① 求畢業論文設計 ：音頻放大器設計其中一部分，
http://..com/link?url=WShWe6_U82GWuhZC8Bb0z-ckE-kprczq8DI4G
② 氣體檢測儀器在使用的時候需要注意什麼
一、注意經常性的校準和檢測
有毒有害氣體檢測儀也同其它的分析檢測儀器一樣，都是用相對比較的方法進行測定的：先用一個零氣體和一個標准濃度的氣體對儀器進行標定，得到標准曲線儲存於儀器之中，測定時，儀器將待測氣體濃度產生的電信號同標准濃度的電信號進行比較，計算得到准確的氣體濃度值。因此，隨時對儀器進行校零，經常性對儀器進行校準都是保證儀器測量准確的必不可少的工作。需要說明的是：目前很多氣體檢測儀都是可以更換檢測感測器的，但是，這並不意味著一個檢測儀可以隨時配用不同的檢測儀探頭。不論何時，在更換探頭時除了需要一定的感測器活化時間外，還必須對儀器進行重新校準。另外，建議在各類儀器在使用之前，對儀器用標氣進行響應檢測，以保證儀器真正起到保護的作用。
二、注意各種不同感測器間的檢測干擾
一般而言，每種感測器都對應一個特定的檢測氣體，但任何一種氣體檢測儀也不可能是絕對特效的。因此，在選擇一種氣體感測器時，都應當盡可能了解其它氣體對該感測器的檢測干擾，以保證它對於特定氣體的准確檢測。
三、注意各類感測器的壽命
各類氣體感測器都具有一定的使用年限，即壽命。一般來講，在攜帶型儀器中，LEL感測器的壽命較長，一般可以使用三年左右；光離子化檢測儀的壽命為四年或更長一些；電化學特定氣體感測器的壽命相對短一些，一般在一年到兩年；氧氣感測器的壽命最短，大概在一年左右。電化學感測器的壽命取決於其中電解液的乾涸,所以如果長時間不用，將其密封放在較低溫度的環境中可以延長一定的使用壽命。固定式儀器由於體積相對較大，感測器的壽命也較長一些。因此，要隨時對感測器進行檢測，盡可能在感測器的有效期內使用，一旦失效，及時更換。
四、注意檢測儀器的濃度測量范圍
各類有毒有害氣體檢測器都有其固定的檢測范圍。只有在其測定范圍內完成測量，才能保證儀器准確地進行測定。而長時間超出測定范圍進行測量，就可能對感測器造成永久性的破壞。
比如，LEL檢測器，如果不慎在超過100%LEL的環境中使用，就有可能徹底燒毀感測器。而有毒氣體檢測器，長時間工作在較高濃度下使用也會造成損壞。所以，固定式儀器在使用時如果發出超限信號，要立即關閉測量電路，以保證感測器的安全。
③ 宏碁筆記本為什麼會突然黑屏
1、顯示器
由於顯示器自身的原因而不能正常工作造成的黑屏，如顯示器的電源線有問題，電源插頭接觸不良(注意：兩頭都有可能)，電源開關壞，顯示器內部電路故障等。
2、主板
集成了 BIOS晶元、I/O控制晶元、鍵和面板控制開關介面、指示燈插接件、擴充插槽、主板及插卡的直流電源供電接插件等元件。
主板引起開機無顯主要因：非硬體故障：BIOS設置錯誤、或者靜電、介面生綉引起。
解決方法：把主板上的COMS電池插下一分鍾後再安裝上，介面生綉主要是內存介面，在確保斷電後用一字刀反復摩擦。
晶元故障：主板晶元本身導致，在排除介面和主要和顯示相關配件是正常的情況下（如交換內存、CPU、顯示器、移除所以外接介面），如開機還是無顯示，可以判定是主板本身故障。如果遇到這種情況我們只能拿到專業的維修店找師傅用專業的儀器檢測，確定具體晶元故障。
3、內存
內存是與CPU進行溝通的橋梁，經常松動或者金手指生綉，導致開機無顯，一般開機「滴、滴」報警兩聲。
解決方法：把內存拔掉用橡皮搓清理內存金手指，重新安裝就可以解決此類問題;如果故障依舊，可以交換內存測試，兩聲報警90%情況就是因內存引起。
4、顯卡
與顯示器最有直接關聯的就是顯卡，如果顯卡沒有信號送出或有信號送不出去時，這時顯示器當然不會亮了。在實際使用中，顯卡與主板不兼容，顯卡的信號輸出插座接觸不好或松動，再有就是顯卡損壞，顯卡與主板的AGP插槽接觸不好，這些都會造成顯示器不亮。
5、信號線
檢查顯示器信號線的D形插頭是否有斷針，歪針或短針情況，再者就是信號線內部有斷線。解決方法是更換優質的信號線。
6、軟體沖突
這類故障最典型的特徵是當安裝完某一個軟體後，系統提示重啟，自檢畫面後，顯示屏上只有游標在閃爍。解決方啟動時按住「Ctrl」鍵，選第3項進入安全模式後，把剛才安裝的軟體卸載。
7、病毒破壞
病毒的破壞力極強，特別是隨著互聯網時代的到來，通過網路傳播的病毒也越來越多。能夠造成顯示器黑屏的病毒如：CIH之類的病毒，這類病毒的破壞性極強，直接對主板的BIOS晶元進行改寫，造成機器根本不啟動，不自檢。
④ 微星785gtm e45超頻
微星785G-E45在主板上做的是個顯卡超頻開關。要超頻CPU需要在主板BIOS里進行設置。具體的設置方法：一、BIOS主菜單
1、Standard CMOS Features 標准CMOS屬性 8、Cell Menu 核心菜單
2、Advanced BIOS Features 高級BIOS 屬性 9、M-Flash U盤刷新BIOS
3、Integrated Peripherals 整合周邊設備 10、User Settings 用戶設置項
4、Power Management 電源管理 11、Load Fail-Safe Defaults 載入安全預設值
5、H/W Monitor 硬體監測 12、Load Optimized Defaults 載入優化值
6、Green Power 綠色節能 13、Save & Exit Setup 保存設置並退出
7、BIOS Setting Password 開機密碼設置 14、Exit Without Saving 退出而不保存
進入Cell Menu 核心菜單設置
二、Cell Menu 核心菜單設置
1、CPU相關設置
CPU相關設置有9項
1-1、CPU Specifications：這是查看CPU的規格和參數，也可以隨時按F4查看。
1-2、AND Cool `n` Quiet：AMD CPU的節能技術，也叫「涼又靜」。依據CPU負載改變CPU的倍頻和電壓。當CPU空閑時，核心電壓降到最低，倍頻也降到最低。如果主板有微星的APS功能，請開啟這個選項。該選項的設置是Enabled和Disabled。
1-3、Adjust CPU FSB Frequency （MHz）：調整CPU的前端匯流排頻率。默認的頻率是CPU的標准FSB頻率，用戶可以自己調整，就是超頻。在這里直接鍵入頻率數值，比如220。
1-4、Adjust CPU Ratio：調整CPU的倍頻。AMD的CPU一般是鎖定最高倍頻的，只能降低倍頻。有個別不鎖倍頻的CPU才可以調整到更高的倍頻。該項的默認設置是Auto。敲回車，彈出倍頻列表，用戶可以從中選擇希望的倍頻。
1-5、Adjust CPU-NB Ratio：調整CPU內北橋（內存控制器）的倍率。AMD CPU整合了內存控制器，這個選項可以調整內存控制器的倍率。調整這個倍率要與內存頻率設置相互配合，一般需要多次調整，才能達到最佳效果，如果設置不正確，可能引起藍屏死機。
1-6、EC Firmware：EC固件設置。這是AMD SB710晶元組新開的一個設置項，用於開啟被AMD關閉核心（有部分是不能正常運作的）。這項的默認設置是Normal。敲回車，彈出選項菜單供用戶選擇。
Normal是普通模式，就是不開啟關閉的核心。Special是特殊模式，開啟被關閉的核心。注意這個選項要配合下面的Advanced Clock Calibration設置。
1-7、Advanced Clock Calibration：高級時鍾校準。這是SB750開始有的有的功能。用於校準CPU的時鍾頻率，同時支持AMD的CPU超頻軟體AMD Over Drive。SB710繼承了這項功能，還可以配合EC Firmware開啟關閉的核心。默認設置是Disabled。敲回車彈出選項菜單：
Auto是自動模式。想開啟關閉的核心，請設置為Auto。
All Cores是對所有核心都進行相同的高級時鍾校準。選擇了All Core後，菜單會多出一個選項。
就是要求選擇校準的百分比。在Value上敲回車會彈出百分比選擇菜單。
Per Core可以對每個核心單獨設置時鍾校準百分比。選擇Per Core後，菜單會多出一個選項：
也是要求選擇校準的百分比。在每一個Value敲回車都會彈出百分比選擇菜單。
請注意，Value的個數與CPU的核心數相匹配，比如2核的就有2個Value選項。
1-8、Auto Over Clock Technology：微星獨有的一種自動超頻技術，默認是Disabled，可以設置為Max FSB。就是系統自動偵測CPU可能超頻的最大FSB值。設置該項後，系統可能重復啟動多次，最後找到最大FSB啟動。由於FSB涉及內存的頻率，可能會因為內存緣故而出現在最大FSB情況下，不能進系統，或者藍屏死機。
1-9、Multistep OC Booster：這是微星獨有的超頻輔助技術，當CPU因超頻較高，不能啟動時，可以利用這個選項。它的作用是先以較低的頻率啟動進系統，然後再恢復原來頻率。
該選項默認是Disabled，有Mode1和Mode2選項。Mode1是以低於原頻率90%的頻率啟動。Mode2是以低於原頻率80%的頻率啟動。
2、內存相關設置
內存設置有3項：
2-1、MEMORY-Z：這是查看內存的SPD參數。也可以隨時按F5查看
插2條內存，彈出2條內存的SPD信息，如果插4條，就會有4條SPD信息。回車就可以查看1條內存的SPD：
2-2、Advance DRAM Configuration：高級DRAM配置。就是用戶自己配置內存時序參數。回車進入高級DRAM配置：
2-2-1、DRAM Timing Mode：DRAM時序模式。有4項設置：Auto、DCT0、DCT1、Both。
Auto就是按內存條的SPD設置內存時序參數。DCT0是設置通道A，DCT1是設置通道B，Both是設置2個通道。默認設置是Auto。
這是DCT0的時序參數設置：
內存時序參數最主要的有4個。CL-tRCD-tRP-tRAS，這4個參數也是在內存條上常常看到的，比如8-8-8-24，就是這4個參數。
附註：內存時序參數知識
1、內存晶元內部的存儲單元是矩陣排列的，所以用行（Row）地址和列（Column）地址標識一個內存單元。
2、內存定址就是通過行地址和列地址尋找內存的一個存儲單元。系統發出的地址編碼需要經過地址解碼器譯出行地址和列地址，才可以對內存讀寫。
3、內存晶元是易失性存儲器，必須經常對內存的每個存儲單元充電，才可以保持存儲的數據。讀寫前要先對選定的存儲單元預充電（Pre charge）。
4、對內存的存儲單元讀寫前要先發出激活（Active）命令，然後才是讀寫命令。
5、CL就是CAS Latency，CAS（列地址選通）潛伏時間，實際上也是延遲。指的是CPU發出讀命令到獲得內存輸出數據的時間間隔。
6、tRCD是RAS-to-CAS Delay，行地址選通到列地址選通的延遲。一般是指發出激活命令和讀寫命令之間的時間間隔。在這段時間內經過充電，數據信號足夠強。
7、tRP是Row-Pre charge Delay，行預充電延遲。一般是指發出預充電命令和激活命令之間的時間間隔。在這段時間內對激活的行充電。
8、tRAS是Row-active Delay，行激活延遲。一般是指行激活命令和發出預充電命令之間的時間間隔。
9、上述潛伏和延遲時間可以用絕對時間值ns，也可用相對時間—周期。一般多用周期表達。周期數越小，內存的速度越高。選購內存，不僅要看標注的頻率，還要看標注的時序參數。內存時序參數標准由JEDEC制定。下面列出DDR3的時序參數規格，供參考。
標準的時序參數有7-7-7/8-8-8/9-9-9三種，其中7-7-7的最好。還有非標準的7-8-8/8-9-9的，這種時序參數的內存條，上標稱頻率就會死機藍屏。降一級頻率就沒有問題。
2-2-2、DRAM Drive Strength：DRAM驅動強度。
該選項有4個參數，Auto是BIOS自動依據內存設置。其他是用戶自己設置，DCT0是設置通道A，DCT1是設置通道B，Both是設置2個通道。設置為DCT0/1或Both時，會增加設置項目，下面看看用戶自己手動設置的項目：
每個通道的信號驅動強度設置包括8項。
CKE Drive Strength：時鍾允許（Clock enable）信號驅動強度
CS/ODT Drive Strength：片選/內建終端電阻驅動強度
Addr/Cmd Drive Strength：地址/命令驅動強度
Clock Drive Strength：時鍾信號驅動強度
Data Drive Strength：數據信號驅動強度
DQS Drive Strebgth：數據請求信號驅動強度
ProcOdt：CPU內建終端電阻
驅動強度的設置就是用戶設置內存信號的強度，一般以默認為1，設置選項是默認的倍率：
2-2-3、DRAM Advance Control：DRAM高級控制。
該選項有4個參數，Auto是BIOS自動依據內存設置。其他是用戶自己設置，DCT0是設置通道A，DCT1是設置通道B，Both是設置2個通道。設置為DCT0/1或Both時，會增加設置項目，下面看看用戶自己手動設置的項目：
每個通道的高級控制有6項。
DRAM Termination：內存晶元的片內終端電阻。從DDR2開始內存防止信號干擾的終端電阻放在晶元內。DDR3也是這樣。這項是設置終端電阻的參數，設置參數有Auto、Disabled、75 ohms、150 ohms、50 ohms。默認是Auto。
DRAM Drive Weak：減弱DRAM驅動強度。設置參數有Auto、Normal、Reced。Auto是讓BIOS依據內存條自動設置。Normal是默認強度，Reced是減弱驅動強度。
DRAM Parity Enable：允許DRAM 奇偶校驗。奇偶校驗是對內存讀寫是防止數據錯誤的一種方法。但允許奇偶校驗會影響內存讀寫速度。設置參數有Auto、Enabled、Disabled。默認設置是Auto。
DRAM Self Refresh Rate Enable：允許DRAM自刷新速率。DRAM刷新就是充電，通過充電保持數據信號。自刷新是關閉系統時鍾CKE，DRAM採用自己的內部時鍾確定刷新速率。設置參數有Auto、Enabled、Disabled。默認設置是Auto。
DRAM Burst Length 32：DRAM突發模式的長度32。突發模式是系統對內存讀寫時一次連續讀寫。連續讀寫的長度有32位元組和64位元組。這項設置就是選擇32位元組，還是64位元組。設置參數有Auto、64位元組、32位元組。默認是Auto。Auto就是由系統依據數據分布自動採用突發模式的長度。
Bank Swizzle Mode：Bank攪和模式。內存晶元內的存儲單元是按矩陣排列的，每一矩陣組成一個Bank，晶元內的Bank有4 Bank、8 Bank等，一般中文稱之為邏輯Bank。
內存晶元組成內存條後，也有Bank，一般以64位為一個Bank。通常一面內存的8顆晶元構成一個Bank。雙面就是2個Bank。CPU和內存進行數據交換時以Bank為單位，一次交換64位數據，也就是通常說的「帶寬」，雙通道就是128位。這種Bank稱之為物理Bank。CPU訪問內存時先定位物理Bank，然後通過片選（信號）定位晶元內的邏輯Bank。
插在DIMM槽的內存條有1個或2個片選Bank，訪問命令不管實際有幾個片選Bank，都是覆蓋2個。Bank Swizzle模式就是通過異或（XOR）邏輯運算，判定實際的片選Bank。設置參數有Auto、Disabled、Enabled。Auto就是交給BIOS和系統處理。Disabled就是禁止Swizzle模式，Enabled就是允許。Swizzle模式可以提高CPU的性能，但是會影響顯卡性能。一般還是設置Auto為好。
2-2-4、1T/2T Memory Timing：1T/2T內存時序。這個選項也叫做「命令速度」，就是內存控制器開始發送命令到命令被送到內存晶元的延遲。1T當然比2T快。但是要依據內存條的性能。性能低的設置1T後肯定要藍屏死機。一般保持Auto設置即可，讓BIOS自己去設置。
2-2-5、DCT Unganged Mode：內存通道控制模式。選擇內存通道的控制模式，Ganged是一個雙通道，128位帶寬。Unganged是2個單通道，64位x2帶寬。設置選項是Disabled（Ganged）和Enabled（Unganged）。默認是Enabled。
2-2-6、Bank Interleaving：Bank交錯存取。內存bank 交錯存取可以讓系統對內存的不同bank同時存取，可以提升內存速度及穩定性。設置值有Auto和Disabled，默認值是Auto(開啟交錯存取)。
2-2-7、Power Down Enabled：開啟或關閉DRAM Power Down。內存掉電設置，選項有Disabled和Enabled。默認是Disabled。
設置為Enabled後，增加Power Down Mode選項，選擇Channel模式和Chip Select模式。
2-2-8、MemClk Tristate C3/ATLVID：開啟或關閉內存時鍾在C3/ATLVID下的3態。默認是關閉的（Disabled）。
2-3、FSB/DRAM Ratio：前端匯流排和內存倍率設置。
默認設置是Auto，自動識別內存條的SPD，設置內存頻率。回車可以手動設置。
通過設置倍率可以改變內存的頻率，FSB=200，1:2就是DDR800，1:3.33就是DDR1333。1:4 就是DDR1600。
如果出現藍屏死機現象，可以先通過這項設置降低內存頻率試試，是不是內存不兼容或內存品質不良。如果降低頻率可以排除故障，可以降頻使用，或者更換內存條。
DDR3 1333內存條有3種，一種是SPD只有1066，沒有1333，可以通過設置倍率（1:1.333）上到1333。第二種是SPD有1333，但是1333的參數不對，1333對應的頻率應該是666，這種內存的頻率是601，這樣的內存也需要通過設置倍率上1333。第三種是標準的1333，SPD的1333頻率參數是666或667。這種內存默認就可以上1333。
DDR3 1600內存有3種：超頻1600的（SPD只有1333），可以通過設置倍率（!:4）到1600。第2種是SPD參數有1600（800），這樣的內存條可以默認上1600。第3種是1600採用X.M.P規格，使用這種1600內存，BIOS會出現X.M.P選項，把這項設置為Disabled即可上1600
3、內置顯卡超頻
為方便用戶對內置顯卡4200超頻，BIOS把顯卡頻率設置選項移到核心菜單，叫做：
Onboard VGA Core Over Clock。
Onboard VGA Core Over Clock的設置項有Disabled（默認）和Enabled。
開啟顯卡超頻，增加一項調整顯卡頻率值的選項：Adjust Onboard VGA Frequency。默認值是500MHz。超頻時直接鍵入頻率值，比如550MHz。
4、HT和PCI相關設置
HT（超傳輸）匯流排是AMD的開發的晶元互連匯流排。AMD把內存控制器移到CPU，CPU內部採用HT匯流排。顯卡採用PCIE匯流排，HT和PCIE之間需要橋接。AMD的北橋就起到HT和PCIE的橋接作用。北橋和CPU之間是HT匯流排連接。所以BIOS有HT匯流排的設置和PCIE匯流排的設置。相關設置有4項：
4-1、HT Link Control：HT鏈接控制。這個選項設置需進入二級菜單。回車進入二級菜單後，看到的是2個選項：
HT Incoming Link Width和HT Outgoing Link Width：HT上行鏈接寬度和下行鏈接寬度。HT匯流排採用差分信號，單向串列傳輸。每一路採用一對信號線，一條發送信號（下行），一條接收信號（上行）。這兩個選項就是設置HT匯流排的位寬。3個設置項：Auto（默認）、8位、16位。Auto是讓系統自動設置，8位和16位是手動設置。
2-4-2、HT Link Speed：HT鏈接速度。鏈接速度以倍率表示，從x1到x13。默認設置是Auto，系統自動依據CPU動態設置，FSB超頻會自動提升HT鏈接速度。用戶也可以手動設置固定的倍率。X1是200MHz，X5就是1000MHz，以此類推。
2-4-3、Adjust PCI-E Frequency：調整PCI-E頻率。
系統給PCI-E的頻率是100MHz，由於現在的FSB和PCI-E時鍾頻率是分開的，調整FSB頻率不會影響PCI-E/PCI頻率。超頻時不必再考慮鎖定PCI-E和PCI頻率。BIOS也沒有鎖定選項。這里的PCI-E頻率調整是為PCI-E超頻設計的，直接鍵入超頻頻率值，超頻范圍是100MHz-150MHz。
2-4-4、Auto Disable DRAM/PCI Frequency：自動關閉DRAM/PCI時鍾信號。
默認設置是Enabled，系統將關閉空閑的DRAM和PCI槽的時鍾信號，降低干擾。
5、電壓設置
785GM-E65 BIOS提供了8項電壓設置：
CPU VDD電壓：CPU VDD電壓。調整范圍1.1000-1.5500V
CPU-NB VDD電壓：CPU內北橋VDD電壓。調整范圍1.1000-1.5500
CPU電壓：CPU核心電壓。調整范圍1.025-1.975V
CPU-NB電壓：CPU內北橋電壓。調整范圍1.202-1.520V
DRAM電壓：內存電壓。調整范圍1.50-2.42V
NB電壓：北橋電壓。調整范圍1.108-1.337V
HT Link電壓：HT匯流排鏈接電壓。調整范圍1.202-1.454V
SB電壓：南橋電壓。調整范圍1.228-1.472V
1、上面8項電壓中，前2項VDD電壓是CPU內的CMOS電路的漏極電壓。調整這個電壓可以使超頻更穩定。
2、其餘5項電壓是供電電壓。超頻時提高一點電壓可以提高超頻成功率。因為超頻後，CPU內的CMOS開關頻率加快，輸出信號的電平幅度會降低，導致信號不穩定，提高一點供電電壓，就會提高信號電平幅度，增強信號。
簡單講CPU內的所有晶體管都是CMOS電路，都是開關。CPU運算就是這些CMOS開關電路不停地「開」和「關」。「開」就是導通，讓代表「1」的高電平信號通過。「關」就是斷開，信號變成低電平，表示「0」。如果代表「1」的高電平較低，就會與低電平的「0」混淆，CPU分辨不出「1」和「0」，自然運算就出錯，導致死機、藍屏。
3、電壓提升過高也不利於超頻，因為電壓過高，把信號電平也拉高，信號電平越高，CMOS開關的頻率就無法加快。這個道理可以從CPU電壓的進展歷程看出來。486/586時代，CPU的核心電壓和I/O電壓都是3.3V。奔騰4開始，把CPU的核心電壓與I/O分開，核心電壓降到2V左右，現在降到1.xx V，降低信號電平就是要提高CPU的頻率。CPU的頻率取決於CMOS電路的開關速度，信號電平設計的越低，開關速度就越快。
4、有些DIY發現，超頻頻率很高時，CPU滿載運作會有「掉」電壓的現象。於是想辦法改電路，或者再提高電壓。其實，「掉」電壓是正常現象。頻率提高30%，CMOS電路的開關頻率提高30%，開關時間縮短30%，輸出的高電平信號電壓肯定降低，自然也要把供電電壓拉低。
5、所以，調整電壓要適當，不是越高越好。上述8項電壓設置，灰色的Auto表示默認電壓。白色數字表示正常范圍的電壓。紅色數字表示非正常電壓，包括過高和過低的。
6、調整電壓時，可以用小鍵盤的「+」和「-」鍵，也可以用Page Up和Page Down鍵
超頻CPU可以提高性能，但帶來的壞處是降低CPU的壽命。建議過保再超。
⑤ 誰會用3538KX驅動創新5.1音效卡超級高手請進！高分酬謝
SB LIVE!系列可能是全世界賣的最好的娛樂音效卡了。它使用與E-MU APS專業音效卡相同的主晶元EMU10k1。可是，他的原廠驅動根本沒有發揮EMU10k1晶元強大的運算能力！以來自俄羅斯的發燒友Eugene Gavrilov、Max Mikhailov和Hanz Petrov為首，與世界各地的一些編程高手組成了一個驅動開發小組，開始了針對EMU10k1晶元的研究。這些高手們終於為使用SB Live音效卡來製作音樂的無產階級音樂製作人編寫出了一個專門用來進行電腦音樂製作的專業驅動——這就是kX驅動。kX驅動以其專業的性能和強大的插件功能，已經被越來越多的人所接受。kX驅動不但支持使用EMU10k1晶元的SB-LIVE系列音效卡，而且支持使用EMU10k2的Audigy系列音效卡，支持Windows 98SE, Windows Me, Windows 2000和 Windows XP操作系統。從此，創新SB Live可以完全支持低延遲達到10.66ms甚至是驚人的2.66ms的16通道ASIO（Audigy上是32通道），支持GSIF（也就是可以用 GigaStudio了），音效插件模塊化，優化的DX介面，圖形化的DSP模塊操作，軟體界面多語言支持，軟體界面支持皮膚更換——也就是說,你的SB LIVE!已經脫胎換骨成為了「專業音頻卡」了！我們可以用一個便宜的SB LIVE!音效卡也可以使用CUBASE SX,Nuendo等等必須使用ASIO的專業音頻軟體。也可以使用最經典的軟體采樣器GIGASTUDIO。甚至已經有「第三方」的軟體高手開發了KX 驅動下的吉他效果器插件TubeDrive！音色一般，但是仔細調節一下覺得還挺有意思！但它不佔用CPU資源，完全是實時的！對演奏延遲感覺敏感的人，非常有幫助！ LC/9)Sh_n
需要注意的是：現在市場上賣得很多的「特惠版」的Live！卡是裝不了KX驅動的。還有，Audigy的話，只有Audigy豪華版可以裝KX。Audigy2裝不了。 i.I iwe0G
KX驅動的安裝 mAh0xgm
好了，現在開始安裝kX驅動。首先到KX驅動開發小組的主頁http://kxproject.lugosoft.com/下載最新的KX3538驅動。或者點擊這里直接下載。 /NCEZ@2BN,
在安裝之前，要確保系統中已經卸載了創新原廠的驅動其他版本音效卡驅動，否則會造成沖突或無法安裝！一定要卸載干凈，卸載後，那個創新的文件夾也要手工刪除掉。建議大家最好連WINXP系統自帶的LIVE驅動也刪除掉，以保證讓音效卡徹底「忘掉」她自己曾經是創新Live。具體的做法：進入WINXP系統安裝目錄下的INF目錄（如C:\WINNT\Inf或者C:\WINDOWS\Inf，INF目錄為系統隱藏目錄，一般情況下不會直接看到INF目錄，需要在「我的電腦」的「工具」菜單下選「文件夾選項」來修改才能看到。）找到INF目錄下wdma10k1.inf文件，將此文件刪除！另外，卸載原廠驅動並刪掉此文件後，在還沒有裝KX之前，不要上網，否則系統會再次從微軟升級網站下載微軟為LIVE設計的驅動。 D4[1CQ@}4D
重新啟動電腦，系統將提示找到新硬體的對話框。不要管它，直接雙擊KX驅動的安裝文件。如果是安裝於WIN2000和WINXP系統，則不需要裝 Microsoft Windows 98SE Quick Fix for AC-3 playback」（快速修復AC-3回放功能）。「kX Project SDK」項是kX驅動開發工具包，如果不進行kX驅動的開發，就沒必要選擇它。安裝完成後會自動搜索到你的音效卡型號並安裝驅動程序。 E\Hhi.-
在完成所有的步驟後，重啟電腦，完成kX驅動的安裝。這時，我們會發現在系統任務欄中有一個kX圖標 Ql sMMIax
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，右擊該圖標會打開「kX Manager」的功能項目菜單，包括kX混音器、kX DSP、kX路由器、Speaker test等。打開音頻屬性看看，Live的標記已經沒有了。也就是說，從現在開始，你的音效卡不再是SB LIVE!了，而是一塊全新的——KX專業音頻卡！！ WUx }+3eWv
深入開發KX驅動 +h^>?U,
但是問題來了！安裝KX驅動以後發現KX默認的界面實在是太混亂！搞了半天居然沒有聲音！更無法錄音！極度郁悶！這個KX驅動的默認界面是想要針對所有的用戶的所有用途而設計。既然我們用這個「KX專業音頻卡」來做「專業」錄音。那麼能不能為這種專業應用對KX驅動進行優化呢？於是我直接從KX驅動的核心內容——KX DSP軟跳線入手，徹底搞定KX驅動！並且不再被KX原有的界面牽著走，重新建立了用於「專業錄音」DSP連線模式！實現了完全基於DSP的「聽濕錄干 」，演員獨立的監聽返送，各個驅動間的直接連接錄音等功能，而且思路比較清晰明了，操作方便！希望此文能夠讓大家在使用KX驅動錄音的時候更加明白一些！呵呵！ la N:H mR8
我先來介紹一下KX復雜的界面與DSP模塊之間的關系。 (y%}].[bB
KX驅動最重要的特點在於它採用模塊化的設計！所有的功能模塊都有自己的輸入輸出埠，就像真的硬體系統一樣。我們需要把這些虛擬的功能模塊用「虛擬導線」連接起來才能完成相應的功能。這就使KX驅動的應用極為靈活！個人認為這可能是借鑒了德國CREAMWARE公司的SCOPE平台軟體的設計思想。 ^Ts|/+}'i
首先我們打開KX驅動的DSP窗口！如下圖，按這個按鈕： (3YCe {
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現在我們看到的就是KX驅動的默認DSP連線狀態。 braHWC'VYg
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DSP連線狀態 [ sJ f)<
亂七八糟的！這么多連線就像看電路板！誰知道這個東西怎麼用？！？！？不要著急，我們只要了解了這幾個模塊的功能，就可以理解這些連線了！下面我們分別了解KX默認界面中主要的的四個主要模塊，prolog，eplog，FXbus和xrouting。只要搞清楚這些模塊的功能，就可以破解這些連線的秘密了！ h^R EBPe
首先看prolog和eplog模塊。 0zfh:O
在英文中prolog和eplog的意思是前奏和尾聲。他們分別代表了SB LIVE!上的所有物理埠和部分邏輯埠，等等！什麼是物理埠？什麼又是邏輯埠呢？所謂物理埠，就是真實地我們看得見摸得著的各種輸入輸出口！這些我們在音頻卡上都可以看到！比如線路輸入輸出口，話筒介面等等！而邏輯埠包括各種我們看不見的驅動程序的輸入輸出口——MME,ASIO輸入輸出埠！prolog包括SBLIVE!上的所有物理輸入介面和一個需要被選擇的AC97輸入埠（在AC97控制界面中選擇，這個後面會詳細介紹）。 eplog則包含SBLIVE!上的所有物理輸出介面和所有的ASIO輸入埠。有點亂！沒錯！就是因為亂，我們才被搞得暈頭轉向！這兩個模塊反映到KX 的界面，實際上就是那個「Ins `n` Outs」部分！上面是輸出控制，下面是輸入控制！ $5kb3x<W
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「Ins `n` Outs」部分 ! J`>;&
明白了么？不明白沒關系！因為這兩個模塊設計太爛，我們最後將會拋棄他們，用更好的模塊去替代！ wdg,dk9e$
FXbus模塊實際上是KX驅動最重要的內容——KX 路由！它的用途是為各種驅動輸出埠分配一個邏輯埠！也就是說。ASIO,MME,WDM,GSIF的輸出是不能直接顯示在KX驅動中的！需要把他們指定到相應的FXbus上才能工作！ +(n&>7 5
在KX驅動中，MME,ASIO邏輯埠必須分配到FXbus中才可以獲得「真實的」埠。FXbus一共有16條匯流排，也就是說我們可以把MME 和ASIO輸出口分別通過這16條FXbus輸出（Audigy的FXBusX模塊有32條FXBus輸出）。SB LIVE!內置的合成器音源也要通過他來分配埠。在FXbus的默認設置中，MME的輸出口通過FXbus0、1實現，ASIO1、2通過 FXbus2、3實現，SB LIVE!內置的合成器音源通過FXbus4、5實現！另外還有AC3的輸出埠也是通過FXbus實現的！在KX驅動中，GSIF驅動的輸出與 MME,WDM都是共享的！ }jHS
在下面這張圖中顯示，在KX驅動默認狀態，Wave 0/1(也就是MME0/1,WDM0/1,還有GSIF0/1)它們的輸出是通過FXBus0/1來實現。在這張圖中，顯示Wave 0/1是從FXbus0/1埠輸出，同時，他也可以被發送到FXbus13/14上。 s2=rj?g&(X
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而ASIO0/1是通過FXBus2/3輸出的！如圖： <u "xHl8Io
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圖 f</'=k
而對於以前SB LIVE！的兩個內建的SOUNDFONT音源則是通過FXBus4/5輸出的。甚至，你可以分別指定每一個MIDI通道都有自己的聲音輸出！這個功能十分有用，也就是說，你能同時分軌對16個MIDI聲部同時錄音！！！這能極大的提高效率！！！如下圖： K"Vo'9R[_
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圖 J )R2O{ z
FXbus模塊非常重要！沒有它就無法讓KX驅動發出任何聲音。他是KX的核心內容！ !9 7U2L4
現在，有了prolog，eplog和FXbus三個模塊，我們實際上已經可以錄音和監聽了——直接把相關埠連接起來就可以了！ {7EnM 1]
例如，實現從AC97線路輸入口到ASIO程序的直接監聽錄音 v67utI SNI
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圖 * :r6E
現在我們可以錄音了！但是放音的時候還要重新調整線路！這肯定是不行的！我們如果有一個調音台來混音，能夠監聽和選擇錄音來源就好了。那麼，我們還有一個xrouting模塊是不是可以完成這個調音台的任務呢！ W#|30RU.G
關於xrouting模塊 5yA1<&z
很遺憾！本人認為這個是KX驅動默認界面最大的敗筆！xrouting本來想成為一個「想要把所有的信號都輸入進來的」超級調音台，它對應的KX驅動界面就是所謂的「錄音」部分。但是因為它並沒有給所有的埠分配控制，因此讓人搞不明白！我被這個「錄音」部分搞得糊里糊塗！而且這個3538 Beta版驅動好像還有BUG，即使我將所有的推子推起仍然無法對AC97線路埠錄音，我更改了他的連線才實現錄音功能！這個xrouting模塊設計實在不怎麼樣！更可惡xrouting模塊的錄音輸出混合了所有的聲音，我們需要的和不需要的聲音都被錄音！信號質量嚴重下降！ kdq<)>"
返過頭來我們再看那些效果器的連線就更亂了！完全沒有實現我們用KX驅動的根本目的——給我們這些專業人士作「專業」錄音！難道沒有辦法了么？嘿嘿！我們的俄羅斯發明家們早已經為我們想好了！他們准備好了一些專業的模塊，只等著我們將它們連接起來，配置一個專業的KX工作模式！讓KX驅動真正位無產階級音樂家們服務！ !sTOo
全面改進KX驅動的默認工作模式 Xa,d"R~
首先，我們要保留了FXbus模塊，如果你用Audigy，那麼可以把FXBus模塊換成FXBusX模塊獲得32通道的FXBus! _ ^2\/@
然後我扔掉KX驅動默認的其他所有模塊！什麼prolog、eplog，當然還有xrouting模塊！然後我們在DSP界面內點擊右鍵，添加以下幾個模塊，分別是：Src模塊（物理輸入埠選擇），k1lt模塊（物理輸出埠，MME的邏輯輸入埠包含在這里），ASIO模塊（ASIO邏輯輸入埠）。還有一個MX6模塊（12路調音台！12路輸入，1立體聲母線，2編組，2輔助）！這幾個模塊分別替代了以前prolog，eplog和 xrouting模塊的作用！ l_q=@y
其中Src物理輸入埠模塊替代了prolog模塊！它通過一個下拉菜單實現物理埠錄音源的選擇！如下圖。 r 9~Wh $
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可是我這樣只能選擇一個立體聲錄音源啊！沒關系，我們可以同時添加多個Src模塊！考慮到對於SB LIVE!數碼版音頻卡只有那個線路輸入口還算有點兒意義，有2個通道輸入我已經知足！用Audigy的朋友可用埠可以更多，但是請注意，AC97錄音埠是要在AC97界面里進行選擇的！如圖8！注意AC97界面中下面的那幾個輸入源一定要選擇為「靜音」，而「Gain」推子下面的開關則一定要打開！如下圖。 _8z ga A
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k1lt物理輸出埠模塊替代了原來eplog的部分功能！如下圖。 F, .dC&B
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怎麼樣！這個一目瞭然吧！需要注意的是MME的邏輯輸入埠包含在k1lt模塊里！也就是說如果我們要用COOLEDIT錄音就要把音頻信號連接到k1lt的13和14埠上！當然你也可以自由更換位置，因為k1lt物理輸出埠是可以任意調換的！這簡直太方便了！ \2^_v' >K
這個ASIO輸入埠能夠完成16通道的ASIO輸入連接！如下圖。 *RllKP Y)
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需要注意的是，KX驅動並不同事都打開這些ASIO埠，需要到KX ASIO設置窗口打開這些ASIO埠！為了不過多地佔用資源，我們一般選擇有2進2出的ASIO埠就可以了！，如下圖。 5)=YTUCk
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圖 O <#H5/Tq
現在，輸入輸出埠都已經齊備！我們需要用MX6模塊將這些模塊連接起來！用它要替代那個失敗的xrouting模塊工作！ TO]7 %aB
我們先看看MX6模塊和MX6調音台。 }pOJ M &I
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MX6調音台 ){FXonVP
12個紅色輸入端分別對應調音台IN1到IN6的6個推子。8個藍色的輸出埠從上至下分別是立體聲MIX母線，Rec立體聲錄音編組母線，立體聲 AUX1和立體聲AUX2！每個通道都有3個開關分別是[R]—發送到Rec立體聲錄音編組母線，[M]—發送到立體聲MIX母線，[E]通道開關，必須打開他才能激活通道。每個通道的S1推子和S2推子是分別控制發送給立體聲AUX輔助1和立體聲AUX輔助2的音量。[RECMON]開關用於對Rec立體聲錄音編組母線監聽。電平表默認監視立體聲MIX母線。當按下[Vu= REC]開關時則監視Rec立體聲錄音編組母線的電平。 5hg ^K^ZZ
下面我們將充分利用這個MX6，按照「專業錄音」的要求連接一個DSP!請看下圖（下載這個KXPRO1的KX設置文件，導入即可看到這個界面了） " ,>,t_J
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下面我們以MX6為中心連接所有的輸入輸出和效果器等設備。 z3C@ 0v=u>
先提一下KX連線的基本規則。藍色的埠都是代表輸出。而紅色埠代表輸入。一個輸出埠可以連接多個輸入埠，而一個輸入埠只能有一個輸出端！我們首先看輸入部分的連線。 Gid 6,J
調音台輸入1/2連接到，這是。調音台輸入3/4連接到FXBus2/3。這是ASIO邏輯輸出指定的埠 qN@0k>11?
FXBus4/5,也就是SB LIVE!合成器的輸出埠連接到調音台的輸入5/6，Src物理輸入埠連接到調音台輸入7/8，調音台剩下的兩對立體聲輸入口9/10和11/12分別被混響和延時效果器的效果返回佔用。這樣，對應到MX6的調音台界面上： !6pE0(V^+4
IN1——FxBus0/1，MME輸出信號 &eY& 6I
IN2——FXBus2/3，ASIO輸出 ?A2j j`N1x
IN3——FXBus4/5，SB LIVE!合成器的輸出 U^ Ul j/%6
IN4——Src物理輸入源 l2 mO{'|C
IN5，IN6——混響和延時效果器的效果返回 MGfIA?u
再看輸出。考慮到MX6沒有MIX總輸出控制。我讓MIX母線通過一個St Vol立體聲衰減後再進入到k1lt指定的物理輸出埠連接監聽音箱。REC錄音編組母線同時輸出給MME和ASIO邏輯輸入埠，實現錄音功能。而 MX6的輔助1則同時發送給混響和延時效果器——只要控制效果器的返回量就可以控制效果強度！最後輔助2發送給演員的耳機放大器共演員監聽！我們可以完全設定一個獨立的混音給演員！這個很重要！因為我們就可以利用[RECMON]開關實現對聲源的獨奏監聽而不影響演員的監聽。Peak模塊用於監視Src物理輸入埠的信號輸入電平。 1vUW$)?X
這樣，我們就可以像用真實的調音台一樣來使用這個MX6調音台了，雖然它是虛擬的！ .u\xA 7X
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圖 W'}^m*F
這是一個用ASIO程序錄音的例子，設置調音台，實現完全基於DSP的「聽濕錄干」，演員獨立的監聽返送。 141XnAb)I
MX6調音台的應用還可以很方便地實現的對不同的驅動程序間的錄音。我們知道IN1的信號來自電腦KX驅動FX BUS1，FX BUS1是傳輸WINDOWS MME驅動的輸出，GIGASTUDIO 的GSIF驅動輸出也是通過FX BUS1，而IN2的信號來自FX BUS2 的ASIO的輸出。根據我們的連接，MX6的Rec BUS的信號則直接進入到ASIO IN和Windows的MME IN錄音輸入端。這樣當我想要用CUBASE 的ASIO輸入直接對MME或者GSIF輸出的信號進行錄音，只需點開IN1的通道上面那個[R]開關即可！需要注意的是不要打開錄音軟體上的直接監聽，否則可能會形成信號環路產生反饋嘯叫。還要注意同時要關閉其他通道的[R]開關，否則你會得到各種驅動的聲音和AC97線路口輸入聲音甚至效果信號的混合物，那就沒意思了！ m(p0)X),_i
怎麼樣！大家明白了？如果感興趣大家可以到本期光碟上找到這個實例的KX設置文件。導入即可！ jrZH1 dvE
回過頭來再看KX的默認界面！哈哈面目全非，很多項目都空了！我們再也不用看KX晦澀難懂的默認界面了！需要注意的是「主要」和「AC97」界面仍然起作用！ aa,^+^ J
如下圖，KX驅動默認界面已經面目全非！很多項目都已經空了。 NK$BF(HBi
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圖 -Ta| qQa
送給吉他手的禮物 1y7Fv D~ v
KX驅動包含了一個吉他效果器TubeDrive，用了一下，還不錯！絕對0延時，呵呵！我在錄制時只是用它做監聽，而原始信號可以直接繞開他進入 ASIO輸入，讓CUBASE直接錄音。然後等後期製作的時候用Amplitube，Guitar Rig等等軟效果器仔細製作音色！怎麼連線大家可直接倒入我做好的一個KX設置看一下,（下載kx pro2.kx），聲音很一般，但是他的優點是完全實時，沒有任何延遲！你甚至可以直接把多個TubeDrive串聯起來，做出更失真音色。 ;QqC c !b
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TubeDrive 吉他效果器 ^+rI=c 0
總結： !]2`dp\!
總體來說KX驅動超出了我的預想。在這么便宜的音效卡上實現了專業音頻卡的一些功能！當然，如果你有Audigy就更好了！實現的功能更多。因為 LIVE!的DSP寄存器是128個。而Audigy是256個，也就是說，在Audigy里可以添加和使用比Live多一倍的效果器插件，呵呵！ %%qg<iO_
但是說老實說，這個東西還是只能玩完而已。音質就不用提了，16bit錄音是SB LIVE!的極限。重要的是，KX驅動的ASIO性能是比較差的。我的電腦，如果使用專業音頻卡，可以輕松的實現5ms的延時。而使用KX驅動，則要到 10ms才能穩定工作。而且KX驅動的操作、使用還是比較麻煩，考慮到很多KX使用者並沒有專業知識，這對使用KX驅動有一些困難。能搞定KX驅動的朋友估計可以很快上手CREAMWARE 專業復雜的SPF平台！ RLR\*dL1
我做了2種KX驅動的DSP連線模式文件，分別是KXPRO1和KXPRO2.其中KXPRO1適合一般的錄音用戶，KXPRO2適合吉他手。事實上KX驅動還可以有更復雜的連接和應用。比如可以給吉他聲音加上壓縮、均衡，合唱等等。一個字，玩！ VJOB+CKE
KX驅動把SB LIVE!的能力基本上開發出來了，真的應該感謝遠在俄羅斯的KX驅動的開發者！寫這個文章的目的是希望大家都來學習電腦音樂。如果你手裡有一塊SB LIVE!那麼裝上KX驅動，就可以體驗專業音頻軟體的樂趣了！雖然它的性能還是差一些，但是我們已經可以用它開始玩兒電腦音樂了！至少能在家給自己錄個小樣給朋友們聽聽！這是很有意思的事情
⑥ 開機時出現system COMS ckecksum bad
出現「CMOS CHECKSUM BAD」提示，說明「CMOS校檢失敗」。可能有三種情況：
1、是CMOS電池失效，請更換電池；
2、病毒攻擊CMOS導致CMOS數據變更，用殺毒盤殺毒；
3、主板的供電電路故障。
恢復設置。方法：開機 按 del 進入，在菜單項選擇「Load Setup Defaults」，如沒有就選擇"Load......"開頭的就是的了
CMOS是由一塊2032鋰電池供電的，如果我們將電池取出，在短時間內BIOS設置並不能還原。這是因為在電池旁邊還有一個電容，其存儲的電量能在較短時間內為CMOS供電。
將電池槽的正、負極彈片用金屬物短接，即可直接放電。
為了保險起見，我們可以將電池槽的正、負極彈片用金屬物短接，從而為電容放電，這樣就能在較短的時間內將BIOS設置恢復到出廠狀態。最後再將電池裝回原處，重新設置BIOS。
⑦ 我想了解電線電纜的基本知識，以及合格的電線電纜應具體哪些條件
怎樣辨別電纜質量好壞
購買電線時怎樣鑒別優劣 國家已明令在新建住宅中應使用銅導線。但同樣是銅導線，也有劣質的銅導線，其銅芯選用再生銅，含有許多雜質，有的劣質銅導線導電性能甚至不如鐵絲，極易引發電氣事故。目前，市場上的電線品種多、規格多、價格亂，消費者挑選時難度很大。單就家庭裝修中常用的2.5平方毫米和4平方毫米兩種銅芯線的價格而言，同樣規格的一盤線，因為廠家不同，價格可相差20%~30%。至於質量優劣，長度是否達標，消費者更是難以判定。 據業內人士透露：電線之所以價格差異巨大，是由於生產過程中所用原材料不 變頻電纜
同造成的。生產電線的主要原材料是電解銅、絕緣材料和護套料。目前原材料市場上電解銅每噸在5萬元左右，而回收的雜銅每噸只有4萬元左右；絕緣材料和護套料的優質產品價格每噸在8000元~10000元，而殘次品的價格每噸只需4000元~5000元，差價更懸殊。另外，長度不足，絕緣體含膠量不夠，也是造成價格差異的重要原因。每盤線長度，優等品是100米，而次品只有90米左右；絕緣體含膠量優等品佔35% ~40%，而殘次品只有15%。通過對比，消費者不難看出成品電線銷售價格存在差異是材質上存在貓膩所致。
電纜介紹
[electric cable;power cable] 通常是由幾根或幾組導線[每組至少兩根]絞合而成的類似繩索的電纜,每組導線之間相互絕緣,並常圍繞著一根中心扭成，整個外麵包有高度絕緣的覆蓋層
電線電纜是指用於電力、通信及相關傳輸用途的材料。「電線」和「電纜」並沒有嚴格的界限。通常將芯數少、產品直徑小、結構簡單的產品稱為電線，沒有絕緣的稱為裸電線，其他的稱為電纜；導體截面積較大的(大於6平方毫米)稱為大電線，較小的(小於或等於6平方毫米)稱為小電線，絕緣電線又稱為布電線。
電纜分類
電線電纜主要包括裸線、電磁線及電機電器用絕緣電線、電力電纜、通信電纜與光纜。 電線電纜是指用於電力、通信及相關傳輸用途的材料。「電線」和「電纜」並沒有嚴格的界限。通常將芯數少、產品直徑小、結構簡單的產品稱為電線，沒有絕緣的稱為裸電線，其他的稱為電纜；導體截面積較大的(大於6平方毫米)稱為大電線，較小的(小於或等於6平方毫米)稱為小電線，絕緣電線又稱為布電線。 電線電纜主要包括裸線、電磁線及電機電器用絕緣電線、電力電纜、通信電纜與光纜。 電纜有電力電纜、控制電纜、補償電纜、屏蔽電纜、高溫電纜、計算機電纜、信號電纜、同軸電纜、耐火電纜、船用電纜等等。它們都是由多股導線組成，用來連接電路、電器等。
電線電纜命名
命名規則
電線電纜的完整命名通常較為復雜，所以人們有時用一個簡單的名稱(通常是一個類別的名稱)結合型號規格來代替完整的名稱，如「低壓電纜」代表0.6/1kV級的所有塑料絕緣類電力電纜。電線電纜的型譜較為完善，可以說，只要寫出電線電纜的標准型號規格，就能明確具體的產品，但它的完整命名是怎樣的呢？ 電線電纜產品的命名有以下原則：
產品名稱中包括的內容
(1)產品應用場合或大小類名稱
(2)產品結構材料或型式；(3)產品的重要特徵或附加特徵 基本按上述順序命名，有時為了強調重要或附加特徵，將特徵寫到前面或相應的結構描述前。
結構描述的順序
產品結構描述按從內到外的原則：導體-->絕緣-->內護層-->外護層-->鎧裝型式。
簡化
在不會引起混淆的情況下，有些結構描述省寫或簡寫，如汽車線、軟線中不允許用鋁導體，故不描述導體材料。 案例： 額定電壓8.7/15kV阻燃銅芯交聯聚乙烯絕緣鋼帶鎧裝聚氯乙烯護套電力電纜 (太長了！) 「額定電壓8.7/15kV」——使用場合/電壓等級 「阻燃」——強調的特徵 「銅芯」——導體材料 「交聯聚乙烯絕緣」——絕緣材料 「鋼帶鎧裝」——鎧裝層材料及型式(雙鋼帶間隙繞包) 「聚氯乙烯護套」——內外護套材料(內外護套材料均一樣，省寫內護套材料) 「電力電纜」——產品的大類名稱 與之對應的型號寫為ZR-YJV22-8.7/15，型號的寫法見下面的說明。
電線電纜製造流程概述
電線電纜的製造與大多數機電產品的生產方式是完全不同的。機電產品通常採用將另件裝配成部件、多個部件再裝配成單台產品，產品以台數或件數計量。電線電纜是以長度為基本計量單位。所有電線電纜都是從導體加工開始，在導體的外圍一層一層地加上絕緣、屏蔽、成纜、護層等而製成電線電纜產品。產品結構越復雜，疊加的層次就越多。
電纜製造工藝流程簡介
一、電線電纜產品製造的工藝特性： 1．大長度連續疊加組合生產方式 大長度連續疊加組合生產方式，對電線電纜生產的影響是全局性和控制性的，這涉及和影響到： （1）生產工藝流程和設備布置 生產車間的各種設備必須按產品要求的工藝流程合理排放，使各階段的半成品，順次流轉。設備配置要考慮生產效率不同而進行生產能力的平衡，有的設備可能必須配置兩台或多台，才能使生產線的生產能力得以平衡。從而設備的合理選配組合和生產場地的布置，必須根據產品和生產量來平衡綜合考慮。 （2）生產組織管理 生產組織管理必須科學合理、周密准確、嚴格細致，操作者必須一絲不苟地按工藝要求執行，任何一個環節出現問題，都會影響工藝流程的通暢，影響產品的質量和交貨。特別是多芯電纜，某一個線對或基本單元長度短了，或者質量出現問題，則整根電纜就會長度不夠，造成報廢。反之，如果某個單元長度過長，則必須鋸去造成浪費。 （3）質量管理 大長度連續疊加組合的生產方式，使生產過程中任何一個環節、瞬時發生一點問題，就會影響整根電纜質量。質量缺陷越是發生在內層，而且沒有及時發現終止生產，那麼造成的損失就越大。因為電線電纜的生產不同於組裝式的產品，可以拆開重裝及更換另件；電線電纜的任一部件或工藝過程的質量問題，對這根電纜幾乎是無法挽回和彌補的。事後的處理都是十分消極的，不是鋸短就是降級處理，要麼報廢整條電纜。它無法拆開重裝。 電線電纜的質量管理，必須貫串整個生產過程。質量管理檢查部門要對整個生產過程巡迴檢查、操作人自檢、上下工序互檢，這是保證產品質量，提高企業經濟效益的重要保證和手段。 2．生產工藝門類多、物料流量大 電線電纜製造涉及的工藝門類廣泛，從有色金屬的熔煉和壓力加工，到塑料、橡膠、油漆等化工技術；纖維材料的繞包、編織等的紡織技術，到金屬材料的繞包及金屬帶材的縱包、焊接的金屬成形加工工藝等等。 電線電纜製造所用的各種材料，不但類別、品種、規格多，而且數量大。因此，各種材料的用量、備用量、批料周期與批量必須核定。同時，對廢品的分解處理、回收，重復利用及廢料處理，作為管理的一個重要內容，做好材料定額管理、重視節約工作。 電線電纜生產中，從原材料及各種輔助材料的進出、存儲，各工序半成品的流轉到產品的存放、出廠，物料流量大，必須合理布局、動態管理。 3．專用設備多 電線電纜製造使用具有本行業工藝特點的專用生產設備，以適應線纜產品的結構、性能要求，滿足大長度連續並盡可能高速生產的要求，從而形成了線纜製造的專用設備系列。如擠塑機系列、拉線機系列、絞線機系列、繞包機系列等。 電線電纜的製造工藝和專用設備的發展密切相關，互相促進。新工藝要求，促進新專用設備的產生和發展；反過來，新專用設備的開發，又提高促進了新工藝的推廣和應用。如拉絲、退火、擠出串聯線；物理發泡生產線等專用設備，促進了電線電纜製造工藝的發展和提高，提高了電纜的產品質量和生產效率。 二、電線電纜的主要工藝 電力電纜
電線電纜是通過：拉制、絞制、包覆三種工藝來製作完成的，型號規格越復雜，重復性越高。 1．拉制 在金屬壓力加工中.在外力作用下使金屬強行通過模具（壓輪），金屬橫截面積被壓縮,並獲得所要求的橫截面積形狀和尺寸的技術加工方法稱為金屬拉制。 拉制工藝分：單絲拉制和絞制拉制。 2．絞制 為了提高電線電纜的柔軟度、整體度，讓2根以上的單線，按著規定的方向交織在一起稱為絞制。 絞制工藝分：導體絞制、成纜、編織、鋼絲裝鎧和纏繞。 3．包覆 根據對電線電纜不同的性能要求，採用專用的設備在導體的外麵包覆不同的材料。包覆工藝分： A．擠包：橡膠、塑料、鉛、鋁等材料。 B．縱包：橡皮、皺紋鋁帶材料。 C．繞包：帶狀的紙帶、雲母帶、無鹼玻璃纖維帶、無紡布、塑料帶等，線狀的棉紗、絲等纖維材料。 D．浸塗：絕緣漆、瀝青等 三、塑料電線電纜製造的基本工藝流程 1．銅、鋁單絲拉制 電線電纜常用的銅、鋁桿材，在常溫下，利用拉絲機通過一道或數道拉伸模具的模孔，使其截面減小、長度增加、強度提高。拉絲是各電線電纜公司的首道工序，拉絲的主要工藝參數是配模技術。 2．單絲退火 銅、鋁單絲在加熱到一定的溫度下，以再結晶的方式來提高單絲的韌性、降低單絲的強度，以符合電線電纜對導電線芯的要求。退火工序關鍵是杜絕銅絲的氧化. 3．導體的絞制 為了提高電線電纜的柔軟度，以便於敷設安裝，導電線芯採取多根單絲絞合而成。從導電線芯的絞合形式上，可分為規則絞合和非規則絞合。非規則絞合又分為束絞、同心復絞、特殊絞合等。 為了減少導線的佔用面積、縮小電纜的幾何尺寸，在絞合導體的同時採用緊壓形式，使普通圓形變異為半圓、扇形、瓦形和緊壓的圓形。此種導體主要應用在電力電纜上。 4．絕緣擠出 塑料電線電纜主要採用擠包實心型絕緣層，塑料絕緣擠出的主要技術要求： 4．1．偏心度：擠出的絕緣厚度的偏差值是體現擠出工藝水平的重要標志，大多數的產品結構尺寸及其偏差值在標准中均有明確的規定。 4．2．光滑度：擠出的絕緣層表面要求光滑，不得出現表面粗糙、燒焦、雜質的不良質量問題 4．3．緻密度：擠出絕緣層的橫斷面要緻密結實、不準有肉眼可見的針孔，杜絕有氣泡的存在。 5．成纜 對於多芯的電纜為了保證成型度、減小電纜的外形，一般都需要將其絞合為圓形。絞合的機理與導體絞制相仿，由於絞制節徑較大，大多採用無退扭方式。成纜的技術要求：一是杜絕異型絕緣線芯翻身而導致電纜的扭彎；二是防止絕緣層被劃傷。 大部分電纜在成纜的同時伴隨另外兩個工序的完成：一個是填充，保證成纜後電纜的圓整和穩定；一個是綁扎，保證纜芯不鬆散。 6．內護層 為了保護絕緣線芯不被鎧裝所疙傷，需要對絕緣層進行適當的保護，內護層分：擠包內護層（隔離套）和繞包內護層（墊層）。繞包墊層代替綁扎帶與成纜工序同步進行。 7．裝鎧 敷設在地下電纜，工作中可能承受一定的正壓力作用，可選擇內鋼帶鎧裝結構。電纜敷設在既有正壓力作用又有拉力作用的場合（如水中、垂直豎井或落差較大的土壤中），應選用具有內鋼絲鎧裝的結構型。 8．外護套 外護套是保護電線電纜的絕緣層防止環境因素侵蝕的結構部分。外護套的主要作用是提高電線電纜的機械強度、防化學腐蝕、防潮、防水浸人、阻止電纜燃燒等能力。根據對電纜的不同要求利用擠塑機直接擠包塑料護套。
⑧ AMD 785G主板BIOS詳細介紹
是微星主板嗎！如果是你就看看這個吧
微星AMD 785G主板BIOS設置詳解
鑒於微星的說明書做得實在是太爛，很多BIOS的設置都沒有給出詳細說明（其實是壓根就沒寫，難道微星覺得玩他們家板子的都是電腦熟手不成..），所以這里給出詳解說明書，帖子里的是純文字版，要看圖文完整的版的請下載附件里的那個，思密達。
一、BIOS主菜單
1、Standard CMOS Features 標准CMOS屬性
2、Advanced BIOS Features 高級BIOS 屬性
3、Integrated Peripherals 整合周邊設備
4、Power Management 電源管理
5、H/W Monitor 硬體監測
6、Green Power 綠色節能
7、BIOS Setting Password 開機 密碼設置
8、Cell Menu 核心菜單
9、M-Flash U盤刷新BIOS
10、User Settings 用戶設置項
11、Load Fail-Safe Defaults 載入安全預設值
12、Load Optimized Defaults 載入優化值
13、Save & Exit Setup 保存設置並退出
14、Exit Without Saving 退出而不保存
二、Cell Menu 核心菜單設置
1、CPU 相關設置
CPU相關設置有9項
1-1、CPU Specifications ：這是查看CPU的規格和參數，也可以隨時按F4查看。
1-2、AND Cool `n` Quiet ：AMD CPU的節能技術，也叫「涼又靜」。依據CPU負載改變CPU的倍頻和電壓 。當CPU空閑時，核心電壓降到最低，倍頻也降到最低。如果主板有微星的APS功能，請開啟這個選項。該選項的設置是Enabled 和Disabled。
1-3、Adjust CPU FSB Frequency （MHz）： 調整CPU的前端匯流排頻率。默認的頻率是CPU的標准FSB頻率，用戶可以自己調整，就是超頻 。在這里直接鍵入頻率數值，比如220。
1-4、Adjust CPU Ratio ：調整CPU的倍頻。AMD的CPU一般是鎖定最高倍頻的，只能降低倍頻。有個別不鎖倍頻的CPU才可以調整到更高的倍頻。該項的默認設置是Auto。敲回車，彈出倍頻列表，用戶可以從中選擇希望的倍頻。
1-5、Adjust CPU-NB Ratio ：調整CPU內北橋 （內存 控制器）的倍率。AMD CPU整合了內存控制器，這個選項可以調整內存控制器的倍率。調整這個倍率要與內存頻率設置相互配合，一般需要多次調整，才能達到最佳效果，如果設置不正確，可能引起藍屏死機 。
1-6、EC Firmware ：EC固件設置。這是AMD SB710晶元組新開的一個設置項，用於開啟被AMD關閉核心（有部分是不能正常運作的）。這項的默認設置是Normal。敲回車，彈出選項菜單供用戶選擇。
Normal是普通模式，就是不開啟關閉的核心。Special是特殊模式，開啟被關閉的核心。注意這個選項要配合下面的Advanced Clock Calibration設置。
1-7、Advanced Clock Calibration ：高級時鍾校準。這是SB750開始有的有的功能。用於校準CPU的時鍾頻率，同時支持AMD的CPU超頻軟體AMD Over Drive。SB710繼承了這項功能，還可以配合EC Firmware開啟關閉的核心。默認設置是Disabled。敲回車彈出選項菜單：
Auto是自動模式。想開啟關閉的核心，請設置為Auto。
All Cores是對所有核心都進行相同的高級時鍾校準。選擇了All Core後，菜單會多出一個選項。
就是要求選擇校準的百分比。在Value上敲回車會彈出百分比選擇菜單。
Per Core可以對每個核心單獨設置時鍾校準百分比。選擇Per Core後，菜單會多出一個選項：
也是要求選擇校準的百分比。在每一個Value敲回車都會彈出百分比選擇菜單。
請注意，Value的個數與CPU的核心數相匹配，比如2核的就有2個Value選項。
1-8、Auto Over Clock Technology ：微星獨有的一種自動超頻技術，默認是Disabled，可以設置為Max FSB。就是系統 自動偵測CPU可能超頻的最大FSB值。設置該項後，系統可能重復啟動多次，最後找到最大FSB啟動。由於FSB涉及內存的頻率，可能會因為內存緣故而出現在最大FSB情況下，不能進系統，或者藍屏死機。
1-9、Multistep OC Booster ：這是微星獨有的超頻輔助技術，當CPU因超頻較高，不能啟動時，可以利用這個選項。它的作用是先以較低的頻率啟動進系統，然後再恢復原來頻率。
該選項默認是Disabled，有Mode1和Mode2選項。Mode1是以低於原頻率90%的頻率啟動。Mode2是以低於原頻率80%的頻率啟動。
2、內存相關設置
內存設置有3項：
2-1、MEMORY-Z：這是查看內存的SPD參數。也可以隨時按F5查看
插2條內存，彈出2條內存的SPD信息，如果插4條，就會有4條SPD信息。回車就可以查看1條內存的SPD：
2-2、Advance DRAM Configuration：高級DRAM配置。就是用戶自己配置內存時序參數。回車進入高級DRAM配置：
2-2-1、DRAM Timing Mode：DRAM時序模式。有4項設置：Auto、DCT0、DCT1、Both。
Auto就是按內存條的SPD設置內存時序參數。DCT0是設置通道A，DCT1是設置通道B，Both是設置2個通道。默認設置是Auto。
這是DCT0的時序參數設置：
內存時序參數最主要的有4個。CL-tRCD-tRP-tRAS，這4個參數也是在內存條上常常看到的，比如8-8-8-24，就是這4個參數。
附註：內存時序參數知識
1、內存晶元內部的存儲單元是矩陣排列的，所以用行（Row）地址和列（Column）地址標識一個內存單元。
2、內存定址就是通過行地址和列地址尋找內存的一個存儲單元。系統發出的地址編碼需要經過地址解碼器譯出行地址和列地址，才可以對內存讀寫。
3、內存晶元是易失性存儲器，必須經常對內存的每個存儲單元充電，才可以保持存儲的數據 。讀寫前要先對選定的存儲單元預充電（Pre charge）。
4、對內存的存儲單元讀寫前要先發出激活（Active）命令，然後才是讀寫命令。
5、CL就是CAS Latency，CAS（列地址選通）潛伏時間，實際上也是延遲。指的是CPU發出讀命令到獲得內存輸出數據的時間間隔。
6、tRCD是RAS-to-CAS Delay，行地址選通到列地址選通的延遲。一般是指發出激活命令和讀寫命令之間的時間間隔。在這段時間內經過充電，數據信號足夠強。
7、tRP是Row-Pre charge Delay，行預充電延遲。一般是指發出預充電命令和激活命令之間的時間間隔。在這段時間內對激活的行充電。
8、tRAS是Row-active Delay，行激活延遲。一般是指行激活命令和發出預充電命令之間的時間間隔。
9、上述潛伏和延遲時間可以用絕對時間值ns，也可用相對時間—周期。一般多用周期表達。周期數越小，內存的速度越高。選購 內存，不僅要看標注的頻率，還要看標注的時序參數。內存時序參數標准由JEDEC制定。下面列出DDR3的時序參數規格，供參考。
標準的時序參數有 7-7-7/8-8-8/9-9-9 三種，其中 7-7-7 的最好。還有非標準的 7-8-8/8-9-9 的，這種時序參數的內存條，上標稱頻率 就會死機藍屏。降一級頻率 就沒有問題。
2-2-2、DRAM Drive Strength：DRAM驅動 強度。
該選項有4個參數，Auto是BIOS自動依據內存設置。其他是用戶自己設置，DCT0是設置通道A，DCT1是設置通道B，Both是設置2個通道。設置為DCT0/1或Both時，會增加設置項目，下面看看用戶自己手動設置的項目：
每個通道的信號驅動強度設置包括8項。
CKE Drive Strength：時鍾允許（Clock enable）信號驅動強度
CS/ODT Drive Strength：片選/內建終端電阻驅動強度
Addr/Cmd Drive Strength：地址/命令驅動強度
Clock Drive Strength：時鍾信號驅動強度
Data Drive Strength：數據信號驅動強度
DQS Drive Strebgth：數據請求信號驅動強度
ProcOdt：CPU內建終端電阻
驅動強度的設置就是用戶設置內存信號的強度，一般以默認為1，設置選項是默認的倍率：
2-2-3、DRAM Advance Control：DRAM高級控制。
該選項有4個參數，Auto是BIOS自動依據內存設置。其他是用戶自己設置，DCT0是設置通道A，DCT1是設置通道B，Both是設置2個通道。設置為DCT0/1或Both時，會增加設置項目，下面看看用戶自己手動設置的項目：
每個通道的高級控制有6項。
DRAM Termination：內存晶元的片內終端電阻。從DDR2開始內存防止信號干擾的終端電阻放在晶元內。DDR3也是這樣。這項是設置終端電阻的參數，設置參數有Auto、Disabled、75 ohms、150 ohms、50 ohms。默認是Auto。
DRAM Drive Weak：減弱DRAM驅動強度。設置參數有Auto、Normal、Reced。Auto是讓BIOS依據內存條自動設置。Normal是默認強度，Reced是減弱驅動強度。
DRAM Parity Enable：允許DRAM 奇偶校驗。奇偶校驗是對內存讀寫是防止數據錯誤的一種方法。但允許奇偶校驗會影響內存讀寫速度。設置參數有Auto、Enabled、Disabled。默認設置是Auto。
DRAM Self Refresh Rate Enable：允許DRAM自刷新速率。DRAM刷新就是充電，通過充電保持數據信號。自刷新是關閉系統時鍾CKE，DRAM採用自己的內部時鍾確定刷新速率。設置參數有Auto、Enabled、Disabled。默認設置是Auto。
DRAM Burst Length 32：DRAM突發模式的長度32。突發模式是系統對內存讀寫時一次連續讀寫。連續讀寫的長度有32位元組和64位元組。這項設置就是選擇32位元組，還是64 位元組。設置參數有Auto、64位元組、32位元組。默認是Auto。Auto就是由系統依據數據分布自動採用突發模式的長度。
Bank Swizzle Mode：Bank攪和模式。內存晶元內的存儲單元是按矩陣排列的，每一矩陣組成一個Bank，晶元內的Bank有4 Bank、8 Bank等，一般中文稱之為邏輯Bank。
內存晶元組成內存條後，也有Bank，一般以64位為一個Bank。通常一面內存的8顆晶元構成一個Bank。雙面就是2個Bank。CPU和內存進行數據交換時以Bank為單位，一次交換64位數據，也就是通常說的「帶寬」，雙通道就是128位。這種Bank稱之為物理Bank。CPU訪問內存時先定位物理Bank，然後通過片選（信號）定位晶元內的邏輯Bank。
插在DIMM槽的內存條有1個或2個片選Bank，訪問命令不管實際有幾個片選Bank，都是覆蓋2個。Bank Swizzle模式就是通過異或（XOR）邏輯運算，判定實際的片選Bank。設置參數有Auto、Disabled、Enabled。Auto就是交給 BIOS和系統處理。Disabled就是禁止Swizzle模式，Enabled就是允許。Swizzle模式可以提高CPU的性能，但是會影響顯卡 性能。一般還是設置Auto為好。
2-2-4、1T/2T Memory Timing：1T/2T內存時序。這個選項也叫做「命令速度」，就是內存控制器開始發送命令到命令被送到內存晶元的延遲。1T當然比2T快。但是要依據內存條的性能。性能低的設置1T後肯定要藍屏死機。一般保持Auto設置即可，讓BIOS自己去設置。
2-2-5、DCT Unganged Mode：內存通道控制模式。選擇內存通道的控制模式，Ganged是一個雙通道，128位帶寬。Unganged是2個單通道，64位x2帶寬。設置選項是Disabled（Ganged）和Enabled（Unganged）。默認是Enabled。
2-2-6、Bank Interleaving：Bank交錯存取。內存bank 交錯存取可以讓系統對內存的不同bank同時存取，可以提升內存速度及穩定性。設置值有Auto和Disabled，默認值是Auto(開啟交錯存取)。
2-2-7、Power Down Enabled：開啟或關閉DRAM Power Down。內存掉電設置，選項有Disabled和Enabled。默認是Disabled。
設置為Enabled後，增加Power Down Mode選項，選擇Channel模式和Chip Select模式。
2-2-8、MemClk Tristate C3/ATLVID：開啟或關閉內存時鍾在C3/ATLVID下的3態。默認是關閉的（Disabled）。
2-3、FSB/DRAM Ratio：前端匯流排和內存倍率設置。
默認設置是Auto，自動識別內存條的SPD，設置內存頻率。回車可以手動設置。
通過設置倍率可以改變內存的頻率，FSB=200，1:2就是DDR800，1:3.33就是DDR1333。1:4 就是DDR1600。
如果出現藍屏死機現象 ，可以先通過這項設置降低內存頻率試試，是不是內存不兼容或內存品質不良。如果降低頻率可以排除故障 ，可以降頻使用，或者更換內存條。
DDR3 1333 內存條有 3 種，一種是 SPD 只有 1066 ，沒有 1333 ，可以通過設置倍率（ 1:1.333 ）上到 1333 。第二種是 SPD 有 1333 ，但是 1333 的參數不對， 1333 對應的頻率應該是 666 ，這種內存的頻率是 601 ，這樣的內存也需要通過設置倍率上 1333 。第三種是標準的 1333 ， SPD 的 1333 頻率參數是 666 或 667 。這種內存默認就可以上 1333 。
DDR3 1600 內存有 3 種：超頻 1600 的（ SPD 只有 1333 ），可以通過設置倍率（ !:4 ）到 1600 。第 2 種是 SPD 參數有 1600 （ 800 ），這樣的內存條 可以默認上 1600 。第 3 種是 1600 採用 X.M.P 規格，使用這種 1600 內存， BIOS 會出現 X.M.P 選項，把這項設置為 Disabled 即可上 1600 。
3、內置顯卡超頻
為方便用戶對內置顯卡4200超頻，BIOS把顯卡頻率設置選項移到核心菜單，叫做：
Onboard VGA Core Over Clock。
Onboard VGA Core Over Clock的設置項有Disabled（默認）和Enabled。
開啟顯卡超頻，增加一項調整顯卡頻率值的選項：Adjust Onboard VGA Frequency。默認值是500MHz。超頻時直接鍵入頻率值，比如550MHz。
4、HT和PCI相關設置
HT（超傳輸）匯流排是AMD的開發的晶元互連匯流排。AMD把內存控制器移到CPU，CPU內部採用HT匯流排。顯卡採用PCIE匯流排，HT和PCIE之間需要橋接。AMD的北橋就起到HT和PCIE的橋接作用。北橋和CPU之間是HT匯流排連接。所以BIOS有HT匯流排的設置和PCIE匯流排的設置。相關設置有 4項：
4-1、HT Link Control：HT鏈接控制。這個選項設置需進入二級菜單。回車進入二級菜單後，看到的是2個選項：
HT Incoming Link Width和HT Outgoing Link Width：HT上行鏈接寬度和下行鏈接寬度。HT匯流排採用差分信號，單向串列傳輸。每一路採用一對信號線，一條發送信號（下行），一條接收信號（上行）。這兩個選項就是設置HT匯流排的位寬。3個設置項：Auto（默認）、8位、16位。Auto是讓系統自動設置，8位和16位是手動設置。
2-4-2、HT Link Speed：HT鏈接速度。鏈接速度以倍率表示，從x1到x13。默認設置是Auto，系統自動依據CPU動態設置，FSB超頻會自動提升HT鏈接速度。用戶也可以手動設置固定的倍率。X1是200MHz，X5就是1000MHz，以此類推。
2-4-3、Adjust PCI-E Frequency：調整PCI-E頻率。
系統給PCI-E的頻率是100MHz，由於現在的FSB和PCI-E時鍾頻率是分開的，調整FSB頻率不會影響PCI-E/PCI頻率。超頻時不必再考慮鎖定PCI-E和PCI頻率。BIOS也沒有鎖定選項。這里的PCI-E頻率調整是為PCI-E超頻設計的，直接鍵入超頻頻率值，超頻范圍是 100MHz-150MHz。
2-4-4、Auto Disable DRAM/PCI Frequency：自動關閉DRAM/PCI時鍾信號。
默認設置是Enabled，系統將關閉空閑的DRAM和PCI槽的時鍾信號，降低干擾。
5、電壓設置
785GM-E65 BIOS提供了8項電壓設置：
CPU VDD電壓：CPU VDD電壓。調整范圍1.1000-1.5500V
CPU-NB VDD電壓：CPU內北橋VDD電壓。調整范圍1.1000-1.5500
CPU電壓：CPU核心電壓。調整范圍1.025-1.975V
CPU-NB電壓：CPU內北橋電壓。調整范圍1.202-1.520V
DRAM電壓：內存電壓。調整范圍1.50-2.42V
NB電壓：北橋電壓。調整范圍1.108-1.337V
HT Link電壓：HT匯流排鏈接電壓。調整范圍1.202-1.454V
SB電壓：南橋電壓。調整范圍1.228-1.472V
1、上面8項電壓中，前2項VDD電壓是CPU內的CMOS電路的漏極電壓。調整這個電壓可以使超頻更穩定。
2、其餘5項電壓是供電電壓。超頻時提高一點電壓可以提高超頻成功率。因為超頻後，CPU內的CMOS開關頻率加快，輸出信號的電平幅度會降低，導致信號不穩定，提高一點供電電壓，就會提高信號電平幅度，增強信號。
簡單講CPU內的所有晶體管都是CMOS電路，都是開關。CPU運算就是這些CMOS開關電路不停地「開」和「關」。「開」就是導通，讓代表「1」的高電平信號通過。「關」就是斷開，信號變成低電平，表示「0」。如果代表「1」的高電平較低，就會與低電平的「0」混淆，CPU分辨不出「1」和「0」，自然運算就出錯，導致死機、藍屏。
3、電壓提升過高也不利於超頻，因為電壓過高，把信號電平也拉高，信號電平越高，CMOS開關的頻率就無法加快。這個道理可以從CPU電壓的進展歷程看出來。486/586時代，CPU的核心電壓和I/O電壓都是3.3V。奔騰4開始，把CPU的核心電壓與I/O分開，核心電壓降到2V左右，現在降到 1.xx V，降低信號電平就是要提高CPU的頻率。CPU的頻率取決於CMOS電路的開關速度，信號電平設計的越低，開關速度就越快。
4、有些DIY發現，超頻頻率很高時，CPU滿載運作會有「掉」電壓的現象。於是想辦法 改電路，或者再提高電壓。其實，「掉」電壓是正常現象。頻率提高30%，CMOS電路的開關頻率提高30%，開關時間縮短30%，輸出的高電平信號電壓肯定降低，自然也要把供電電壓拉低。
5、所以，調整電壓要適當，不是越高越好。上述8項電壓設置，灰色的Auto表示默認電壓。白色數字表示正常范圍的電壓。紅色數字表示非正常電壓，包括過高和過低的。
6、調整電壓時，可以用小鍵盤 的「+」和「-」鍵，也可以用Page Up和Page Down鍵。
6、頻展設置
Spread Spectrum（擴展頻譜）技術是一種常用的無線通訊技術，簡稱展頻技術。當主板上的時鍾發生器工作時，脈沖的峰值會產生電磁干擾（EMI），展頻技術可以降低脈沖發生器所產生的電磁干擾。在沒有遇到電磁干擾問題時，應將此類項目的值全部設為「Disabled」，這樣可以優化系統性能，提高系統穩定性；如果遇到電磁干擾問題，則應將該項設為「Enabled」以便減少電磁干擾。在將處理器超頻時，最好將該項設置為「Disabled」，因為即使是微小的峰值飄移也會引起時鍾的短暫突發，這樣會導致超頻後的處理器被鎖死。
⑨ Am29LV800D-----這個flash.如何接成16位，和8位求助
（1）S3C2440 的地址線 ADDR1-19 與 Am29LV800D 的地址線 A0-18 依次武漢理工大學碩士學位論文
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相連。由於 NOR Flash 選擇的是 512K×16Bit 存儲形式，即 NOR Flash 的最小
存儲單位為 2 位元組，而 S3C2440 最小定址單位為 1 位元組，因此需要將地址線的
第二位 ADDR1 與 A0 相連，而 ADDR0 不與 NOR Flash 晶元相連。
（2）16位數據線依次相連。其中埠DQ15/A-1有兩種用途，如果NOR Flash
晶元選擇的是 1024K×8Bit 存儲方式，該埠將作為最低位的地址線，而本文選
擇的是 512K×16Bit 存儲方式，因此該埠用作數據線的最高位 DQ15。
（3）CE 是片選信號，由於 NOR Flash 連接到 BANK0，因此需要用到 BANK0
的片選信號 nGCS0。讀使能 OE，寫使能 WE 與 S3C2440 對應引腳相連。
（4）RY/BY 表示 NOR Flash 是就緒還是繁忙的狀態信息，此處沒有使用，
所以懸空。RESET 低電平有效，與電路的復位模塊相連。
（5）BYTE 是 NOR Flash 晶元讀寫方式的選擇，高電平對應 16bit 模式，低
電平對應 8bit 模式。本文使用的是 16bit 模式，因此直接接 VDD。
（6）OM0，OM1 是 S3C2440 啟動方式的選擇。當 OM0=1，OM1=0 晶元置
為 16bit 方式，並且將 NOR Flash 晶元映射到 BANK0 地址 0x0 處。S3C2440 只
有 16bit 和 32bir 兩種使用 NOR Flash 啟動的方式，因此前面的 Am29LV800D 只
能使用 16bit 讀寫方式，而不能使用 8bit 模式。
NOR Flash 的讀寫方式基本與內存一樣，可以直接在其地址范圍內進行讀寫。
因此將啟動程序拷貝到 NOR Flash 裡面，上電後便可以直接運行。但 NOR Flash
價格昂貴，而且 1M 容量也顯不足，因此本系統還加上了一塊 NAND Flash 晶元
作為補充。
2.4.2 NAND Flash 存儲器電路設計
相對於 NOR Flash 的昂貴，NAND Flash 則要便宜很多，因此更適合作為較
大容量的存儲介質使用。1989 年東芝公司發表了 NAND Flash 技術（後將該技
術無償轉讓給韓國三星公司），NAND Flash 技術強調降低每比特的成本，更高
的性能，並且像磁碟一樣可以通過介面輕松升級。NAND Flash 結構能提供極高
的單元密度，可以達到高存儲密度，並且寫入和擦除的速度也很快。其缺點在
於需要特殊的系統介面，並且 CPU 需要驅動程序才能從 NAND Flash 中讀取數
據，使用時一般是將數據從 NAND Flash 中拷貝到 SDRAM 中，再供 CPU 順序
執行，這也是大多數嵌入式系統不能從 NAND Flash 中啟動的原因。
S3C2440 不僅支持從 NOR Flash 啟動，而且支持從 NAND Flash 啟動。這是武漢理工大學碩士學位論文
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因為從 NAND Flash 啟動的時候，Flash 中開始 4k 的數據會被 S3C2440 自動地復
制到晶元內部一個叫「Steppingstone」的 RAM 中，並把 0x0 設置為內部 RAM
的起始地址，然後 CPU 從內部 RAM 的 0x0 位置開始執行。這個過程不需要程
序干涉。而程序則可使用這 4k 代碼來把更多數據從 NAND Flash 中拷貝到
SDRAM 中去，從而實現從 NAND Flash 啟動。
選擇是從 NOR Flash 啟動，還是 NAND Flash 啟動，需要對 OM0 和 OM1
引腳進行不同的設置，如果常常需要切換啟動模式，可以將這兩個引腳接到跳
線柱上，通過跳線夾對其進行設置。
本文選用的是三星公司出品的 K9F1208U0B NAND Flash 晶元，該晶元容量
為 64M×8bit。由於 S3C2440 已經內置了 NAND Flash 控制器，因此電路設計十
分簡單，不需要再外加控制晶元。電路圖如圖 2－4 所示。
圖 2－4 NAND Flash 電路圖
電路圖說明：
（1）由於 NAND Flash 晶元是以位元組為單位存儲的，因此的數據線 I/O0-7
直接與 S3C2440 的數據線 DATA0-7 相連，不需要像 NOR Flash 那樣偏移一位進
行相連。I/O0-7 是充當地址，命令，數據復用的埠。
（2）ALE 地址鎖存允許，CLE 命令鎖存允許，CE 片選，WE 寫使能，RE
讀使能依次與 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的引腳 ALE，CLE，nFCE，nFWE，
nFRE 相連。
（3）WP 防寫，這里沒有用到，直接接到高電平使其無效。VCC 與電源
相連，VSS 與地相連。武漢理工大學碩士學位論文
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（4）當 OM0，OM1 均接地為 0 時，S3C2440 將會從 NAND Flash 中啟動，
內部 RAM「Steppingstone」將會被映射到 0x0 位置，取代本來在這個位置的 NOR
Flash。上電時 NAND Flash 中的前 4K 數據會被自動拷貝到「Steppingstone」中，
從而實現從 NAND Flash 啟動。
（5）NCON、GPG15 接地；GPG13、14 接電源。這四個引腳用來對 NAND
Flash 進行設置。以上設置表示使用的 Flash 是普通 NAND Flash，一頁的大小為
512 字 節 ， 需 要 進 行 4 個 周 期 的 地 址 傳 輸 完 成 一 次 尋 址 操 作 （ 這 是 因 為
K9F1208U0B 片內採用 26 位定址方式，從第 0 位開始分四次通過 I/O0－I/O7 進
行傳送），數據位寬為 8bit。不同的晶元有不同的設置方式，以上是 K9F1208U0B
的設置方式，其它晶元的設置方法需要參考 S3C2440 和具體使用的 NAND Flash
晶元的數據手冊。
NAND Flash 不對應任何 BANK，因此不能對 NAND Flash 進行匯流排操作，
也就無法像 NOR Flash 和 SDRAM 一樣通過地址直接進行訪問。對 NAND Flash
存儲晶元進行操作，必須通過 NAND Flash 控制器的專用寄存器才能完成。
NAND Flash 的寫操作必須以塊方式進行，讀操作可以按位元組讀取。
對 K9F1208U0B 的操作是通過向命令寄存器（對於 S3C2440 來說此寄存器
為 NFCMMD，內存映射地址為 0x4e000004）發送命令隊列實現的，命令隊列一
般是連續幾條命令或是一條命令加幾個參數，具體的命令可以參考 K9F1208U0B
的數據手冊。地址寄存器把一個完整的 NAND Flash 地址分解成 Column Address
與 Page Address 進行定址。Column Address 是列地址，用來指定 Page 上的具體
某個位元組。Page Address 是頁地址，用來確定讀寫操作是在 Flash 上的哪個頁進
行的，由於頁地址總是以 512 位元組對齊的，所以它的低 9 位總是 0。
一個 26 位地址中的 A0~A7 是它的列地址，A9~A25 是它的頁地址。當發送
完命令後（例如讀命令 00h 或 01h），地址將分 4 個周期發送。第一個周期是發
送列地址。之後 3 個周期則是指定頁地址。當發送完地址後，就可以通過數據
寄存器對 NAND Flash 進行數據的讀寫。以上只是 S3C2440 的 NAND Flash 控制
器的大致操作流程，具體操作方式需要參考數據手冊。
2.4.3 SDRAM 存儲器電路設計
從 Flash 中讀取數據的速度相對較慢，而 S3C2440 運行的速度卻很快，其執
行指令的速度遠高於從 Flash 中讀取指令的速度。如果僅按照數據從 Flash 讀取，武漢理工大學碩士學位論文
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然後再到晶元處理的方式設計系統，那麼即使晶元的運算能力再強，在沒有指
令執行的情況下，它也只能等待。因此系統中還需要加入 SDRAM。
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步動態隨機
存取存儲器，同步是指工作時需要同步時鍾，內部命令的發送與數據的傳輸都
以它為基準，動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失，隨機是指
數據不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數據讀寫。
SDRAM 是與系統時鍾同步工作的動態存儲器，它具有數據吞吐量大，速度
快，價格便宜等特點。SDRAM 在系統中的主要作用是作為程序代碼的運行空間。
當系統啟動時，CPU 首先從復位地址處讀取啟動代碼，在完成系統的初始化後，
將程序代碼調入 SDRAM 中運行，以提高系統的運行速度。同時，系統和用戶
堆棧、操作數據也存放在 SDRAM 中。
由於 SDRAM 自身結構的特點，它需要定時刷新，這就要求硬體電路要有
定時刷新的功能，S3C2440 晶元在片內集成了獨立的 SDRAM 控制電路，可以
很方便的與 SDRAM 連接，使系統得以穩定的運行。
本設計使用的 SDRAM 晶元型號是 HY57V561620，存儲容量為 4Bank×4M
×l6bit，每個 Bank 為 8M 位元組，總共大小為 32M。本系統通過兩片 HY57V561620
構建了 64MB 的 SDRAM 存儲器系統，能滿足嵌入式操作系統及較復雜演算法的
運行要求。電路圖如圖 2－5 所示。
圖 2－5 SDRAM 電路圖
電路圖說明：
（1）本系統使用兩塊 HY57V561620 晶元組成容量 64M 的 SDRAM。兩片
SDRAM 都是以 2 位元組為單位進行存儲，因此一次存儲的最小容量為 4 位元組。將
一塊晶元的數據線 DQ0-DQ15 與 S3C2440 的數據線低位 DATA0-DATA15 相連，武漢理工大學碩士學位論文
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而另一塊則與數據線的高位 DATA16-DATA31 相連。
（2）兩塊 SDRAM 晶元地址線均與 S3C2440 地址線 ADDR2-ADDR14 依次
相連。SDRAM 的內部是一個存儲陣列，陣列就如同表格一樣，將數據「填」進去，
和表格的檢索原理一樣，先指定一個行（Row），再指定一個列（Column），就
可以准確地找到所需要的單元格，這就是內存晶元定址的基本原理。正因為如
此 ， 地 址 是 通 過 將 存 儲 單 元 的 列 地 址 和 行 地 址 分 開 進 行 傳 送 的 ， 因 此
HY57V561620 只用了 13 根地址線便完成了一個 BANK（8M 大小）的定址。否
則按照正常情況 8M 大小的地址空間，按照位元組傳輸，需要用到 24 根地址線。
由於本系統由兩塊 16bit 的晶元組成，一次最小的存儲單位為 4 位元組，也就是說
定址的間隔應該為 4（2
2
）位元組。ADDR0 的間隔對應為 1 位元組，ADDR1 為 2 字
節，ADDR2 為 4 位元組。因此 HY57V561620 需要從 ADDR2 開始連接，從而達
到一次定址的間隔為 4 位元組的目的。
（3）HY57V561620由 4個BANK組成，每個BANK大小為8M（4M×16bit）。
因此在不同的 BANK 之間也需要定址。由於一個 BANK 的大小為 8M=2
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，因
此對間隔為 8M 的 BANK 空間定址，需要使用從 ADDR24 開始的兩根地址線。
所以 BA0，BA1 分別接到 ADDR24，ADDR25。
（4）LDQM，UDQM 為數據輸入輸出屏蔽，由 S3C2440 的 SDRAM 控制器
使用，這里連接到低位數據線的晶元連接到 DQM0，DQM1；而連接到高位數據
線的晶元連接到 DQM2，DQM3。具體連接方法可以查看 S3C2440 的數據手冊。
（5）片選信號 CS 連接到 SDRAM 的片選信號 nSCS0，兩塊晶元對應同一
片選信號。這是因為兩塊晶元是按照高位，低位的方式連接的，他們處於同一
地址空間。
（6）RAS 行地址選通信號，CAS 列地址選通信號，WE 寫使能，分別與
S3C2440 相應的控制引腳 nSRAS、nSCAS、nWE 相連。CLK 時鍾信號，CKE
時鍾使能信號分別連接到 SCKE、SCLK。
使用程序讀寫 SDRAM 前，需要初始化 SDRAM，對一些配置寄存器進行設
置。這里只使用了 BANK6，並未用到 BANK7。
初始化的代碼大致如下：
void memsetup(void)
{
rBWSCON = 0x22111110; 武漢理工大學碩士學位論文
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rBANKCON0 = 0x700;
rBANKCON1 = 0x700;
rBANKCON2 = 0x700;
rBANKCON3 = 0x700;
rBANKCON4 = 0x700;
rBANKCON5 = 0x700;
rBANKCON6 = 0x18005;
rBANKCON7 = 0x18005;
rREFRESH = 0x8e07a3;
rBANKSIZE = 0xb2;
rMRSRB6 = 0x30;
rMRSRB7 = 0x30;
}
BWSCON 寄存器這里主要用來設置位寬，其中每 4 位描述一個 BANK，對
於本系統，使用的是兩片容量為 32Mbyte、位寬為 16 的 SDRAM，組成了容量
為 64Mbyte、位寬為 32 的存儲器，因此要將 BANK6 設置為 32 位。BANKCON0-5
沒有用到，使用默認值 0x700 即可。BANKCON6-7 是用來設置 SDRAM，設成
0x18005 意味著外接的是 SDRAM，且列地址位數為 9。REFRESH 寄存器用於設
置SDRAM的刷新周期，查閱HY57V561620數據手冊即可知道刷新周期的取值。
BANKSIZE 設置 BANK6 與 BANK7 的大小。BANK6、BANK7 對應的地址空間
與 BANK0~5 不同。BANK0~5 的地址空間大小都是固定的 128M，BANK7 的起
始地址是可變的，本系統僅使用 BANK6 的 64M 空間，因此可以令該寄存器的
位[2:0]＝010（128M/128M）或 001（64M/64M），多出來的空間會被檢測出來，
不會發生使用不存在內存的情況，因為Bootloader和Linux內核都會作內存檢測。
2.4.4 觸摸屏電路設計
使用觸摸屏 TSP（Touch Screen Panel）進行輸入，是指用手指或其它物體觸
摸安裝在顯示器前端的觸摸屏，將所觸摸的位置（以坐標形式）由觸摸屏控制
器檢測，並通過介面送到 CPU，從而確定輸入的相應信息。觸摸屏通過一定的
物理機制，使用戶直接在載入觸摸屏的顯示器上，通過觸摸控制方式而非傳統
的滑鼠鍵盤控制方式向計算機輸入信息[14]
。武漢理工大學碩士學位論文
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根據其技術原理，觸摸屏可分為矢量壓力感測式、電阻式、電容式、紅外
式和表面聲波式等五類，當前電阻式觸摸屏在嵌入式系統中用的較多。電阻觸
摸屏是一個多層的復合膜，由一層玻璃或有機玻璃作為基層，表面塗有一層透
明的導電層，上面蓋有一層塑料層，它的內表面也塗有一層透明的導電層，在
兩層導電層之間有許多細小的透明隔離點把它們隔開絕緣。工業中常用 ITO
（Indium Tin Oxide 氧化錫）作為導電層。電阻式觸摸屏根據信號線數又分為四
線、五線、六線……等類型。信號線數量越多，技術越復雜，坐標定位也越精
確。所有電阻式觸摸屏的基本原理都是類似的，當觸摸屏幕時，平常絕緣的兩
層導電層在觸摸點位置就有了一個接觸，控制器檢測到這個接通後，由於其中
一面導電層接通 Y 軸方向的 5V 均勻電壓，另一導電層將接觸點的電壓引至控制
電路進行 A/D 轉換，得到電壓值後與 5V 相比，即可得觸摸點的 Y 軸坐標，同
理得出 X 軸的坐標[15]
。本文使用是四線電阻式觸摸屏。
S3C2440 提供 8 路 A/D 模擬輸入，其中有 4 路是與觸摸屏復用的，如果 XP、
XM、YP、YM 這 4 根引腳不用做觸摸屏輸入的時候可以作為普通的 A/D 轉換使
用。S3C2440 的觸摸屏介面有四種工作模式：
（1）正常轉換模式：此模式與通用的 A/D 轉換模式相似。此模式可在
ADCCON（ADC 控制寄存器）中設置，在 ADCDAT0（數據寄存器 0）中完成
數據讀寫。
（2）X/Y 坐標各自轉換：觸摸屏控制器支持兩種轉換模式，X/Y 坐標各自
轉換與 X/Y 坐標自動轉換。各自轉換是在 X 模式下，將 X 坐標寫入 ADCDAT0
然後產生中斷；在 Y 模式下，將 Y 坐標寫入 ADCDAT1 然後產生中斷。
（3）X/Y 坐標自動轉換：在此模式下，觸摸屏控制器先後轉換觸摸點的 X
坐標與 Y 坐標。當 X 坐標與 Y 坐標都轉換完成時，會向中斷控制器產生中斷。
（4）等待中斷模式：當觸摸筆按下時，觸摸屏產生中斷（INT_TC）。等待
中斷模式必須將寄存器 rADCTSC 設置為 0xd3；在觸摸屏控制器產生中斷以後，
必須將此模式清除。
本設計採用的觸摸屏是由廣州友善之臂公司提供的，並且已經加在 LCD 屏
AA084VC03 之上，與 LCD 一起提供了一個對外介面。AA084VC03 是日本三菱
公司的 8.4 寸 TFT-LCD，解析度為 640x480，262K 色。本款觸摸屏為四線電阻
式觸摸屏，使用 S3C2440 的觸摸屏控制單元可以大大簡化電路設計。具體電路
圖見下一小節中的圖 2－6。AM29LV800D
看看對你有沒有用
⑩ 黑科技是什麼意思
現在日常生活中，我們常說的黑科技更多的是指網路的新名詞，即指高科技泛濫之後演變出來更強大或者更先進的技術以及創新、軟硬體結合等，也包括基於現有技術的改進升級和改產品的使用體驗等。同時黑科技也泛指生活中一切讓大家感到「不明覺厲」的新硬體、新軟體、新技術、新工藝、新材料等。