形規格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區別，而是根據封裝本體厚度分為 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。
另外，有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP，至使名稱稍有一些混亂 。 QFP 的缺點是，當引腳中心距小於0.65mm 時，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現已 出現了幾種改進的QFP 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP)；帶樹脂 保護 環覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP)；在封裝本體里設置測試凸點、放在防止引腳變形的專 用夾 具里就可進行測試的TPQFP(見TPQFP)。 在邏輯LSI 方面，不少開發品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數最多為348 的產品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqa d)。
48、QFP(FP)(QFP fine pitch)
小中心距QFP。日本電子機械工業會標准所規定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小於0.65mm 的QFP(見QFP)。
49、QIC(quad in-line ceramic package)
陶瓷QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見QFP、Cerquad)。
50、QIP(quad in-line plastic package)
塑料QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見QFP)。
51、QTCP(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。TCP 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳並從封裝四個側面引出。是利 用 TAB 技術的薄型封裝(見TAB、TCP)。
52、QTP(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。日本電子機械工業會於1993 年4 月對QTCP 所制定的外形規格所用 的 名稱(見TCP)。
53、QUIL(quad in-line)
QUIP 的別稱(見QUIP)。
54、QUIP(quad in-line package)
四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳 中 心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用於標准印刷線路板 。是 比標准DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在台式計算機和家電產品等的微機晶元中采 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數64。
55、SDIP (shrink al in-line package)
收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP 相同，但引腳中心距(1.778mm)小於DIP(2.54 mm)，
因而得此稱呼。引腳數從14 到90。也有稱為SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑

『玖』 mcm為什麼不用矽片做基板矽片基板和陶瓷基板的區別是什麼

MCM是一種由兩個或兩個以上裸晶元或者晶元尺寸封裝(CSP)的IC組裝在一個基板上的模塊，模塊組成一個電子系統或子系統。基板可以是PCB、厚／薄膜陶瓷或帶有互連圖形的矽片。整個MCM可以封裝在基板上，基板也可以封裝在封裝體內。MCM封裝可以是一個包含了電子功能便於安裝在電路板上的標准化的封裝，也可以就是一個具備電子功能的模塊。它們都可直接安裝到電子系統中去。
MCM可分為三種基本類型：
MCM-L是採用片狀多層基板的MCM。
MCM-L技術本來是高端有高密度封裝要求的PCB技術，適用於採用鍵合和PC工藝的MCM。MCM-L不適用有長期可靠性要求和使用環境溫差大的場合。
MCM-C是採用多層陶瓷基板的MCM。從模擬電路、數字電路、混合電路到微波器件，MCM-C適用於所有的應用。多層陶瓷基板中低溫共燒陶瓷基板使用最多，其布線的線寬和布線節距從254微米直到75微米。
MCM-D是採用薄膜技術的MCM。MCM-D的基板由淀積的多層介質、金屬層和基材組成。MCM-D的基材可以是硅、鋁、氧化鋁陶瓷或氮化鋁。典型的線寬25微米，線中心距50微米，層間通道在10到50微米之間，低介電常數材料二氧化硅、聚醯亞胺或BCB常用作介質來分隔金屬層。介質層要求薄，金屬互連要求細小但仍要求適當的互連阻抗。圖3是用硅做基材的MCM-D基板的剖面結構。如果選用硅做基板，在基板上可添加薄膜電阻和電容，甚至可以將存儲器和模塊的保護電路(ESD、EMC)等做到基板上去。

『拾』 MCM的現狀

根據美軍標MIL-PRF-38534D混合微電路總規范的定義，MCM是一種混合微電路，其內部裝有兩個或兩個以上超過100000門的微電路。
就MCM的技術先進性而言，MCM可以集成VLSI/ASIC等大規模集成電路晶元，I/O引腳數多達100個以上，但在實際應用中，很多MCM產品並不一定包括VLSI/ASIC等大規模集成電路晶元，I/O引腳數也並不是很高。早期，MCM的應用焦點主要聚集在以大型計算機為代表的應用領域，強調的是其大規模集成的特點。隨著MCM技術的不斷進步和應用領域的不斷拓展，MCM的高集成度、高組裝效率和高靈活性等特點必將日益突顯出來。
當前MCM的熱門產品藍牙模塊為例，藍牙模塊是一種短距離無線通訊產品，2005年全球市場需求量為5億只，製作藍牙模塊的技術途徑有兩種：單晶元集成和MCM集成。由於技術難度大、研發周期長和成本高，前者一直沒有成功，後者則成為目前最理想的解決方案，2003年市場投放量近2000萬只。藍牙MCM集成了1個RF晶元、1個基帶晶元和一些無源元件，引出端採取BGA形式，集成的晶元規模也不大，I/O引腳數也只有34個。