內存條電路圖

❶ 台式電腦主板內存供電電路原理以及它和其他電路之間的關系求詳解

說實話..這些東西你就是學會了也不能修理,,因為現在的東西都是集成的..壞了修不劃算..或是不能修...主板上能修的就是換換電容..各種介面....其次其他沒法修理的..我簡單的說下電腦工作原理吧...主板相當人的身體....一切原件都在這個載體上運行,運行的過程就是首先CPU進行數據計算處理...通過內存條這個渠道也就是血管..把硬碟中的數據進行不斷交換處理計算,,通過顯卡處理成圖像顯示到顯示器...其中電源做到一個供能作用....這就完成了一輪運行....其中有一個很小的集成程序就是BIOS烤死的在主板上的..也是能進行修改的..但是很危險...在配置一個紐扣電源組合成一個很微小的BIOS基礎系統..這就是電腦最簡單的系統..最根本的系統的...你慢慢理解吧...,說簡單也簡單,說復雜也復雜....

❷ 電腦主機內存條在哪 （圖）

電腦主機的內存條在電腦主板的內存條卡槽里邊（內存條卡槽一般都是平行並且最長的兩個卡槽，位於主板CPU的旁邊，並且兩頭有用來取出內存條時按下去的槽卡）

(2)內存條電路圖擴展閱讀

電腦內存條的作用

CPU在工作即處理問題時要從硬碟調用數據存放在內存條內，然後再從內存中讀取數據供自己使用，簡單的說內存是電腦的一個緩沖區

電腦將讀取的信息流首先放在臨時的存儲空間內存里即內存條，CPU與內存之間進行數據交換的速度是最快的，所有CPU要處理的數據會先從硬碟里提出來暫時放在內存里，CPU處理的時候需要的數據會直接從內存尋找

內存只是暫時(臨時)用來放數據的，斷電後內存里的東西就會消失，所以有什麼需要留下來的都得保存起來放硬碟里。

❸ 如何畫8086內存分布圖

p,pp,c這些變數存儲在stack中，new出來的對象在heap中同時這些變數指向heap中的這些對象。即可畫出。
在馮·諾依曼計算機結構中，存儲器是計算機的存儲部件，是信息存儲的核心，用來存放程序和數據。存儲器又分為內存（內存儲器、主存儲器）和外存（外存儲器、輔助存儲器）。CPU能夠直接訪問的存儲器是內存。外存用於幫助主存記憶更多的信息，外存內的信息必須調入內存後，才能被CPU所使用。因此，內存是CPU與外存進行溝通的橋梁。只要計算機在運行中，操作系統就會把需要運算的數據從內存調到CPU中進行運算，當運算完成後CPU再將結果傳送出來，內存的運行也決定了計算機的穩定運行。計算機中所有程序的運行都是在內存中進行的，因此內存的性能對計算機的影響非常大。內存也被稱為內存儲器，其功能是用於暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬碟等外部存儲器交換的數據。內存條是由內存晶元、電路板、內存顆粒、金手指等部分組成的。
內存是臨時存儲程序以及數據的存儲空間。例如，當我們使用office處理文稿時，通過鍵盤敲入的字元就被存入內存中。而當你進行存檔保存數據時，內存中的數據才會被存入外存（如硬碟等）中。在進一步理解它之前，還應認識一下它的物理概念。內存一般採用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。RAM是其中最重要的存儲器，它又分為SDRAM（同步動態隨機存儲器）和DDRRAM（雙倍速率隨機存儲器）。其中，SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鍾鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鍾周期，以相同的速度同步工作，每一個時鍾脈沖的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO內存提高50%；DDRRAM是SDRAM的更新換代產品，它允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鍾的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

❹ 內存的結構原理

內存也叫主存，是PC系統存放數據與指令的半導體存儲器單元，也叫主存儲器（Main Memory），通常分為只讀存儲器（ROM-Read Only Memory）、隨機存儲器（RAM-Red Access Memory）和高速緩存存儲器（Cache）。我們平常所指的內存條其實就是RAM，其主要的作用是存放各種輸入、輸出數據和中間計算結果，以及與外部存儲器交換信息時做緩沖之用。 下面是結構： 1、PCB板 內存條的PCB板多數都是綠色的。如今的電路板設計都很精密，所以都採用了多層設計，例如4層或6層等，所以PCB板實際上是分層的，其內部也有金屬的布線。理論上6層PCB板比4層PCB板的電氣性能要好，性能也較穩定，所以名牌內存多採用6層PCB板製造。因為PCB板製造嚴密，所以從肉眼上較難分辯PCB板是4層或6層，只能藉助一些印在PCB板上的符號或標識來斷定。 2、金手指 黃色的接觸點是內存與主板內存槽接觸的部分，數據就是靠它們來傳輸的，通常稱為金手指。金手指是銅質導線，使用時間長就可能有氧化的現象，會影響內存的正常工作，易發生無法開機的故障，所以可以隔一年左右時間用橡皮擦清理一下金手指上的氧化物。 3、內存晶元 內存的晶元就是內存的靈魂所在，內存的性能、速度、容量都是由內存晶元組成的。 4、內存顆粒空位 5、電容 PCB板上必不可少的電子元件就是電容和電阻了，這是為了提高電氣性能的需要。電容採用貼片式電容，因為內存條的體積較小，不可能使用直立式電容，但這種貼片式電容性能一點不差，它為提高內存條的穩定性起了很大作用。 6、電阻 電阻也是採用貼片式設計，一般好的內存條電阻的分布規劃也很整齊合理。 7、內存固定卡缺口：內存插到主板上後，主板上的內存插槽會有兩個夾子牢固的扣住內存，這個缺口便是用於固定內存用的。 8、內存腳缺口 內存的腳上的缺口一是用來防止內存插反的（只有一側有），二是用來區分不同的內存，以前的SDRAM內存條是有兩個缺口的，而DDR則只有一個缺口，不能混插。 9、SPD SPD是一個八腳的小晶元，它實際上是一個EEPROM可擦寫存貯器，這的容量有256位元組，可以寫入一點信息，這信息中就可以包括內存的標准工作狀態、速度、響應時間等，以協調計算機系統更好的工作。從PC100時代開始，PC100規准中就規定符合PC100標準的內存條必須安裝SPD，而且主板也可以從SPD中讀取到內存的信息，並按SPD的規定來使內存獲得最佳的工作環境。
回答人的補充 2009-05-22 11:35
內存工作原理1.內存定址 首先，內存從CPU獲得查找某個數據的指令，然後再找出存取資料的位置時（這個動作稱為「定址」），它先定出橫坐標（也就是「列地址」）再定出縱坐標（也就是「行地址」），這就好像在地圖上畫個十字標記一樣，非常准確地定出這個地方。對於電腦系統而言，找出這個地方時還必須確定是否位置正確，因此電腦還必須判讀該地址的信號，橫坐標有橫坐標的信號（也就是RAS信號，Row Address Strobe）縱坐標有縱坐標的信號（也就是CAS信號，Column Address Strobe），最後再進行讀或寫的動作。 2.內存傳輸 為了儲存資料，或者是從內存內部讀取資料，CPU都會為這些讀取或寫入的資料編上地址（也就是我們所說的十字定址方式），這個時候，CPU會通過地址匯流排（Address Bus）將地址送到內存，然後數據匯流排（Data Bus）就會把對應的正確數據送往微處理器，傳回去給CPU使用。 3.存取時間 存取時間，指的是CPU讀或寫內存內資料的過程時間，也稱為匯流排循環（bus cycle）。以讀取為例，從CPU發出指令給內存時，便會要求內存取用特定地址的特定資料，內存響應CPU後便會將CPU所需要的資料送給CPU，一直到CPU收到數據為止，便成為一個讀取的流程。因此，這整個過程簡單地說便是CPU給出讀取指令，內存回復指令，並丟出資料給CPU的過程。我們常說的6ns（納秒，秒－9）就是指上述的過程所花費的時間，而ns便是計算運算過程的時間單位。我們平時習慣用存取時間的倒數來表示速度，比如6ns的內存實際頻率為1／6ns＝166MHz（如果是DDR就標DDR333，DDR2就標DDR2 667）。

❺ 內存條的電路問題

後面沒有集成塊的叫單面內存，很常見的，沒有問題，只要主板能夠識別就可以用。放心吧。

❻ 內存條的插法有正反嗎,如果插反了會出現什麼樣的後果

內存條的插法是有正反的。
正確的方法是先關機，撥掉電源，等一分鍾左右的時間，然後打開機箱側板，這時可以看到主板了。通常情況下主板有兩個內存插槽，裝機時至少要插上一條。
如果是清理或更換內存，建議先用手機拍下照片，再從主板上取下內存。
如果內存條插反了，這應該扣不上內存卡扣，少數情況會燒內存。
內存槽與內存的口徑要比對一致，就不會反了。

❼ 內存條電路圖

你不可能求到

這是商業機密

❽ 內存條有那些製造設備

1、內存條的製造設備：

執錫機、SMT貼片機、波峰焊爐、AOI設備、迴流焊爐、BGA重植機等等。

2、內存條的簡單介紹：

內存條是CPU可通過匯流排定址，並進行讀寫操作的電腦部件。內存條在個人電腦歷史上曾經是主內存的擴展。

隨著電腦軟、硬體技術不斷更新的要求，內存條已成為讀寫內存的整體。我們通常所說電腦內存（RAM）的大小，即是指內存條的總容量。

內存是電腦（包括單片機在內）的基礎部件，從有電腦那天起就有了內存。

(8)內存條電路圖擴展閱讀：

內存條製造成本：

1、內存條用的電路板應該是4層板，製作4層板的價格應該是0．12元一平方厘米。在電路板生產之前要有電路研發等等很多內容。

2、是采購器件，器件主要說的就是那16個或者8個晶元的價格，每個4～5元7～8不確定，除了晶元以外的東西都不值錢，1分一個。

3、是電路板焊接，每個焊點收費2分錢。一塊板子上一般都是有幾百個點的，每個晶元就幾十個。

4、電路板：鑽孔機20W，層壓機10W，熱風整平機10W，腐蝕通道20W，絲印機5W，切割機5W飛，針檢測機20W。

5、焊接方面：全自動貼片機20W迴流焊40W波峰焊15W

6、晶元製作一般沒有人做，都是買現成的或者代工。

❾ 誰有內存條電路圖/PCB圖

內存條晶元參數

整個DDR SDRAM顆粒的編號，一共是由14組數字或字母組成，他們分別代表內存的一個重要參數，了解了他們，就等於了解了現代內存。

顆粒編號解釋如下：

1． HY是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現代製造的產品。

2． 內存晶元類型：（5D=DDR SDRAM）

3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）

4． 晶元容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 內存條晶元結構：（4＝4顆晶元；8＝8顆晶元；16＝16顆晶元；32＝32顆晶元）

6． 內存bank（儲蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 介面類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 內核代號：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10． 封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11． 封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12． 封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素）

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14． 工作溫度：（I=工業常溫（-40 - 85度）；E=擴展溫度（-25 - 85度））

由上面14條註解，我們不難發現，其實最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數字的實際含義，就能輕松實現對使用現代DDR SDRAM內存顆粒的產品進行辨別。尤其是第13位數字，它將明確的告訴消費者，這款內存實際的最高工作狀態是多少。假如，消費者買到一款這里顯示為L的產品（也就是說，它只支持DDR 200的工作頻率），那麼就算內存條上貼的標簽或者包裝盒上吹的再好，它也只是一款低檔產品。

常見SDRAM 編號識別

維修SDRAM內存條時，首先要明白內存晶元編號的含義，在其編號中包括以下幾個內容：廠商名稱（代號）、容量、類型、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標志等。通過對這些參數的分析比較，就可以正確認識和理解該內存條的規格以及特點。
(1)世界主要內存晶元生產廠商的前綴標志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 現代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西門子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 東芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 勝創
(2)內存晶元速度編號解釋如下:
★ -7 標記的SDRAM 符合 PC143 規范,速度為7ns.
★ –75標記的SDRAM 符合PC133規范,速度為7.5ns.
★ –8標記的SDRAM 符合PC125規范,速度為8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S標記的SDRAM 符合PC100規范,速度為10ns.
★ –10K標記的SDRAM符合PC66規范,速度為15ns.
(3) 編 號 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示晶元類別,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示電壓,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示帶寬。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.
g表示版本號，B—第三代。
h表示電源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。
ii表示封裝形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75
按照解釋該內存條應為：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解釋該內存條應為：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ

全球主要內存晶元生產廠家(掌握內存晶元生產技術的廠家主要分布在美國、韓國、日本、德國、台灣)：

序號 品牌 國家/地區 標識 備注
1 三星 韓國 SAMSUNG
2 現代 韓國 HY
3 樂金 韓國 LGS 已與HY合並
4 邁克龍 美國 MT
5 德州儀器 美國 Ti 已與Micron合並
6 日電 日本 NEC
7 日立 日本 HITACHI
8 沖電氣 日本 OKI
9 東芝 日本 TOSHIBA
10 富士通 日本 F
11 西門子 德國 SIEMENS
12 聯華 台灣 UMC
13 南亞 台灣 NANYA
14 茂矽 台灣 MOSEI

SAMSUNG內存

體含義解釋：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——晶元功能K，代表是內存晶元。
第2位——晶元類型4，代表DRAM。
第3位——晶元的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。
第11位——連線「-」。
第14、15位——晶元的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。
知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位「28」代表該顆粒是128Mbits，第6、7位「08」代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存條的容量是128Mbits（兆數位） × 16片/8bits=256MB（兆位元組）。

註：「bit」為「數位」，「B」即位元組「byte」，一個位元組為8位則計算時除以8。關於內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。

Hynix(Hyundai)現代

現代內存的含義：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是現代的產品

2、內存晶元類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；

3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V

4、晶元容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

5、代表晶元輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位

6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系

7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2

8、晶元內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新

9、代表功耗：L=低功耗晶元，空白=普通晶元

10、內存晶元封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A

Infineon（億恆）

Infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，「128」標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。

-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；
-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。

例如：
1條Kingston的內存條，採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆位元組）。

1條Ramaxel的內存條，採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位） × 8 片/8=128MB（兆位元組）。

KINGMAX、kti

KINGMAX內存的說明

Kingmax內存都是採用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用Kingmax顆粒製作的內存條全是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。

容量備註：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。

Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。

例如一條Kingmax內存條，採用16片KSV884T4A0A-7A 的內存顆粒製造，其容量計算為： 64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆位元組）。

Micron（美光）

以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。
A2——內存內核版本號。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

實例：一條Micron DDR內存條，採用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。

其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆位元組）。

Winbond（華邦）

含義說明：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5

1、W代表內存顆粒是由Winbond生產

2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM

3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H；

4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝

5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

❿ 內存條元件

電阻、電容都有可能，具體是什麼要問製造商，即使是同品牌但型號不同的內存條電路結構也不一樣的，不能隨便嘗試，當心損壞主板。