經典驅動電路

Ⅰ 關於MOC3021驅動雙向可控硅典型應用電路的問題

MC3021之2腳為低電平時雙向可控硅導通，當它為高電平時，交流電的下一個過零點後截止。
RC的值圖上已有標准值。
兩電阻的功率沒有明確經驗值，1/4W貌似也可以正常工作。

Ⅱ EXB841的典型驅動電路和（帶6個IGBT的）IPM智能模塊怎麼連啊，費解死了。 難道是EXB841驅動電路的接IGBT

EXB840、EXB841,是日產專用變頻器驅動厚膜模塊，驅動IGBT電路還得有一些其他輔助電路，不是一、二句說清楚。可參考這個模塊相關電路。很多資料都有。

Ⅲ 非常無奈的三極體

1、PNP，發射極正電源，基極接控制腳（比如數字邏輯電路的輸出埠，邏輯「1」時，基極接高電平，基極電壓等於或者略小於正電源，三極體截止。邏輯「0」，基極相當於接地，三極體飽和導通），這時PNP管就相當於一個開關，工作在開關狀態（飽和導通，截止）。這時可以用於驅動像蜂鳴器，數碼管這類的器件，但不適合作為小信號的放大使用。這是最經典的三極體驅動電路，在數字電路，單片機裡面比比皆是。
2、第二種接法其實不太准確，正規的來說，沒有什麼基極負，發射極正的說法。只有發射結正偏（對於PNP管來講，發射結的方向從發射極指向基極，要PN結正偏，也就是要發射極的電壓至少高於基極電壓0.7V，PN結正向導通。）或者發射結反偏（發射極電壓小於基極電壓），還有一種零偏（兩個電壓相等）。
如果要三極體工作在放大狀態，務必要發射結正偏，集電結反偏。如果要工作在飽和狀態，則發射結正偏，集電結正偏或者零偏。如果要工作在截止狀態，則發射結、集電結都反偏或者發射結零偏。
PNP管如果作為音頻放大，則基極是信號輸入端，基極的電壓肯定在正負電源之間（此時的負電源有可能是0V，也有可能是負電壓），如果接正電源就沒法放大信號了。
三極體的狀態和連接方法其實不麻煩，多看看也就那麼回事。

Ⅳ 如何看懂經典電路圖

看懂電路圖其實並不難。
但你要看懂，必須要有扎實的基礎知識才行。
你起碼必須知道各種回電子元件的答功用，什麼是整流電路、濾波電路、放大電路、鉗位電路、控制電路、單端放大、推挽放大、CTL電路、OCL電路、振盪電路、混頻電路、調諧電路、各種門電路及各種數字電路等等等等。
只有知道了這些，看電路圖，才會說，噢，這是電源部分，這是接收部分、這是放大部分、這是驅動部分、這是輸出部分等等等等，然後才能自然地把這些聯想起來，哪一部分出現故障會導致什麼問題。
沒有個三五年，十來年，是不可能的。

Ⅳ MOSFET幾種典型驅動電路

MOSFET數字電路
數字科技的進步，如微處理器運算效能不斷提升，帶給深入研發新一代MOSFET更多的動力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導體主動元件中最快的一種。MOSFET在數字信號處理上最主要的成功來自CMOS邏輯電路的發明，這種結構最大的好處是理論上不會有靜態的功率損耗，只有在邏輯門（logic gate）的切換動作時才有電流通過。CMOS邏輯門最基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣，在邏輯轉換的瞬間同一時間內必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導通的狀態下，另一種必定是截止狀態，這使得從電源端到接地端不會有直接導通的路徑，大量節省了電流或功率的消耗，也降低了集成電路的發熱量。
MOSFET在數字電路上應用的另外一大優勢是對直流（DC）信號而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效於開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們最主要的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且也更易於驅動。在CMOS邏輯電路里，除了負責驅動晶元外負載（off-chip load）的驅動器（driver）外，每一級的邏輯門都只要面對同樣是MOSFET的柵極，如此一來較不需考慮邏輯門本身的驅動力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如最常見的TTL）就沒有這些優勢。MOSFET的柵極輸入電阻無限大對於電路設計工程師而言亦有其他優點，例如較不需考慮邏輯門輸出端的負載效應（loading effect）。

模擬電路
有一段時間，MOSFET並非模擬電路設計工程師的首選，因為模擬電路設計重視的性能參數，如晶體管的轉導（transconctance）或是電流的驅動力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術的不斷演進，今日的CMOS技術也已經可以符合很多模擬電路的規格需求。再加上MOSFET因為結構的關系，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代傳統的多晶硅電阻（poly resistor），或是MOS電容本身可以用來取代常用的多晶硅—絕緣體—多晶硅電容（PIP capacitor），甚至在適當的電路控制下可以表現出電感（inctor）的特性，這些好處都是BJT很難提供的。也就是說，MOSFET除了扮演原本晶體管的角色外，也可以用來作為模擬電路中大量使用的被動元件（passive device）。這樣的優點讓採用MOSFET實現模擬電路不但可以滿足規格上的需求，還可以有效縮小晶元的面積，降低生產成本。
隨著半導體製造技術的進步，對於整合更多功能至單一晶元的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設計模擬電路的另外一個優點也隨之浮現。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數量、減少封裝成本與縮小系統的體積，很多原本獨立的類比晶元與數位晶元被整合至同一個晶元內。MOSFET原本在數位集成電路上就有很大的競爭優勢，在類比集成電路上也大量採用MOSFET之後，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號電路（Mixed-signal circuits），如類比/數位轉換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術設計出效能更好的產品。

Ⅵ 端子集電極輸出2.7v（說明書寫著集電極輸出，最大輸出16v,30ma,測量實際輸出才2.7v）

這個NPN的三極體按照你的這種接法，根本就無法工作的。
從你的要求來看，這用經典驅動電路即可滿足要求。
你可以參考網路文庫裡面的繼電器驅動電路
http://wenku..com/link?url=_

Ⅶ 求指導經典晶閘管的驅動電路

Ⅷ igbt驅動板的典型IGBT驅動板電路原理圖

下圖為DA962Dx系列原理圖，參考下圖可設計出最大可驅動300A/1700V的IGBT驅動板，市售全功能版本的IGBT驅動板是在此基礎上增加了更多保護、指示等附加功能。
下圖為DA102Dx系列原理圖，參考下圖可設計出最大可驅動2400A/1700V的IGBT驅動板。

Ⅸ 選擇IGBT主要要考慮哪些參數

1、看你用的電壓等級；
2、看你的需要的電流大小及其過載能力；
3、使用熱模擬軟體模擬一下數據，看看IGBT選型是否正確，Tj有沒有超過允許的溫度。
深圳市凱泰電子供應IGBT，國產IGBT，電磁爐專用IGBT，交期有保障

Ⅹ IGBT如何選擇需要參考哪些參數

最高電壓
最大電流
輸入電容
若開關頻率大於5KHZ
最好配驅動晶元.
或採用經典驅動電路(18V結構)