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esd電路圖

發布時間:2022-05-07 19:18:09

❶ ESD(靜電放電)保護原理

ESD(Electrostatic Discharge Protection Devices),靜電保護器件,亦稱瞬態電壓抑制二極體陣列(TVS Array),是由多個TVS晶粒或二極體採用不同的布局設計成具有特定功能的單路或多路ESD保護器件。ESD靜電保護二極體響應速度快(小於0.5ns)、低電容、低導通電壓、高集成度、小體積、易安裝,可以同時實現多條數據線保護,是業內最理想的高頻數據保護器件。

TVS二極體工作原理

❷ 電火花堆焊修復機ESD-05.裡面5個大功率管.5個電阻.QM2QM3全燒了,如何修復.誰有電路圖和修復資料..急急

電火花堆焊修復機(ESD-05)
設備特點:◆技術先進:採用獨特的斬波軟開關技術,輸出控制精確。
◆ 高效節能:雖然只有600W的功率,但焊補的速度、效果卻是同類2000W的數倍。
◆ 熔接強度高:由於本焊機的單點輸出能量高,焊材的每一個單點以熔融的狀態結合到基體,形成冶金結合,產生極強的結合力。
◆對銅、鋁的優秀焊補效果:由於瞬間的高能量輸出,有效的解決了銅鋁等高導電率金屬的焊補,克服了普通點火花堆焊結合不牢的缺點。
◆ 基體無退火和變形:基體無需預熱,堆焊的過程是微區內瞬間的熱量輸入-散失的反復
過程,基體不會有過多的溫升,因而無變形、咬邊和殘余應力,不會產生局部退火。
◆ 修復精度高:堆焊厚度從幾微米到幾毫米,只需打磨、拋光,修補後色差小或無色差。
◆ 一機多用:可進行堆焊、表面強化等功能。可對黑色金屬(球鐵、灰鐵、不銹鋼等)、
有色金屬(銅、鋁等)進行焊補。
◆ 環保性:工作過程中無任何污染。
◆ 使用性:任何人都容易使用,無須操作證,難焊接的地方也可進行堆焊。
◆ 經濟性:在現場立刻修復,提高生產效率,節省費用。
設備應用:汽車部件鑄造產品:汽車曲軸、活塞、缸體、進排氣管、制動盤等鑄造缺陷修復,如砂眼、氣孔等。
機械工業與機床業:修正超差或磨損的工件,如修復機床導軌、床身,大型機械的軸類、齒類部件、軋鋼用的冷、熱軋輥、工程機械的液壓桿、印刷機滾筒等各種各種零配件的焊補。
航空與船舶製造業:壓縮機殼體、空壓機殼體、不銹鋼精密部件、精密軸類等。
石油化工、煤炭、工程機械等諸多行業的產品修補。
各種行業的有色金屬件,如電力行業的SF6互感器的鋁合金件,汽車行業的鋁合金缸體、缸蓋、輪轂,風機鋁合金葉輪、鋁合金散熱器等。
銅合金的水暖閥門、管件等。
注塑模具:模具的磨損、碰傷、劃痕等的焊補, 消除產品的飛邊、毛刺。
壓鑄模具:鋅鋁壓鑄模具的蝕痕、脫落、損傷等,以及型腔和澆道口的表面強化,延長模具的使用壽命。
適用焊材:由於ESD-05獨特的控制方式,輸出能量高,控制精確,所以焊材的適用性極廣。除常規的電火花堆焊專業焊材外,其他焊機所用的直徑在1.2-3.2mm的直條焊材多數適用,普通的電焊條去葯皮後也可使用(普通Z208/Z308/J422等電焊條去葯皮後也可使用)。
效率高:1、鑄鐵、鑄鋼 2mm大小缺陷 50秒左右修復;2、鋁件、鎂件、鋅件 2mm大小缺陷 10秒左右修復;3、銅件 2mm大小缺陷 20秒左右修復;
設備參數:
型號 Model ESD-05
輸入電源 Input power AC220V 功率 Power 600W 電壓范圍 Voltage 20-100V
頻率 Frequency 50-500Hz 輸出百分比 Percentage 10-100%
重量 Weight 15KG 外形尺寸 Weight 405mm×210mm×450mm

❸ 如何實現電路保護設計中的ESD保護

對於電子產品而言,保護電路是為了防止電路中的關鍵敏感型器件受到過流、過壓、過熱等沖擊的損害。保護電路的優劣對電子產品的質量和壽命至關重要。隨著消費類電子產品需求的持續增長,更要求有強固的靜電放電(ESD)保護,同時還要減少不必要的電磁干擾(EMI)/射頻干擾(RFI)雜訊。此外,消費者希望最新款的消費電子產品可以用小尺寸設備滿足越來越高的下載和帶寬能力。隨著設備的越來越小和融入性能的不斷增加,ESD以及許多情況下的EMI/RFI抑制已無法涵蓋在驅動所需介面的新一代IC當中。 另外,先進的系統級晶元(SoC)設計都是採用幾何尺寸很小的工藝製造的。為了優化功能和晶元尺寸,IC設計人員一直在不斷減少其設計的功能的最小尺寸。IC尺寸的縮小導致器件更容易受到ESD電壓的損害。過去,設計人員只要選擇符合IEC61000-4-2規范的一個保護產品就足夠了。因此,大多數保護產品的數據表只包括符合評級要求。由於集成電路變得越來越敏感,較新的設計都有保護元件來滿足標准評級,但ESD沖擊仍會形成過高的電壓,有可能損壞IC。因此,設計人員必須選擇一個或幾個保護產品,不僅要符合ESD脈沖要求,而且也可以將ESD沖擊鉗位到足夠低的電壓,以確保IC得到保護。圖1:美國靜電放電協會(ESDA)的ESD保護要求先進技術實現強大ESD保護安森美半導體的ESD鉗位性能備受業界推崇,鉗位性能可從幾種方法觀察和量化。使用幾個標准工具即可測量獨立ESD保護器件或集成器件的ESD鉗位能力,包括ESD保護功能。第一個工具是ESD IEC61000-4-2 ESD脈沖響應截圖,顯示的是隨時間推移的鉗位電壓響應,可以看出ESD事件中下游器件的情形。圖2:ESD鉗鉗位截圖除了ESD鉗位屏幕截圖,另一種方法是測量傳輸線路脈沖(TLP)來評估ESD鉗位性能。由於ESD事件是一個很短的瞬態脈沖,TLP可以測量電流與電壓(I-V)數據,其中每個數據點都是從短方脈沖獲得的。TLP I-V曲線和參數可以用來比較不同TVS器件的屬性,也可用於預測電路的ESD鉗位性能。圖3:典型TLP I-V曲線圖安森美半導體提供的高速介面ESD保護保護器件陣容有兩種類型。第一類最容易實現,被稱為傳統設計保護。在這種類型設計中,信號線在器件下運行。這些器件通常是電容最低的產品。另一類是採用PicoGuard XS技術的產品。這種類型設計使用阻抗匹配(Impedance Matched)電路,可保證100 Ω的阻抗,相當於電容為零。這類設計無需並聯電感,有助於最大限度地減少封裝引起的ESD電壓尖峰。圖4:傳統方法與PicoGuard XS設計方法的對比安森美半導體的保護和濾波解決方案均基於傳統硅晶元工藝技術。相比之下,其它類型的低成本無源解決方案使用的是陶瓷、鐵氧體和多層壓敏電阻(MLV)組合的材料。這類器件通常ESD鉗位性能較差。在某些情況下,傳遞給下游器件的能量可能比安森美半導體解決方案低一個量級。一些採用舊有技術的產品甚至可能在小量ESD沖擊後出現劣化並變得更糟。由於其材料性質,一些無源器件往往表現出溫度的不一致性,從而降低了終端系統在標准消費溫度和環境溫度范圍內運行的可靠性。1

❹ 手機電路圖中有兩個穩壓二級管反向串聯,然後用一個框框起來,並聯介入電路,作為ESD器件,求原理

兩個穩壓管反串構成的ESD器件,兩端無論哪個方向的電壓,都將被限制在一個穩壓管的穩壓值和另一個穩壓管的正向導通電壓值之和的電壓之內。所以,可以用來作為ESD器件,限制被保護電路出現的過電壓。

❺ 電路圖 esd

esd
ESD的意思是「靜電釋放」的意思,它是英文:Electro-Static discharge 的縮寫

ESD知識介紹

靜電是一種客觀的自然現象,產生的方式多種,如接觸、摩擦等。靜電的特點是高電壓、低電量、小電流和作用時間短的特點。

人體自身的動作或與其他物體的接觸,分離,摩擦或感應等因素,可以產生幾千伏甚至上萬伏的靜電。

靜電在多個領域造成嚴重危害。摩擦起電和人體經典是電子工業中的兩大危害。

生產過程中靜電防護的主要措施為靜電泄露、耗散、中和、增濕,屏蔽與接地。

人體靜電防護系統主要有防靜電手腕帶,腳腕帶,工作服、鞋襪、帽、手套或指套等組成,具有靜電泄露,中和與屏蔽等功能。

靜電防護工作是一項長期的系統工程,任何環節的失誤或疏漏,都將導致靜電防護工作的失敗。

靜電的危害:

靜電在我們的日常生活中可以說是無處不在,我們的身上和周圍就帶有很高的靜電電壓,幾千伏甚至幾萬伏。平時可能體會不到,人走過化纖的地毯靜電大約是35000伏,翻閱塑料說明書大約7000伏,對於一些敏感儀器來講,這個電壓可能會是致命的危害。

靜電學主要研究靜電應用技術,如靜電除塵、靜電復印、靜電生物效應等。更主要的是靜電防護技術,如電子工業、石油工業、兵器工業、紡織工業、橡膠工業以及興航與軍事領域的靜電危害,尋求減少靜電造成的損失 近年來隨著科學技術的飛速發展、微電子技術的廣泛應用及電磁環境越來越復雜,靜電放電的電磁場效應如電磁干擾(EMI)及電磁兼容性(EMC)問題,已經成為一個迫切需要解決的問題。一方面,一些電阻率很高的高分子材料如塑料,橡膠等的製品的廣泛應用以及現代生產過程的高速化, 使得靜電能積累到很高的程度,另一方面,靜電敏感材料的生產和使用, 如輕質油品, 火葯, 固態電子器件等, 工礦企業部門受靜電的危害也越來越突出,靜電危害造成了相當嚴重的後果和損失。它可以在不經意間將昂貴的電子器件擊穿,造成電子工業年損失達上百億美元。在興航工業,靜電放電造成火箭和衛星發射失敗,干擾興航飛行器的運行。1967年7月29日,美國Forrestal航空母艦上發生嚴重事故,一家A4飛機上的導彈突然點火,造成了7200萬美元的損失,並損傷了134人,調查結果是導彈屏蔽接頭不合格,靜電引起了點火。1969年底在不到一個月的時間內荷蘭、挪威、英國三艘20萬噸超級油輪洗艙時產生的靜電引起相繼發生爆炸。

我國近年來在石化企業曾發生30多起因靜電造成了嚴重火災爆炸事故。許多工業發達國家都建立了靜電研究機構,我國從60年代末開始開展了一些靜電研究工作,80年代開始以來, 我國的靜電研究發展極為迅速。1981年成立了中國物理學會靜電專業委員會並召開了第一次全國靜電學術會議,全國性的和各地方的靜電學術會議不斷召開,靜電研究和應用的范圍也越來越廣,科研隊伍不斷壯大。
二.什麼是ESD?
簡言之,ESD就是電荷的快速中和,電子工業每年花在這上面的費用有數十億美元之多。我們知道所有的物質都由原子構成,原子中有電子和質子。當物質獲得或失去電子時,它將失去電平衡而變成帶負電或正電,正電荷或負電荷在材料表面上積累就會使物體帶上靜電。電荷積累通常因材料互相接觸分離而產生,也可由摩擦引起,稱為摩擦起電。
有許多因素會影響電荷的積累,包括接觸壓力、摩擦系數和分離速度等。靜電電荷會不斷積累,直到造成電荷產生的作用停止、電荷被泄放或者達到足夠的強度可以擊穿周圍物質為止。電介質被擊穿後,靜電電荷會很快得到平衡,這種電荷的快速中和就稱為靜電放電。由於在很小的電阻上快速泄放電壓,泄放電流會很大,可能超過20安培,如果這種放電通過集成電路或其他靜電敏感元件進行,這么大的電流將對設計為僅導通微安或毫安級電流的電路造成嚴重損害。
有多種模型可以用來表述器件如何受到損害,如人體模型(HBM)、機器模型(MM)、帶電器件模型(CDM)以及電場對器件的影響等。對於自動裝配設備而言,主要考慮後三種損壞模型(模式),我們在下面分別進行討論。
機器模型/模式 自動裝配設備使用導軌、傳動帶、滑道、元件運送器和其他裝置來移動器件使之按工藝要求的方向運動,如果設備設計不當,傳動帶和運送系統上可能會積累大量電荷,這些電荷將在工藝過程中通過器件泄放。設備部件通過器件放電就稱為機器模型/模式。
帶電器件模型/模式 如果一個器件因某種原因累積了電荷並與一個帶電少的表面相接觸,電荷就會通過器件上的導電部分泄放。當器件向其他材料放電時,就稱為帶電器件模式,用帶電器件模型表示。
電場影響 電場感應會在IC阻性線路間產生電位差,引起絕緣體介質擊穿。造成失效的另一個原因是器件上的電荷在電場中會被極化,從而產生電位差並向異性電荷放電,形成雙重放電或中和。在ESD控制中使用了具有不同電阻特性的材料,這些材料用在自動裝配設備中可以獲得理想的效果。描述材料電阻特性通常用表面電阻率或體電阻率。
常見概念及應用
表面電阻率 簡單地說表面電阻率就是同一表面上兩電極之間所測得的電阻值,將電極形狀和電阻值結合在一起通過計算可得到單位面積的電阻值。現在市面上可以買得到讀數為單位面積電阻值的測量儀。
體電阻率 體電阻率是通過材料厚度的電阻值,單位是Ω·cm。
導電材料 導電材料指表面電阻率和體電阻率分別小於106Ω和106Ω·cm的材料。
耗散材料 耗散材料指表面電阻率和體電阻率分別小於1012Ω或1012Ω·cm的材料。
防靜電材料 「防靜電」指的是能夠抑制電荷累積,可以在材料製造過程中添加或者局部加入某種物質得到這種特性。防靜電材料無需用表面或體電阻率表示。
導電添加劑和薄膜 如果由於成本或者其他設計上的原因只能使用塑料材料或復合材料時,可以使用添加劑改善靜電特性,將添加劑混入塑料材料中,根據添加劑和樹脂百分比不同可獲得所需的導電性或耗散性。
在樹脂中加入纖維可以使之獲得導電性或耗散性並增強強度,這種纖維可能本身就有導電性或者採用了表面電鍍工藝。雖然添加纖維可得到這些好處,但它也改變了收縮率和韌性。填充劑可以提供導電性和耗散性,增加強度,但常常會降低基體樹脂的硬度。表1是一些常見的導電添加劑。
傳送帶 傳送帶用來輸送元件、PCB和其他器件,材料一般為塑料、纖維製品或橡膠。如果傳送帶要接收從機器其他部分傳來的器件,那麼它應該採用耗散性材料。當傳動帶表面電阻率為1~106Ω時,它會使帶電器件放電速度太快,對器件造成損害;當表面電阻在106~109Ω時,只要傳送帶通過轉輪滑輪和機架良好接地,傳送帶上就不會帶電。
另一個要考慮的問題是傳送帶速度。如果傳送帶運動速度太快,器件放到傳送帶上時就可能會滑動(或者器件保持不動而傳送帶繼續在動),這時就會形成摩擦生電,傳送帶如果接地能使電荷耗散掉,但是器件或PC板仍帶有電荷而會造成危害。
導向裝置和導軌 導向裝置和導軌用來提供通道或者使器件放於一個固定的位置或保持一定的方向性,採用的材料應能使電荷耗散掉並且防止器件摩擦生電。表面電阻率為106Ω的材料具有良好耗散性而且不會損傷器件,如果送入的器件處於無靜電狀態,也可以使用導電性材料(表面電阻率低於106Ω)。

ESD靜電保護總則:
1. 概述
隨著多媒體應用在每個人的日常生活中扮演的角色日益增長,計算機與消費電子之間的關系也日益密切,對便攜性和功能性方面的增長會有持續性的需求。這就要求元件有更高的集成度——總的趨勢卻是導致敏感而昂貴的晶元,由於存在外部介面的ESD 浪涌而遭到損壞的風險也在增長。
為了抵消這種風險,Philips 提供了一系列寬范圍的完整分立產品,致力於保護、消除和濾波所有相關的I/O 埠。Philips 的保護器件兼容最高的ESD 標准,這對所有CE 設備都是必須的:IEC 61000-4-2 level 4,8 kV(接觸放電)和15 kV(非接觸放電)。
作為USB 開發者論壇的關鍵成員,Philips 提供了多種保護解決方案,包括用於USB 介面的濾波和消除器件,范圍從主板到筆記本。
2. USB 1.1 – 埠保護
2.1 應用領域:MP3 播放器、PDA、數碼相機通用串列匯流排(USB)是一種支持熱插拔和可移動的系統,因此對靜電特別敏感。Philips提供的ESP 保護二極體,以及聯合ESD 保護、濾波和消除的器件,針對所有攜帶型USB 1.1應用,比如PDA、MP3 播放器和數碼相機。
2.2 IP4058CX8/LF 重要特性
􀁺 線路終端。
􀁺 EMI 濾波。
􀁺 8 kV I/O ESD 保護。
􀁺 8 kV ESD ID 管腳保護。
2.3 PESD5V0L2UM 重要特性
􀁺 15 kV 接觸I/O ESD 保護。
􀁺 極低的漏電電流5 nA。
􀁺 很低的電容16 pF。
􀁺 極小的SMD 封裝。
3. USB 2.0 -單埠OTG 保護
3.1 應用領域:列印機,數碼相機
USB2.0 介面由一對差分數字信號構成,數據傳輸率最高達到480 Mbps,普遍運用於連接個人PC,筆記本和嵌入式計算機工作站的外設埠。Philips 在USB 運用中提供了一系列的超低電容的ESD 保護器件。
3.2 IP4059CX6/LF 重要特性
􀁺 8 kV 接觸I/O ESD 保護。
􀁺 15 kV 接觸 ESD ID 管腳保護。
􀁺 很小的面積。
4. USB 2.0 -單埠保護
4.1 應用領域:列印機、數碼相機、筆記本
由於處理數據的速率高達480Mbps,USB 2.0 介面為了避免信號失真而需要配備具有超低線路電容的ESD 保護器件。Philips 的超低電容ESD 保護系列器件非常適合於USB 應用,包括列印機、數碼相機和筆記本。
4.2 PRTR5V0U2X 重要特性
􀁺 8 kV 接觸I/O ESD 保護。
􀁺 超低的線路電容1.0 pF 。
4.3 PRTR5V0U2AX 重要特性
􀁺 12 kV 接觸I/O ESD 保護。
􀁺 超低的線路電容1.8 pF。
5. USB 2.0 –雙埠保護
5.1 應用領域:筆記本,PC 主板
在使用雙埠USB 2.0 設備時,為了使干撓帶來的風險最小化,推薦使用最低電容的
ESD 保護器件。電容僅有1 pF,Philips PRTR5V0U4D 提供了服從IEC61000-4-2 標準的防護。
5.2 PRTR5V0U4D 重要特性
􀁺 12 kV 接觸ESD 保護。
􀁺 超低的線路電容1.0 pF。
6. RGB/VGA 介面
6.1 應用領域:圖形卡,筆記本,PC 主板,監視器
VGA 介面廣泛用於圖形卡,筆記本,PC 主板和監視器之間的模擬視頻信號的連接,當需要高級別的ESD 保護時,Philips 同樣有完整的終端和線路電阻,解決電磁干擾(上拉電阻可選)的獨立器件IP4273CZ16。還有提供給用戶最大限度可調的ESD 器件IP4274CZ16,不帶上拉電阻,允許不同阻值的上拉電阻從而應用於一些特殊的設計場合。
6.2 IP4273CZ16 重要特性
􀁺 8 kV 接觸ESD 保護。
􀁺 超低5 pF 的線路電容。
􀁺 線路終端。
􀁺 上拉電阻(可選)。
􀁺 EMI 濾波。
􀁺 完全集成的75 歐電阻。
6.3 IP4274CZ16 重要特性
􀁺 8 kV 接觸ESD 保護。
􀁺 超低5 pF 的線路電容。
􀁺 線路終端。
􀁺 EMI 濾波。
􀁺 完全集成的75 歐電阻。
6.4 IP4272CZ16 重要特性
􀁺 8 kV 接觸ESD 保護。
􀁺 超低5 pF 的線路電容。
􀁺 線路終端。
􀁺 EMI 濾波。
􀁺 RGB 輸入輸出獨立。
􀁺 完全集成的75 歐電阻。
7. DVI/HDMI 介面
7.1 應用領域:液晶電視,監視器,DVD
DVI 和HDMI 介面已常用於數字視頻與音頻和顯示平板的連接。由於高頻信號(最高
達1.6GHz)的處理要求這些數據線配置極低的線路電容。Philips 提供了獨特的1pF 的線路電容保護器件。性能繼續維持8 kV 的可接觸的IEC61000-4-2 標准。
7.2 PRTR5V0U8S 和PRTR5V0U4D 重要特性
􀁺 8 kV 接觸ESD 保護。
􀁺 4、6、8 軌到軌通道。
􀁺 超低的1 pF 的電容。
8. IEEE 1284 介面
8.1 應用領域:並行列印埠
對於傳統的並行埠(IEEE 1284),Philips 提供了多種ESD 保護二極體組,他們集成在一個很小的SMD 封裝里,從4 線到18 線不等的ESD 保護。與離散的二極體相比,這種ESD 的箝位性能更加優良。
8.2 IEEE 1284 介面ESD 晶元重要特性
􀁺 15 kV 接觸ESD 保護。
􀁺 超低的泄漏電流5 nA。
􀁺 很低的電容16 pF。
9. 獨立的音頻/視頻介面
9.1 應用領域:筆記本,PC 主板,聲音和圖像卡
外部介面開放的音頻信號線需要ESD 保護去驅動音頻晶元。Philips 提供了一款小巧的
4 通道ESD 保護器件,以較低的綜合成本給消費者最大的利益。
9.2 PRTR5V0U4D 重要特性
􀁺 8 kV 接觸ESD 保護。
􀁺 超低的1 pF 的電容。
9.3 PRTR5V0L4UW 重要特性
􀁺 15 kV 接觸ESD 保護。
􀁺 很小的電容16 pF。
􀁺 超小的SOT665 SMD 封裝。
10. S-視頻/音頻介面
10.1 應用領域:筆記本,PC 主板,聲音和圖像卡
外部介面開放的音頻信號線需要ESD 保護去驅動音頻晶元。Philips 提供了一款小巧的
4 通道ESD 保護器件,以較低的綜合成本給用戶最大的利益。
10.2 PRTR5V0U4D 重要特性
􀁺 8 kV 接觸ESD 保護。
􀁺 超低的1 pF 的電容。
10.3 PESD5V0L5UW 重要特性
􀁺 15 kV 接觸ESD 保護。
􀁺 很小的電容16 pF。
􀁺 超小的SOT666 SMD 封裝。
11. SCART 介面
11.1 應用領域:錄像機,機頂盒,DVD 刻錄機
SCART 介面在電視機到錄像機,機頂盒,DVD 錄像機和人造衛星接收器的連接中得到了廣泛的應用。由於這些應用中使用了敏感的IC 器件,ESD 保護顯得非常重要。尤其是視頻和音頻信號線。
11.2 PRTR5V0U8S 和PRTR5V0U4D 重要特性
􀁺 8 kV 接觸ESD 保護。
􀁺 4、6、8 軌到軌通道。
􀁺 超低的1 pF 的電容。
11.3 PESD5V0L7BAS 和PESD5V0L5UW 重要特性
􀁺 15 kV 接觸ESD 保護。
􀁺 5 和8 疊ESD 保護二極體組。
􀁺 很小的電容16 pF。
12. IEEE 1394
12.1 應用領域:筆記本,數字攜帶型攝像機
IP4224CZ6 是保護TPA 和TPB 數據通道的靜電放電的最佳方法。而且每一個器件內集
成55W 的終端電阻,從而達到極好的性能匹配。一個典型的應用如下所示:
12.2 IP4224CZ6 重要特性
􀁺 電阻匹配在TPA 與TPB 之間。
􀁺 不需添加過壓保護。
13. LVDS
13.1 應用領域:液晶面板,列印機,網路集線器
LVDS 數據線連接廣泛應用於高速數據信號傳輸,例如,在商用列印機或者LCD 面板
與轉接板的連接。這些應用需要ESD 保護是由於使用了敏感的IC 器件。對於這些高速數據線,軌到軌保護器件完全適用。
13.2 PRTR5V0U4D 重要特性
􀁺 8 kV 接觸ESD 保護。
􀁺 超低的電容1 pF。
14. 高速介面
14.1 應用領域:區域網,G 比特乙太網
新的Philips 軌到軌家族被用來同時解決兩個高速介面的問題,超低的線路電容和高要
求的ESD 保護。
14.2 高速介面ESD 器件重要特性
􀁺 8 kV 接觸ESD 保護。
􀁺 2、4、6、8 軌到軌通道。
􀁺 超低的線路電容1.0 pF。

❻ 是PCB電路板中的電子元件符號 電路板中的ESD E T J TP GP M U BOOT ADDR 都代表是什麼

一般來說是這樣的:
ESD 靜電保護期間
E ?
T 變壓器或者三極體
J 接插件
TP 測試點
GP ?
M 模塊
U 集成電路
BOOT 升級程序
ADDR 地址

每個人或者公司都有自己的愛好,具體的得看是誰寫的了

❼ 如何設計靜電防護電路

  1. 對於大部分工程師來說,ESD是一種挑戰,不僅要保護昂貴的電子元件不被ESD損毀,還要保證萬一出現ESD事件後系統仍能繼續運行。這就需要對ESD沖擊時發生了什麼做深入的了解,才能設計出正確的ESD保護電路。

  2. 我們的手都曾有過靜電放電(ESD)的體驗,即使只是從地毯上走過然後觸摸某些金屬部件也會在瞬間釋放積累起來的靜電。我們許多人都曾抱怨在實驗室中使用 導電毯、ESD靜電腕帶和其它要求來滿足工業ESD標准。我們中也有不少人曾經因為粗心大意使用未受保護的電路而損毀昂貴的電子元件。
    對某些人來說ESD是一種挑戰,因為需要在處理和組裝未受保護的電子元件時不能造成任何損壞。這是一種電路設計挑戰,因為需要保證系統承受住ESD的沖擊,之後仍能正常工作,更好的情況是經過ESD事件後不發生用戶可覺察的故障。

    與人們的常識相反,設計人員完全可以讓系統在經過ESD事件後不發生故障並仍能繼續運行。將這個目標謹記在心,下面讓我們更好地理解ESD沖擊時到底發生了什麼,然後介紹如何設計正確的系統架構來應對ESD。

  3. 將一個電容充電到高電壓(一般是2kV至8kV),然後通過閉合開關將電荷釋放進准備承受ESD沖擊的「受損」器件(圖1)。電荷的極性可以是正也可以是負,因此必須同時處理好正負ESD兩種情況。破 壞受損電路的高瞬態電壓一般具有幾個納秒的上升時間和大約100納秒的放電時間。受損電路不同,對正負沖擊的敏感性可能也有很大的不同,因此你需 要同時處理好正負沖擊。人體模型(HMB)和機器模型(MM)這兩種最常見模型之間的區別主要在於串聯電阻。人體模型的導電性沒有金屬那麼好。

  4. 浪涌電流應該被限制,而信號應該保持相對局部地的穩定性。如前所述,HBM和MM之間的性能區別是非常大的。在許多情況下,在TVS器件之前增加一些串聯電阻有助於限制電流浪涌,並減少地線反彈。與HBM一樣,最終結果是減少系統應力。
    通常帶寬限制本身不會解決ESD問題。低通濾波器對小型ESD的衰減也要求60dB至150dB才能消除瞬態電壓,這對簡單的無源濾波器來說是很難做到的。TVS限壓器可以將信號下拉到電源軌之間。
    然後一階RC電路可以用來保持信號的完整性(圖4)。電容也可以穩定相對於局部地的輸入電壓。這種方法可以很好地保護數量很多的低帶寬輸入,包括「設置並忘記的」控制線、感測器輸入和類似對象。
    雖然我們討論的大部分內容是保護PCB的輸入埠,但輸出埠保護也是類似的。TVS限壓器和附加電阻在這里也很合適。限制電壓有助於防止半導體損壞,並保護具有電壓限制的其它部件。
    串聯電阻也有助於地的穩定。此外,讓ESD浪涌電流遠離數字晶元的I/O單元可以防止晶元內部出現地線反彈,從而允許處理器在外部限壓器吸收浪涌電流沖擊時保持正常工作。

  5. 基於多種原因,IC內部的ESD保護功能有些折衷。矽片和金屬都針對IC的核心功能作了優化,不適合用於大電流工作。專門的TVS器件使用針對大電流電路優化過的矽片,具有比普通CMOS中的PN結更高的性能。
    另外,具有大電流ESD保護功能的I/O單元會佔用相當大的空間,從而推升IC成本。而且IC上的高頻引腳通常沒辦法附加大尺寸的ESD保護電路,因為它會產生容性負載。
    作為一般經驗,晶元內部的ESD保護程度只是足以完成IC生產並焊接到PCB上,但缺少應用環境通常需要的魯棒性保護性能。如果連接需要離開PCB,通常需要利用外部裝置進行進一步的保護。

  6. 正確設計的通信埠會使用魯棒性的協議,協議中包含了通用使用循環冗餘檢查(CRC)編碼來測試數據的完整性。乙太網、USB和CAN匯流排都開發了CRC 編碼並隨數據一起傳送。設計正確的接收器將檢查CRC編碼是否匹配所發送的數據。如果不匹配,表示要麼數據要麼CRC編碼發生了錯誤,將發出重新發送數據 的請求。
    由於ESD事件持續時間不到100ns,因此CRC檢查、驗證和重新發送過程通常以不可見的方式處理ESD。最終用戶一般從未意識到損壞的信息得到了糾正。其它一些協議的結構中沒有保護措施。
    I2C、串列外設介面(SPI)和系統管理匯流排(SMBus)通信設計在PCB上工作,無法驗證和糾正數據。如果有些數據要離開電路板,確保你有方法驗證數據的有效性。
    大 多數現代通信路徑採用差分方式,即使用某種形式的低壓差分信號(LVDS)。每個LVDS連接需要像所有其它信號一樣受到TVS保護。磁場隔離(乙太網 常用)和共模扼流圈有助於解決由於ESD事件中的地線反彈產生的共模變化問題。在輸入信號與PCB不共享同一個地時,應該採取光學隔離或磁場隔離措施。要求完善的數據完整性但不包含誤碼檢查的高速數據流在防止ESD沖擊方面難度特別大。理解器件如何提供高於1GB/s的串列數據速率和完整的通信協議保護可以避免這個問題。

  7. 離開或進入電路板的任何模擬信號都需要基本的TVS保護。需要考慮連接通道的帶寬以判斷下一步應採取其它什麼措施。大多數模擬控制信號、運動控制系統、音 頻和指示燈不需要更多的措施,因為所用器件的響應時間較長。射頻前端是通信通道的物理層,由作為協議一部分的檢錯機制提供自我糾正。硬體只能提供這么多保護。如果系統中心的某個處理器需要完成監聽和控制,那麼還需要一些選項。這里介紹的技術能使你的處理器不再丟失,或需要經過復位周期。在這個主機控制下到底發生了什麼則是需要考慮的另外一回事。一般來說,你需要在處理器代碼中編入一些智能,以便它能識別錯誤的信息並進行正確的處理。通過時分輪詢埠可以方便地解決慢速檢測和控制線問題。由於ESD事件非常短暫,如果對幾個毫秒內的多個樣本來說埠上的數據保持穩定,那麼系統就不存在ESD這種災難**件。此外,作為再現過程的一部分,輸出可以被刷新。如果處理器是存儲器單元這一步是不需要的,但如果數據是通過遠程鎖定的,那就需要用刷新常式來管理破壞事件。

❽ 請教下ESD防護晶元內部電路的分析,最好能詳細說明各個二極體作用功能。

第5腳的二極體是防止電源正負極接反了,反了,該二極體截止,對電路無影響,接正確了,就給整個晶元提供個電壓 Udd。
第6腳,如果其輸入電壓高於 UddI,則上面那個二極體導通,輸入電壓就被鉗位在 Udd 上,同理,如果其輸入電壓低於 0V,則下面的二極體就會導通,輸入電壓也被鉗位在 0V 上。
其餘類推,晶元主要是起著限制1、3、4、6腳輸入信號的電壓范圍作用,這里都略去二極體的導通壓降未提;

❾ 各種電路圖中字母縮寫的含義

A
A模擬
A/DC模擬信號到數字信號的轉換
A/L音頻/邏輯板
AAFPCB音頻電路板
AB地址匯流排
ab 地址匯流排
accessorier 配件
ACCESSORRIER配件
ADC(A/O)模擬到數字的轉換
adc 模擬到數字的轉換
ADDRESSBUS地址匯流排
AFC自動頻率控制
afc 自動頻率控制
AFC自動頻率控制
AFMS來音頻信號
afms 來自音頻信號
AFMS來音頻信號
AFPCB音頻電路板
AF音頻信號
AGC自動增益控制
agc 自動增益控制
AGC自動增益控制
aged 模擬地
AGND模擬地
AGND模擬地
ALARM告警
alarm 告警
ALC自動電平控制
ALEV自動電平
AM調幅
AMP放大器
AMP放大器
AM調幅
ANT天線
ANT/SW天線開關
ant 天線
Anternna天線
antsw 天線開關
ANTSW天線切換開關
ANT天線
APC自動功率控制
APC/AOC自動功率控制
ARFCH絕對信道號
ASIC專用介面集成電路
AST-DET飽和度檢測
ATMS到移動台音頻信號
atms 到移動台音頻信號
ATMS到移動台音頻信號
AUC身份鑒定中心
AUDIO音頻
AUDIO音頻
AUTO自動
AUX輔助
AVCC音頻處理晶元
A模擬信號
b+ 內電路工作電壓
BALUN平衡於一不平衡轉換
BAND-SEL頻段選擇/切換
BAND頻段
Base band基帶(信號)
base 三極體基極
batt+ 電池電壓
BDR接收數據信號
Blick Diagram方框圖
BPF帶通濾波器
BUFFER緩沖放大器
BUS通信匯流排
buzz 蜂鳴器
C
CALL呼叫
CARD卡
Carrier載波調制
CCONTCSX開機維持(NOKIA)
CCONTINT關機請求信號
CDMA碼分多址
cdma 碼分多址
CEPT歐洲郵電管理委員會
CH信道
CHAGCER充電器
CHECK檢查
CIRCCITY整機
Circuit Diagram電路原理圖
CLK時鍾
CLK-OUT邏輯時鍾輸出
CLK-SELECT時鍾選擇信號(Motorola手機)
COBBA音頻IC(諾基亞系列常用)
COL列
COLLECTOR集電極
CONTROL控制
control 控制
CP脈沖、泵
CP-TX RXVCO控制輸出接收鎖相電平
CP-TX TXVCO控制輸出發射鎖相電平
CPU中央處理器
cpu 中央處理器
CS片選
CTL-GSM頻段控制信號
d b 數據匯流排
D/AC數字信號到模擬信號的轉換
d 數字
dac 數字到模擬的轉換
dcin 外接直流電願輸入
DCS-CS發射機控制信號:控制TXVCO與I/Q調制器
DDI數據介面電路
DECIPHRIG解秘
DEINTERLEARING去交織
DET檢測
dfms 來數據信號
dgnd 數字地
Diplex雙工濾波器
Direct Coner Siorl Lionear Receicer直接變換的線性接收機
dsp 數字信號處理器
DSP數字信號處理器
dtms 到數據信號
DUPLEX / DIPLEX雙工器
Duplex Sapatation雙工間隔
E
Earph耳機
EEPROM電擦除可編程只讀存儲器
EIR設備號寄存器
EL發光
EMITTER發射極
emitter 三極體發射極
EMOD Demo Laticon解調
EN使能
EN使能、允許、啟動
en 使能
ENAB使能
EPROM電編程只讀存貯器
ERASABLE可擦的
ETACS增強的全接入通信系統
etacs 增強的全接入通信系統
EXT外部
EXT外部
ext 外部的
FBUS處接通信介面信號線
fdma 頻分多址
feed back 反饋
fh 跳頻
FILFTER濾波器
fl 濾波器
fm 調頻
from 來自於
gain 增益
GAIN增益
Gen Out信號發生器
gnd 地
GSM-PINDIODE功率放大器輸出匹配電路切換控制信號
GSM-SEL頻段切換控制信號之一
G-TX-VCO900MHZ發射VCO切換控制
hook 外接免提狀態
I
I同相支路
I/O輸入/輸出
I/O輸入/輸出
i/o輸入輸出
i 同相支路
IC集成電路
ICTRL供電電流大小控制端
ictrl 供電電流大小控制端
IF中頻
if 中頻
IFLO中頻本振
IF中頻
IMEI國際移動設備識別碼
IN輸入
INSERTCARD插卡
INT中斷
int 中斷
Interface界面,電子電路基礎知識2,介面
ISDN綜合業務數字網
I同相支路
LayoutPCB元件分布圖
LCDCLK顯示器時鍾
led 發光二極體
LOCK鎖定
loop fliter 環路濾波器
LO本振
LPF低通濾波器
lspctrl 揚聲器控制
M
MAINVCO主振盪器(Motorola)
MCC移動國家碼
MCLK主時鍾
mclk 主時鍾
MCLK主時鍾
MCLK主時鍾
MDM調制解調
MDM數據機(Motorola手機)
MENU菜單
MF陶瓷濾波器
MIC話筒
mic 送話器
MISO主機輸入從機輸出(Motorola)
MIX混合
Mixed Second第二混頻信號
MIXERSECOND第二混頻信號
MIX混頻器
MOD調制信號
mod 調制信號
MODEM數據機
MODFreq調制頻率
MODIN調制I信號負
modin 調制i信號負
MODIN調制I信號負
MODIP調制I信號正
MODIP調制I信號正
MODQN調制Q信號負
MODQN調制Q信號負
MODQP調制Q信號正
MODQP調制Q信號正
MOD調制
MOD調制信號
MOEM數據機DM
mopip 調制i信號正
MOSI主機輸出從機輸入(Motorola)
MS移動台
MSC移動交換中心
MSIN移動台識別碼
MSK最小移頻鍵控
MSRN漫遊
MUTE靜音
mute 靜音
N
NAM號碼分配模塊
NC空、不接
NONETWORK無網路
ofst 偏置
on 開
onsrq 免提開關控制
PA 功率放大器
PADRV功率放大器驅動
PCB板圖
PCM脈沖編碼調制
PD/PH相位比較器
pll 鎖相環
PLL鎖相環
PLL鎖相環路
powcontrol 功率控制
POWCONTROL功率控制
Power Supply電源系統
powlev 功率級別
POWLEV功放級別
PURX復位信號(NOKIA)
pwrsrc 供電選擇
Q
Q uadrature molalion正交調制
Q 正交支路
Q正交支路
q 正交支路
R
RACH隨機接入信道
RADIO射頻本振
RAM隨機存儲器
ram 隨機儲存器(暫 存)
RD讀
Receiver收信機
REF參考、基準
ref 參考
RESET復位
reset 復位
RFPCB射頻板
RF射頻
rf 射頻
RFADAT射頻頻率合成器數據
rfadat 射頻頻率合成數據
RFADAT射頻頻率合成器數據
RFAENB射頻頻率合成器啟動
rfaenb 射頻頻率合成啟動
RFAENB射頻頻率合成器啟動
RFConnector射頻介面
RFI射頻介面
RFIN/OFF高頻輸入/輸出
ROM只讀存儲器
ROW行
RSSI場強
RSSI接收信號強度指示
rssi 接收強度指示
RSSI接收信號強度指示
RX接收
rx 接收
RX-ACQ接收機數據傳輸請求信號
RXEN接收使能
RXIFN接收中頻信號負
rxifn 接收中頻信號負
RXIFN接收中頻信號負
RXIFP接收中頻信號正
rxifp 接收中頻信號正
RXIFP接收中頻信號正
RXIN接收I信號負
RXIN接收輸出
RXIP接收I信號正
RXI接收基帶信號(同相)
RXON接收開
rxon 接收開
RXON接收機啟動/開關控制
RXOUT接收輸出
RXQN接收Q信號負
RXQP接收Q信號正
RXQ接收基帶信號(正交)
RXVCO收信壓控振盪器
RX接收
sat-det 飽和度檢測
saw 聲表面波濾波器
SAW聲表面波濾波器
SF超級濾波器
SHFVCO專用射頻VCO(NOKIA)
SLEEPCLK睡眠時鍾
SMOC數字信號處理器
spi 串列外圍介面
spk 揚聲器
SUPLEX雙工器作用相當於天線開關
sw 開關
swdc 末調整電壓
SW開關
synclk 頻率合成器時鍾
SYNCLK頻率合成器時鍾
syndat 頻率合成器數據
SYNDAT頻率合成器數據
SYNEN頻率合成器啟動/使能
synstr 頻率合成器啟動
SYNSTR頻率合成器啟動
SYNTCON頻率合成器開/關
synton 頻率合成器開/關
T
TACS全接入移動通信系統
TCH話音通道
TDMA時分多址
tdma 時分多址
TEMP溫度監測
temp 溫度監測
TEST測試
TP測試點
tp 測試點 tx 發送
Transmitter發信機
TRX收發信機
TXEN發送使能
tx en 發送使能
TX 發送
TX發信
TXC發信控制
TX-DEY-OUT發射時序控制輸出
TXENT發射供電
TXEN發射使能
TXEN發送使能
TX-IF發信中頻
TXIN發送I信號負
TXIP發送I信號正
TXI發射基帶信號
TXON發送開
txon 發送開
TXON發送開
TXOUT發射輸出
TXPWR發射功率
TXQN發送Q信號負
TXQP發送Q信號正
TXQ發射基帶信號
TXRF發射射頻
TXVCO發信壓控振盪器
txvco 發送壓控振盪器頻率控制
UHFVCO超高頻/射頻VCO
UHF超高頻段
UI用戶介面BSIC專用集成電路
UREGISTERED未注冊
vbatt 電池電壓
vcc 電願
VCO 壓控振盪器
vco 壓控振盪
VCTCXO溫補壓控振盪器
vcxocont 基準振盪器頻率控制
VHFVCO甚高頻/中頻VCO
vpp 峰峰值
vppflash flash 編程式控制制
vrpad 調整後電壓
vswitch 開關電壓
W
WATCHDOG看門狗
WATCHDOG看門狗信號
WCDMA寬頻碼分多址
WD-CP看門狗脈沖
WDG看門狗(維持信號電壓)
WDOG看門狗
WR寫

❿ 靜電放電有哪三種模式

常見的靜電放電模式:

1. HBM,人體放電模型,即帶電人體對器件放電,導致器件損壞。放電途徑為:人體——器件——地。

2.MM,機器模型,即帶電設備對器件放電,導致器件損壞。放電途徑為:機器——器件——地。

3.CDM,帶電器件模型,即帶電器件直接對敵放電。放電途徑為:器件——地。

4.FICDM,感應放電模型,即器件感應帶電後放電。途經:電場——器件帶電——地。

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