❶ 與門電路輸出高電平為什麼只有0.6V
對於TTL門電路來說，低電平電壓低於0.3V，高電平電壓高於2.4V 。 只有0.6V不合符數字電路的電平回要求。要麼晶元損壞答了，要麼輸出端後面接錯電路了。另外就是每個門電路有帶負載的限制，數據手冊有扇出系數的概念，看下是否超出其帶負載大小了，不過一般很少人將一個輸出端接3個以上的負載。
❷ 汽車門電路是什麼
一、整車電路的組成
汽車整車電路通常有電源電路、起動電路、點火電路、照明與燈光信號裝置電路、儀表信息系統電路、輔助裝置電路和電子控制系統電路組成。
1、 電源電路
也稱充電電路，是由蓄電池、發電機、調節器及充電指示裝置等組成的電路，電能分配（配電）及電路保護器件也可歸入這一電路。
2、 起動電路
是由起動機、起動繼電器、起動開關及起動保護電路組成的電路。也可將低溫條件下 起動預熱的裝置及其控制電路列入這一電路內。
3、點火電路
是汽油發動機汽車特有的電路。它由點火線圈、分電器、電子點火控制器、火花塞及點火開關組成。微機控制的電子點火控制系統一般列入發動機電子控制系統中。
4、照明與燈光信號裝置電路
是由前照燈、霧燈、示廓燈、轉向燈、制動燈、倒車燈、車內照明燈及有關控制繼電器和開關組成的電路。
5、儀表信息系統電路
是由儀表及其感測器、各種報警指示燈及控制器組成的電路。
6、輔助裝置電路
是由為提高車輛安全安性、舒適性等而設置的各種電器裝置組成的電路。輔助電器裝 置的種類隨車型不同而有所差異，汽車檔次越高，輔助電器裝置越完善。一般包括風 窗刮水及清洗裝置、風窗除霜（防霧）裝置、空調裝置、音響裝置等。較高級車型上還裝有車窗電動舉升裝置、電控門鎖、電動座椅調節裝置和電動遙控後視鏡等。電子 控制安全氣囊歸入電子控制系統。
7、電子控制系統電路
主要有發動機控制系統（包括燃油噴射、點火、排放等控制）、自動變速器及恆速行駛控制系統、制動防抱死系統、安全氣囊控制系統等電路組成。
二、三種電路圖
1、布線圖
布線圖識按照汽車電器在車身上的大體位置來進行布線的。
其特點是：全車的電器（即電器設備）數量明顯且准確，電線的走向清楚，有始有終，便於循線跟蹤，查找起來比較方便。它按線束編制將電線分配到各條線束中去與各個插件的位置嚴格對號。在各開關附近用表格法表示了開關的接線與擋位控制關系，表示了熔斷器與電線的連接關系，表明了電線的顏色與截面積。
布線圖的缺點：圖上電線縱橫交錯，印製版面小則不易分辨,版面過大印裝受限制；讀圖、畫圖費時費力，不易抓住電路重點、難點；不易表達電路內部結構與工作原理。
2、原理圖
◇ 整車電路原理圖：
為了生產與教學的需要，常常需要盡快找到某條電路的始末，以便確定故障分析的路線。在分析故障原因時，不能孤立地僅局限於某一部分，而要將這一部分電路在整車電路中的位置及與相關電路的聯系都表達出來。整車電路圖的優點在於：
（1）對全車電路有完整的概念，它既是一幅完整的全車電路圖，又是一幅互相聯系的局部電路圖。重點難點突出、繁簡適當。
（2）在此圖上建立起電位高、低的概念：其負極「－」接地（俗稱搭鐵），電位最低，可用圖中的最下面一條線表示；正極「＋」電位最高，用最上面的那條線表示。電流的方向基本都是由上而下，路徑是：電源正極「＋」→開關→用電器→搭鐵→電源負極「－」。
（3）大可能減少電線的曲折與交叉，布局合理，圖面簡潔、清晰，圖形符號考慮到元器件的外形與內部結構，便於讀者聯想、分析，易讀、易畫。
（4）各局部電路（或稱子系統）相互並聯且關系清楚，發電機與蓄電池間、各個子系統之間的連接點盡量保持原位，熔斷器、開關及儀表等的接法基本上與原圖吻合。
◇ 局部電路原理圖：
為了弄清汽車電器的內部結構，各個部件之間相互連接的關系，弄懂某個局部電路的工作原理，常從整車電路圖中抽出某個需要研究的局部電路，參照其他翔實的資料，必要時根據實地測繪、檢查和試驗記錄，將重點部位進行放大、繪制並加以說明。這種電路圖的用電器少、幅面小，看起來簡單明了，易讀易繪；其缺點是只能了解電路的局部。如圖8－7所示為普桑發動機部分的電路原理圖。
3、線束圖
整車電路線束圖常用於汽車廠總裝線和修理廠的連接、檢修與配線。線束圖主要表明電線束各用電器的連接部位、接線柱的標記、線頭、插接器（連接器）的形狀及位置等，它是人們在汽車上能夠實際接觸到的汽車電路圖。這種圖一般不去詳細描繪線束內部的電線走向，只將露在線束外面的線頭與插接器詳細編號或用字母標記。它是一種突出裝配記號的電路表現形式，非常便於安裝、配線、檢測與維修。如果再將此圖各線端都用序號、顏色准確無誤地標注出來，並與電路原理圖和布線圖結合起來使用，則會起到更大的作用且能收到更好的效果。
三、一般汽車電路的接線規律
汽車線路一般採用單線制、用電設備並聯、負極搭鐵、線路有顏色和編號加以區分，並以點火開關為中心將全車電路分成幾條主幹線，即：蓄電池火線（30號線）、附件火線（Acc線）、鑰匙開關火線（15號線）。
（1）蓄電池火線（B線或30號線）
從蓄電池正極引出直通熔斷器盒，也有汽車的蓄電池火線接到起動機火線接線柱上，再從那裡引出較細的火線。
（2）點火儀表指示燈線（IG線或15號線）
點火開關在ON（工作）和ST（起動）擋才有電的電線，必須有汽車鑰匙才能接通點火系統、預充磁、儀表系統、指示燈、信號系、電子控制系重要電路。
（3）專用線（Acc線或15A線）
用於發動機不工作時需要接入的電器，如收放機、點煙器等。點火開關單獨設置一擋予以供電，但發動機運行時收音機等仍需接入與點火儀表指示燈等同時工作，所以點火開關觸刀與觸點的接觸結構要作特殊設計。
（4）起動控制線（ST線或50號線）
起動機主電路的控制開關（觸盤）常用磁力開關來通斷。磁力開關的吸引線圈、保持線圈可以由點火開關的起動擋控制。大功率起動機的吸引、保持線圈電流也很大（可達40~80A），容易燒蝕點火開關的「30－50」觸點對，必須另設起動機繼電器（如東風、解放及三菱重型車）。裝有自動變速器的轎車，為了保證空擋起動，常在50號線上串有空擋開關。
（5）搭鐵線（接地線或31號線）
汽車電路中，以元件和機體（車架）金屬部分作為一根公共導線的接線方法稱為單線制，將機體與電器相接的部位稱為搭鐵或接地。搭鐵點分布在汽車全身，由於不同金屬相接（如鐵、銅與鋁、鉛與鐵），形成電極電位差，有些搭鐵部位容易沾染泥水、油污或生銹，有些搭鐵部位是很薄的鈑金件，都可能引起搭鐵不良，如燈不亮、儀表不起作用、喇叭不響等。要將搭鐵部位與火線接點同等重視，所以現代汽車局部採用雙線制，設有專門公共搭鐵接點，編繪專門搭鐵線路圖，堪與熔斷器電路提綱圖並列。為了保證起動時減少線路接觸壓降，蓄電池極樁夾頭、車架與發動機機體都接上大截面積的搭鐵線，並將接觸部位徹底除銹、去漆、擰緊。
四、讀識電路圖的一般要點
（1）縱觀「全車」，眼盯「局部」－由「集中」到「分散」。
全車電路一般都是由各個局部電路所構成，它表達了各個局部電路之間的連接和控制關系。要把局部電路從全車總圖中分割出來，就必須掌握各個單元電路的基本情況和接線規律。
汽車電路的基本特點是：單線制、負極搭鐵、各用電器互相並聯。各單元（局部）電路，例如電源系統、起動系統、點火系統、照明系統、信號系統、儀表系統等都有其自身的一些特點，看電路要以其自身的特點為指導，去分解並研究全車電路，這樣做會少一些盲目性，能較快速、准確地識讀汽車電路圖。開始，必須認真地讀幾遍圖注，對照線路圖查看電器在車上的大概位置及數量，電器的用途，有沒有新穎獨特的電器，如有，應加倍注意。
（2） 抓住「開關」的作用－所控制的「對象」。開關是控制電路通斷的關鍵，特別注意繼電器不但是控制開關也是被控制對象。
（3） 尋找電流的「迴路」－控制對象的「通路」。
迴路是最簡單的電氣學概念。無論什麼電器，要想正常工作（將電能轉換為其他形式的能），必須與電源（發電機或蓄電池）的正負兩極構成通路。即：從電源的正極出發→通過用電器→回到同一電源的負極。這個簡單而重要的原則無論在讀什麼電路圖時都是必須用到的，在讀汽車電路時卻往往被忽略，理不出頭緒來。
❸ 如何學好模電和數電
好好看書，認真聽講
選1本較好的參考書~~~
多做練習，經常動手~~~~~
模擬電子電路不要看平時學的難,考試的時候考的很簡單.我認為你要把這門課程學好的話當然不花個幾個月是不行的,要是應付考試花一兩天甚至幾個小時都考的過60分,方案如下:
這個時候你說要把書來看一遍肯定是來不及,而且也沒的必要.把最近幾年的考試卷子一定要找到,這個就是你考試過的必要工具.找個對這個課學的可以的或者懂的到點點的,讓他給你說哈哪道大題是對應哪一章的(這個時候先專攻大題,基本上大題所對應的章節是獨立的,不會來個綜合幾章的考題),然後就靠你各個擊破了.你去分析考試題時你會發現每年的考題都用那幾個公式,基本上解題也是模式化,所以你每章認真吃透兩三道考題就OK,這個時候不要為什麼要那麼做,只管是什麼就行.
(1)放大器電路那章是重點,直流通路,交流通路,還有交流等效電路,共基、共射、共集放大器算電壓增益,輸入,輸出電阻這些是重點花的時間要多點,最好找個人給你講要快些.差不多2小時可以把這章的大題搞定.
(2)第二個重難點就是放大電路的反饋那章,考試知識點也很固定,基本就考判斷正負反饋的方法,負反饋放大電路的放大倍數公式四種組態對放大性能對放大電路的影響反饋系數等.花1到2小時搞定.
(3)前面半導體器件介紹章節像二極體,三極體,場效應管這些東西都是基礎,這部分應該先看,因為後面要用到這里的基礎知識.也花不到好多時間.
(4)各種電壓比較器的特點,門限電壓的分析,基本運算電路的公式,矩形波和三角波電路的畫法,直流穩定電源,差分放大電路,頻率響應這些都很快1小時搞定了
數字電路我告訴你怎麼學：
數字電路里最重要的是知道什麼是1什麼是0，這只是兩個電平，理解它的意思你就會一半的數電了。
明白各種數進制的轉換，2進制、10進制、16進制等。
會使用計數器、觸發器，會用它們設計數字電路
別的沒了~我工作好幾年，數電基本上就用到這些，這只佔數電課程的很小一部分，但是知道這些，足夠你出去混飯吃了~別的學了也是白學，浪費時間精力，信我一句話。
若是為考驗做准備的話，那可需要把全部內容學透了，研究生考試可不管內容有用沒用，都要考的。但是考試的重點一般會放在門電路的設計和計數器電路的設計上，主要就這兩塊，需要專攻。另外卡諾圖也得看看，很可能也考。
❹ 與或非口訣
無論多麼復雜的單片機電路，都是由若干基本電路單元組成的。2.2.1 常用的邏輯門電路最基本的門電路是與、或、非門，把它們適當連接可以實現任意復雜的邏輯功能。用小規模集成電路構成復雜邏輯電路時，最常用的門電路是與（AND）、或（OR）、非（INV BUFF）、恆等（BUFF）、與非（NAND）、或非（NOR）、異或（XOR）。主要是因為這7種電路既可以完成基本邏輯功能，又具有較強的負載驅動能力，便於完成復雜而又實用的邏輯電路設計。1.與門與門是一個能夠實現邏輯乘運算的、多端輸入、單端輸出的邏輯電路，邏輯函數式：F = A·B其記憶口訣為：有0出0，全1才1。2.或門或門是一個能夠實現邏輯加運算的多端輸入、單端輸出的邏輯電路，邏輯函數式：F = A+B其記憶口訣為：有1出1，全0才0。3.非門實現非邏輯功能的電路稱為非門，有時又叫反相緩沖器。非門只有一個輸入端和一個輸出端，邏輯函數式是：F =A非非門邏輯符號4.恆等門實現恆等邏輯功能的電路稱為恆等門，又叫同相緩沖器。恆等門只有一個輸入端和一個輸出端，邏輯函數式是：F = A 同相緩沖 器和反相緩沖器在數字系統中用於增強信號的驅動能力。5.與非門與和非的復合運算稱為與非運算，邏輯函數式是：F = A.B非其記憶口訣為：有0出1，全1才0。6.或非門
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或與非的復合運算稱為或非運算，邏輯函數式是：F = A+B非其記憶口訣為：有1出0，全0才1。 7.異或門異或邏輯也是一種廣泛應用的復合邏輯，其記憶口訣為：相同出0，不同出1。 邏輯門電路是單片機外圍電路運算、控制功能所必需的電路。在單片機系統中我們經常使用集成邏輯電路（常稱為集成電路）。一片集成邏輯門電路中通常含有若干個邏輯門電路，如7400為4重二輸入與非門，即7400內部有4個二輸入的與非門。 高速CMOS74HC邏輯系列集成電路具有低功耗、寬工作電壓、強抗干擾的特性，是單片機外圍通用集成電路的首選系列。隨著單片機內部功能的不斷增強和硬體軟體化，外部所用的邏輯門電路將越來越少。 8.門電路的國標符號與國際流行符號常用門電路國標符號與國際流行符
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號對照如圖所示。 2.2.2 集電極開路門輸出電路門電路的輸出級採用集電極開路的三極體結構，製成集電極開路門電路（OC門, Open Collector Gate）。OC與非門的邏輯符號如圖所示。 OC與非門邏輯符號 由於OC門的輸出端是開路的，即懸空，故OC門在應用時輸出端需外接一個上拉負載電阻和電源。通過選擇合適的電阻和電源電壓，既可以
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保證輸出的高、低電平合乎要求，又可使輸出端三極體的負載電流不會過大。 OC門在單片機系統中主要有兩個作用：一個是「線與」另一個是驅動器。 OC門在單片機系統中，還常常作為控制執行機構。利用OC門可以控制一些較大電流的執行機構，用OC門和晶體管控制電動機的電路如圖所示。 OC非門和晶體管控制電動機 邏輯門電路符號圖包括與門，或門，非門，同或門，異或門，還有這些門電路的邏輯表達式， 1．與邏輯 （1）與邏輯：當決定某一事件的所有條件都具備時，該事件才會發生。 （2）真值表：符號0和1分別表示低電平和高電平，將輸入變數可能的取值組合狀態及其對應的輸出狀態列成的表格。 表11.2 與門真值表 A B Y 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1
❺ 門電路工作原理
第五節 CMOS邏輯門電路
http://www.fjtu.com.cn/fjnu/courseware/0321/course/_source/web/lesson/char2/j6.htm 看看把
CMOS邏輯門電路是在TTL電路問世之後 ，所開發出的第二種廣泛應用的數字集成器件，從發展趨勢來看，由於製造工藝的改進，CMOS電路的性能有可能超越TTL而成為佔主導地位的邏輯器件 。CMOS電路的工作速度可與TTL相比較，而它的功耗和抗干擾能力則遠優於TTL。此外，幾乎所有的超大規模存儲器件 ，以及PLD器件都採用CMOS藝製造，且費用較低。
早期生產的CMOS門電路為4000系列 ，隨後發展為4000B系列。當前與TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可與TTL器件交換使用。下面首先討論CMOS反相器，然後介紹其他CMO邏輯門電路。
MOS管結構圖
MOS管主要參數：
1.開啟電壓VT
·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
·標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；
·通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流輸入電阻RGS
·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
·這一特性有時以流過柵極的柵流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。
3. 漏源擊穿電壓BVDS
·在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
·ID劇增的原因有下列兩個方面：
（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
（2）漏源極間的穿通擊穿
·有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後
，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的ID
4. 柵源擊穿電壓BVGS
·在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。
5. 低頻跨導gm
·在VDS為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導
·gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力
·是表徵MOS管放大能力的一個重要參數
·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內
6. 導通電阻RON
·導通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
·在飽和區，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
·由於在數字電路中 ，MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態下，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似
·對一般的MOS管而言，RON的數值在幾百歐以內
7. 極間電容
·三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS
·CGS和CGD約為1～3pF
·CDS約在0.1～1pF之間
8. 低頻雜訊系數NF
·雜訊是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的
·由於它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸 出端也出現不規則的電壓或電流變化
·雜訊性能的大小通常用雜訊系數NF來表示，它的單位為分貝（dB）
·這個數值越小，代表管子所產生的雜訊越小
·低頻雜訊系數是在低頻范圍內測出的雜訊系數
·場效應管的雜訊系數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小
一、CMOS反相器
由本書模擬部分已知，MOSFET有P溝道和N溝道兩種，每種中又有耗盡型和增強型兩類。由N溝道和P溝道兩種MOSFET組成的電路稱為互補MOS或CMOS電路。
下圖表示CMOS反相器電路，由兩只增強型MOSFET組成，其中一個為N溝道結構，另一個為P溝道結構。為了電路能正常工作，要求電源電壓VDD大於兩個管子的開啟電壓的絕對值之和，即
VDD＞(VTN＋|VTP|) 。
1.工作原理
首先考慮兩種極限情況：當vI處於邏輯0時 ，相應的電壓近似為0V；而當vI處於邏輯1時，相應的電壓近似為VDD。假設在兩種情況下N溝道管 TN為工作管P溝道管TP為負載管。但是，由於電路是互補對稱的，這種假設可以是任意的，相反的情況亦將導致相同的結果。
下圖分析了當vI=VDD時的工作情況。在TN的輸出特性iD—vDS（vGSN＝VDD）(注意vDSN=vO)上 ，疊加一條負載線，它是負載管TP在 vSGP=0V時的輸出特性iD－vSD。由於vSGP＜VT（VTN=|VTP|=VT），負載曲線幾乎是一條與橫軸重合的水平線。兩條曲線的交點即工作點。顯然，這時的輸出電壓vOL≈0V（典型值＜10mV ，而通過兩管的電流接近於零。這就是說，電路的功耗很小（微瓦量級）
下圖分析了另一種極限情況，此時對應於vI＝0V。此時工作管TN在vGSN＝0的情況下運用，其輸出特性iD－vDS幾乎與橫軸重合 ，負載曲線是負載管TP在vsGP＝VDD時的輸出特性iD－vDS。由圖可知，工作點決定了VO＝VOH≈VDD；通過兩器件的電流接近零值 。可見上述兩種極限情況下的功耗都很低。
由此可知，基本CMOS反相器近似於一理想的邏輯單元，其輸出電壓接近於零或+VDD，而功耗幾乎為零。
2.傳輸特性
下圖為CMOS反相器的傳輸特性圖。圖中VDD=10V，VTN=|VTP|=VT=
2V。由於 VDD＞（VTN＋|VTP|），因此，當VDD-|VTP|>vI>VTN 時,TN和TP兩管同時導通。考慮到電路是互補對稱的，一器件可將另一器件視為它的漏極負載。還應注意到，器件在放大區（飽和區）呈現恆流特性，兩器件之一可當作高阻值的負載。因此，在過渡區域，傳輸特性變化比較急劇。兩管在VI=VDD/2處轉換狀態。
3.工作速度
CMOS反相器在電容負載情況下，它的開通時間與關閉時間是相等的，這是因為電路具有互補對稱的性質。下圖表示當vI=0V時 ，TN截止，TP導通，由VDD通過TP向負載電容CL充電的情況。由於CMOS反相器中，兩管的gm值均設計得較大，其導通電阻較小，充電迴路的時間常數較小。類似地，亦可分析電容CL的放電過程。CMOS反相器的平均傳輸延遲時間約為10ns。
二、CMOS門電路
1.與非門電路
下圖是2輸入端CMOS與非門電路，其中包括兩個串聯的N溝道增強型MOS管和兩個並聯的P溝道增強型MOS管。每個輸入端連到一個N溝道和一個P溝道MOS管的柵極。當輸入端A、B中只要有一個為低電平時，就會使與它相連的NMOS管截止，與它相連的PMOS管導通，輸出為高電平；僅當A、B全為高電平時，才會使兩個串聯的NMOS管都導通，使兩個並聯的PMOS管都截止，輸出為低電平。
因此，這種電路具有與非的邏輯功能，即
n個輸入端的與非門必須有n個NMOS管串聯和n個PMOS管並聯。
2.或非門電路
下圖是2輸入端CMOS或非門電路。其中包括兩個並聯的N溝道增強型MOS管和兩個串聯的P溝道增強型MOS管。
當輸入端A、B中只要有一個為高電平時，就會使與它相連的NMOS管導通，與它相連的PMOS管截止，輸出為低電平；僅當A、B全為低電平時，兩個並聯NMOS管都截止，兩個串聯的PMOS管都導通，輸出為高電平。
因此，這種電路具有或非的邏輯功能，其邏輯表達式為
顯然，n個輸入端的或非門必須有n個NMOS管並聯和n個PMOS管並聯。
比較CMOS與非門和或非門可知，與非門的工作管是彼此串聯的，其輸出電壓隨管子個數的增加而增加；或非門則相反，工作管彼此並聯，對輸出電壓不致有明顯的影響。因而或非門用得較多。
3.異或門電路
上圖為CMOS異或門電路。它由一級或非門和一級與或非門組成。或非門的輸出。而與或非門的輸出L即為輸入A、B的異或
如在異或門的後面增加一級反相器就構成異或非門，由於具有的功能，因而稱為同或門。異成門和同或門的邏輯符號如下圖所示。
三、BiCMOS門電路
雙極型CMOS或BiCMOS的特點在於，利用了雙極型器件的速度快和MOSFET的功耗低兩方面的優勢，因而這種邏輯門電路受到用戶的重視
。
1.BiCMOS反相器
上圖表示基本的BiCMOS反相器電路，為了清楚起見，MOSFET用符號M表示BJT用T表示。T1和T2構成推拉式輸出級。而Mp、MN、M1、M2所組成的輸入級與基本的CMOS反相器很相似。輸入信號vI同時作用於MP和MN的柵極。當vI為高電壓時MN導通而MP截止；而當vI為低電壓時,情況則相反，Mp導通，MN截止。當輸出端接有同類BiCMOS門電路時，輸出級能提供足夠大的電流為電容性負載充電。同理，已充電的電容負載也能迅速地通過T2放電。
上述電路中T1和T2的基區存儲電荷亦可通過M1和M2釋放，以加快
電路的開關速度。當vI為高電壓時M1導通，T1基區的存儲電荷迅速消散。這種作用與TTL門電路的輸入級中T1類似。同理 ，當vI為低電壓時，電源電壓VDD通過MP以激勵M2使M2導通，顯然T2基區的存儲電荷通過M2而消散。可見，門電路的開關速度可得到改善。
2.BiCMOS門電路
根據前述的CMOS門電路的結構和工作原理，同樣可以用BiCMOS技術實現或非門和與非門。如果要實現或非邏輯關系，輸入信號用來驅動並聯的N溝道MOSFET，而P溝道MOSFET則彼此串聯。正如下圖所示的
2輸入端或非門。
當A和B均為低電平時，則兩個MOSFET MPA和MPB均導通，T1導通而MNA和MNB均截止，輸出L為高電平。與此同時，M1通過MPA和MpB被VDD所激勵，從而為T2的基區存儲電荷提供一條釋放通路。
另一方面，當兩輸入端A和B中之一為高電平時 ，則MpA和MpB的通路被斷開，並且MNA或MNB導通，將使輸出端為低電平。同時，M1A或M1B為T1的基極存儲電荷提供一條釋放道路。因此 ，只要有一個輸入端接高電平，輸出即為低電平。
四、CMOS傳輸門
MOSFET的輸出特性在原點附近呈線性對稱關系，因而它們常用作模擬開關。模擬開關廣泛地用於取樣——保持電路、斬波電路、模數和數模轉換電路等。下面著重介紹CMOS傳輸門。
所謂傳輸門（TG）就是一種傳輸模擬信號的模擬開關。CMOS傳輸門由一個P溝道和一個N溝道增強型MOSFET並聯而成，如上圖所示。TP和TN是結構對稱的器件，它們的漏極和源極是可互換的。設它們的開啟電壓|VT|=2V且輸入模擬信號的變化范圍為-5V到+5V 。為使襯底與漏源極之間的PN結任何時刻都不致正偏 ，故TP的襯底接+5V電壓，而TN的襯底接-5V電壓 。兩管的柵極由互補的信號電壓（+5V和-5V）來控制，分別用C和表示。
傳輸門的工作情況如下：當C端接低電壓-5V時TN的柵壓即為-5V，vI取-5V到+5V范圍內的任意值時，TN均不導通。同時,TP的柵壓為+5V
，TP亦不導通。可見，當C端接低電壓時，開關是斷開的。
為使開關接通，可將C端接高電壓+5V。此時TN的柵壓為+5V ，vI在-5V到+3V的范圍內，TN導通。同時TP的棚壓為-5V ，vI在-3V到+5V的范圍內TP將導通。
由上分析可知，當vI＜-3V時，僅有TN導通，而當vI＞+3V時，僅有TP導通當vI在-3V到+3V的范圍內，TN和TP兩管均導通。進一步分析
還可看到，一管導通的程度愈深，另一管的導通程度則相應地減小。換句話說，當一管的導通電阻減小，則另一管的導通電阻就增加。由於兩管系並聯運行，可近似地認為開關的導通電阻近似為一常數。這是CMOS傳輸出門的優點。
在正常工作時，模擬開關的導通電阻值約為數百歐，當它與輸入阻抗為兆歐級的運放串接時，可以忽略不計。
CMOS傳輸門除了作為傳輸模擬信號的開關之外，也可作為各種邏輯電路的基本單元電路。
❻ 怎樣學好模電
於模電、數電的學習，對於多數人都很困惑，是塊比較難啃的骨頭，對於初學者模電要比數電學起來更加難些，由於模電是基於半導體技術為基礎的學科，所以很多教科書一開始就講述半導體物理，而半導體物理本身就是比較抽象的，這樣一來使得很多初學者抱著較高的興趣來學模電，結果翻開書本第一章節就遇到難以理解的知識，更不用談元器件特性曲線，計算公式及其重要參數，而且後面的章節又是以前面章節中的的元器件為基礎開始講解的，於是這種看似合理的章節安排最終使得大多數初學者一再受到打擊，無法提起興趣繼續學習，對於悟性好些的或許可以堅持多看幾章內容，對於悟性不好的只能望而怯步，現在教科書都是如出一轍，個人認為要想理解模電（在這里先談模電入門以後再說學好模電），關鍵是要有持之以恆，不達目的不罷休的精神；只有你認為你有這兩點且超乎常人就不怕入不了門，只要入門了學好模電也是指日可待的事情。
上面的這些長篇大論似乎看起來都是些空空的大道理，給人感覺無多大實用價值，其實不然，講下自己的學習經歷你就會理解的我說的是切身體會，雖說現在自己也算不上什麼模電達人但是我可以捶胸驕傲的說自己模電入門了，這為以後提高模電技術打下了堅實基礎，不敢說我的學習方法對每個人都有用，但至少證明了對我而言自己的學習方法是正確的有效的；當初我也是一名模電愛好者，很幸運的是當時我也有機會學習模電技術，可惜的是學習了一段時間後不但沒有長勁反而打擊的自己聯學習興趣都沒有了，於是上大學時我選擇的自動化專業，模電在自動化專業中所佔比重並不是很多，這樣等於自己逃避了學習模電，再一次錯過了學好模電的機會，大學畢業後在工作中發現模電技術很重要，一塊電路板損壞了故障可能就是一個幾毛錢的元件損壞引起，但是由於無人會修只能換掉整塊小則數百大則數千的電路板，雖說這錢不由我們出，但是我們錯過的是一次鍛煉自己的機會，於是經歷這種事情多了，就越發覺得模電的重要性，於是痛下決心開始學習模電。
和你一樣再次拿起學校的教科書，開始硬啃，一句話一句話的仔細看反復琢磨，直到完全理解，之後每一個圖每一條公式用自己的理解去解釋它們，看是否符合邏輯，這樣一來檢驗自己所學是否扎實二來不用去死記硬背那些公式，只要理解了就不需要去背誦任何一個公式的。這樣一個過程下來看完一本書大概花了3個月的時間，看完一遍之後雖說理解了但是感覺知識點還是不太牢靠，總覺得有種丟三拉四的感覺，於是再一次從頭看了一遍，這一遍過後花了一個半月時間掌握了75%以上的內容，於是為了鞏固我看了第三遍使得自己的知識內容掌握到90%，當然有些知識點別人也有自己的理解可能與我們的理解相左，可以把這10%的困惑留下來以後慢慢理解。
在學習過程中不可能自己全部都理解了，尤其是看一遍就像全部理解那純粹是天方夜譚，如果你看一遍覺得完全看不懂，這就對了，因為模電是需要仔細去揣摩的，看第一遍不是為了完全理解它在說什麼，而是了解這本書都講了什麼內容，前後章節都是怎麼聯系起來的，這是看第一遍的要點所在，知道這個了，第一遍就沒白看。
第二遍開始看時就需要仔細去理解每一句話每一幅圖以及每一個公式的由來，對於不理解的地方不重要，可以藉助其它參考書或網路，或學校老師等等其它途徑來解決，記住你不知道的知識點肯定也有和你一樣不知道的人在網路上求助，所以網路是很好的老師，因此不要拿父母的血汗錢來打游戲看電影，當然適當的休閑還是允許的
其次，有很多EDA軟體可以在線模擬，網上有很多我就不寫了，不同軟體適合不同人，自己可以找一下的，EDA軟體不僅可以幫助我們分析電路工作特性，加深對電路的理解，還可以幫助我們分析波形參數等等，使得我們學習效率大大提高，我們不用去實驗室就可以完成一切操作了。
說了這么多，都是自己的一些個人經歷，當然其他人也有更好的學習方法可以借鑒，總而言之想學好模電，信心很重要不要輕言放棄，不要三天打魚兩天曬網，否則你每次都是從零開始，永遠啃不下這塊揪心的骨頭，何不如一鼓作氣拿下它呢
❼ 怎樣學好模擬電路
好好看書，認真聽講 選1本較好的參考書~~~ 多做練習，經常動手~~~~~ 模擬電子電路不要看平時學的難,考試的時候考的很簡單.我認為你要把這門課程學好的話當然不花個幾個月是不行的,要是應付考試花一兩天甚至幾個小時都考的過60分,方案如下: 這個時候你說要把書來看一遍肯定是來不及,而且也沒的必要.把最近幾年的考試卷子一定要找到,這個就是你考試過的必要工具.找個對這個課學的可以的或者懂的到點點的,讓他給你說哈哪道大題是對應哪一章的(這個時候先專攻大題,基本上大題所對應的章節是獨立的,不會來個綜合幾章的考題),然後就靠你各個擊破了.你去分析考試題時你會發現每年的考題都用那幾個公式,基本上解題也是模式化,所以你每章認真吃透兩三道考題就OK,這個時候不要為什麼要那麼做,只管是什麼就行. (1)放大器電路那章是重點,直流通路,交流通路,還有交流等效電路,共基、共射、共集放大器算電壓增益,輸入,輸出電阻這些是重點花的時間要多點,最好找個人給你講要快些.差不多2小時可以把這章的大題搞定. (2)第二個重難點就是放大電路的反饋那章,考試知識點也很固定,基本就考判斷正負反饋的方法,負反饋放大電路的放大倍數公式四種組態對放大性能對放大電路的影響反饋系數等.花1到2小時搞定. (3)前面半導體器件介紹章節像二極體,三極體,場效應管這些東西都是基礎,這部分應該先看,因為後面要用到這里的基礎知識.也花不到好多時間. (4)各種電壓比較器的特點,門限電壓的分析,基本運算電路的公式,矩形波和三角波電路的畫法,直流穩定電源,差分放大電路,頻率響應這些都很快1小時搞定了。 數字電路我告訴你怎麼學： 數字電路里最重要的是知道什麼是1什麼是0，這只是兩個電平，理解它的意思你就會一半的數電了。 明白各種數進制的轉換，2進制、10進制、16進制等。 會使用計數器、觸發器，會用它們設計數字電路 別的沒了~我工作好幾年，數電基本上就用到這些，這只佔數電課程的很小一部分，但是知道這些，足夠你出去混飯吃了~別的學了也是白學，浪費時間精力，信我一句話。 若是為考驗做准備的話，那可需要把全部內容學透了，研究生考試可不管內容有用沒用，都要考的。但是考試的重點一般會放在門電路的設計和計數器電路的設計上，主要就這兩塊，需要專攻。另外卡諾圖也得看看，很可能也考。
❽ 電路和模電哪個難
我個人覺得是模電難，電路的只是比較具體，而模電比較抽象，更加聯系實際！
模擬電子電路不要看平時學的難,考試的時候考的很簡單.我認為你要把這門課程學好的話當然不花個幾個月是不行的,要是應付考試花一兩天甚至幾個小時都考的過60分,方案如下:
這個時候你說要把書來看一遍肯定是來不及,而且也沒的必要.把最近幾年的考試卷子一定要找到,這個就是你考試過的必要工具.找個對這個課學的可以的或者懂的到點點的,讓他給你說哈哪道大題是對應哪一章的(這個時候先專攻大題,基本上大題所對應的章節是獨立的,不會來個綜合幾章的考題),然後就靠你各個擊破了.你去分析考試題時你會發現每年的考題都用那幾個公式,基本上解題也是模式化,所以你每章認真吃透兩三道考題就OK,這個時候不要為什麼要那麼做,只管是什麼就行.
(1)放大器電路那章是重點,直流通路,交流通路,還有交流等效電路,共基、共射、共集放大器算電壓增益,輸入,輸出電阻這些是重點花的時間要多點,最好找個人給你講要快些.差不多2小時可以把這章的大題搞定.
(2)第二個重難點就是放大電路的反饋那章,考試知識點也很固定,基本就考判斷正負反饋的方法,負反饋放大電路的放大倍數公式四種組態對放大性能對放大電路的影響反饋系數等.花1到2小時搞定.
(3)前面半導體器件介紹章節像二極體,三極體,場效應管這些東西都是基礎,這部分應該先看,因為後面要用到這里的基礎知識.也花不到好多時間.
(4)各種電壓比較器的特點,門限電壓的分析,基本運算電路的公式,矩形波和三角波電路的畫法,直流穩定電源,差分放大電路,頻率響應這些都很快1小時搞定了
數字電路我告訴你怎麼學：
數字電路里最重要的是知道什麼是1什麼是0，這只是兩個電平，理解它的意思你就會一半的數電了。
明白各種數進制的轉換，2進制、10進制、16進制等。
會使用計數器、觸發器，會用它們設計數字電路
別的沒了~我工作好幾年，數電基本上就用到這些，這只佔數電課程的很小一部分，但是知道這些，足夠你出去混飯吃了~別的學了也是白學，浪費時間精力，信我一句話。
若是為考驗做准備的話，那可需要把全部內容學透了，研究生考試可不管內容有用沒用，都要考的。但是考試的重點一般會放在門電路的設計和計數器電路的設計上，主要就這兩塊，需要專攻。另外卡諾圖也得看看，很可能也考。
❾ 自考電子技術基礎的考點是哪些
樓主，我幫你查了些資料，你看有用沒，有用的話一定要記得給我加分哦。謝謝了，考試一次通關！呵呵呵！
《電子技術基礎》（含模擬電路、數字電路）考試大綱
一、本課程的基本要求
一）模擬部分
1．熟練掌握普通二極體、穩壓管的外特性和主要參數，正確理解PN結的單向導電性。
2．熟練掌握雙極型、單極型三極體的外特性和主要參數，正確理解它們的工作原理。
3．熟練掌握共射（共源）、共集（共漏）和共基組態放大電路的工作原理；靜態工作點；用微變等效電路法分析增益、輸入和輸出電阻。正確理解圖解分析法；電流源的工作原理。
4．熟練掌握含有一個時間常數的單級放大電路的頻率特性以及FH和FL，正確理解Bode圖的含義，一般了解頻率失真和增益帶寬積的概念。
5．熟練掌握功率放大電路的工作原理、輸出功率和效率的估算，正確理解非線性失真的原因。
6．熟練掌握差動放大電路的工作原理、輸入和輸出方式、差模增益、差模輸入和輸出電阻，正確理解共模抑制比的概念。
7．正確理解多級放大電路中的零點漂移現象，一般了解多級放大電路級與級之間的耦合方式。
8．熟練掌握理想運算放大器、實際運算放大器的主要參數。正確理解不同類型運算放大器的特點，一般了解一種典型運算放大器的工作原理。
9．熟練掌握用集成運算放大器組成的反饋放大電路類型和極性的判斷、負反饋對放大電路性能的影響，深度負反饋下的閉環增益估算。正確理解AF=A/（1+AF）公式的含義、自激振盪的條件和根據要求正確引入反饋。
10．熟練掌握產生正弦波振盪的條件、RC正弦波發生電路，正確理解LC正弦波發生電路的工作原理，一般了解石英晶體振盪電路。
11．熟練掌握集成運放組成的比例、求和、積分運算電路，正確理解虛短和虛斷的概念和二階有源低通電路，一般了解其它運算電路和其它有源濾波器。
12．熟練掌握比較電路的基本特性，正確理解非正弦波發生電路的工作原理。
13．熟練掌握電容濾波橋式全波整流電路的工作原理和整流電壓的計算、線性穩壓電路的工作原理，正確理解開關穩壓電路的工作原理，一般了解電感濾波電路的特點。
二）數字部分
1．掌握雙極型晶體管和MOS管的工作區劃分及相應的等效電路；了解雙極型晶體管和MOS管的開關工作過程及有關參數。
2．掌握常用數制與編碼，主要是二進制、十進制、十六進制、BCD碼、原碼、補碼、反碼以及它們之間相互轉換的方法。
3．熟練掌握邏輯代數的基本定律、定理及基本規則，邏輯問題的描述方法，邏輯函數的代數法化簡和卡諾圖化簡。
4．掌握TTL和CMOS基本邏輯門的功能和主要外特性；了解ECL及其它CMOS門的主要特點。
5．掌握組合邏輯電路的分析與設計方法，了解競爭冒險現象與消除方法。
6．熟練掌握常用集成組合邏輯器件的邏輯功能及使用方法，正確理解他們的工作原理。
7．熟練掌握觸發器的邏輯功能、外特性及其應用，正確理解觸發器的工作原理，了解其電路結構。
8．掌握時序邏輯電路的分析方法和同步時序邏輯電路的設計方法。
9．掌握常用集成時序邏輯器件的邏輯功能及使用方法，正確理解他們的工作原理。
10．了解CMOS存儲單元的基本工作原理和集成存儲器的邏輯功能；了解PLD的基本工作原理。
11．掌握單穩態觸發器、施密特觸發器、多諧振盪器等脈沖單元電路的工作原理，並了解這些電路的典型應用；掌握波形分析方法及其主要參數的工程估算方法。
12．掌握A/D與D/A轉換的基本原理；了解常用A/D與D/A轉換方法。
二、本課程的教學內容
一）模擬部分
（一）、半導體器件基礎
1．半導體的基礎知識；
2．半導體二極體、穩壓管；
3．雙極型三極體；
4．場效應管。
（二）、放大電路基礎
1．單管共射放大電路的工作原理；
2．放大電路的分析方法；
3．晶體管單管放大電路的三種基本接法；
4．場效應管單管放大電路；
5．單管放大電路的頻率響應；
6．多級放大電路以及級間耦合。
（三）、集成運算放大電路
1．集成運算放大電路的基本單元電路；
2．集成運算放大電路的性能指標以及使用注意事項。
（四）、放大電路的負反饋
1．負反饋放大電路的組態；
2．反饋的表示方法；
3．深度負反饋下放大電路的近似計算；
4．負反饋對放大電路性能指標的影響；
5．負反饋放大電路的自激振盪以及消除方法。
（五）、運算電路
1．比例運算電路；
2．加減法運算電路；
3．積分電路和微分電路；
4．對數和指數運算電路；
5．乘法和除法運算電路。
（六）、有源濾波電路
1．低通濾波電路（LPF）；
2．高通濾波電路（HPF）；
3．帶通濾波電路（BPF）；
4．帶阻濾波電路（BEF）。
（七）、電壓比較器
1．常用的電壓比較器；
2．電壓比較器的靈敏度和響應時間；
3．集成電路比較器。
（八）、波形發生與變換電路
1．正弦波振盪電路；
2．非正弦波振盪電路；
（九）、功率放大電路
1．功率放大電路的特點；
2．互補對稱功率放大電路；
3．集成功率放大電路。
（十）、直流穩壓電源
1．直流電源的組成；
2．整流電路；
3．濾波電路；
4．穩壓電路；
5．集成三端穩壓器。
二）數字部分
（一）、邏輯代數基礎
1．概述：數字量和模擬量，數制與碼制，算術運算與邏輯運算。
2．邏輯代數的三種基本運算、基本公式和常用公式。
3．邏輯代數的基本定理。
4．邏輯函數的代數化簡法。
5．邏輯函數的卡諾圖化簡法。
（二）、門電路
1．半導體二極體和三極體的開關特性。
2．TTL門電路：TTL與非門的工作原理、靜態輸入特性、輸出特性、動態特性，其它類型TTL門電路及改進系列。
3．OS門電路：CMOS反相器的工作原理、靜態輸入特性、輸出特性、動態特性，其它類型CMOS 門電路及改進系列。
（三）、組合邏輯電路
1．組合邏輯電路的分析方法和設計方法
2．常用集成組合邏輯電路：編碼器、解碼器、數據選擇器、數據分配器、加法器、數值比較器。
合邏輯電路中的競爭—冒險現象：競爭冒險產生的原因、檢查方法和消除方法。
（四）、觸發器
1．觸發器的電路結構與動作特點：基本RS觸發器、同步RS觸發器、主從RS觸發器、主從JK觸發器、邊沿D觸發器。
2．觸發器的邏輯功能及其描述方法。
3．觸發器邏輯功能的轉換。
（五）、時序邏輯電路
1．時序邏輯電路的分析方法與步驟。
2．同步時序邏輯電路的設計方法與步驟。
3．常用集成時序邏輯電路：寄存器和移位寄存器、計數器、序列脈沖發生器。
（六）、脈沖波形的產生與整形
1．施密特觸發器：由門電路組成的施密特觸發器、集成施密特觸發器，施密特觸發器的應用。
2．單穩態觸發器：由門電路組成的單穩態觸發器、集成單穩態觸發器，單穩態觸發器的應用。
3．多諧振盪器：由門電路組成的多諧振盪器、由施密特觸發器組成的多諧振盪器，石英晶體多諧振盪器。
4．555定時器及其應用：555定時器的組成和工作原理，用555定時器接成的單穩態觸發器，用555定時器接成的施密特觸發器，用555定時器接成的多諧振盪器。
（七）、半導體存儲器
1．只讀存儲器（ROM）：固定ROM、PROM、和EPROM。
2．隨機存取存儲器（RAM）：RAM的結構及工作原理。
3．存儲器容量的擴展：字擴展和位擴展，存儲器的應用。
（八）、可編程邏輯器件
1．可編程陣列邏輯（PLA）的基本電路結構和應用。
2．通用陣列邏輯（GAL）的電路結構、輸出邏輯宏單元（OLMC）及應用。
3．可擦除的可編程邏輯器件（EPLD）的基本結構和特點。
4．現場可編程門陣列（FPGA）的基本結構與應用。
（九）、數—模和模—數轉換
1．D/A轉換器：權電阻網路D/A轉換器、T形電阻網路D/A轉換器、權電流型D/A轉換器，具有雙極性輸出的D/A轉換器，D/A轉換器的轉換精度與轉換速度。
2．A/D轉換器：A/D的基本原理，直接A/D轉換和間接A/D轉換，A/D轉換器的轉換精度與轉換速度。
三、本課程的教學重點與難點
一）模擬部分
重點：二極體、三極體和場效應管的特性曲線；基本放大電路的微變等效電路分析法；三種基本組態放大電路的工作原理及特點；單管放大電路的頻率響應；差動放大電路的工作原理；理想運算放大器的概念和主要參數；負反饋放大電路的分類及對放大電路性能指標的影響；集成運算放大電器的線性應用和非線性應用；功率放大電路的工作原理、輸出功率及效率的估算；整流、濾波、穩壓電路的工作原理以及三端集成穩壓器的典型應用。
難點：三極體電流分配關系；放大電路靜態工作點對其性能的影響；放大電路的頻率響應；差動放大電路輸入、輸出方式；深度負反饋下放大電路閉環增益的近似估算；非正弦波發生電路；功率放大電路的輸出功率、效率以及失真三者之間的關系。
二）數字部分
重點：雙極型晶體管和MOS管的開關特性；二進制、十進制、BCD碼以及它們之間相互轉換的方法；邏輯代數的基本定律、定理及規則以及邏輯函數的代數法化簡和卡諾圖化簡；TTL和CMOS基本邏輯門的功能和主要外特性；組合邏輯電路的分析與設計方法和常用集成組合邏輯器件的邏輯功能及使用方法；觸發器的邏輯功能、外特性及其應用，時序邏輯電路的分析方法和同步時序邏輯電路的設計方法；常用集成時序邏輯器件的邏輯功能及使用方法；單穩態觸發器、施密特觸發器、多諧振盪器等脈沖單元電路的工作原理及應用；A/D與D/A轉換的基本原理及使用方法。
難點：BCD碼、原碼、補碼、反碼以及它們之間相互轉換的方法；邏輯問題的描述方法和邏輯函數的代數法化簡和卡諾圖化簡；TTL和CMOS基本邏輯門的主要外特性；觸發器的邏輯功能、工作原理及其電路結構；同步時序邏輯電路的設計方法；用常用集成計數器設計任意進制計數器的方法；CMOS存儲單元的基本工作原理；脈沖單元電路的工作原理及其主要參數的工程估算方法；A/D與D/A轉換的基本原理。
四、本課程的教學參考資料
1.《電子技術基礎》（模擬部分），康華光主編，高等教育出版社，1999年
2.《電子技術基礎》（數字部分），康華光主編，高等教育出版社，2000年。
3.《模擬電子技術基礎》，童詩白主編，高等教育出版社，1998年。
4《數字電子技術基礎》，閻石主編，高等教育出版社，1998年。