A. 要用鎮流器的台燈(燈管是11W的)的原理和電路圖
原理和開關電源同理,前級開關震盪,變壓器後級增加繞組,感應出高壓,做成升壓線路,輸出在1000以上!發射電子激發熒光燈裡面的水銀蒸汽和氬氣粒子,以至熒光粉發光!!至於線路圖,我給你找一下!如果是鎮流器壞了,可以更換一隻振流器板,在電子城買1元左右
電子鎮流器工作最基本的原理是把50Hz的工頻交流電,變成20~50kHz的較高頻率的交流電,半橋串聯諧振逆變電路中,上、下兩個三極體在諧振迴路電容、電感、燈管、磁環的配合下輪流導通和截止,把工頻交流電整流後的直流電變成較高頻率的交流電。但是,具體工作過程中,不少書刊都把諧振迴路電容充放電作為主要因素來描述,甚至認為「振盪電路的振盪頻率是由振盪電路充放電的時間常數決定的」。實事上,諧振迴路電容充電和放電是變流過程中的一個重要因素,但不能說振盪電路的振盪頻率就是由振盪電路的充放電時間常數決定的,電路工作狀態下可飽和脈沖變壓器(磁環)磁導率變化曲線的飽和點和三極體的存儲時間ts是工作周期的重要決定因素。
三極體開關工作的具體過程中,不少書刊認為「基極電位轉變為負電位」使導通三極體轉變為截止,「T1(磁環)飽和後,各個繞組中的感應電勢為零」「VT1基極電位升高,VT2基極電位下降」;然而,筆者認為實際工作情況不是這樣的。
1 三極體開關工作的三個重要轉折點
1.1 三極體怎樣由導通轉變為截止——第一個轉折點
如圖1所示,不管是用觸發管DB3產生三極體的起始基極電流Ib,還是基極迴路帶電容的半橋電路由基極偏置電阻產生三極體VT2的起始基極電流Ib,三極體的Ib產生集電極電流Ic,通過磁環繞組感應,強烈的正反饋使Ic迅速增長,三極體導通,那麼三極體是怎樣由導通轉變為截止的?
實踐證明,三極體導通後其集電極電流Ic增長,其導通轉變為截止的過程有兩個轉折點,首先是可飽和脈沖變壓器(磁環)磁導率μ的飽和點。
圖2中,上面為磁環磁化曲線(B-H)及磁導率μ-H變化曲線,μ=B/H,所以μ就是B-H曲線的斜率。開始時μ隨著外場H的增加而增加,當H增大到一定值時μ達到最大,其最大值為μ-H曲線的峰值,即可飽和脈沖變壓器磁導率的峰值。此後,外場H增加,μ減小。在電子鎮流熒光燈電路中,磁環工作在可飽和狀態,在每次磁化過程中,其μ值必須過其峰值。
在初期,可飽和脈沖變壓器(磁環)磁導率隨著Ic的增長而增長(圖2);Ic增長到一定值,可飽和脈沖變壓器的磁導率μ過圖2中峰值點,磁環繞組感應電壓V環=-Ldi/dt,而磁環繞組電感量L=μN2S/ι(此公式還說明了磁環尺寸在這方面的作用),也就是說磁環繞組感應電壓與可飽和脈沖變壓器(磁環)磁導率μ成正比,磁環繞組感應電壓V環過峰值(關於磁環繞組內電流的情況在後文說明,這里先以實測波形圖說明),三極體基極電流Ib同步過峰值(圖2、圖3),圖2下半部分為三極體Vce、Ic、Ib波形圖,圖2上半部分和下半部分有一根垂直的連線,把基極電流Ib的峰值點和可飽和脈沖變壓器的磁導率μ的峰值點連到了一起,這是外部電路改變三極體工作狀態的重要信號點,也就是三極體由導通轉變為截止的第一個轉折點。隨著V環的下降Ib也下降,但這時基區內部的電壓仍然是正的,當磁環繞組感應電壓V環低於基區內部的電壓時(基區外電路所加電壓下降到低於基區內部的電壓,但仍然是正的),少數的載流子就從基區流出,基極電流反向為負值Ib2(圖3深色曲線2);圖3顯示了三極體基極電流Ib峰值(深色曲線2)和磁環繞組感應電壓峰值(淺色曲線1)是同步的,過峰值後基極電流反向為負值。在這期間,基區電流(稱為IB2)是負,但是Vce維持在飽和壓降Vcesat(圖4淺色曲線1),而Ic電流正常流動(圖4深色曲線2),這時期對應存儲時間(Tsi)。在這段時間Vbe始終是正的,但是基區電流(稱為IB2)是負的。有的書上說導通管的關閉是因為其基極電位轉變為負電位,也有的說「T1(磁環)飽和後,各個繞組中的感應電勢為零」,這不符合實際情況,從波形圖上我們可以清楚地看到這段時間Vbe始終是正的。導通管的基極電位轉變為負電位是在Ic存儲結束,流過磁環繞組的電流達到峰值-Ldi/dt等於零的時刻之後,而不是在Ic存儲剛開始的時刻。
不少書刊說導通管的關閉是因為其基極電位轉變為負電位,這里多加幾幅插圖來說明。
從圖5可以看到在整個三極體集電極電流Ic導通半周期內,其基極電壓Vbe都是正的,一直到Ic退出飽和開始下降;從圖6可以看到在整個三極體集電極電流Ic導通半周期內,其磁環繞組感應電壓V環也都是正的,一直到Ic退出飽和才開始下降變負。
比較圖5和圖6可以看到在三極體集電極電流Ic接近最大值,也就是三極體進入存儲工作階段時Vbe>V環,這也可以用來解釋IB2是負值的原因。
基極電流反向為負值是因為三極體進入存儲工作階段時Vbe>V環,但是,由於V環是正的,所以基極電流反向電流是「流」出來,而不是「抽」出來的。
磁環次級繞組電壓是由流經電感的電流-di/dt所決定,過零點在峰值點,即電流平頂點(圖7);經過電感流向燈管的電流IL,在磁環繞組和扼流電感上產生感應電壓,其過零點為IL的峰值頂點(di/dt=0)(圖8),這里也可以看到V環變負的真正時間。
1.2 三極體從存儲結束退出飽和,到三極體被徹底關斷(tf)——第二個轉折點及第三個轉折點
(1)三極體進入存儲時間階段,Ib變為負值並一直維持(圖4淺色曲線A);三極體存儲結束退出飽和:當Ib負電流絕對值開始減小的時刻(圖4淺色曲線A),也就是Ic存儲結束開始減小(圖4深色曲線2),Vce離開飽和壓降Vcesat開始上升的時刻(圖4淺色曲線1),這也就是三極體由導通轉變為截止的第二個轉折點。整個過程也由兩部分組成,開始很快降低,後面還有很長一段電流很小的拖尾。
當沒有殘余電荷在基區裡面時,IB2衰減到零,而Ic也為零,這是下降時間,三極體被徹底關斷,BC結承擔電路電源電壓,一般應為310V左右(圖4淺色曲線A上毛刺對應的時刻淺色曲線1Vce值為314V))。也就是三極體由導通轉變為截止的第三個轉折點。
在第二個轉折點到第三個轉折點這段時間,Vce離開飽和壓降Vcesat,開始上升到電路電源電壓。(圖4淺色曲線1)
(2)電感電流IL與上下兩個三極體集電極電流Ic1、Ic2的關系,C3R2的作用(關斷過程之二):
在第二個轉折點與第三個轉折點之間Ic1Ic2的波形有一個缺口,IL波形沒有缺口。
三極體Ic存儲結束,電流開始快速下降,後面還有很長一段電流很小的拖尾;這時另一個三極體仍然是截止的,還沒有開始導通,這樣就會造成一個電流缺口(圖9)。但是電感L上的電流是不可能中斷的,這個缺口由上管CE之間的R2C3的充放電電流來填補(圖10)。
上管從Ic存儲結束,Vce開始上升,整個過程也由兩部分組成,開始很快降低,後面還有很長一段電流很小的拖尾,Vce從零上升到310V,C3也得充電到310V,其充電電流即為填補缺口的那部分電流(圖10),電感L中的電流得以平滑過渡。Vce從零上升到310V,C3也得以充電到310V的那一時刻,其充電電流被關斷。VT1從截止轉為導通時,R2C3放電,其放電電流填補電流缺口。
對於這一點,有的書上是這樣說的:「C3R2組成相位校正網路,使輸出端產生的基頻電壓同相」說的應該就是這個意思。
R2C3的存在,實際上也避免了兩個三極體電流的重疊,即一個三極體尚未關斷,另一個三極體已經導通,所謂「共態導通」的問題,提供了一個「死區時間」。
二、三極體是怎樣由截止轉變為導通的?有的書刊上說是三極體基極通過磁環次級繞組「得到正電位的激勵信號電壓而迅速導通」,實際上從三極體Ic存儲結束的這一時刻開始,磁環次級繞組的電壓即過零開始變為正電位,但是直到VT2被徹底關斷那一刻以前,VT1一直沒有開通。圖5、圖6中可以清楚地看到三極體產生集電極電流Ic的時刻落後於基極電壓Vbe(磁環繞組感應電壓V環)變正的時刻這一段時間。
確切地說,三極體產生集電極電流Ic(開始開通)的准確時刻應該是另一個三極體被徹底關斷的時刻。從整個電子鎮流熒光燈電路來說,這也就是前面所說三極體由導通轉變為截止的第三個轉折點。從時間上來說三極體產生集電極電流Ic(開始開通)的准確時刻也就是R2C3上的充放電電流終了的時刻,而這個時刻也正是另一個三極體被徹底關斷的時刻。
從波形圖上看,三極體產生集電極電流Ic(開始開通)的時刻,正是電感L兩端電壓的峰值點(圖11)。
另一管Ic的開通:電感L中的電流不能突變,而此時Vbe已為正,三極體產生一個反向電流,此時也正好是電感L兩端電壓的峰值點(圖11)。
為什麼在電子鎮流熒光燈電路中三極體的上升時間tr我們不予以關注?從上面對三極體集電極電流Ic的開通過程就可以得到答案。在這里,三極體集電極電流Ic的上升過程不符合三極體的上升時間tr的定義,因此tr在這里也就失去了它原來的意義。
由於從三極體Ic存儲結束的這一時刻開始,磁環次級繞組的電壓即過零開始變為正電位,但是在R2C3上的充放電電流終了那一刻以前,正常情況下VT1一直沒有開通;必須注意的是,當線路調整不好的時候,Ic會產生一個有害的毛刺。
2 三極體集電極電流Ic初始值的討論
帶電感負載的開關三極體,在三極體關斷時因電感產生反電動勢會收到一個高電壓。但是,在目前國內大量採用的電子鎮流熒光燈半橋電壓反饋電路中,開關三極體電壓的選擇,是不考慮這個反電動勢的;在實際生產中,用世界上最好的示波器去觀察,也看不到高於整流濾波後電源電壓的波形;對於燈用三極體設計生產廠家來說,三極體的電壓參數選取得是否合理,關繫到如何真正做到「低成本、高可靠」;如果不切實際地把三極體的電壓參數選高了,用戶最需要的電流特性就會受到影響。那麼,電路中的這個反電動勢,是通過什麼渠道泄放掉的?在R2C3上的充放電電流終了後,實際上就是通過三極體集電極電流Ic初始值泄放的。(三極體CE並聯反向二極體的話,這個初始值被二極體分流一部分)。
由於電感L中的電流不能突變,三極體集電極電流Ic的初始值必須和R2C3上的充放電電流終了值一致。R2C3上的充放電電流的初始值在數值上與另一個三極體Ic的關斷終了值一致,但方向相反;而R2C3上的充放電電流的終了值與初始值相差不大,三極體集電極電流Ic一個很大的負電流初始值就是這樣來的。
這個很大負電流的流經方式要分四種情況討論:
(1)三極體BE並聯反向二極體-三極體BC結(圖12);
(2)三極體CE並聯反向二極體(圖13);
(3)三極體BE、CE同時並聯反向二極體(圖14);
(4)三極體BE、CE都沒有並聯反向二極體(圖15)。
在這四種情況中,我們首先討論第一種情況:
從圖12、圖16可以看到,流經三極體集電極的電流Ic從三極體BE之間的二極體流過(圖16)。三極體集電極-發射極電壓Vce加的是負電壓,三極體反向工作。
在這以前,人們一直在三極體的關斷功率損耗上做文章,降低三極體的關斷功率損耗,以提高可靠性。其實三極體反向工作這一段時間的反向功率損耗也應該引起足夠的注意,因為這一段時間三極體上的工作電壓、電流、延續時間都比較可觀,因此其上的功率損耗也比較可觀。
實際生產中,不加BE反向二極體,有一定比例的三極體損壞,且是BE結損壞,就認為是三極體BE反向耐壓不夠,這是誤解。應該是負電流的流經渠道不暢造成三極體功率損耗過大。
第二種情況,三極體CE並聯反向二極體(圖13):另一個三極體徹底關斷、R2C3充放電結束的時刻,電感IL內的電流(相當於R2C3充放電電流終了值)大部分流經VD6(VD7),少部分仍然流經三極體BC結(體現為三極體集電極電流Ic)。
第三種情況,三極體BE、CE同時並聯反向二極體(圖14):另一個三極體徹底關斷、R2C3充放電結束的時刻,電感IL內的反向電流(相當於R2C3充放電電流終了值)大部分流經CE並聯反向二極體VD6(VD7),少部分仍然流經三極體BE並聯反向二極體-三極體BC結(體現為三極體集電極電流Ic)。
第四種情況,採用DB3觸發的小功率節能燈在三極體功率餘量足夠時,可以不加BE反向二極體(圖15),這是因為負電流有一個通過磁環次級繞組、基極電阻、三極體BC結的流經渠道(圖17Ib剛開始上跳時的波形),基極迴路帶電容的半橋電路不能沒有BE並聯反向二極體。
採用BUL128D這一類帶續流二極體的抗過驅動三極體,不要再加CE二極體。
三極體BE、CE並聯反向二極體(基極迴路帶電容的半橋電路在BE並聯反向二極體上還串聯有電阻)對整個電路的工作狀況有很大影響,特別是會對燈管起輝和三極體電流波形產生影響。
3 Ic電流上升過程的討論
電路工作狀態下可飽和脈沖變壓器(磁環)磁導率變化曲線的飽和點和三極體的存儲時間ts是工作周期的重要決定因素。那麼什麼是「電路工作狀態下」?其實就是那個時候的Ic電流上升過程,更准確地說是流過磁環初級繞組的電流、三極體儲存階段流過的電流。這句話實際上包含了兩重意思:一方面肯定了可飽和脈沖變壓器(磁環)磁導率變化曲線和三極體的存儲時間ts的重要性;另一方面也沒有否定電路其他元器件(電容、電感、燈管)對電路工作狀況的重要作用。
(1)下管VT2剛開始導通時,電路相當於RLC串聯電路加上直流電壓(圖18):
電路電壓方程:
L+Ri+idt=u (各段壓降之和)
電壓平衡方程式是一個二階微分方程,它的解與u的形式和u的初始條件(K接通時的u值)有關。
加直流電壓(圖18)
電路電壓方程:
L+Ri+idt=U
瞬態電流分下列三種情況(圖19):
①在R/2>時(過阻尼) i=e-αtshΥ.t
②在R/2=時(臨界阻尼) i=te-αt
③在R/2>時(欠阻尼),根據電路的實際工作情況,符合該式
i=e-αtsinβ.t
(振盪頻率f=)
盡管加的是直流電壓,但電路中卻可能存在著振盪電流。因為電路中存在著電阻,所以其振幅是衰減的。
(2)下管VT2截止、上管VT1導通時,電路相當於電容充電後通過RL放電(圖20):
電路電壓方程:L+Ri+idt=0
瞬態電流為:當R/2<時
i=e-αtsinβt(衰減振盪)
式中:α= β= γ=
U0:電容上的初始電壓。
負載電流不但受燈動態電阻RL影響,而且同時受可飽和脈沖反饋變壓器(磁環)可變初級阻抗ZT、三極體存儲時間ts的調制。
瞬態電流通過有效磁導率μe變化對電路穩態工作的控製作用:有效磁導率μe高,脈沖反饋變壓器初級阻抗提高,較小的電流瞬時值就可以得到足夠的V環,使電路提前轉換。開關頻率提高,電流初始值下降。
開關頻率的下降會使得燈電流增加,燈電流增加的同時又提高了脈沖反饋變壓器磁化場Hm。這樣,在電路負變化過程中得以實現一定程度的頻率反饋。
可以利用電路方程進行更深入的討論,公式本身是可信的,但如何將電路的實際工作狀況轉換成准確的電路模型卻是很困難的。
要准確地描繪出流經三極體的電流變化曲線實際上是很困難的,因為它受較多因素的影響。數學推導公式中的R在燈啟輝後兩端還並聯有一個電容C;除了數學推導公式中已經提到的諸因素以外,其實三極體並不是一個單純的開關,燈管也不是一個純電阻R,燈絲溫度、負阻特性、點火電壓等因素都會嚴重影響電流變化曲線。這里只提供了一個思路,還沒有準確地描繪出流經三極體的電流變化曲線,但是作為一種定性分析,再結合實際波形圖,對解決實際問題還是很有指導意義的。
例如三極體ts的測試,應該在什麼條件下?Ic是多少,基極加什麼樣的電壓?通過文章前面的分析,應該是比較清楚了。三極體進入存儲工作階段時Vbe>V環,但是,由於V環是正的,基極電流反向電流是「流」出來的,而不是「抽」出來的。所以,傳統的開關三極體ts測試時加負電壓抽取的方法是不符合燈用三極體的實際工作情況的。
磁環尺寸、磁環初級繞組圈數N在電路中的作用,通過圖2也可以得到解釋,H=NI,N增加H也相應增加,有效磁導率μe也相應變化,其峰值點到來的時間提前,又因為磁環繞組電感量L=μN2S/ι,V環也相應增大;而磁環次級繞組圈數與次級繞組輸出電壓成正比,都會對三極體IB產生影響,但是由於電流和頻率之間的反饋作用,這種影響得到一定的緩和。磁環有效導磁率和三極體ts配合工作的原理也可以得到一定的解釋。磁環尺寸對工作頻率有很大影響,磁環尺寸越小就容易飽和,所以工作頻率就越高。
三極體在燈電路中的實際工作情況與在基極加一個方波電壓,再在集電極接一個純電阻負載R這種測量三極體開關參數的概念式是不完全相同的。
三極體的集電極電流Ic並不完全受基極電壓的控制,諧振迴路其他元器件(電容、電感、燈管)對其工作狀況有重要影響。
B. DB3二極體的作用是
DB3是雙向穩壓二極體,常用於觸發電路。
例如節能燈裡面。
當DB3二極體的端電壓達到28-35V時,即達到觸發管的轉折電壓,觸發管導通,
觸發電容C上面儲存的電流注入三極體基極。
C. 雙向觸發二極體db3的工作原理是什麼
雙向觸發二極體工作原理如下:
當雙向觸發二極體兩端所加電壓U低於正向轉折電壓V(B0)時,器件呈高阻態。當U>V(B0)時,管子擊穿導通進入負阻區。同樣當U大於反向轉折電壓V(BR)時,管子同樣能進入負阻區。轉折電壓的對稱性用△V(B)表示。△V(B)=V(B0)-V(BR)。一般△V(B)應小於2伏。
雙向觸發二極體亦稱二端交流器件(DIAC),與雙向晶閘管同時問世.由於它結構簡單、價格低廉,所以常用來觸發雙向晶閘管,還可構成過壓保護等電路。雙向觸發二極體的構造、符號及等效電路。
D. 請問雙向觸發二極體DB3
雙向觸發二極體(DIAC)屬三層結構,具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發雙向可控硅 ,在電路中作過壓保護等用途。
圖1是它的構造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號及等效電路,可等效於基極開路、發射極與集電極對稱的NPN型晶體管。因此完全可用二隻NPN晶體管如圖4連接來替代。
雙向觸發二極體正、反向伏安特性幾乎完全對稱(見圖5)。當器件兩端所加電壓U低於正向轉折電壓V(B0)時,器件呈高阻態。當U>V(B0)時,管子擊穿導通進入負阻區。同樣當U大於反向轉折電壓V(BR)時,管子同樣能進入負阻區。轉折電壓的對稱性用△V(B)表示。△V(B)=V(B0)-V(BR)。一般△V(B)應小於2伏。雙向觸發二極體的正向轉折電壓值一般有三個等級:20-60V、100-150V、200-250V。由於轉折電壓都大於20V,可以用萬用表電阻擋正反向測雙向二極體,表針均應不動(RX10k),但還不能完全確定它就是好的。檢測它的好壞,並能提供大於250V的直流電壓的電源,檢測時通過管子的電流不要大於是5mA。用晶體管耐壓測試器檢測十分方便。如沒有,可用兆歐表按圖6所示進行測量(正、反各一次),電壓大的一次V(BR)。例如:測一隻DB3型二極體,第一次為27.5V,反向後再測為28V,則△V(B)=V(B0)-V(BR)=28V-27.5V=0.5V<2V,表明該管對稱性很好。
圖7是雙向觸發二極體與雙向可控硅等元件構成的台燈調光電路。通過調節電位器R2,可以改變雙向可控硅的導通角,從而改變通過燈泡的電流(平均值)實現連續調光。如果將燈泡換電熨斗、電熱褥還可實現連續調溫。
該電路在雙向可控硅加散熱器的情況下,可控負載功率可達500W,各元件參數見圖所標注。
E. 雙向觸發二極體 DB3 的代換電路
若一時找不到原規格器件,可嘗試下面方法:
1、查該器件參數,功耗 Pc = 150mW;反向重復峰值電流 ITRM = 2A;轉折點電壓 VBO = 32V;輸出電壓 Vo = 5V。 手邊若有該類器件,只要不低於這些參數條件的管子,均可代換;
2、自製相同功能的電路單元,代替原器件。用兩只pnp、npn反向耐壓45V三極體,c-c 相連(串接),兩管b極懸空,兩個 e 極即為原雙向二極體的兩極;
3、也可找兩個擊穿電壓為32V的穩壓二極體(Io不小於250mA),也是頭對頭,或尾對尾串聯接法,代替原損管;
4、甚至可直接用電位器加電阻,手動調控觸發可控硅的導通與截止狀態。只是效果不太理想,無保護功能,只能臨時上崗應急。
(5)db3電路圖擴展閱讀
R2、R3、C2、DB3 組成脈沖信號觸發雙向可控硅BTA16, 使BTA16在市電正負半周均保持相應正反向導通。220伏交流電源經過負載(如燈泡等)、可調電位器R2、電阻R3給電容C2充電,當C2充電電壓達到DB3閥值28V時,
雙向觸發二極體導通使電壓到達可控硅控制極,使可控硅被觸發導通。改變可調電位器R2的阻值,可增大或減小雙向可控硅的導通角,使輸出電壓升高或降低,從而起到調壓調光調溫調速的目的。
用途:家庭台燈調光、電熨斗、電爐調溫、變壓器的調壓,熱水器調熱、電熱毯的調溫、電風扇調速等。
F. 雙向觸發二極體DB3怎樣測好壞
鑒別:按照測試條件檢測雙向轉折點電壓是否合格。在28V~36V之間為正常。典型值為32V。另外,如果有圖示儀,看看在轉折前的暗電流是多少,這個數值越小越好。
正、反向電阻值的測量 用萬用表R×1k或R×10k檔,測量雙向觸發二極體正、反向電阻值。正常時其正、反向電阻值均應為無窮大。若測得正、反向電阻值均很小或為0,則說明該二極體已擊穿損壞。
含義:
雙向觸發二極體除用來觸發雙向晶閘管外,還常用在過壓保護、定時、移相等電路,就是由雙向觸發二極體和雙向晶閘管組成的過壓保護電路。當瞬態電壓超過DIAC和Ubo時,DIAC迅速導通並觸發雙向晶閘管也導通,使後面的負載免受過壓損害。
以上內容參考:網路-雙向觸發二極體
G. 雙向觸發二極體db3 工作原理
如下圖是雙向觸發二極體的結構、符號、等效電路及伏安特性圖。它是三層對稱性的二端半專導體器件,等效屬於基極開路、發射極與集電極對稱的NPN晶體管。其正、反向伏安特性完全對稱。在一般情況下,雙向觸發二極體呈高阻截止狀態。工作原理:當外加電壓(不分正負)的幅值大於雙向觸發二極體的轉折電壓時,它便會擊穿導通也就是說只要在它的控制極上加上正的或負的觸發脈沖,都能使管子觸發導通。
只要在陽極和陰極加正向電壓並且控制板極有觸發電流就能導通。值得注意的是:可控硅一旦導通,控制電壓便失去了對它的控製作用,不論有沒有控制電壓,也不論控制電壓的極性如何,將一直處於導通狀態。要想關斷,只有把陽極電壓降低到某一臨界值或者施加反向電壓。
而對於雙向晶閘管來說,它相當於兩個單向晶閘管的反向並聯,這樣的話雙向晶閘管在正、反兩個方向上都能夠控制導電,因此,雙向晶閘管的正、反向伏安特性曲線具有對稱性,所以給雙向晶閘管的控制極加正的或負的觸發脈沖,都能使管子觸發導通,因此普遍用於交流控制開關場合。
H. 晶體管DB3是什麼
晶體管DB3是雙向觸發二極體。
DB3工作原理:
二極體、晶體二極體為一個P型和N型半導體半導體PN結的形成及其形成兩邊的界面空間電荷層,並建自建電場。當外加電壓不存在,是由於PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電流所造成的,同時漂移,並在平衡狀態。當外面的世界有著積極的偏壓,外電場與電場的相互自我抑制的作用,在消除承運人增加,從目前的擴散正向電流。當外面世界的反向偏壓,外電場和電場,以進一步加強自身建設,在某種形式的反向電壓和反向偏置電壓值無關的反向飽和電流i0 。當反向電壓應用到一定程度, PN結的空間電荷層的臨界電場強度值承運人乘法過程中,大量的電子空穴對,有相當部分的數值反向擊穿電流,擊穿現象被稱為二極體。
該類型的二極體有許多類型的二極體,根據半導體材料的使用,可分為鍺二極體(葛管)和硅二極體(硅管) 。根據其不同用途,可分為探測器二極體,整流二極體,二極體調節器,開關二極體,隔離二極體,肖特基二極體,發光二極體等。根據該核心結構,可分為點接觸二極體,接觸式平面二極體和二極體。二極體是一個聯絡點,與一個很小的金屬絲壓在清潔表面上的半導體晶元,一個脈沖電流,導線接觸到年底晶片牢固燒結在一起,形成一個" PN結" 。點接觸,只允許通過較小的電流(不超過幾十毫安) ,適用於小型高頻率電流電路,如無線電探測器。接觸二極體的" PN結"面積較大,允許更大的電流(幾的數十個) ,它可以用來變換交流電源到直流"整治"電路。平面二極體是一個特別設計的硅二極體,它不僅可以通過更大的電流,而且性能穩定可靠,以及更多交換機,以及高頻率脈沖電路。
I. 請問各位大俠圖中電路板上位於色環電阻兩側印著db3的電子元件是什麼,謝謝回答。
這個是雙向觸發二極體。
請參看網路回網路:答
http://ke..com/link?url=-sLv-ptdmCMEJY0GHdA6oVqDJ2a_BD6eJypa
J. 那個DB3是什麼元件
這是一個典型的調光電燈的電路,那個DB3是雙向觸發二極體,當兩端電壓達到30V左右時就會導通。與普通二極體的區別是,導通電壓高,是雙向導通的。而普通二極體導通電壓只有0.7V,且只是單向的。