晶振內部電路

Ⅰ 請問 能詳細說明晶振裡面各部分工作原理

有源晶振的內部電路如上圖，其中石英晶體XT相當於一個性能穩定的電感，和電容C2串聯組成LC諧振電路，兩個三極體T1和T2組成反饋放大電路，維持振盪的持續穩定。

Ⅱ 精密晶振的內部電路情況到底是怎樣的

從下面鏈接中找出來的兩個資料比較發現：
http://www.bs-skyline.com/pdf/STM.pdf
http://www.bs-skyline.com/chinese/c_3.html－－－－－－－－－－－－－－－－E
文資料原本是不錯的，但轉成中文就大不相同了，感覺中文版本就是缺乏某種客觀性！可惜的是兩者都沒有封裝代碼和名稱，如果為查找這一部分資料提供鏈接，就很好了。

Ⅲ 什麼是晶振電路

凱越翔晶振是晶體振盪器的簡稱，在電氣上它可以等效成一個電容和一個電阻並聯再串聯一個電容的二端網路。電工學上這個網路有兩個諧振點，以頻率的高低分，其中較低的頻率是串聯諧振；較高的頻率是並聯諧振。由於晶體自身的特性致使這兩個頻率的距離相當的接近，在這個極窄的頻率范圍內，晶振等效為一個電感，所以只要晶振的兩端並聯上合適的電容它就會組成並聯諧振電路。這個並聯諧振電路加到一個負反饋電路中就可以構成正弦波振盪電路，由於晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數變化很大，這個振盪器的頻率也不會有很大的變化。晶振有一個重要的參數，那就是負載電容，一般的晶振的負載電容為10PF或20pF.選擇與負載電容值相等的並聯電容,就可以得到晶振標稱的諧振頻率。一般的晶振振盪電路都是在一個反相放大器的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地,這兩個電容串聯的容量值就應該等於負載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容,這個不能忽略。

Ⅳ 什麼是晶振電路

單片機工作都需要有時鍾信號電路，晶振是時鍾信號的一種。
晶振電路就是產生一種周期性波形的電路，如果頻率定了，就可以通過分頻的方式實現定時，也就是你的時鍾信號。

Ⅳ 晶振的原理及作用

晶振用一種能把電能和機械能相互轉化的晶體在共振的狀態下工作，以提供穩定，精確的單頻振盪。在通常工作條件下，普通的晶振頻率絕對精度可達百萬分之五十。高級的精度更高。有些晶振還可以由外加電壓在一定范圍內調整頻率，稱為壓控振盪器（VCO）。

晶振的作用是為系統提供基本的時鍾信號。通常一個系統共用一個晶振，便於各部分保持同步。有些通訊系統的基頻和射頻使用不同的晶振，而通過電子調整頻率的方法保持同步。

晶振通常與鎖相環電路配合使用，以提供系統所需的時鍾頻率。如果不同子系統需要不同頻率的時鍾信號，可以用與同一個晶振相連的不同鎖相環來提供。

(5)晶振內部電路擴展閱讀

晶振是石英晶體諧振器（quartz crystal oscillator）的簡稱，也稱有源晶振，它能夠產生中央處理器（CPU）執行指令所必須的時鍾頻率信號，CPU一切指令的執行都是建立在這個基礎上的，時鍾信號頻率越高，通常CPU的運行速度也就越快。

只要是包含CPU的電子產品，都至少包含一個時鍾源，就算外面看不到實際的振盪電路，也是在晶元內部被集成，它被稱為電路系統的心臟。

參考資料網路——晶振

Ⅵ 晶振電路詳解

晶振電路
我用反向器（74LS00）與晶振、兩個小電容、一個大電阻。用的是典型電路，內可在示波容器上就是不振?
HC的或HCT的才行，如果電容小的話，應該用MOS輸入的門。LS晶元的最高截止頻率沒問題，原因是LS晶元需一個百歐級偏置電阻才能達到線性狀態，此時增益又不夠。
HC和LS速度上並無區別（最大40兆），問題出在振盪電路是將非門當成線性反向放大器來使用。HC只要加個10兆電阻即可，此時仍有足夠的放大倍數（約100）。LS加個1兆電阻仍是非線性狀態，不可能振盪，需要5千才能線性，但此時負反饋太深，放大倍數過小（小於10），仍不可能振盪。
原先CMOS比TTL的速度低，高速CMOS與TTL的速度低錯不多，由於CMOS的優點工耗低，故得以發展，HC就是高速CMOS，但TTL的可靠性要好（短路不會燒掉，CMOS就不同啦）。

Ⅶ 晶振內部電路（或陶瓷片）的諧振頻率如何推導的

由於C0遠遠大於C1所以Fs≈Fp≈Fr晶體諧振頻率

第五、另外還需要說明的是，晶體發生諧振的導納中是六大諧振頻率，而不是兩個。

不知道是不是幫到你了？

Ⅷ 請問什麼是晶振電路謝謝

日振電路：
晶振是電路中常用用的時鍾元件，全稱是叫晶體震盪器，在單片專機系統屬里晶振的作用非常大，他結合單片機內部的電路，產生單片機所必須的時鍾頻率，單片機的一切指令的執行都是建立在這個基礎上的，晶振的提供的時鍾頻率越高，那單片機的運行速度也就越快。
晶振用一種能把電能和機械能相互轉化的晶體在共振的狀態下工作，以提供穩定，精確的單頻振盪。在通常工作條件下，普通的晶振頻率絕對精度可達百萬分之五十。高級的精度更高。有些晶振還可以由外加電壓在一定范圍內調整頻率，稱為壓控振盪器（vco）。
晶振的作用是為系統提供基本的時鍾信號。通常一個系統共用一個晶振，便於各部分保持同步。有些通訊系統的基頻和射頻使用不同的晶振，而通過電子調整頻率的方法保持同步。
晶振通常與鎖相環電路配合使用，以提供系統所需的時鍾頻率。如果不同子系統需要不同頻率的時鍾信號，可以用與同一個晶振相連的不同鎖相環來提供。

Ⅸ 晶振是用來干什麼的在電路中起什麼作用

晶振在應用具體起到的作用，微控制器的時鍾源可以分為兩類：
基於機械諧振器件的時鍾源，如晶振、陶瓷諧振槽路；RC（電阻、電容）振盪器。一種是皮爾斯振盪器配置，適用於晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡單的分立RC振盪器。
基於晶振與陶瓷諧振槽路的振盪器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數。RC振盪器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內精度較差，會在標稱輸出頻率的5%至50%范圍內變化。但其性能受環境條件和電路元件選擇的影響。需認真對待振盪器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時，陶瓷諧振槽路和相應的負載電容必須根據特定的邏輯系列進行優化。具有高Q值的晶振對放大器的選擇並不敏感，但在過驅動時很容易產生頻率漂移（甚至可能損壞）。影響振盪器工作的環境因素有：電磁干擾（EMI）、機械震動與沖擊、濕度和溫度。這些因素會增大輸出頻率的變化，增加不穩定性，並且在有些情況下，還會造成振盪器停振。上述大部分問題都可以通過使用振盪器模塊避免。這些模塊自帶振盪器、提供低阻方波輸出，並且能夠在一定條件下保證運行。
最常用的兩種類型是晶振模塊和集成RC振盪器（硅振盪器）。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振盪器的精度要比分立RC振盪器高，多數情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當的精度。
選擇振盪器時還需要考慮功耗。分立振盪器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當於1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振盪器的電源電流取決於其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。一種低功率的硅振盪器，如MAX7375，工作在4MHz時只需不到2mA的電流。在特定的應用場合優化時鍾源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環境需求。
參考鏈接：http://ke..com/view/480656.htm?fromtitle=%E6%99%B6%E6%8C%AF&fromid=108235&type=syn#5

Ⅹ 晶振電路上為什麼要加一個1M的電阻

不是每個用晶體的地方都要加的。

部分是因為晶體驅動電路的原因,部分是因為晶體的不同類型或加工工藝的原因。

這個電阻也並不都是1M，有的大點有的小點，還更工作條件有關。

基本上，其作用是作為阻抗匹配，使晶體的驅動電路或晶體本身處於更良好的工作條件。

(10)晶振內部電路擴展閱讀：

晶振和電阻的關系（資料來自YXC揚興晶振官網《晶振、電容和電阻的關系》）

1、配合IC內部電路組成負反饋、移相,使放大器工作在線性區。

晶振輸入輸出連接的電阻作用是產生負反饋，保證放大器工作在高增益的線性區，同時起到限流的作用，防止反向器輸出對晶振過驅動，損壞晶振。

2、晶振串聯的電阻常用來預防晶振被過分驅動；晶振過分驅動的後果是將逐漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升，並導致晶振的早期失效，又可以講drive level調整用。用來調整drive level和發振餘裕度。

3、並聯降低諧振阻抗,使諧振器易啟動；Xin和Xout的內部一般是一個施密特反相器,反相器是不能驅動晶體震盪的.因此,在反相器的兩端並聯一個電阻,由電阻完成將輸出的信號反向180度反饋到輸入端形成負反饋,構成負反饋放大電路.晶體並在電阻上,電阻與晶體的等效阻抗是並聯關系,並聯降低諧振阻抗,使諧振器易啟動。