晶體管電路設計與製作

A. 模擬電子課程設計，要求設計並製作一個單極晶體管放大電路，要求採用3DG6C完成

採用標準的基極分壓射極電阻偏置電路的共發射極放大電路。發射極加一個100的交流負反饋電阻。集電極直流負載電阻取5.1K，晶體管電流放大系數取100。一般能夠滿足要求。

B. 手機CPU晶體管的設計思路是怎樣的

要了解CPU的生產工藝，我們需要先知道CPU是怎麼被製造出來的。
（1） 硅提純
生產CPU等晶元的材料是半導體，現階段主要的材料是硅Si，這是一種非金屬元素，從化學的角度來看，由於它處於元素周期表中金屬元素區與非金屬元素區的交界處，所以具有半導體的性質，適合於製造各種微小的晶體管，是目前最適宜於製造現代大規模集成電路的材料之一。 在硅提純的過程中，原材料硅將被熔化，並放進一個巨大的石英熔爐。這時向熔爐里放入一顆晶種，以便硅晶體圍著這顆晶種生長，直到形成一個幾近完美的單晶硅。以往的硅錠的直徑大都是300毫米，而CPU廠商正在增加300毫米晶圓的生產。
（2）切割晶圓
硅錠造出來了，並被整型成一個完美的圓柱體，接下來將被切割成片狀，稱為晶圓。晶圓才被真正用於CPU的製造。所謂的「切割晶圓」也就是用機器從單晶硅棒上切割下一片事先確定規格的硅晶片，並將其劃分成多個細小的區域，每個區域都將成為一個CPU的內核(Die)。一般來說，晶圓切得越薄，相同量的硅材料能夠製造的CPU成品就越多。
（3）影印（Photolithography）
在經過熱處理得到的硅氧化物層上面塗敷一種光阻(Photoresist)物質，紫外線通過印製著CPU復雜電路結構圖樣的模板照射硅基片，被紫外線照射的地方光阻物質溶解。而為了避免讓不需要被曝光的區域也受到光的干擾，必須製作遮罩來遮蔽這些區域。這是個相當復雜的過程，每一個遮罩的復雜程度得用10GB數據來描述。
（4）蝕刻(Etching)
這是CPU生產過程中重要操作，也是CPU工業中的重頭技術。蝕刻技術把對光的應用推向了極限。蝕刻使用的是波長很短的紫外光並配合很大的鏡頭。短波長的光將透過這些石英遮罩的孔照在光敏抗蝕膜上，使之曝光。接下來停止光照並移除遮罩，使用特定的化學溶液清洗掉被曝光的光敏抗蝕膜，以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅。 然後，曝光的硅將被原子轟擊，使得暴露的硅基片局部摻雜，從而改變這些區域的導電狀態，以製造出N井或P井，結合上面製造的基片，CPU的門電路就完成了。
（5）重復、分層
為加工新的一層電路，再次生長硅氧化物，然後沉積一層多晶硅，塗敷光阻物質，重復影印、蝕刻過程，得到含多晶硅和硅氧化物的溝槽結構。重復多遍，形成一個3D的結構，這才是最終的CPU的核心。每幾層中間都要填上金屬作為導體。Intel的Pentium 4處理器有7層，而AMD的Athlon 64則達到了9層。層數決定於設計時CPU的布局，以及通過的電流大小。
（6）封裝
這時的CPU是一塊塊晶圓，它還不能直接被用戶使用，必須將它封入一個陶瓷的或塑料的封殼中，這樣它就可以很容易地裝在一塊電路板上了。封裝結構各有不同，但越高級的CPU封裝也越復雜，新的封裝往往能帶來晶元電氣性能和穩定性的提升，並能間接地為主頻的提升提供堅實可靠的基礎。

C. 用三極體實現簡單的運算放大器 的電路原理圖

推薦《晶體管電路設計與製作》一書。

其書的第二部分主要就是講解用晶體管實現運算放大器。

一部分目錄：

D. 我想學無線電知識 想弄明白收音機工作原理 製作遙控車 大家推薦幾本書看看 要詳細的 是不是應該先學晶體管

講收音機，這兩本都還不錯：
《圖表細說收音機裝配與整機電路分析》
http://proct.dangdang.com/proct.aspx?proct_id=20420961&ref=search-1-pub
《無線電收音機及無線電路的設計與製作》
http://proct.dangdang.com/proct.aspx?proct_id=9217112&ref=search-1-pub
第一本還可以買，第二本網上有電子版。建議邊學習，邊自己做一個。購買一套「分立」元件的收音機套件即可。一二十塊錢。
網上的資料還有：
《半導體超外差式收音機+》山東人民版+1973.pdf
《半導體收音機的設計與製作》+郵電+(59版）.pdf
《硅管收音機設計》+郵電+1981.pdf
《半導體收音機》（80版增訂本）+河南【低電壓收音機】.pdf
《半導體收音機》+北京人民+1973【道理將得非常清楚】.pdf
《耳塞式晶體管收音機製作》+陳有卿+農機版+1984.pdf
《簡單的半導體放大器和收音機》.pdf
《晶體管收音機》（電子技術講座三）++上海業余工大編++(科學版).pdf
《晶體管收音機元件製作》(75版）.pdf
《初級晶體管收音機》.pdf
《晶體管收音機製作入門》-馮報本.pdf
《礦石及晶體管收音機》.pdf
《少年晶體管收音機》.pdf
《收音機製作圖解》.pdf
論壇有《礦石收音機論壇》，大牛出沒之地。這是後話。
當然，學模電我每次都要推薦《晶體管電路設計》【日】
http://proct.dangdang.com/proct.aspx?proct_id=8903355&ref=search-1-pub
本來，《電路》、《模電》、《數電》，甚至《微波》、《單片機》都是基礎（還有更基礎的就不提了），不過不必搞得太復雜，到時候知道翻書就行了。自己摸索吧。

E. 設計並製作一個單級晶體管放大器

看下課本把，
查看單晶體管集電極輸出單管放大器，這個章節，電路屬於普通電路應用，設置5倍放大電路，

F. 求電子電路設計實例書籍~~

晶體管電路設計（下）——實用電子電路設計叢書
晶體管電路設計（上）——實用電子電路設計叢書

作 者： （日）鈴木雅臣 著，彭軍 譯
出 版 社： 科學出版社
出版時間： 2005-2-1 字 數： 362000 版 次： 1 頁 數： 305 印刷時間： 2005/02/01 開 本： 印 次： 紙 張： 膠版紙 I S B N ： 9787030132789 包 裝： 平裝 所屬分類： 圖書 >> 工業技術 >> 電子 通信 >> 基本電子電路

上冊是晶體管，下冊是場效應管，這是我見到最好的基礎電子的教材，切記：作 者： （日）鈴木雅臣 著，彭軍 譯

下冊內容：

內容簡介
本書是「實用電子電路設計叢書」之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管/FET電路設計技術的基礎知識和基本實驗，內容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器、電壓/電流反饋放大電路、晶體管/FET開關電路、模擬開關電路、開關電源、振盪電路等。上冊則主要介紹放大電路的工作、增強輸出的電路、功率放大器的設計與製作、拓寬頻率特性等。
本書面向實際需要，理論聯系實際，通過大量具體的實驗，抓住晶體管、FET的工作圖像，以達到靈活運用這些器件設計應用電路的目的。
本書適用對象是相關領域與部門工程技術人員以及相關專業的本科生、研究生；還有廣大的電子愛好者。

目錄
第1章 晶體管、FET和IC
1.1晶體管和FET的靈活使用
1.2進入自我設計IC的時代
第2章 FET放大電路的工作原理
2.1放大電路的波形
2.2FET的工作原理
第3章 源極接地放大電路的設計
3.1設計放大電路前的准備
3.2放大電路的設計
3.3放大電路的性能
3.4源極接地放大電路的應用電路
4.1源極跟隨器的工作
4.2源極跟隨器電路的設計
4.3源極跟隨器的性能
4.4源極跟隨器電路的應用電路7
第5章 FET低頻功率放大器的設計與製作
5.1低頻功率放大電路的構成
5.2MOSFET功率放大器的設計
5.3功率放大器的調整及性能評價
5.4低頻功率放大器的應用電路
第6章 柵極接地放大電路的設計
6.1柵極接地的波形
6.2柵極接地電路的設計
6.3柵極接地電路的性能
6.4柵極接地放大電路的應用電路
第7章 電流反饋型OP放大器的設計與製作
7.1電流反饋型OP放大器
7.2電流反饋型OP放大器的基本構成
7.3電流反饋型視頻放大器的設計、製作
7.4視頻放大器的性能
7.5電流反饋型OP放大器的應用電路
第8章 晶體管開關電路的設計
8.1發射極接地型開關電路
8.2發射極接地型開關電路的設計
8.3如何提高開關速度
8.4射極跟隨器型開關電路的設計
8.5晶體管開關電路的應用
第9章 FET開關電路的設計
9.1使用JFET的源極接地型開關電路
9.2採用MOSFET的源極接地型開關電路
9.3源極跟隨器型開關電路的設計
第10章 功率MOS電動機驅動電路
10.1電動機驅動電路的結構
10.2H電橋電動機驅動電路的設計
10.3電動機驅動電路的工作波形
10.4電動機驅動電路的應用電路
第11章 功率MOS開關電源的設計
11.1開關電源的結構
11.2升壓型開關電源的設計
11.3電源電路的波形和性能
11.4升壓型開關電源的應用電路
第12章 晶體管開關電源的設計
12.1降壓型電源的結構
12.2降壓型開關電源的設計
12.3電源的波形與特性
12.4降壓型開關電源的應用電路
第13章 模擬開關電路的設計
13.1模擬開關的結構
13.2JFET模擬開關的設計
13.3模擬開關電路的性
13.4模擬開關的應用電路
第14章 振盪電路的設計
14.1振盪電路的構成
14.2RC振盪電路的設計
14.3LC振盪電路的設計
14.4石英振盪器的設計
14.5各種振盪電路
第15章 FM無線話筒的製作
15.1無線話筒的結構
15.2無線話筒的設計
15.3FM無線話筒的應用電路
參考文獻
電抗計算圖

G. 二、晶體管放大電路設計與製作 設計要求：（1）輸入正弦波信號：有效值Ui≤10mv，內阻Rs＝50

Aus = Uo/Ui = 3000/10 =300，採用一級共射放大電路應該能夠滿足要求。去參考教材等資料，看看源增益放大電路，得到電路圖然後再去計算元件參數值。

H. 在線等，大學模電。若晶體管為pnp型該如何設計電路

換成抄PNP三極體後的電路。結構變了襲，輸出邏輯與β的關系也會變。

既能讓信號電流沿一個方向流動，又能阻止信號電流朝相反方向流動。在第二次世界大戰爆發前夕，貝爾實驗室在尋找比早期使用的方鉛礦晶體性能更好的檢波材料時，發現摻有某種極微量雜質的鍺晶體的性能不僅優於礦石晶體，而且在某些方面比電子管整流器還要好。

(8)晶體管電路設計與製作擴展閱讀：

三端子晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET，單極性）。晶體管有三個極（端子）；雙極性晶體管的三個極（端子），分別是由N型、P型半導體組成的發射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector）。

場效應晶體管的三個極（端子），分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。

為了克服電子管的局限性，第二次世界大戰結束後，貝爾實驗室加緊了對固體電子器件的基礎研究。肖克萊等人決定集中研究硅、鍺等半導體材料，探討用半導體材料製作放大器件的可能性。

I. 晶體管放大電路設計

附圖中放大器技術指標

輸入電阻Rs>6KΩ大於1KΩ

輸出電阻Ro=500Ω小於3KΩ

電壓放大倍數Av=100大於60

低頻響應小於100Hz

高頻響應大於100KHz

輸入電壓幅度40mV

輸出電壓不失真幅度4V

輸出幅度達到4V時總諧波失真THD<2%，信號10mV輸出1V時THD<0.2%

圖中晶體管β值按照100設計。晶體管可選用9013。若晶體管β值不是100，則只要按照將圖中Rb數值乘以β除以100就得到修正的Rb。

按照元增民《模擬電子技術》設計，不明之處請翻閱該書。

J. 設計並製作單級晶體管放大器 求電路圖

可以按照你的電路圖製作沒有問題。輸入電阻小於等於5K的要求比較苛刻，用你的電路圖可以實現但是應該把C3取消，如果不取消的話RI不能達到5K。取消以後電路既有靜態工作點穩定功能又有交流負反饋功能，可以提高輸入電阻。