ocp8121電路圖

❶ 開關電源中OVP，OCP，均流由哪些因數來決定

開關電源在加電時，會產生較高的浪涌電流，因此必須在電源的輸入端安裝防止浪涌電流的軟啟動裝置，才能有效地將浪涌電流減小到允許的范圍內。浪涌電流主要是由濾波電容充電引起，在開關管開始導通的瞬間，電容對交流呈現出較低的阻抗。如果不採取任何保護措施，浪涌電流可接近數百a。
開關電源的輸入一般採用電容整流濾波電路如圖2所示，濾波電容c可選用低頻或高頻電容器，若用低頻電容器則需並聯同容量高頻電容器來承擔充放電電流。圖中在整流和濾波之間串入的限流電阻rsc是為了防止浪涌電流的沖擊。合閘時rsc限制了電容c的充電電流，經過一段時間，c上的電壓達到預置值或電容c1上電壓達到繼電器t動作電壓時，rsc被短路完成了啟動。同時還可以採用可控硅等電路來短接rsc。當合閘時，由於可控硅截止，通過rsc對電容c進行充電，經一段時間後，觸發可控硅導通，從而短接了限流電阻rsc。
在一般情況下，利用基極驅動電路將電源的控制電路和開關晶體管隔離開。控制電路與輸出電路共地，限流電路可以直接與輸出電路連接，當輸出過載或者短路時，v1導通，r3兩端電壓增大，並與比較器反相端的基準電壓比較。控制pwm信號通斷。

❷ ocp8121取消保護方法

如果方便，可用外接燈條試一哈。VD799空缺處接一個10V穩壓管 ， 如果好了 就是用戶把背光項調到最小所致，易走彎路，OCP8121 （同oz9902c） 第6腳是背光調節腳，正常電壓2V左右。

❸ 晶元類知識翻譯

將電路製造在半導體晶元表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）集成電路（hybrid integrated circuit）是由獨立半導體設備和被動組件，集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。
從1949年到1957年，維爾納·雅各比（Werner Jacobi）、傑弗里·杜默（Jeffrey Dummer）、西德尼·達林頓（Sidney Darlington）、樽井康夫（Yasuo Tarui）都開發了原型，但現代集成電路是由傑克·基爾比在1958年發明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎，但同時間也發展出近代實用的集成電路的羅伯特·諾伊斯，卻早於1990年就過世。
介紹
晶體管發明並大量生產之後，各式固態半導體組件如二極體、晶體管等大量使用，取代了真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀中後期半導體製造技術進步，使得集成電路成為可能。相對於手工組裝電路使用個別的分立電子組件，集成電路可以把很大數量的微晶體管集成到一個小晶元，是一個巨大的進步。集成電路的規模生產能力，可靠性，電路設計的模塊化方法確保了快速採用標准化集成電路代替了設計使用離散晶體管。
集成電路對於離散晶體管有兩個主要優勢：成本和性能。成本低是由於晶元把所有的組件通過照相平版技術，作為一個單位印刷，而不是在一個時間只製作一個晶體管。性能高是由於組件快速開關，消耗更低能量，因為組件很小且彼此靠近。2006年，晶元面積從幾平方毫米到350 mm2，每mm2可以達到一百萬個晶體管。
第一個集成電路雛形是由傑克·基爾比於1958年完成的，其中包括一個雙極性晶體管，三個電阻和一個電容器。
根據一個晶元上集成的微電子器件的數量，集成電路可以分為以下幾類：
小型集成電路（SSI英文全名為Small Scale Integration）邏輯門10個以下或晶體管100個以下。
中型集成電路（MSI英文全名為Medium Scale Integration）邏輯門11~100個或 晶體管101~1k個。
大規模集成電路（LSI英文全名為Large Scale Integration）邏輯門101~1k個或 晶體管1,001~10k個。
超大規模集成電路（VLSI英文全名為Very large scale integration）邏輯門1,001~10k個或 晶體管10,001~100k個

❹ 康佳led背光碟機動塊opc8121引腳功能

Opc8121引腳功能

❺ 電路中S/OCP 什麼意思

1腳S/OCP端子，是自動輸入補償的過電流保護（OCP）迴路。MOSFET漏極電流的檢測，專是通過在MOSFET的源極（即S/OCP端子）屬與GND之間所接的電流檢測電阻R。檢測電阻R兩端的壓降達到OCP門坎電壓值時，MOSFET即被關斷。內部原理圖：

❻ 求助ocp8121背光晶元資料

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