❶ 可控硅的rc吸收電路參數型號的選擇
推薦你選擇39Ω/10W電阻和0.1μf/630V電容。具體RC參數選擇，與你的可控硅特性參數及迴路要求回的答關斷過沖都有關系。但是一般會有一個大致的范圍，來滿足要求，確保可控硅不會損壞。
一般來說，C值選的大一點，可控硅的耐壓可以相對低一些。比如你選C=0.01μf，那麼，你的可控硅應該選擇額定電壓1000V以上。換句話說，如果你選擇了600V的可控硅，那麼你的阻尼電容C就至少應該大於等於0.1μf。
❷ 全橋逆變中，mos管RC吸收電路，R和C一般取多大
最好網上搜索幾篇這方面的專業文章，或者找一本開關電源設計原理方面的書籍，查閱一下。
還可以找幾個典型的電路圖，看看別人的取值，照抄也不會差太多。
❸ BUCK電路中二極體的RC吸收電路如何設計，具體的R、C的參數，求公式
RC濾波電路的計算及公式
對於無源RC一階低通濾波電路，其傳遞函數為專G(s)=1/(RCs+1)。轉換為信號經過它屬的衰減的計算方法為：
Uo=Ui/[(2*Pi*f*R*C)^2+1]^0.5
式中：Uo為輸出電壓；Ui為輸入電壓；Pi為圓周率；f為信號頻率。
❹ 關於繼電器RC吸收迴路設計的問題
直流繼來電器，需在線圈兩端並聯二極體源，
這是因為當繼電器斷電（釋放）時，繼電器的線圈會產生自感電動勢，這個電壓會擊穿和它相連的三極體，所以常常在繼電器兩端連一個二極體（通常稱呼它叫：吸收二極體）將這個自感電動勢短路、吸收掉。不用二極體，那就要連一個適當大小的電容也可以。
2、對於交流來說，需在觸點（電源在高頻分析時短路）兩端並聯RC吸合迴路，RC吸合迴路由電容和電阻串聯組成。電阻經驗值：10-100歐姆，電容經驗值：0.1uF/250V或者0.22-0.47uF
這個觸點兩端的RC作用不一樣，它是為了減小觸電工作是的電火花用的，所以也稱吸收迴路，火花不僅對觸電壽命有影響，同時它也是一個干擾源，所以同時這樣做也是為了防干擾。
3、在交流繼電器出放至RC的話，不是有句話說，通交隔直嗎？在交流繼電器線圈上並聯一個C，不就是通直，從RC那條之路通過了嗎？
這個問題你就不要困擾著，首先，電容並不是真正地通過交流電，另外對於電容你也要看是多大容量，不就是0.22-0.47uF，你可用公式計算一下，對於50HZ交流電它的容抗是很大的，不會成為通路的。
❺ MOSFET需要並聯RC吸收電路嗎
MOSFET的DS端是否需要加RC吸收電路取決於DS端電壓的輸出波形情況，如果有較大震盪，那麼需要加吸版收電路權，具體步驟如下：
1、測量MOSFET的DS端波形，記錄震盪頻率；
2、DS端加電容（從小往大加），此時震盪頻率會降低，通常加到振盪頻率為不加時的二分之一；
3、通過此時C的值計算R的損耗，確定R值；
4、實測加入RC震盪的效果，並微調R和C的值；
❻ 雙向可控硅驅動電機，RC吸收電路電阻老燒！求解決。。電阻改大也沒用。
加大電阻的功率，或者減少C14的容量，103似乎太大了，我印象中那個電容不超過1000pF。
❼ 開關電源電路中RC吸收電路參數怎麼計算
你好，採用低通濾波
截止平率f=1/2πRC
從電阻端進入，然後通過一個電容接地
電容是通高頻阻低頻，所以電容對高頻信號呈現很低的阻抗，所以高頻信號被接地，所以低頻信號通過，稱為低通濾波器
❽ 雙向可控硅rc吸收電路可否用TVS替代，兩者比較有什麼區別
搜一下：雙向可控硅rc吸收電路可否用TVS替代，兩者比較有什麼區別？
❾ RC吸收電路原理
RC吸收電路原理抄~(個人理解說的不對不要扔磚頭)
相對於輸入源來講電容和電阻並聯~
正常的時候,輸入源的電壓電流穩定`電流通過電阻R向負載供電
但輸入源電壓出現波動的時候,(波動可看到幅度不穩定的交流)
大家都知道電容是隔直通交``交流電通過電容進行充電`此時直流電還是通過
電阻R向負載供電`這樣就能夠使負載保持相對穩定的電壓`
❿ mos管加上RC吸收後，會影響其開關頻率嗎 R、C的值怎麼選取
不會的，RC電路只會吸收能量。
RC電路是按指數e的規律上升或下降專的
電容端電壓上升或下降通式
（-t/RC）
U±Ae A為常數屬，公式計算是列常微分方程求解得出，以上是通式。
（-t/RC） （-t/RC）
上升關鍵就是+Ae ，下降關鍵就是-Ae
RC就是時間常數，當t取1RC，2RC，3RC，4RC，剛好是e的整數次冥。
理論上講，當t趨向於無窮大時候，充電或放電過程結束，工程計算上一般取
t=（3RC—5RC）就認為充電或放電過程結束，因為此時誤差很小（0.7%—5%）