mos管電子開關電路圖

Ⅰ Pmos管開關電路

下圖是兩種PMOS管經典開關電路應用：其中第一種NMOS管為高電平導通，低電平截斷，Drain端接後面電路的接地端；第二種為PMOS管典型開關電路，為高電平斷開，低電平導通，Drain端接後面電路的VCC端。

首先要進行MOSFET的選擇，MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個電壓。這就是後面介紹電路圖中柵極所接電阻至地。如果柵極為懸空，器件將不能按設計意圖工作，並可能在不恰當的時刻導通或關閉，導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電壓為零時，開關關閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。

第一步：選用N溝道還是P溝道

為設計選擇正確器件的第一步是決定採用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應採用N溝道MOSFET，這是出於對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到匯流排及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中採用PMOS管經典開關電路，這也是出於對電壓驅動的考慮。

第二步：確定額定電流

第二步是選擇MOSFET的額定電流。視電路結構而定，該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設計人員必須確保所選的MOSFET能承受這個額定電流，即使在系統產生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈沖尖峰。該參數以FDN304P管DATASHEET為參考，參數如圖所示：

來看這個電路，控制信號PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電。此電路中，源漏兩端沒有接反，R110與R113存在的意義在於R110控制柵極電流不至於過大，R113控制柵極的常態，將R113上拉為高，截至PMOS，同時也可以看作是對控制信號的上拉，當MCU內部管腳並沒有上拉時，即輸出為開漏時，並不能驅動PMOS關閉，此時，就需要外部電壓給予的上拉，所以電阻R113起到了兩個作用。R110可以更小，到100歐姆也可。

Ⅱ 求一個單片機控制mos管的電路圖

電路原理圖：

單片機驅動mos管電路主要根據MOS管要驅動什麼東西， 要只是一個繼電器之類的小負載的話直接用51的引腳驅動就可以，要注意電感類負載要加保護二極體和吸收緩沖，最好用N溝道的MOS。

如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等~~ 此時既要隔離傳送控制信號（例如PWM信號），也要給驅動級（MOS管的推動電路）傳送電能。

常用的信號傳送有PC923 PC929 6N137 TL521等 至於電能的傳送可以用DC-DC模塊。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的DC-DC，這樣可以降低成本。

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MOS管應用

1、低壓應用

當使用5V電源，這時候如果使用傳統的圖騰柱結構，由於三極體的be有0.7V左右的壓降，導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候，我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風險。同樣的問題也發生在使用3V或者其他低壓電源的場合。

2、寬電壓應用

輸入電壓並不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致PWM電路提供給MOS管的驅動電壓是不穩定的。

為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內置了穩壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩壓管的電壓，就會引起較大的靜態功耗。

Ⅲ 【求教】MOS管開關電路。

MOS和三極體相像，但是三極體屬於電流驅動型，而MOS屬於電壓驅動型，因此在控制回的時候需要考慮MOS的G端電答壓。一般的N溝道MOS在3V往上就可以導通，但是為了考慮可靠性，往往是加上一個電阻，接到12V左右，這是我們常用的。如圖我們產品中的一個圖，是電機驅動，用的就是MOS的開關特性。另外，數字電路中所用到的三極體和MOS就是一個開關，因為數字電路只有0和1。圖中的PWM是單片機IO埠直接過來的，0V和5V可變。後面一個推挽電路，然後給MOS。

Ⅳ mos開關電路怎麼連接

MOS管開關電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構造的電路。因管分為N溝道與P溝道，所以開關電路也主要分為兩種。

一般情況下普遍用於高端驅動的MOS，導通時需要是柵極電壓大於源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個系統里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。

MOS管是電壓驅動，按理說只要柵極電壓到到開啟電壓就能導通DS，柵極串多大電阻均能導通。但如果要求開關頻率較高時，柵對地或VCC可以看做是一個電容，對於一個電容來說，串的電阻越大，柵極達到導通電壓時間越長，MOS處於半導通狀態時間也越長，在半導通狀態內阻較大，發熱也會增大，極易損壞MOS，所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。

MOS開關電路

MOS和三極體相像，但是三極體屬於電流驅動型，而MOS屬於電壓驅動型，因此在控制的時候需要考慮MOS的G端電壓。一般的N溝道MOS在3V往上就可以導通，但是為了考慮可靠性，往往是加上一個電阻，接到12V左右，這是我們常用的。如圖我們產品中的一個圖，是電機驅動，用的就是MOS的開關特性。另外，數字電路中所用到的三極體和MOS就是一個開關，因為數字電路只有0和1。圖中的PWM是單片機IO埠直接過來的，0V和5V可變。後面一個推挽電路，然後給MOS。

Ⅳ MOS管作為開關的電路圖如何畫

從圖標出VBAT、VBAT OUT看，你的整個電路都錯了：

1、P型場效應管應從S極輸入、D極輸出，回你把輸入和輸出弄反了。答

2、那個R23，應接在S、G之間，而不是接在G、D之間。R23是泄放電阻，當控制信後從0到1時，迅速將加在G極的負壓釋放，保證有效關斷。就算你標錯那個OUT，在S極輸入、D極輸出，你哪個R23就會使管子導通。除非EN FANG有個正壓輸入加到G極上，否則電路就不會關閉。

Ⅵ 怎樣用MOS管做開關電路

電路
錯了，PMOS你還D入S出？也就是說，S和D反了，調過來就對了。這個電路很常用，類似於
PNP型三極體
，對P
三極體
來說，E接
電源
入，C接控制輸出，同理如上。

Ⅶ 請教：MOS管做開關電路

MOS管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由於MOS管是電壓控制元件，所以主要回由柵源電壓uGS決定其答工作狀態。

MOS管在導通與截止兩種狀態發生轉換時同樣存在過渡過程，但其動態特性主要取決於與電路有關的雜散電容充、放電所需的時間，而管子本身導通和截止時電荷積累和消散的時間是很小的。

MOS管也是三端壓控元件，三端分別是G、D、S，可以等效於普通三極體的B、C、E三極，VGS的電壓（=VG-VS）控制Mos 開關狀態:

當VGS大於Von（開啟電壓，NMOS為2~4V，PMOS為-2~-4V）時就使得Mos打開，D& S兩極之間導通，壓降為零，阻抗較小，零點幾歐姆；

同理當VGS小於Von時就使得Mos處於關閉狀態，D& S兩極之間阻抗很大；

所以，G極就是控制極；

要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值為4V，可是擊穿電壓為正負20V；又比如IRF9530，開啟電壓為最大-4V，也就是說Vgs=-5V時已經打開，開啟電壓上限也為正負20V，當Vgs=-21V或者22V時，管子會被擊穿。通常使用時，可以使所加電壓Vgs=正負9伏比較適合。

Ⅷ MOS開關電路

MOS開關電路圖電路圖如下：

AOD448是30V75A的管子，是用4.5V驅動的，偏高了點。

可以用，AO3416等管子，電壓用2.5V就能驅動。當電壓為2.5V時，只有26豪歐。電流2到3安沒問題。

也可以用IRF540N，1A條件下一點問題都沒有，當時做精密恆流源，可以控制到精度1mA。不過散熱很重要，要有足夠大的散熱片和小風扇。電壓有個3-5V就足夠了。高電平驅動（其實就相當於PWM）。

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MOS管開關電路：

1、P溝道MOS管開關電路

PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況（高端驅動）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低於電源一定電壓就導通，而非相對於地的電壓。但是因為PMOS導通內阻比較大，所以只適用低功率的情況。大功率仍然使用N溝道MOS管。

2、N溝道mos管開關電路

NMOS的特性，Vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓大於參數手冊中給定的Vgs就可以了，漏極D接電源，源極S接地。需要注意的是Vgs指的是柵極G與源極S的壓差，所以當NMOS作為高端驅動時候，當漏極D與源極S導通時，漏極D與源極S電勢相等，那麼柵極G必須高於源極S與漏極D電壓，漏極D與源極S才能繼續導通。

Ⅸ P溝道MOS管開關電路

P溝道MOS管開關電路圖：

MOS管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管)它是利用VGS來控制「回感應答電荷」的多少，以改變由這些「感應電荷」形成的導電溝道的狀況，然後達到控制漏極電流的目的。在製造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

Ⅹ 請教：MOS管做電子開關電路

電路錯了，PMOS你還D入S出？也就是說，S和D反了，調過來就對了。這個電路很常用，類似於PNP型三極體，對P三極體來說，E接電源入，C接控制輸出，同理如上。