Ⅰ 集成電路怎麼測量
集成電路的測試要把金電鍍焊在板子上燒入程序，然後看能不能開機，比如CPU測試就是放在主板上裝系統能夠運行CPU是好的。
Ⅱ 集成電路在可靠性方面會做哪些測試
問的太寬泛，簡單來說主要針對：
1、環境測試。常用測試項包括高低溫、高濕、高氣壓、機械沖擊；
2、電氣應力測試。常用測試項包括HTOL、Surge、EFT、ESD、EMI等等
Ⅲ 集成電路有哪些直流參數 測試方法
包括 1. 開路/短路測試(輸入箝（同鉗，qian)位電壓VIK的測試）
開短路測試（又稱OPEN/SHORT 測試，O/S測試，continuity test 或contact test），主要是用於測試電子器件的連接情況，顧名思義，開短路測試就是測試開路與短路，具體點說就是測試一個電子器件應該連接的地方是否連接，如果沒有連接上就是開路，如果不應該連接的地方連接了就是短路。通常都會被放測試程序的最前面。
2.輸出高低電平（VOH/VOL)測試
VOH/VOL測試的目的是檢查器件在指定電壓下輸出電流的能力。輸入端在施加規定的電平信號下，使輸出端位邏輯高/低電平時的電壓。VCC通常位規定范圍的最小值，測試使用IFVM（加恆流測電壓）方式，對於VOH測試，在輸出端抽取規定范圍的IOH，其餘輸出端開路，同時測量該輸出端的電壓VOH。同理對於測量VOL時候，抽取IOL，測量到的電壓就為VOL。這兩個參數的測試主要時檢查器件的抗干擾能力。
3.輸入高/低(IIH/IIL)電流測試
輸入端在輸入規定的電壓值VIH/VIL時候，測量到流入輸入端的電流值IIH/IIL。目的是檢查DUT的輸入負載特性。這個參數主要時驗證器件接受邏輯值1和0的能力。
4.輸入漏電流II測試
所謂泄漏電流是指在沒有故障施加電壓的情況下，電氣中帶相互絕緣的金屬零件之間，或帶電零件與接地零件之間，通過其周圍介質或絕緣表面所形成的電流稱為泄漏電流。輸入端在輸入最大電壓VL時流入被測試器件的電流。VCC設定為規范中的最大值。和測量輸入高低電流方法一樣，只是加壓和測量的電流值不一樣。其餘輸入端加規定電平。輸出端開路。IL用於檢查器件的扇入負載的特性。泄漏電流實際上就是電氣線路或設備在沒有故障和施加電壓的作用下，流經絕緣部分的電流。因此，它是衡量電器絕緣性好壞的重要標志之一，是產品安全性能的主要指標。檢測的意義在於判斷產品耐高壓的安全性。
5.輸出短路電路IOS測試（output short circuit current test)
輸出短路電流（IOS），顧名思義，就是輸出埠處於短路狀態時的電流。
6.輸出高阻電流（IOZH/IOZL）
IOZL指的是一個低電平施加在一個處於高阻態的輸出管腳上，管腳上產生的漏電流，與之類似，IOZH指的是一個高電平施加在一個處於高阻態的輸出管腳上，管腳上產生的漏電流。
7.電源電流測試
電源電流測試包括IDD總電流測試（IDD Gross Current），IDD靜態電流測試（IDD static Current），IDDQ測試，動態IDD測試（Dynamic Current）。在輸入端施加規定的電平使輸出端為邏輯高高電平，此時流經器件電源輸入端的電流為ICCH，同理當輸出端表現為邏輯低電平時，對應為ICCL。此測量用於檢查器件的功耗。
Ⅳ 集成電路怎樣檢測
集成電路常用的檢測方法有在線測量法、非在線測量法和代換法。內
1．非在線測量容：
非在線測量潮在集成電路未焊入電路時，通過測量其各引腳之間的直流電阻值與已知正常同型號集成電路各引腳之間的直流電阻值進行對比，以確定其是否正常。
2．在線測量：
在線測量法是利用電壓測量法、電阻測量法及電流測量法等，通過在電路上測量集成電路的各引腳電壓值、電阻值和電流值是否正常，來判斷該集成電路是否損壞。
3．代換法：
代換法是用已知完好的同型號、同規格集成電路來代換被測集成電路，可以判斷出該集成電路是否損壞。
Ⅳ 集成電路的檢測都會使用到哪些檢測設備
集成電路的檢測（IC test）分為wafer test（晶圓檢測）、chip test（晶元檢測）和package test（封裝檢測）。
wafer test是在晶圓從晶圓廠生產出來後，切割減薄之前的檢測。其設備通常是測試廠商自行開發製造或定製的，一般是將晶圓放在測試平台上，用探針探到晶元中事先確定的檢測點，探針上可以通過直流電流和交流信號，可以對其進行各種電氣參數檢測。
對於光學IC，還需要對其進行給定光照條件下的電氣性能檢測。
wefer test主要設備：探針平台。
wefer test輔助設備：無塵室及其全套設備。
wefer test是效率最高的測試，因為一個晶圓上常常有幾百個到幾千個甚至上萬個晶元，而這所有晶元可以在測試平台上一次性檢測。
chip test是在晶圓經過切割、減薄工序，成為一片片獨立的chip之後的檢測。其設備通常是測試廠商自行開發製造或定製的，一般是將晶圓放在測試平台上，用探針探到晶元中事先確定的檢測點，探針上可以通過直流電流和交流信號，可以對其進行各種電氣參數檢測。chip test和wafer test設備最主要的區別是因為被測目標形狀大小不同因而夾具不同。
對於光學IC，還需要對其進行給定光照條件下的電氣性能檢測。
chip test主要設備：探針平台（包括夾持不同規格chip的夾具）
chip test輔助設備：無塵室及其全套設備。
chip test能檢測的范圍和wafer test是差不多的，由於已經經過了切割、減薄工序，還可以將切割、減薄工序中損壞的不良品挑出來。但chip test效率比wafer test要低不少。
package test是在晶元封裝成成品之後進行的檢測。由於晶元已經封裝，所以不再需要無塵室環境，測試要求的條件大大降低。
一般package test的設備也是各個廠商自己開發或定製的，通常包含測試各種電子或光學參數的感測器，但通常不使用探針探入晶元內部（多數晶元封裝後也無法探入），而是直接從管腳連線進行測試。
由於package test無法使用探針測試晶元內部，因此其測試范圍受到限制，有很多指標無法在這一環節進行測試。但package test是最終產品的檢測，因此其檢測合格即為最終合格產品。
IC的測試是一個相當復雜的系統工程，無法簡單地告訴你怎樣判定是合格還是不合格。
一般說來，是根據設計要求進行測試，不符合設計要求的就是不合格。而設計要求，因產品不同而各不相同，有的IC需要檢測大量的參數，有的則只需要檢測很少的參數。
事實上，一個具體的IC，並不一定要經歷上面提到的全部測試，而經歷多道測試工序的IC，具體在哪個工序測試哪些參數，也是有很多種變化的，這是一個復雜的系統工程。
例如對於晶元面積大、良率高、封裝成本低的晶元，通常可以不進行wafer test，而晶元面積小、良率低、封裝成本高的晶元，最好將很多測試放在wafer test環節，及早發現不良品，避免不良品混入封裝環節，無謂地增加封裝成本。
IC檢測的設備，由於IC的生產量通常非常巨大，因此向萬用表、示波器一類手工測試一起一定是不能勝任的，目前的測試設備通常都是全自動化、多功能組合測量裝置，並由程序控制，你基本上可以認為這些測試設備就是一台測量專用工業機器人。
IC的測試是IC生產流程中一個非常重要的環節，在目前大多數的IC中，測試環節所佔成本常常要佔到總成本的1/4到一半。
Ⅵ 集成電路的測量方法
(1)非在線測量知法。非在線MAX208IDBR測量法是在集成電路未焊人電路時,通過測量其各引腳之間的直流電阻值與已知正常同型號集成電路引腳之間的正、反向直流電阻值進行對比來確定其是否正常。
(2)在線測量法。在線測量法是利用電壓測量法、電阻測量法及電流測量法等,通過在電路上測量集成電路的各引腳電壓值、電阻值和電道流值是否正常來判斷該集成電路是否損壞。
(3)代換法。代換法是用已知完好的同型號、同規格集成電路回來代換被測集成電路,可以判斷出該集成電路是否損壞。
微處理器集成電路的檢測。微處理器集成電路的關鍵測試引腳是ⅤDD電源端、RESET復位端、ⅪN晶振信號輸入端、Ⅹ0UT晶振信號輸出端及其他各輸人、輸出端。在線測量這些關鍵引腳對地的電阻值和電壓值,看是否與正常值(可從產品電路圖或有關維修資料中查出)相同。不同型號微處理器的RESET復位電也不相同,有的是低電平復位,即在開機瞬間為答低電平,復位後維持高電平;有的是高電平復位,即在開關瞬間為高電平,復位後維持低電平。
Ⅶ 集成電路常用的檢測方法有哪些
(1)非在線來測量法。非在線MAX208IDBR測量法是在集成電源路未焊人電路時,通過測量其各引腳之間的直流電阻值與已知正常同型號集成電路引腳之間的正、反向直流電阻值進行對比來確定其是否正常。
(2)在線測量法。在線測量法是利用電壓測量法、電阻測量法及電流測量法等,通過在電路上測量集成電路的各引腳電壓值、電阻值和電流值是否正常來判斷該集成電路是否損壞。
(3)代換法。代換法是用已知完好的同型號、同規格集成電路來代換被測集成電路,可以判斷出該集成電路是否損壞。
微處理器集成電路的檢測。微處理器集成電路的關鍵測試引腳是ⅤDD電源端、RESET復位端、ⅪN晶振信號輸入端、Ⅹ0UT晶振信號輸出端及其他各輸人、輸出端。在線測量這些關鍵引腳對地的電阻值和電壓值,看是否與正常值(可從產品電路圖或有關維修資料中查出)相同。不同型號微處理器的RESET復位電也不相同,有的是低電平復位,即在開機瞬間為低電平,復位後維持高電平;有的是高電平復位,即在開關瞬間為高電平,復位後維持低電平。
Ⅷ 半導體二極體，三極體的篩選及老化方法有哪些
檢查的主要內容如下：
②電位器、可變電容器和可調電感器等元件，調動時應該旋轉平穩，無跳變或卡死現象。④膠木件表面無裂紋、起泡和分層。瓷質件表面光潔平整，無缺損。⑤帶有密封結構的元器件，密封部位不應損壞和開裂。⑥鍍銀件表面光亮，無變色和發黑現象。2暢元器件的篩選和老化③接插件應插拔自如，插針、插孔鍍層光亮，無明顯氧化和玷污。①元器件外觀應完整無損，標注清晰，引線和接線端子無銹蝕和明顯氧化。篩選和老化的目的是剔除因某種缺陷而導致早期失效的元器件，從而提高元器件的使用壽命和可靠性。因此，凡有篩選和老化要求的元器件，在整機裝配前必須按照整機產品技術要求和有關技術規定進行嚴格的篩選和老化。然而在課堂化的業余條件下，不具備對元器件進行正規的篩選和老化的條件，只有藉助於萬用表和有關通用儀器對元器件進行一般的檢測，對阻容元件、二極體、三極體、集成電路、
電感線圈、電位器等元件的一般檢測在前面已學過的課程中已作介紹，這里不再敘述。而電視機生產廠傢具備對元器件進行篩選和老化的條件，且由專業人員操作，比較復雜。下面以對半導體二極體、三極體和集成電路的篩選和老化的技術要求為例作簡要介紹，僅供學生參考。（1）半導體二極體、三極體的篩選和老化①篩選程序：
b暢三極體：高溫儲存→溫度沖擊→跌落（大功率管不做）→高溫反偏（硅PNP管）→功率老化→高低溫測試（必要時做）→常溫測試→檢漏→外觀檢查。
心→功率老化。篩選程序可根據具體情況作相應變化，但其主要項目有：高溫儲存→溫度沖擊→跌落或離②條件及要求：
儲存時間：A級48h，B級96h。儲存溫度：硅二極體（150±3）℃；硅三極體（175±3）℃；鍺二極體、三極體（100±2）℃。a暢高溫儲存漏電流→常溫測試→檢漏→外觀檢查。a暢二極體（此處指整流二極體）：高溫儲存→溫度沖擊→敲擊→功率老化→高溫測試反向
鍺元件：（－55±3）℃茨（85±2）℃。b暢溫度沖擊
硅元件：（－55±3）℃茨（125±3）℃。先低溫後高溫，轉換時間小於1min，每種狀態下放置1h，循環次數為5次。
允許曲線有跳動現象。敲擊次數為3～5次。c暢敲擊在專用夾具上，用小錘敲擊器件，並用圖示儀監視最大工作電流正向曲線。不
在c－b極間加反向電壓（具體電壓值按技術部門的指定值）。反偏時間約4h，漏電流不超過規定值。f暢高溫測試試驗溫度鍺二極體為（70±2）℃，鍺中小功率三極體為（55±2）℃，鍺大功g暢低溫測試試驗溫度為（－55±3）℃，恆溫時間為30min。
i暢檢漏按技術文件規定進行。（2）半導體集成電路的篩選h暢常溫測試按技術文件規定進行。e暢高溫反偏鍺管在（70±2）℃，硅管在（125±3）℃下，二極體加額定反向電壓，三極體d暢功率老化在常溫下，按技術要求通電老化。老化時間A級12h，B級24h。率三極體為（75±2）℃，硅二、三極體為（125±3）℃。恆溫時間為30min。①高溫儲存它的作用是通過高溫加熱，加速任何可能發生或存在的表面化學反應，使儲存條件：溫度150～（175±5）℃，儲存時間為48h或96h。150℃適用於環氧扁平封裝循環條件：溫度為（－55±3）℃茨（125±3）℃。先低溫後高溫，每種溫度下保持30min，②溫度循環此項目能檢驗電路內不同結構材料的熱脹冷縮性是否匹配。電路穩定，剔除潛在的失效電路。的電路，175℃適用於其他材料封裝的電路。
Ⅸ 集成電路管腳鍍錫,高溫為什麼變黃怎麼處理
關於純錫變色機理出現各種版本，根據我們測試變色樣品和未變色樣品的能譜發現，發黃樣品的含碳量明顯偏高，也就是說，葯水沒有清洗干凈，或者說鍍層的夾雜是變色的根本原因！根據我在網上收集的國內外關於鍍錫層變色問題的信息發現，傳統的鍍後鹼性磷酸鈉中和工藝對清洗鍍層表面的葯水效果都不甚理想，現在某些公司採用酸性錫保護劑作為後處理工藝效果不錯，我們同樣採用能譜分析發現，發黃樣品經過酸性錫保護劑處理後，鍍層含碳量明顯降低！然後經過48h烘烤（150度），未出現變色問題！因此我們認為，發黃的原因還是鍍層中碳含量過高，要解決這個問題，必須從以下幾個方面入手 1。選取合適的葯水，劣質葯水害人不淺； 2。定期用碳粉處理鍍液（無論多麼優質的葯水，都有一定的分解） 3。強化清洗 4。改進後處理工藝，在鍍錫中和後加一步保護劑工藝.錫保護劑的作用：BSn-2006錫保護劑工藝是應用於電子鍍錫元件的後處理工藝，經此工藝處理後，能形成均勻穩定的表面結構，抑制電子元件放置過程中和迴流時的變色問題，保護錫鍍層的焊錫性。此工藝可作為光亮鍍錫工藝、亞錫工藝以及錫合金工藝的後處理工藝。其特點有：使用方便，既可原液使用，也可以簡單稀釋至20～70％使用；處理時間短；酸性工藝，較傳統的鹼性磷酸鈉中和工藝效果更佳；處理後得到穩定的表面結構，防變色效果顯著。
有的時候，經過高低溫試驗後，還會變黑，或者是發烏是怎麼回事？
很有可能是氧化了。
Ⅹ 集成電路生產過程中有哪些主要的測試
大約有：
機械性能：強度等
電氣性能：電壓 、電流、頻率等
電氣可靠性：抗磁、抗靜電等
耐高低溫：抗高低溫等
耐濕、耐腐蝕 、抗干擾、抗輻射 、、、