VGS電路

A. 和電子電路有關的問題，請求幫助，非常感謝！~

VGS(th)---開啟電壓或閥電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
VBB---基極（直流）電源電壓（外電路參數）
Vcc---集電極（直流）電源電壓（外電路參數）
VBE(sat)---發射極接地，規定Ic、IB條件下，基極-發射極飽和壓降（前向壓降）
VDS(on)---漏源通態電壓
VDS(sat)---漏源飽和電壓

B. MOS管中VGS的作用

pmos
管的vgs
同樣也有正和負。
mos
管的vgs一般不常採用負電壓關斷，但是如果採用負電壓，可以增加關斷可靠性，還可以提高vds
的耐壓承受力。
比如說+12v
是開啟mos,
-5v
是關閉mos。
是不是你對地的概念有困惑？

C. 關於場效應管Vgs和Vds電壓的問題

是這樣子的，電路有個參考點作為地，平時所說的電壓都是相對於地做參考的，比如你所說的D極電壓就是D極相對於地的電壓。你所問的Vds是指D極相對於S極的電壓，也就是由原來的參考地改為以S作為參考。簡單來說就是你站在2樓以地面作為參考高度是10米的話，改為以1樓樓頂作為參考後高度就為5米了。

D. 帶場效應管的電路中VDS和VGS，准備將下圖的電路圖進行模擬，不明白圖中VGS和VDS應放置何種元器件，謝謝！

放電壓表也可以，放示波器也可以，一般來說那個地方模擬一般都是要看波型，都是放示波器

E. mOS管導通後的Vgs是多少和剛滿足導通條件時的電壓有什麼關系

MOS管導通後的Vgs電壓始終為該管的開啟電壓，和剛滿足導通條件時比較，導通後隨著源極S電位的升高，Vg電壓也要升高，在漏極電流不變的的情況下Vgs是個常數。

N溝道與P溝道是不一樣的。如N溝道管，導通後Vgs與「偏置」電路有關，與其他無關。Vgs越大則導通電阻越小。P溝道是相反的（在無「偏置」時，即正常時是導通的）。

mOS管注意：

1、為了安全使用MOS管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。

2、各類型MOS管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接入電路中，要遵守MOS管偏置的極性，如結型MOS管柵源漏之間是PN結。N溝道管柵極不能加正偏壓，P溝道管柵極不能加負偏壓。

F. 在場效應管的放大電路中,就vgs而言,什麼型mos管是單極性的

所有的mos都是單極型的，三極體才是雙極型的。

G. MOS管中Vgs是什麼意思

Vgs是柵極相對於源極的電壓。

與NMOS一樣，導通的PMOS的工作區域也分為非飽和區，臨界飽和點和飽和區。當然，不論NMOS還是PMOS，當未形成反型溝道時，都處於截止區，其電壓條件是：

|VGS|>|VTP (PMOS)|，

值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負值。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路採用-24V電壓供電。MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便於直接耦合，容易製成規模大的集成電路。

(7)VGS電路擴展閱讀

PMOS工作原理——

因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數載流子是電子，少數載流子是空穴，源漏區的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對於源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層。

當達到強反型時，在相對於源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(絕對值越大)，溝道的導通電阻越小，電流的數值越大。

H. p溝道的工作狀態怎麼判斷。。。p溝道怎麼求vgs

P溝道的MOS管，當Vgs<Vgs(th)【其實是|Vgs|>|Vgs(th)|】時導通

• 當Vds>Vgs-Vgs(th)時，工作在線性區

• 當Vds<Vgs-Vgs(th)時，工作在飽和區

【注意：這里的Vds是負數,Vds的絕對值大的時候是飽和的，Vds的絕對值太小就進入線性區了】

一般在分析電路的時候，都是先算出Vgs，判斷MOS管狀態，再去求漏極電流的Id，當然做題之類的可能會先給漏極電流，再去算柵源電壓，這種情況套公式就好了

I. 分析含有MOS管的電路，並求VGS和VDS

Vgs就是柵極對源極的電壓，如果源極直接接地，柵極電壓就等於Vgs。

J. 電路中VGS>VT是什麼意思

VT是場效應管起始導通的Vgs值，Vgs>VT就是導通的必要條件。