hoe電路

Ⅰ 三極體的參數是哪些

三極體的參數解釋
λ---光譜半寬度
VF---正向壓降差
Vz---穩壓范圍電壓增量
av---電壓溫度系數
a---溫度系數
BV cer---基極與發射極串接一電阻，CE結擊穿電壓
BVcbo---發射極開路，集電極與基極間擊穿電壓
BVceo---基極開路，CE結擊穿電壓
BVces---基極與發射極短路CE結擊穿電壓
BVebo--- 集電極開路EB結擊穿電壓
Cib---共基極輸入電容
Cic---集電結勢壘電容
Cieo---共發射極開路輸入電容
Cies---共發射極短路輸入電容
Cie---共發射極輸入電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cjo---零偏壓結電容
Cjv---偏壓結電容
Cj---結（極間）電容， 表示在二極體兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極體的總電容
CL---負載電容（外電路參數）
Cn---中和電容（外電路參數）
Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容
Coeo---共發射極開路輸出電容
Coe---共發射極輸出電容
Co---零偏壓電容
Co---輸出電容
Cp---並聯電容（外電路參數）
Cre---共發射極反饋電容
Cs---管殼電容或封裝電容
CTC---電容溫度系數
CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
Ct---總電容
Cvn---標稱電容
di/dt---通態電流臨界上升率
dv/dt---通態電壓臨界上升率
D---占空比
ESB---二次擊穿能量
fmax---最高振盪頻率。當三極體功率增益等於1時的工作頻率
fT---特徵頻率
f---頻率
h RE---共發射極靜態電壓反饋系數
hFE---共發射極靜態電流放大系數
hfe---共發射極小信號短路電壓放大系數
hIE---共發射極靜態輸入阻抗
hie---共發射極小信號短路輸入阻抗
hOE---共發射極靜態輸出電導
hoe---共發射極小信號開路輸出導納
hre---共發射極小信號開路電壓反饋系數
IAGC---正向自動控制電流
IB2---單結晶體管中的基極調制電流
IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內，能連續地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值
IB---基極直流電流或交流電流的平均值
Icbo---基極接地，發射極對地開路，在規定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流
Iceo---發射極接地，基極對地開路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流
Icer---基極與發射極間串聯電阻R，集電極與發射極間的電壓VCE為規定值時，集電極與發射極之間的反向截止電流
Ices---發射極接地，基極對地短路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流
Icex---發射極接地，基極與發射極間加指定偏壓，在規定的反向偏壓VCE下，集電極與發射極之間的反向截止電流
ICMP---集電極最大允許脈沖電流
ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
ICM---最大輸出平均電流
Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值
IDR---晶閘管斷態平均重復電流
ID---暗電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
Iebo---基極接地，集電極對地開路，在規定的反向電壓VEB條件下，發射極與基極之間的反向截止電流
IEM---發射極峰值電流
IE---發射極直流電流或交流電流的平均值
IF（AV）---正向平均電流
IF(ov)---正向過載電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極體的最大正向脈沖電流。發光二極體極限電流。
IFMP---正向脈沖電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極體在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極體在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極體正向電參數時給定的電流
iF---正向總瞬時電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IH---恆定電流、維持電流。
Ii--- 發光二極體起輝電流
IL---光電流或穩流二極體極限電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極體的最大工作電流
Iop---工作電流
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IP---峰點電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極體兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極體在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
Irp---反向恢復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）
ir---反向恢復電流
iR---反向總瞬時電流
ISB---二次擊穿電流
Is---穩流二極體穩定電流
IV---谷點電流
Izk---穩壓管膝點電流
IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極體允許通過的電流
IZSM---穩壓二極體浪涌電流
Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流
n---電容變化指數；電容比
PB---承受脈沖燒毀功率
PCM---集電極最大允許耗散功率
Pc---集電極耗散功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pd---耗散功率
PFT（AV）---正向導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向導通總瞬時耗散功率
PGM---門極峰值功率
PG---門極平均功率
Pi---輸入功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
PM---額定功率。硅二極體結溫不高於150度所能承受的最大功率
Pn---雜訊功率
Pomax---最大輸出功率
Posc---振盪功率
Po---輸出功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重復浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Ptot---總耗散功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極體允許承受的最大功率
Q---優值（品質因素）
r δ---衰減電阻
R(th)ja----結到環境的熱阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r(th)---瞬態電阻
rbb分鍾Cc---基極-集電極時間常數，即基極擴展電阻與集電結電容量的乘積
rbb分鍾---基區擴展電阻（基區本徵電阻）
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RBE---外接基極-發射極間電阻（外電路參數）
RB---外接基極電阻（外電路參數）
Rc ---外接集電極電阻（外電路參數）
RE---射頻電阻
RE---外接發射極電阻（外電路參數）
RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RG---信號源內阻
rie---發射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻
RL---負載電阻
RL---負載電阻（外電路參數）
roe---發射極接地，在規定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻
Rs(rs)----串聯電阻
Rth---熱阻
Rth----熱阻
Rz(ru)---動態電阻
Ta---環境溫度
Ta---環境溫度
Tc---管殼溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
td----延遲時間
tfr---正向恢復時間
tf---下降時間
tf---下降時間
tgt---門極控制極開通時間
tg---電路換向關斷時間
Tjm---最大允許結溫
Tjm---最高結溫
Tj---結溫
toff---關斷時間
toff---關斷時間
ton---開通時間
ton---開通時間
trr---反向恢復時間
tr---上升時間
tr---上升時間
tstg---溫度補償二極體的貯成溫度
Tstg---貯存溫度
ts---存儲時間
ts---存貯時間
Ts---結溫
V n---雜訊電壓
V v---谷點電壓
V（BR）---擊穿電壓
VAGC---正向自動增益控制電壓
VB2B1---基極間電壓
VBB---基極（直流）電源電壓（外電路參數）
VBE(sat)---發射極接地，規定Ic、IB條件下，基極-發射極飽和壓降（前向壓降）
VBE10---發射極與第一基極反向電壓
VBE---基極發射極（直流）電壓
VB---反向峰值擊穿電壓
VCBO---基極接地，發射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VCB---集電極-基極（直流）電壓
Vcc---集電極（直流）電源電壓（外電路參數）
VCE(sat)---發射極接地，規定Ic、IB條件下的集電極-發射極間飽和壓降
VCEO---發射極接地，基極對地開路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCER---發射極接地，基極與發射極間串接電阻R，集電極與發射極間在指定條件下的最高耐壓
VCES---發射極接地，基極對地短路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEX---發射極接地，基極與發射極之間加規定的偏壓，集電極與發射極之間在規定條件下的最高耐壓
VCE---集電極-發射極（直流）電壓
Vc---整流輸入電壓
VDRM---斷態重復峰值電壓
VEBO---基極接地，集電極對地開路，發射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VEB---飽和壓降
VEE---發射極（直流）電源電壓（外電路參數）
VF（AV）---正向平均電壓
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
VGD---門極不觸發電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VGT---門極觸發電壓
Vk---膝點電壓（穩流二極體）
VL ---極限電壓
Vn(p-p)---輸入端等效雜訊電壓峰值
Vn---中心電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vo---交流輸入電壓
Vp---穿通電壓。
Vp---峰點電壓
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VSB---二次擊穿電壓
Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
Vz---穩定電壓
δvz---穩壓管電壓漂移
η---單結晶體管分壓比或效率
λp---發光峰值波長

Ⅱ LC震盪電路產生的高頻交流電能有多精確

常見的LC振盪電路的頻率穩定度在10的負4次方左右，影響頻率穩定度的主要因數是三極體和振盪迴路元件隨溫度的變化。當溫度變化時，線圈管、導線以及電容極板的熱脹冷縮引起電感量和電容量的變化，從而影響頻率穩定度。三極體的hie、hoe、cie和coe這些參數都是振盪迴路的一部分，且都是溫度的函數。它們的變化必然引起頻率的漂移。在要求較高的振盪器中可採用AFC電路以減小頻漂。

Ⅲ 標記HOE 的是什麼集成電路

gbtrtt

Ⅳ (三極體)VCC,Vceo,Vcbo,Vebo,Icm,Pcm,ft mHZ分別代表什麼以及是否還有其他的請給詳解一下三極體,謝謝

以下是我的收藏：奉獻給你吧！

三極體的參數解釋
△ λ---光譜半寬度
△VF---正向壓降差
△Vz---穩壓范圍電壓增量
av---電壓溫度系數
a---溫度系數
BV cer---基極與發射極串接一電阻，CE結擊穿電壓
BVcbo---發射極開路，集電極與基極間擊穿電壓
BVceo---基極開路，CE結擊穿電壓
BVces---基極與發射極短路CE結擊穿電壓
BVebo--- 集電極開路EB結擊穿電壓
Cib---共基極輸入電容
Cic---集電結勢壘電容
Cieo---共發射極開路輸入電容
Cies---共發射極短路輸入電容
Cie---共發射極輸入電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cjo---零偏壓結電容
Cjv---偏壓結電容
Cj---結（極間）電容， 表示在二極體兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極體的總電容
CL---負載電容（外電路參數）
Cn---中和電容（外電路參數）
Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容
Coeo---共發射極開路輸出電容
Coe---共發射極輸出電容
Co---零偏壓電容
Co---輸出電容
Cp---並聯電容（外電路參數）
Cre---共發射極反饋電容
Cs---管殼電容或封裝電容
CTC---電容溫度系數
CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
Ct---總電容
Cvn---標稱電容
di/dt---通態電流臨界上升率
dv/dt---通態電壓臨界上升率
D---占空比
ESB---二次擊穿能量
fmax---最高振盪頻率。當三極體功率增益等於1時的工作頻率
fT---特徵頻率
f---頻率
h RE---共發射極靜態電壓反饋系數
hFE---共發射極靜態電流放大系數
hfe---共發射極小信號短路電壓放大系數
hIE---共發射極靜態輸入阻抗
hie---共發射極小信號短路輸入阻抗
hOE---共發射極靜態輸出電導
hoe---共發射極小信號開路輸出導納
hre---共發射極小信號開路電壓反饋系數
IAGC---正向自動控制電流
IB2---單結晶體管中的基極調制電流
IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內，能連續地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值
IB---基極直流電流或交流電流的平均值
Icbo---基極接地，發射極對地開路，在規定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流
Iceo---發射極接地，基極對地開路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流
Icer---基極與發射極間串聯電阻R，集電極與發射極間的電壓VCE為規定值時，集電極與發射極之間的反向截止電流
Ices---發射極接地，基極對地短路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流
Icex---發射極接地，基極與發射極間加指定偏壓，在規定的反向偏壓VCE下，集電極與發射極之間的反向截止電流
ICMP---集電極最大允許脈沖電流
ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
ICM---最大輸出平均電流
Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值
IDR---晶閘管斷態平均重復電流
ID---暗電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
Iebo---基極接地，集電極對地開路，在規定的反向電壓VEB條件下，發射極與基極之間的反向截止電流
IEM---發射極峰值電流
IE---發射極直流電流或交流電流的平均值
IF（AV）---正向平均電流
IF(ov)---正向過載電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極體的最大正向脈沖電流。發光二極體極限電流。
IFMP---正向脈沖電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極體在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極體在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極體正向電參數時給定的電流
iF---正向總瞬時電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IH---恆定電流、維持電流。
Ii--- 發光二極體起輝電流
IL---光電流或穩流二極體極限電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極體的最大工作電流
Iop---工作電流
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IP---峰點電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極體兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極體在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
Irp---反向恢復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）
ir---反向恢復電流
iR---反向總瞬時電流
ISB---二次擊穿電流
Is---穩流二極體穩定電流
IV---谷點電流
Izk---穩壓管膝點電流
IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極體允許通過的電流
IZSM---穩壓二極體浪涌電流
Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流
n---電容變化指數；電容比
PB---承受脈沖燒毀功率
PCM---集電極最大允許耗散功率
Pc---集電極耗散功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pd---耗散功率
PFT（AV）---正向導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向導通總瞬時耗散功率
PGM---門極峰值功率
PG---門極平均功率
Pi---輸入功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
PM---額定功率。硅二極體結溫不高於150度所能承受的最大功率
Pn---雜訊功率
Pomax---最大輸出功率
Posc---振盪功率
Po---輸出功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重復浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Ptot---總耗散功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極體允許承受的最大功率
Q---優值（品質因素）
r δ---衰減電阻
R(th)ja----結到環境的熱阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r(th)---瞬態電阻
rbb分鍾Cc---基極-集電極時間常數，即基極擴展電阻與集電結電容量的乘積
rbb分鍾---基區擴展電阻（基區本徵電阻）
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RBE---外接基極-發射極間電阻（外電路參數）
RB---外接基極電阻（外電路參數）
Rc ---外接集電極電阻（外電路參數）
RE---射頻電阻
RE---外接發射極電阻（外電路參數）
RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RG---信號源內阻
rie---發射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻
RL---負載電阻
RL---負載電阻（外電路參數）
roe---發射極接地，在規定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻
Rs(rs)----串聯電阻
Rth---熱阻
Rth----熱阻
Rz(ru)---動態電阻
Ta---環境溫度
Ta---環境溫度
Tc---管殼溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
td----延遲時間
tfr---正向恢復時間
tf---下降時間
tf---下降時間
tgt---門極控制極開通時間
tg---電路換向關斷時間
Tjm---最大允許結溫
Tjm---最高結溫
Tj---結溫
toff---關斷時間
toff---關斷時間
ton---開通時間
ton---開通時間
trr---反向恢復時間
tr---上升時間
tr---上升時間
tstg---溫度補償二極體的貯成溫度
Tstg---貯存溫度
ts---存儲時間
ts---存貯時間
Ts---結溫
V n---雜訊電壓
V v---谷點電壓
V（BR）---擊穿電壓
VAGC---正向自動增益控制電壓
VB2B1---基極間電壓
VBB---基極（直流）電源電壓（外電路參數）
VBE(sat)---發射極接地，規定Ic、IB條件下，基極-發射極飽和壓降（前向壓降）
VBE10---發射極與第一基極反向電壓
VBE---基極發射極（直流）電壓
VB---反向峰值擊穿電壓
VCBO---基極接地，發射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VCB---集電極-基極（直流）電壓
Vcc---集電極（直流）電源電壓（外電路參數）
VCE(sat)---發射極接地，規定Ic、IB條件下的集電極-發射極間飽和壓降
VCEO---發射極接地，基極對地開路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCER---發射極接地，基極與發射極間串接電阻R，集電極與發射極間在指定條件下的最高耐壓
VCES---發射極接地，基極對地短路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEX---發射極接地，基極與發射極之間加規定的偏壓，集電極與發射極之間在規定條件下的最高耐壓
VCE---集電極-發射極（直流）電壓
Vc---整流輸入電壓
VDRM---斷態重復峰值電壓
VEBO---基極接地，集電極對地開路，發射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VEB---飽和壓降
VEE---發射極（直流）電源電壓（外電路參數）
VF（AV）---正向平均電壓
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
VGD---門極不觸發電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VGT---門極觸發電壓
Vk---膝點電壓（穩流二極體）
VL ---極限電壓
Vn(p-p)---輸入端等效雜訊電壓峰值
Vn---中心電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vo---交流輸入電壓
Vp---穿通電壓。
Vp---峰點電壓
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VSB---二次擊穿電壓
Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
Vz---穩定電壓
δvz---穩壓管電壓漂移
η---單結晶體管分壓比或效率
λp---發光峰值波長

Ⅳ 放大電路hoe是什麼

幾個參數都是三極體H參數微變等效電路模型中的參數：
hfe是三極體BJT正向電流傳輸比，相當於三極體電流放大系數β；
hoe是輸入端交流開路時的輸出電導，即rce電阻的倒數；
hie就是三極體b、e間的交流輸入電阻，hie就是模型中的rbe；且rbe=rbb『+（1+β）26mV/IE(mA); hie（rbe）一般為幾百歐到2千歐之間。
你可以閱讀一下模電參考書的H參數小信號模型部分。

Ⅵ 晶體管參數中，「fT」與「fmax」有什麼區別

fT——特徵頻率，共發射極放大倍數β降為1時的頻率。
fmax——最高振盪頻率，功率增益等於1的頻率。對於同一個管子，fmax高於fT。
電流放大倍數等於1不等於功率增益等於1，因為還可以有電壓放大倍數。

Ⅶ 晶體管h參數,晶體管h參數是什麼意思

在合理設置靜態工作點和輸入為交流小信號的前提下，晶體管可等效為一個線性雙埠電路。用電流、電壓的交流分量來表示。即：
其中Ib、Ube為晶體管的輸入變數，面Ic、Uce為輸出變數。
方程中的四個系數hie、hre、hfe、hoe 這4個參數稱為晶體管的等效h 參數，其中
h 參數的物理意義為：
hie稱為輸出端交流短路時的輸入電阻，簡稱輸入電阻。它反映輸出電UCE不變時，基極電壓對基極電流的控制能力，習慣上用RbE表示。
hre稱為輸入端交流開路時的反向電壓傳輸系數，又稱內部電壓反饋系數。它反映輸出電壓uCE通過晶體管內部對輸入迴路的反饋作用，它是一個無量綱的比例系數。
hfe稱為輸出端交流短路時的電流放大系數，簡稱電流放大系數。它反映基極電流IB對集電極電流IC的控制能力，即晶體管的電流放大能力，是一個無量綱的數，習慣上用β表示。
hoe稱為輸入端交流開路時的輸出電導，簡稱輸出電導。它反映當IB不變時，輸出電壓uCE對輸出電流的控制能力。單位是西門子（S），習慣上用1／RCE，表示。可見，這四個參數具有不同的最綱，故稱為混合（HybRId）參數，記作h 。h參數第一個下標的意義為：I表示輸入，R表示反向傳輸，f表示正向傳輸，o表示輸出；第二個下標E表示共射接法。
在使用時應當明確：
（1） 4個h參數都是微變電流與微變電壓之比，因此，h參數是交流參數。
（2） 4個h參數都是在Q點的偏導數，因此，它們都和Q點密切相關，隨著Q點的變化而變化；
（3） h參數是晶體管在小信號條件下的等效參數。

Ⅷ 三極體放大器動態分析中小信號H參數等效電路是什麼

認為基極電流ib和集-射壓降uce是BJT管子的兩個輸入量，集電極電流ic和發射結電壓ube是兩個輸出量。ic和ube主要與ib有關，還受uce的影響。在工作點上認為兩個輸入量對兩個輸出量的影響是線性化的，將β改用hFE表示，rbe改用hIE表示，將uce對ic的影響用1/rce用改用hOE表示，uce對ube的影響用hRE表示，建立線性化模型
Δic=hFEΔib+hOEΔuce
Δube=hIEΔib+hREΔuce
該模型中有四個H參數，故稱為H四參數線性化混合模型(Hybrid model)。
由相應的函數求導可以得到四個H參數的大小，所以要求導。
數字萬用表上也有H參數的痕跡，hFE檔就是用來測試晶體管β值的。
以上是H四參數晶體管數理模型。
hRE大約只有0.001，故常被忽略。忽略hRE，則有H三參數晶體管數理模型
Δic=hFEΔib+hOEΔuce
Δube=hIEΔib
H三參數晶體管數理模型可用於有源負載放大器分析計算。
hOE也很小，也常被忽略。繼續忽略hOE，並將hFE改為β，hIE改用rbe，則有H兩參數晶體管數理模型
Δic=βΔib
Δube=rbeΔib
H兩參數晶體管數理模型可用於分立元件放大器分析計算。

Ⅸ 負載阻抗為多少時傳輸線工作在行波狀態

按照傳輸線理論負載與輸匹配信號傳輸非理想行波狀態（駐波或反射）現波形失真或衰減阻抗匹配則傳輸功率於電源講內阻等於負載輸功率阻抗匹配功率傳輸定理高頻反射波於普通寬頻放器輸阻抗50 Q功率。

在線性電路中，當負載電阻等於信號源內阻時，負載可以從信號源得到最大功率輸出，即「阻抗匹配」。人們在應用這一原理時，往往忽略了前提條件。

即:信號源電壓的大小是不隨負載大小而改變的。當不滿足這個前提條件時，我們就不能應用關於實現阻抗匹配就可以得到最大功率輸出的原理。在功率放大器中，這個前提條件常常是不能滿足的。

功率放大器中負載阻抗的影響：

晶體管低頻功率放大器輸出電阻的數值和放大管輸出端的電路連接情況有關。人們常常將晶體管h參數中的hoe作為共發射極放大器的輸出電導，下面我們就按以1/hoe作為放大器的輸出電阻來對問題進行分析。

先考察甲類單邊功率放大器的情況。晶體管手冊上給出的hoe就是圖中特性曲線的斜率。假定晶體管的靜態工作點選在Q點，如果放大器的負載電阻等於1/hoe。

那麼負載線的斜率在數值上等於hoe，只是符號相反。在保證晶體管工作不進入飽和區的條件下，容許的輸入信號電流Ib由IbQ/2變至3IbQ/3時放大器的輸出功率在數值上等於功率三角形ABC面積的1/4。

Ⅹ 穩壓三極體有什麼參數

穩壓三極體參數:
av---電壓溫度系數

a---溫度系數

BV cer---基極與發射極串接一電阻，CE結擊穿電壓

BVcbo---發射極開路，集電極與基極間擊穿電壓

BVceo---基極開路，CE結擊穿電壓

BVces---基極與發射極短路CE結擊穿電壓

BVebo--- 集電極開路EB結擊穿電壓

Cib---共基極輸入電容

Cic---集電結勢壘電容

Cieo---共發射極開路輸入電容

Cies---共發射極短路輸入電容

Cie---共發射極輸入電容

Cjo/Cjn---結電容變化

Cjo---零偏壓結電容

Cjv---偏壓結電容

Cj---結（極間）電容， 表示在二極體兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極體的總電容

CL---負載電容（外電路參數）

Cn---中和電容（外電路參數）

Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容

Coeo---共發射極開路輸出電容

Coe---共發射極輸出電容

Co---零偏壓電容

Co---輸出電容

Cp---並聯電容（外電路參數）

Cre---共發射極反饋電容

Cs---管殼電容或封裝電容

CTC---電容溫度系數

CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比

Ct---總電容

Cvn---標稱電容

di/dt---通態電流臨界上升率

dv/dt---通態電壓臨界上升率

D---占空比

ESB---二次擊穿能量

fmax---最高振盪頻率。當三極體功率增益等於1時的工作頻率

fT---特徵頻率

f---頻率

h RE---共發射極靜態電壓反饋系數

hFE---共發射極靜態電流放大系數

hfe---共發射極小信號短路電壓放大系數

hIE---共發射極靜態輸入阻抗

hie---共發射極小信號短路輸入阻抗

hOE---共發射極靜態輸出電導

hoe---共發射極小信號開路輸出導納

hre---共發射極小信號開路電壓反饋系數

IAGC---正向自動控制電流

IB2---單結晶體管中的基極調制電流

IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內，能連續地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值

IB---基極直流電流或交流電流的平均值

Icbo---基極接地，發射極對地開路，在規定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流

Iceo---發射極接地，基極對地開路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流

Icer---基極與發射極間串聯電阻R，集電極與發射極間的電壓VCE為規定值時，集電極與發射極之間的反向截止電流

Ices---發射極接地，基極對地短路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流

Icex---發射極接地，基極與發射極間加指定偏壓，在規定的反向偏壓VCE下，集電極與發射極之間的反向截止電流

ICMP---集電極最大允許脈沖電流

ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。

ICM---最大輸出平均電流

Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值

IDR---晶閘管斷態平均重復電流

ID---暗電流

IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流

IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流

Iebo---基極接地，集電極對地開路，在規定的反向電壓VEB條件下，發射極與基極之間的反向截止電流

IEM---發射極峰值電流

IE---發射極直流電流或交流電流的平均值

IF（AV）---正向平均電流

IF(ov)---正向過載電流

IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極體的最大正向脈沖電流。發光二極體極限電流。

IFMP---正向脈沖電流

IFRM---正向重復峰值電流

IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）

IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極體在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極體在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極體正向電參數時給定的電流

iF---正向總瞬時電流

IGD---晶閘管控制極不觸發電流

IGFM---控制極正向峰值電流

IGT---晶閘管控制極觸發電流

IH---恆定電流、維持電流。

Ii--- 發光二極體起輝電流

IL---光電流或穩流二極體極限電流

IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極體的最大工作電流

Iop---工作電流

Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流

IP---峰點電流

IR（AV）---反向平均電流

IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極體兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極體在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。

IRM---反向峰值電流

Irp---反向恢復電流

IRRM---反向重復峰值電流

IRR---晶閘管反向重復平均電流

IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）

ir---反向恢復電流

iR---反向總瞬時電流

ISB---二次擊穿電流

Is---穩流二極體穩定電流

IV---谷點電流

Izk---穩壓管膝點電流

IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極體允許通過的電流

IZSM---穩壓二極體浪涌電流

Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流

n---電容變化指數；電容比

PB---承受脈沖燒毀功率

PCM---集電極最大允許耗散功率

Pc---集電極耗散功率

PC---控制極平均功率或集電極耗散功率

Pd---耗散功率

PFT（AV）---正向導通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向導通總瞬時耗散功率

PGM---門極峰值功率

PG---門極平均功率

Pi---輸入功率

Pi---輸入功率

PK---最大開關功率

PMP---最大漏過脈沖功率

PMS---最大承受脈沖功率

PM---額定功率。硅二極體結溫不高於150度所能承受的最大功率

Pn---雜訊功率

Pomax---最大輸出功率

Posc---振盪功率

Po---輸出功率

Po---輸出功率

PR---反向浪涌功率

Psc---連續輸出功率

PSM---不重復浪涌功率

Ptot---總耗散功率

Ptot---總耗散功率

PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極體允許承受的最大功率

Q---優值（品質因素）

r δ---衰減電阻

R(th)ja----結到環境的熱阻

R(th)jc---結到殼的熱阻

r(th)---瞬態電阻

rbb分鍾Cc---基極-集電極時間常數，即基極擴展電阻與集電結電容量的乘積

rbb分鍾---基區擴展電阻（基區本徵電阻）

RBB---雙基極晶體管的基極間電阻

RBE---外接基極-發射極間電阻（外電路參數）

RB---外接基極電阻（外電路參數）

Rc ---外接集電極電阻（外電路參數）

RE---射頻電阻

RE---外接發射極電阻（外電路參數）

RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻

RG---信號源內阻

rie---發射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻

RL---負載電阻

RL---負載電阻（外電路參數）

roe---發射極接地，在規定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻

Rs(rs)----串聯電阻

Rth---熱阻

Rth----熱阻

Rz(ru)---動態電阻

Ta---環境溫度

Ta---環境溫度

Tc---管殼溫度

Tc---殼溫

td---延遲時間

td----延遲時間

tfr---正向恢復時間

tf---下降時間

tf---下降時間

tgt---門極控制極開通時間

tg---電路換向關斷時間

Tjm---最大允許結溫

Tjm---最高結溫

Tj---結溫

toff---關斷時間

toff---關斷時間

ton---開通時間

ton---開通時間

trr---反向恢復時間

tr---上升時間

tr---上升時間

tstg---溫度補償二極體的貯成溫度

Tstg---貯存溫度

ts---存儲時間

ts---存貯時間

Ts---結溫

V n---雜訊電壓

V v---谷點電壓

V（BR）---擊穿電壓

VAGC---正向自動增益控制電壓

VB2B1---基極間電壓

VBB---基極（直流）電源電壓（外電路參數）

VBE(sat)---發射極接地，規定Ic、IB條件下，基極-發射極飽和壓降（前向壓降）

VBE10---發射極與第一基極反向電壓

VBE---基極發射極（直流）電壓

VB---反向峰值擊穿電壓

VCBO---基極接地，發射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓

VCB---集電極-基極（直流）電壓

Vcc---集電極（直流）電源電壓（外電路參數）

VCE(sat)---發射極接地，規定Ic、IB條件下的集電極-發射極間飽和壓降

VCEO---發射極接地，基極對地開路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓

VCER---發射極接地，基極與發射極間串接電阻R，集電極與發射極間在指定條件下的最高耐壓

VCES---發射極接地，基極對地短路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓

VCEX---發射極接地，基極與發射極之間加規定的偏壓，集電極與發射極之間在規定條件下的最高耐壓

VCE---集電極-發射極（直流）電壓

Vc---整流輸入電壓

VDRM---斷態重復峰值電壓

VEBO---基極接地，集電極對地開路，發射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓

VEB---飽和壓降

VEE---發射極（直流）電源電壓（外電路參數）

VF（AV）---正向平均電壓

VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）

VF---正向壓降（正向直流電壓）

VGD---門極不觸發電壓

VGFM---門極正向峰值電壓

VGRM---門極反向峰值電壓

VGT---門極觸發電壓

Vk---膝點電壓（穩流二極體）

VL ---極限電壓

Vn(p-p)---輸入端等效雜訊電壓峰值

Vn---中心電壓

VOM---最大輸出平均電壓

Vop---工作電壓

Vo---交流輸入電壓

Vp---穿通電壓。

Vp---峰點電壓

VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）

VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）

VRWM---反向工作峰值電壓

VR---反向工作電壓（反向直流電壓）

VSB---二次擊穿電壓

Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓

Vth---閥電壓（門限電壓）

Vz---穩定電壓

δvz---穩壓管電壓漂移

η---單結晶體管分壓比或效率

λp---發光峰值波長