電路psc

Ⅰ 二極體的參數符號

CT---勢壘電容
Cj---結（極間）電容， ；表示在二極體兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極體的總電容
Cjv---偏壓結電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度系數
Cvn---標稱電容
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極體在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極體在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極體正向電參數時給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極體的最大正向脈沖電流。發光二極體極限電流。
IH---恆定電流、維持電流。
Ii--- ；發光二極體起輝電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩流二極體極限電流
ID---暗電流
IB2---單結晶體管中的基極調制電流
IEM---發射極峰值電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點電流
Ⅳ---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極體兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極體在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IDR---晶閘管斷態平均重復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）
Irp---反向恢復電流
Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流
Izk---穩壓管膝點電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極體的最大工作電流
IZSM---穩壓二極體浪涌電流
IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極體允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢復電流
Iop---工作電流
Is---穩流二極體穩定電流
f---頻率
n---電容變化指數；電容比
Q---優值（品質因素）
δvz---穩壓管電壓漂移
di/dt---通態電流臨界上升率
dv/dt---通態電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT（AV）---正向導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向導通總瞬時耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關功率
PM---額定功率。硅二極體結溫不高於150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重復浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極體允許承受的最大功率
RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結到環境的熱阻
Rz(ru)---動態電阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r ；δ---衰減電阻
r(th)---瞬態電阻
Ta---環境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
tf---下降時間
tfr---正向恢復時間
tg---電路換向關斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結溫
Tjm---最高結溫
ton---開通時間
toff---關斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢復時間
ts---存儲時間
tstg---溫度補償二極體的貯成溫度
a---溫度系數
λp---發光峰值波長
△ ；λ---光譜半寬度
η---單結晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態重復峰值電壓
VGT---門極觸發電壓
VGD---門極不觸發電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF（AV）---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
V（BR）---擊穿電壓
Vth---閥電壓（門限電壓、死區電壓）
VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷點電壓
Vz---穩定電壓
△Vz---穩壓范圍電壓增量
Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓
av---電壓溫度系數
Vk---膝點電壓（穩流二極體）
VL ---極限電壓

Ⅱ 請教psc 的內存是牌字啊

PSC則是台灣內存顆粒三巨頭之一,不是內存品牌。你的內存可能是威剛，也可能是 金士頓。如果你要升級內存的話，這兩個都不錯的，後者時常佔有率比價高。

Ⅲ 三極體的參數是哪些

三極體的參數解釋
λ---光譜半寬度
VF---正向壓降差
Vz---穩壓范圍電壓增量
av---電壓溫度系數
a---溫度系數
BV cer---基極與發射極串接一電阻，CE結擊穿電壓
BVcbo---發射極開路，集電極與基極間擊穿電壓
BVceo---基極開路，CE結擊穿電壓
BVces---基極與發射極短路CE結擊穿電壓
BVebo--- 集電極開路EB結擊穿電壓
Cib---共基極輸入電容
Cic---集電結勢壘電容
Cieo---共發射極開路輸入電容
Cies---共發射極短路輸入電容
Cie---共發射極輸入電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cjo---零偏壓結電容
Cjv---偏壓結電容
Cj---結（極間）電容， 表示在二極體兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極體的總電容
CL---負載電容（外電路參數）
Cn---中和電容（外電路參數）
Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容
Coeo---共發射極開路輸出電容
Coe---共發射極輸出電容
Co---零偏壓電容
Co---輸出電容
Cp---並聯電容（外電路參數）
Cre---共發射極反饋電容
Cs---管殼電容或封裝電容
CTC---電容溫度系數
CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
Ct---總電容
Cvn---標稱電容
di/dt---通態電流臨界上升率
dv/dt---通態電壓臨界上升率
D---占空比
ESB---二次擊穿能量
fmax---最高振盪頻率。當三極體功率增益等於1時的工作頻率
fT---特徵頻率
f---頻率
h RE---共發射極靜態電壓反饋系數
hFE---共發射極靜態電流放大系數
hfe---共發射極小信號短路電壓放大系數
hIE---共發射極靜態輸入阻抗
hie---共發射極小信號短路輸入阻抗
hOE---共發射極靜態輸出電導
hoe---共發射極小信號開路輸出導納
hre---共發射極小信號開路電壓反饋系數
IAGC---正向自動控制電流
IB2---單結晶體管中的基極調制電流
IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內，能連續地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值
IB---基極直流電流或交流電流的平均值
Icbo---基極接地，發射極對地開路，在規定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流
Iceo---發射極接地，基極對地開路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流
Icer---基極與發射極間串聯電阻R，集電極與發射極間的電壓VCE為規定值時，集電極與發射極之間的反向截止電流
Ices---發射極接地，基極對地短路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流
Icex---發射極接地，基極與發射極間加指定偏壓，在規定的反向偏壓VCE下，集電極與發射極之間的反向截止電流
ICMP---集電極最大允許脈沖電流
ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
ICM---最大輸出平均電流
Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值
IDR---晶閘管斷態平均重復電流
ID---暗電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
Iebo---基極接地，集電極對地開路，在規定的反向電壓VEB條件下，發射極與基極之間的反向截止電流
IEM---發射極峰值電流
IE---發射極直流電流或交流電流的平均值
IF（AV）---正向平均電流
IF(ov)---正向過載電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極體的最大正向脈沖電流。發光二極體極限電流。
IFMP---正向脈沖電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極體在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極體在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極體正向電參數時給定的電流
iF---正向總瞬時電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IH---恆定電流、維持電流。
Ii--- 發光二極體起輝電流
IL---光電流或穩流二極體極限電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極體的最大工作電流
Iop---工作電流
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IP---峰點電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極體兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極體在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
Irp---反向恢復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）
ir---反向恢復電流
iR---反向總瞬時電流
ISB---二次擊穿電流
Is---穩流二極體穩定電流
IV---谷點電流
Izk---穩壓管膝點電流
IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極體允許通過的電流
IZSM---穩壓二極體浪涌電流
Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流
n---電容變化指數；電容比
PB---承受脈沖燒毀功率
PCM---集電極最大允許耗散功率
Pc---集電極耗散功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pd---耗散功率
PFT（AV）---正向導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向導通總瞬時耗散功率
PGM---門極峰值功率
PG---門極平均功率
Pi---輸入功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
PM---額定功率。硅二極體結溫不高於150度所能承受的最大功率
Pn---雜訊功率
Pomax---最大輸出功率
Posc---振盪功率
Po---輸出功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重復浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Ptot---總耗散功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極體允許承受的最大功率
Q---優值（品質因素）
r δ---衰減電阻
R(th)ja----結到環境的熱阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r(th)---瞬態電阻
rbb分鍾Cc---基極-集電極時間常數，即基極擴展電阻與集電結電容量的乘積
rbb分鍾---基區擴展電阻（基區本徵電阻）
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RBE---外接基極-發射極間電阻（外電路參數）
RB---外接基極電阻（外電路參數）
Rc ---外接集電極電阻（外電路參數）
RE---射頻電阻
RE---外接發射極電阻（外電路參數）
RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RG---信號源內阻
rie---發射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻
RL---負載電阻
RL---負載電阻（外電路參數）
roe---發射極接地，在規定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻
Rs(rs)----串聯電阻
Rth---熱阻
Rth----熱阻
Rz(ru)---動態電阻
Ta---環境溫度
Ta---環境溫度
Tc---管殼溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
td----延遲時間
tfr---正向恢復時間
tf---下降時間
tf---下降時間
tgt---門極控制極開通時間
tg---電路換向關斷時間
Tjm---最大允許結溫
Tjm---最高結溫
Tj---結溫
toff---關斷時間
toff---關斷時間
ton---開通時間
ton---開通時間
trr---反向恢復時間
tr---上升時間
tr---上升時間
tstg---溫度補償二極體的貯成溫度
Tstg---貯存溫度
ts---存儲時間
ts---存貯時間
Ts---結溫
V n---雜訊電壓
V v---谷點電壓
V（BR）---擊穿電壓
VAGC---正向自動增益控制電壓
VB2B1---基極間電壓
VBB---基極（直流）電源電壓（外電路參數）
VBE(sat)---發射極接地，規定Ic、IB條件下，基極-發射極飽和壓降（前向壓降）
VBE10---發射極與第一基極反向電壓
VBE---基極發射極（直流）電壓
VB---反向峰值擊穿電壓
VCBO---基極接地，發射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VCB---集電極-基極（直流）電壓
Vcc---集電極（直流）電源電壓（外電路參數）
VCE(sat)---發射極接地，規定Ic、IB條件下的集電極-發射極間飽和壓降
VCEO---發射極接地，基極對地開路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCER---發射極接地，基極與發射極間串接電阻R，集電極與發射極間在指定條件下的最高耐壓
VCES---發射極接地，基極對地短路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEX---發射極接地，基極與發射極之間加規定的偏壓，集電極與發射極之間在規定條件下的最高耐壓
VCE---集電極-發射極（直流）電壓
Vc---整流輸入電壓
VDRM---斷態重復峰值電壓
VEBO---基極接地，集電極對地開路，發射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VEB---飽和壓降
VEE---發射極（直流）電源電壓（外電路參數）
VF（AV）---正向平均電壓
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
VGD---門極不觸發電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VGT---門極觸發電壓
Vk---膝點電壓（穩流二極體）
VL ---極限電壓
Vn(p-p)---輸入端等效雜訊電壓峰值
Vn---中心電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vo---交流輸入電壓
Vp---穿通電壓。
Vp---峰點電壓
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VSB---二次擊穿電壓
Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
Vz---穩定電壓
δvz---穩壓管電壓漂移
η---單結晶體管分壓比或效率
λp---發光峰值波長

Ⅳ 什麼叫PSC電路

PSC電路 :脈沖整形控制電路( PSC PulseShapeControlcircuit )

Ⅳ 數字電路中的功耗有哪幾種

數字電路中的功耗有靜態功耗、動態功耗、低功耗。相關介紹具體如下：

1、靜態功耗（又叫泄漏功耗）的相關介紹：電路狀態穩定時的功耗，其數量級很小。它是電路處於等待或不激活狀態時泄漏電流所產生的功耗。電路有兩個穩態，則有導通功耗和截止功耗，電路靜態功耗取兩者平均值，稱為平均靜態功耗。

2、動態功耗的相關介紹：動態功耗主要由動態開關電流引起的動態開關功耗PSW（也稱為跳變功耗）以及短路電流產生的功耗PSC兩部分組成。

3、低功耗的相關介紹：低功耗設計主要從晶元設計和系統設計兩個方面考慮。隨著半導體工藝的飛速發展和晶元工作頻率的提高，晶元的功耗迅速增加，而功耗增加又將導致晶元發熱量的增大和可靠性的下降。

因此，功耗已經成為深亞微米集成電路設計中的一個重要考慮因素。為了使產品更具競爭力，工業界對晶元設計的要求已從單純追求高性能、小面積轉為對性能、面積、功耗的綜合要求。而微處理器作為數字系統的核心部件，其低功耗設計對降低整個系統的功耗具有重要的意義。

(5)電路psc擴展閱讀：

其他介紹：

低功耗設計足一個復雜的綜合性課題。就流程而言，包括功耗建模、評估以及優化等；就設計抽象層次而言，包括自系統級至版圖級的所有抽象層次。同時，功耗優化與系統速度和面積等指標的優化密切相關，需要折中考慮。

在嵌入式系統的設計中，低功耗設計是許多設計人員必須面對的問題，其原因在於嵌入式系統被廣泛應用於攜帶型和移動性較強的產品中去；

而這些產品不是一直都有充足的電源供應，往往是靠電池來供電，所以設計人員從每一個細節來考慮降低功率消耗，從而盡可能地延長電池使用時間。事實上，從全局來考慮低功耗設計已經成為了一個越來越迫切的問題。

Ⅵ 問一個關於放大器的問題

功率放大器的效率

功串放大的實質是通過晶體管的控製作用，把電源提供給放大器的直流功率轉換成負載上的交流功率。交流輸出功串和直流電源功率息息相關。一個功率放大器的直流電源提供的功率究竟能有多少轉換成交流輸出功率呢？我們當然希望功率放大器最好能把直流功率（PE= EcIc）百分之百轉換成交流輸出功率（Psc＝Uscisc）實際上卻是不可能的。因為晶體管自身要有一定的功率消耗，各種電路元件（電阻、變壓器等）要消耗一定的功率，這就有個效率問題了。放大器的效率η指輸出功率Psc與電源供給的直流動率PE之比，即通常用百分比表示：

η=Psc/PE

通常用百分比表示：

η=Psc/PE×100%

效率越高，表示功率放大器的性能越好。

晶休管在大信號工作條件下，工作點會上下大幅度擺動。一旦工作點跳出輸入或輸出特性曲線的線性區，就會出現非線性失真。所以對聲頻功率放大器來說，輸出功率總要和非線性失真聯系在一起考慮。一般聲頻功率放大器都有兩個指標棗最大輸出功率和最大不失真輸出功率。前者說明放大器的最大負載能力，後者表示不失真放大的能力。例如，兩台擴音機最大輸出功率都是50瓦，但一台的最大不失真功率是40瓦，另一台的最大不失真功率是30瓦，前者的性能就要比後者好些

Ⅶ 簡介PLC的功能及用途

1、PLC的功能：

（1）可靠性高。由於PLC大都採用單片微型計算機，因此具有很高的集成度。此外，相應的保護電路和自診斷功能提高了系統的可靠性。

（2）編程容易。PLC的編程多採用繼電器控制梯形圖及命令語句，它們的數量遠遠少於微型計算機指令的數量。除中高檔plc外，一般只有16台小型plc。由於梯形圖像簡單，易於掌握和使用，而且可以在沒有計算機專業知識的情況下編程。

（3）組態靈活。由於PLC採用積木式結構，用戶可以通過簡單的組合靈活地改變控制系統的功能和規模，因此適用於任何控制系統。

（4）輸入/輸出功能模塊齊全。PLC的最大優點之一，是對於不同的現場信號（如直流或交流、開關、數字或模擬、電壓或電流等），有相應的模板可以直接與工業現場設備（如按鈕、開關、感測器電流感測器等）連接，並通過匯流排與CPU主板連接。

2、PLC的用途：

（1）開環控制

開關量的開環控制是PLC的最基本控制功能。plc指令系統具有強大的邏輯運算能力，易於實現定時、計數、順序（分步）等多種邏輯控制方式。大部分plc用於取代傳統的繼電器接觸器控制系統。

（2）模擬量閉環

對於模擬量的閉環控制系統，除了要有開關量的輸入輸出外，使采樣輸入和調節輸出能夠實現溫度、流量、壓力、位移的連續調節和控制。電磁、速度等參數。plc不僅在大中型計算機上具有這種功能，在一些小型計算機上也具有這種功能。

（3）數字量控制

控制系統具有旋轉編碼器和脈沖伺服裝置(如步進電動機)時，可利用plc接收和輸出高速脈沖，實現數字量控制。更先進的plc還專門開發了數字控制模塊，可以實現曲線插補功能。

近年來，人們提出了一種新型的運動單元模塊，它還可以實現數字量控制。給出了數字量控制技術的編程語言，使用plc實現數字量控制更加簡單。

（4）數據採集監控

由於PLC主要用於現場控制，所以採集現場數據是十分必要的功能，在此基礎上，plc與上位機或觸摸屏相連。它不僅可以觀察這些數據的當前值，而且可以及時進行統計分析。一些可編程邏輯控制器有數據記錄單元，可由普通個人計算機存儲。將卡插入裝置以保存收集的數據。

PLC的另一個特點是自檢信號多．利用這個特點，PLC控制系統可以實現白診斷式監控，減少系統的故障，提高系統的可靠性。

(7)電路psc擴展閱讀：

PLC內部工作方式一般是採用循環掃描工作方式，部分大中型plc增加中斷方式。當用戶調試用戶程序時，程序通過編程器寫入plc存儲器。同時，將現場輸入信號和受控執行器連接到輸入模塊的輸入端和輸出模塊的輸出端。然後選擇plc操作模式作為操作模式。

後面的工作就由PLC根據用戶程序去完成，右圖是PLC執行過程框圖。PLC在工作過程中，主要完成六個模塊的處理。

Ⅷ 功率放大器的效率的是如何計算的

功串放大的實質是通過晶體管的控製作用，把電源提供給放大器的直流功率轉換成負載上的交流功率。交流輸出功串和直流電源功率息息相關。一個功率放大器的直流電源提供的功率究竟能有多少轉換成交流輸出功率呢？我們當然希望功率放大器最好能把直流功率（PE= EcIc）百分之百轉換成交流輸出功率（Psc＝Uscisc）實際上卻是不可能的。因為晶體管自身要有一定的功率消耗，各種電路元件（電阻、變壓器等）要消耗一定的功率，這就有個效率問題了。放大器的效率η指輸出功率Psc與電源供給的直流動率PE之比，即通常用百分比表示：
η=Psc/PE
通常用百分比表示：
η=Psc/PE×100%
效率越高，表示功率放大器的性能越好。
Agitek安泰測試解答。

Ⅸ 二極體是怎麼實現正向導通，逆向不能通過電流的

晶體二極體為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，並建有自建電場。當不存在外加電壓時，由於p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極體的擊穿現象
二極體種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極體（Ge管）和硅二極體（Si管）。根據其不同用途，可分為檢波二極體、整流二極體、穩壓二極體、開關二極體、隔離二極體、肖特基二極體、發光二極體等。按照管芯結構，又可分為點接觸型二極體、面接觸型二極體及平面型二極體。點接觸型二極體是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶片表面，通以脈沖電流，使觸絲一端與晶片牢固地燒結在一起，形成一個「PN結」。由於是點接觸，只允許通過較小的電流（不超過幾十毫安），適用於高頻小電流電路，如收音機的檢波等。面接觸型二極體的「PN結」面積較大，允許通過較大的電流（幾安到幾十安），主要用於把交流電變換成直流電的「整流」電路中。平面型二極體是一種特製的硅二極體，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩定可靠，多用於開關、脈沖及高頻電路中。
CT---勢壘電容
Cj---結（極間）電容， 表示在二極體兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極體的總電容
Cjv---偏壓結電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度系數
Cvn---標稱電容
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極體在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極體在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極體正向電參數時給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極體的最大正向脈沖電流。發光二極體極限電流。
IH---恆定電流、維持電流。
Ii--- 發光二極體起輝電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩流二極體極限電流
ID---暗電流
IB2---單結晶體管中的基極調制電流
IEM---發射極峰值電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點電流
IV---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極體兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極體在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IDR---晶閘管斷態平均重復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）
Irp---反向恢復電流
Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流
Izk---穩壓管膝點電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極體的最大工作電流
IZSM---穩壓二極體浪涌電流
IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極體允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢復電流
Iop---工作電流
Is---穩流二極體穩定電流
f---頻率
n---電容變化指數；電容比
Q---優值（品質因素）
δvz---穩壓管電壓漂移
di/dt---通態電流臨界上升率
dv/dt---通態電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT（AV）---正向導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向導通總瞬時耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關功率
PM---額定功率。硅二極體結溫不高於150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重復浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極體允許承受的最大功率
RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結到環境的熱阻
Rz(ru)---動態電阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r δ---衰減電阻
r(th)---瞬態電阻
Ta---環境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
tf---下降時間
tfr---正向恢復時間
tg---電路換向關斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結溫
Tjm---最高結溫
ton---開通時間
toff---關斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢復時間
ts---存儲時間
tstg---溫度補償二極體的貯成溫度
a---溫度系數
λp---發光峰值波長
△ λ---光譜半寬度
η---單結晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態重復峰值電壓
VGT---門極觸發電壓
VGD---門極不觸發電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF（AV）---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
V（BR）---擊穿電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷點電壓
Vz---穩定電壓
△Vz---穩壓范圍電壓增量
Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓
av---電壓溫度系數
Vk---膝點電壓（穩流二極體）
VL ---極限電壓

Ⅹ 什麼是功率放大器的效率

功率放大是利用三極體的電流控製作用或場效應管的電壓控製作用將電源的功率轉換為按照輸入信號變化的電流。因為聲音是不同振幅和不同頻率的波，即交流信號電流，三極體的集電極電流永遠是基極電流的β倍，β是三極體的交流放大倍數，應用這一點，若將小信號注入基極，則集電極流過的電流會等於基極電流的β倍，然後將這個信號用隔直電容隔離出來，就得到了電流(或電壓)是原先的β倍的大信號，這現象成為三極體的放大作用。經過不斷的電流及電壓放大，就完成了功率放大。

功串放大的實質是通過晶體管的控製作用，把電源提供給放大器的直流功率轉換成負載上的交流功率。交流輸出功串和直流電源功率息息相關。一個功率放大器的直流電源提供的功率究竟能有多少轉換成交流輸出功率呢？我們當然希望功率放大器最好能把直流功率（PE= EcIc）百分之百轉換成交流輸出功率（Psc＝Uscisc）實際上卻是不可能的。因為晶體管自身要有一定的功率消耗，各種電路元件（電阻、變壓器等）要消耗一定的功率，這就有個效率問題了。放大器的效率η指輸出功率Psc與電源供給的直流動率PE之比，即通常用百分比表示：

η=Psc/PE

通常用百分比表示：

η=Psc/PE×100%

效率越高，表示功率放大器的性能越好。

晶休管在大信號工作條件下，工作點會上下大幅度擺動。一旦工作點跳出輸入或輸出特性曲線的線性區，就會出現非線性失真。所以對聲頻功率放大器來說，輸出功率總要和非線性失真聯系在一起考慮。一般聲頻功率放大器都有兩個指標棗最大輸出功率和最大不失真輸出功率。前者說明放大器的最大負載能力，後者表示不失真放大的能力。例如，兩台擴音機最大輸出功率都是50瓦，但一台的最大不失真功率是40瓦，另一台的最大不失真功率是30瓦，前者的性能就要比後者好些。