電路的擊穿區

A. 二極體的擊穿原理是什麼，齊納擊穿與雪崩擊穿有什麼去別

晶體二極體為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，並建有自建電場。當不存在外加電壓時，由於p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極體的擊穿現象。
回答者： 中華才俊網 - 大魔法師 八級

二極體的擊穿原理見樓上，齊納擊穿和雪崩擊穿區別在於：

齊納擊穿可恢復，齊納二極體（穩壓二極體）擊穿後可以自愈，是一種正常的工作狀態，齊納二極體就工作在齊納擊穿區。

雪崩擊穿不可恢復，是一種非正常的工作狀態，一旦二極體工作在雪崩擊穿區，該二極體即已損壞報廢，表現為短路，失去半導體特性。

當齊納二極體的反向擊穿電流超過其允許的最大擊穿電流數倍時，齊納二極體也會發生雪崩擊穿，現象是二極體短路報廢。
回答者： 南燕老師 - 高級魔法師 六級 1-8 15:17

B. 如何判斷mos工作在放大區，飽和區，截止區，擊穿區換句話說判斷他們的工作條件是什麼

判斷mos工作在放大區，飽和區，截止區，擊穿區。以結型N溝道場效應管為例：

1、輸出特性曲線中，場管的工作區域分成了三個部分：可變電阻區（對應三極體的飽和區），恆流區（對應三極體的放大區），夾斷區，也叫截止區（對應三極體的截止區）。

2、介於可變電阻區和恆流區之間的那條橙色曲線是預夾斷軌跡，它是各條曲線上使uDS=uGS−uGS(off) 的點連接而成的，預夾斷軌跡滿足方程：uDS=uGS−uGS(off)。可變電阻區就應該滿足uDS<uGS−uGS(off)。恆流區就應該滿足：uDS>uGS−uGS(off)。而截止區就是滿足uGS<uGS(off)

(2)電路的擊穿區擴展閱讀：

mos管工作在放大區，而且很常見。做鏡像電流源、運放、反饋控制等，都是利用mos管工作在放大區，由於mos管的特性，當溝道處於似通非通時，柵極電壓直接影響溝道的導電能力，呈現一定的線性關系。

由於柵極與源漏隔離，因此其輸入阻抗可視為無窮大，當然，隨頻率增加阻抗就越來越小，一定頻率時，就變得不可忽視。這個高阻抗特點被廣泛用於運放，運放分析的虛連、虛斷兩個重要原則就是基於這個特點。這是三極體不可比擬的。

C. 什麼叫二極體的反向擊穿區請指教

二極體所加的反向電壓超過最大反向電壓就被擊穿.普通的二極體一旦擊穿就會損壞.穩壓二極體所加的反向電壓達到其穩壓值時就擊穿.所不同的是穩壓二極體工作在擊穿區.隨著反向電壓的增加,穩壓二極體的電流增大,電壓幾乎不變,穩壓二極體不會損壞.穩壓二極體在電路中工作在反向擊穿區.在電路中反向連接.

D. 放大電路中，場效應晶體管應工作在漏極特性的是什麼區

既然是放大電路當然要工作在放大區了，如果是截止區就沒有信號了，飽和區又會發生切峰失真

E. 二極體的伏安特性曲線上包含有哪四個區二極體在數字電路中起什麼作用

正向截止區、正向導通區、反向截止區、正向擊穿區。
二極體在數字電路中起作用：鉗位、門.........

F. 什麼是二極體死區電壓和反向擊穿區電壓

死區電壓也叫開啟電壓，是應用在不同場合的兩個名稱。
在二極體正負極間加電壓，當電壓大於一定的范圍時二極體開始導通，這個電壓叫開啟電壓。鍺管0.1左右，硅管0.5左右。死區電壓是指在二極體應用在具體的電路中時，由於本身的壓降，也就是供電電壓小於一定的范圍時不導通，造成輸出波形有殘缺，從供電電壓經過零點直到輸出波形殘缺消失的時候，這一段電壓就是死區電壓，本質上就是二極體的開啟電壓。
當二極體加上正向電壓時，便有正向電流通過。但正向電壓很低時，外電場還不能克服PN結內電場對多數載流子擴散運動所形成的阻力，此時正向電流很小，二極體呈現很大的電阻。當正向電壓超過一定數值（硅管約0.5V，鍺管約0.1V）後，二極體電阻變得很小，電流增長很快。這個電壓往往稱死區電壓。
理想二極體：死區電壓=0 ，正向壓降=0
實際二極體：硅二極體的死區電壓為0.5V，正向壓降為0.6~0.7V
鍺二極體的死區電壓約0.1V，正向壓降為0.2~0.3V
反向擊穿電壓，二極體反向擊穿時的電壓值。二極體反向擊穿時的電壓值。擊穿時反向電流劇增，二極體的單向導電性被破壞，甚至過熱而燒壞。手冊上給出的最高反向工作電壓VBWM一般是VBR的一半。

G. 二極體擊穿後是短路還是斷路

二極體擊穿後可能是短路也可能是斷路。

外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極體反向擊穿電壓。電擊穿時二極體失去單向導電性。

如果二極體沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被永久破壞，在撤除外加電壓後，其性能仍可恢復，否則二極體就損壞了。因而使用時應避免二極體外加的反向電壓過高。

(7)電路的擊穿區擴展閱讀

二極體是一種具有單向導電的二端器件，有電子二極體和晶體二極體之分，電子二極體現已很少見到，比較常見和常用的多是晶體二極體。

二極體的單向導電特性，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極體，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之一，其應用也非常廣泛。

二極體的管壓降：硅二極體（不發光類型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V，發光二極體正向管壓降為隨不同發光顏色而不同。

主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發光二極體的壓降為2.0--2.2V，黃色發光二極體的壓降為1.8—2.0V，綠色發光二極體的壓降為3.0—3.2V，正常發光時的額定電流約為20mA。二極體的電壓與電流不是線性關系，所以在將不同的二極體並聯的時候要接相適應的電阻。