硅鎮流管電路

❶ 什麼是硅鎮靜鋼（和鋁鎮靜鋼）

根據脫氧程度不同，模鑄時分為：①沸騰鋼；②半鎮靜鋼；③鎮靜鋼。

而連鑄時，基本為鎮靜鋼，根據鋼種和產品質量，脫氧分為3種模式：

①硅鎮靜鋼（用Si+Mn脫氧）；

②硅鋁鎮靜鋼（Si+Mn+少量Al脫氧）；

③鋁鎮靜鋼（用過剩Al>0.01%）。

硅鎮靜鋼

用Si+Mn脫氧，形成的脫氧產物有：①純SiO2(固體)；②MnO·SiO2（液體）；③MnO·FeO（固溶體）。

對於硅鎮靜鋼，控制Mn/Si，使其生成液態的MnO·SiO2，鋼水可澆性好，但與Si、Mn相平衡的[O]D較高（（40～60）×10-6），在結晶器內鋼水凝固時易生成皮下針孔或氣泡，影響鑄坯質量。

採用Si+Mn脫氧後，使鋼水可澆性好（不堵水口），又不使鑄坯產生針孔或皮下氣泡，要控制鋼水中溶解氧[O]D在（10～20）×10-6。

對於含碳較高的硅鎮靜鋼（如高碳硬線鋼、彈簧鋼），為避免Al2O3夾雜的有害作用，一般不加鋁脫氧，而是用低鋁的鐵合金脫氧，鋼水中的酸溶鋁[Al]s極低（<0.002%），則鋼中溶解氧[O]D較高。為降低鋼中[O]D，在LF精煉採用白渣操作+氬氣攪拌，鋼渣精煉擴散脫氧，既能把鋼水中[O]D降到<20×10-6,也能有效地脫硫（[S]<0.01%）。

硅鎮靜鋼（C0.29%,Mn0.8%～1.2%,Si0.15%～0.40%）,LF精煉後鋼水中[O]D與水口堵塞和針孔的關系可知：

鋼水中[O]D控制在（10～20）×10-6，既可防止水口堵塞，鑄坯又無皮下氣孔生成。但鋼水中[O]D<10×10-6，水口堵塞的可能性增加，因此應控制好：

（1）合適的Mn/Si

①Mn/Si低時形成SiO2夾雜，增加了水口堵塞的可能性；

②Mn/Si高（>2.5）時生成典型的MnO·SiO2（MnO54.1%,SiO245.9%），夾雜物容易上浮。

（2）鐵合金中鋁含量。如果鐵合金中帶入的鋁使鋼水中[Al]s>0.003%,就會形成固態Al2O3。

（3）控制LF白渣精煉時間，減少MnO·Al2O3生成。

3.2 硅鋁鎮靜鋼

僅用Si+Mn脫氧，鑄坯易形成皮下針孔，除採用LF白渣精煉降低鋼中[O]D外，還可用Si+Mn+少量鋁脫氧。但如果既要保持連鑄的可澆性又要防止鑄坯產生皮下針孔，應用Si+Mn+少量鋁脫氧，形成的脫氧產物可能有：①薔薇輝石（2MnO·2Al2O3·5SiO2）；②錳鋁榴石（3MnO·Al2O3·3SiO2）；③純（Al2O3>25%）。

要把夾雜物成分控制在相圖中錳鋁榴石的陰影區，這樣就可達到：①夾雜物熔點低（1400℃），球形易上浮；②熱軋時夾雜物可塑性好（800～1300℃）；③錳鋁榴石夾雜物中Al2O3接近20%左右，變形性最好；④無單獨Al2O3的析出，鋼水可澆性好，不堵水口；⑤脫氧良好，不生成氣孔。

理論計算指出，在鋼中Si=0.2%，Mn=0.4%，溫度為1550℃條件下，若鋼中酸溶鋁[Al]s≤0.005%，則鋼中[O]<20×10-6,生成錳鋁榴石而無Al2O3析出，鋼水可澆性好，鑄坯又不產生皮下氣孔。這對連鑄生產是非常重要的。對於高碳硬線鋼，用Si+Mn脫氧控制好鋼中的[Al]s來得到易變形的錳鋁榴石而防止脆性Al2O3夾雜析出，這對於防止拉拔脆斷是非常重要的。

3.3 鋁鎮靜鋼
對於中低碳細晶粒鋼，要求鋼中酸溶鋁[Al]s≥0.01%；對於低碳鋁鎮靜鋼，為改善薄板深沖性能，要求鋼中[Al]s=0.02%～0.05，為此要求用過剩鋁脫氧。這樣，需要解決兩個問題。

（1）加鋁方法

如何把鋁加到鋼水中達到目標值，且鋁的回收率盡可能高。
（2）如何避免Al2O3夾雜的有害作用
對於加鋁方法，將一部法加鋁改為兩部法加鋁：

①出鋼時加鋁量脫除鋼水中超出C—O平衡的過剩氧量：
②精煉加鋁量為脫除C相平衡的氧+目標鋁含量（喂鋁線）。

鋼水中與酸溶鋁[Al]s相平衡的[O]D很低，為（2～6）×10-6，脫氧產物全部為Al2O3，其害處是：①Al2O3熔點高（2050℃），鋼水中呈固態；②可澆性差，堵水口；③Al2O3可塑性差，不變形，影響鋼材性能，尤其是深沖薄板的表面缺陷。

為此，採用鈣處理（喂Si-Ca線或Ca線）來改變Al2O3形態。

（1）加鋁較少，[Al]s較低，採用輕鈣處理

輕鈣處理後生成鈣長石CaO·Al2O3·2SiO2(CaO20%～25%,Al2O337%,SiO244%)或鈣黃長石2CaO·Al2O3·SiO2（CaO40%,Al2O337%,SiO222%）。希望把夾雜物成分控制在CaO-SiO2-Al2O3相圖中的陰影區。夾雜物鈣長石熔點低（1200～1400℃），在鋼液中易上浮，可澆性好，不堵水口；熱軋時夾雜物易變形不會發生拉拔脆斷現象。

（2）加鋁較多，[Al]s較高，採用重鈣處理

溶解鈣與鋼水中固相Al2O3生成不同組成的鋁酸鈣（CaO-Al2O3）夾雜，CaO和Al2O3生成五個中間相，其組成與熔點見表2。應控制鋼中鈣含量，避免生成中間相CA6、CA2、CA而生成液相的12CaO·7Al2O3，有利於夾雜物上浮，也能夠防止水口堵塞。

生成的鋁酸鈣夾雜中富集CaO，具有高的硫容量，能吸收足夠的硫，當鋼水凝固時，夾雜物中硫的溶解度降低，硫化物沉澱形成中心為鋁酸鈣CaO-Al2O3,外殼為CaS的雙相夾雜。

鋼中加入的Ca除與反應外，還能與硫反應生成CaS。CaS也會引起水口堵塞。為提高鈣處理轉變Al2O3為12CaO·7Al2O3的效率，應控制鋼水中的硫含量小於0.01%。若S=0.010%～0.015%，鈣處理後有CaS生成；S=0.030%～0.040%時，鈣處理首先生成CaS，CaS堵塞水口嚴重。

鈣處理鋁鎮靜鋼，判斷鋼水中Al2O3向球化轉變的指標，文獻中有不同的說法：①Ca/Al>0.14；②Ca/T[O]=0.7～1.2。

對於鋁鎮靜鋼，鈣處理後：①解決了可澆性，不堵水口；②夾雜物易上浮去除；③消除了Al2O3不變形夾雜物對鋼性能的有害作用。

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❷ 懂電子閘流管的請進

閘流管---- 只是一種內部充有銾氣的電子三極體，它的特性與可控硅相仿，用燈絲變壓器可調式的整流電路是通過交直流疊加來控制柵極電壓，從而控制這三個管的點火（導通）角或叫點火提前量來達到控制輸出直流電壓的高低。

充氫閘流管由陰極、陽極、柵極及氫儲存元件組成，利用低壓氫氣為工作介質，導通時靠等離子體形成內部導電介質，是可控點火的離子開關真空器件。
充氫閘流管[hydrogen thratron]是由陽極、陰極、柵極（一個或幾個柵極，至少有控制柵柵極，可選提高點火穩定性的預點火柵，或提高工作電壓的分壓柵極）、儲氫器（壽命要求長的還內置可以補充工作壽命內氫氣損耗）等組成，將所有電極用絕緣外殼密封，利用低壓氫氣（氘氣）作為工作及滅弧絕緣介質，是離子開關管中的一個分支，將觸發脈沖（正極性）加到柵極，陰極發射的電子在柵陰電場的加速作用下，使陰- 柵間隙產生雪崩擊穿並將氫分子電離產生等離子體，當放電電流大到一定程度，等離子體中的快速電子會越過柵極，進入陽極—柵極空間，在陽柵空間電場加速下，陽柵間隙產生雪崩擊穿，產生陽柵空間的等離子體，並使陽柵間隙擊穿導通，使外電路由於電流以閘流管的陽極-柵極-陰極空間的等離子體中的電子流為載體通過形成閉合迴路，而輸出脈沖電流，在儲能元件(一般是由LC元件組成的人工線)放電終了時，流過閘流管的電流值降到零，管內等離子體消電離，陽極—柵極空間恢復絕緣狀態，為下一次放電道統做好准備,由於等離子體具有內電場為零的特點，故氫閘流管在導通時的電壓降比較小，是具有正啟動特性的脈沖電真空器件,具有工作電壓高，脈沖電流大，觸發電壓低，脈沖寬度窄，電流上升快，點火穩定等特點，廣泛應用於國防、醫療、高能激光、科學研究等領域或場合。

接地柵閘流管[grid GND hydrogen thyratron]是普通閘閘流管的改良產品，工作時柵極接地，觸發脈沖（負極性）加到陰極，陰-柵間隙產生雪崩擊穿形成等離子體，等離子體中的快速電子越過柵極到達陽-柵空間，在陽柵電場的加速作用下引起陽極柵極空間的雪崩擊穿，同時電子離子在電場作用下轟擊陽極和柵極表面，導致表面蒸發產生金屬蒸汽，從而產生以電離的金屬蒸汽為主體的真空電弧，從而使外電路通過閘流管形成閉合迴路，由於放電電流不依賴陰極的發射電流，故而可以導通比普通閘流管大數十倍的電流，並而且具有前沿電流上升速率大和內阻小的特點。

❸ 矽谷小鎮怎麼樣

摘要 矽谷小鎮現在的位置和規劃都是不錯的，預計開盤也是毛坯銷售，價格不會太高，預計也是在1.35-1.4萬/平，整體性價比還是可觀的。

❹ 三極體的主要參數

1、電壓/電流：用這個參數可以指定該管的電壓電流使用范圍

2、hFE：電流放大倍數

3、VCEO：集電極發射極反向擊穿電壓,表示臨界飽和時的飽和電壓

4、PCM：最大允許耗散功率

5、封裝形式：指定該管的外觀形狀,如果其它參數都正確，封裝不同將導致組件無法在電路板上實現

(4)硅鎮流管電路擴展閱讀

三極體的發現歷史：

1947年12月23日，美國新澤西州墨累山的貝爾實驗室里，3位科學家——巴丁博士、布萊頓博士和肖克萊博士在緊張而又有條不紊地做著實驗。他們在導體電路中正在進行用半導體晶體把聲音信號放大的實驗。

這個器件，就是在科技史上具有劃時代意義的成果晶體管。因它是在聖誕節前夕發明的，而且對人們未來的生活發生如此巨大的影響，所以被稱為「獻給世界的聖誕節禮物」。這3位科學家因此共同榮獲了1956年諾貝爾物理學獎。

❺ 三極體的參數是哪些

三極體的參數解釋
λ---光譜半寬度
VF---正向壓降差
Vz---穩壓范圍電壓增量
av---電壓溫度系數
a---溫度系數
BV cer---基極與發射極串接一電阻，CE結擊穿電壓
BVcbo---發射極開路，集電極與基極間擊穿電壓
BVceo---基極開路，CE結擊穿電壓
BVces---基極與發射極短路CE結擊穿電壓
BVebo--- 集電極開路EB結擊穿電壓
Cib---共基極輸入電容
Cic---集電結勢壘電容
Cieo---共發射極開路輸入電容
Cies---共發射極短路輸入電容
Cie---共發射極輸入電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cjo---零偏壓結電容
Cjv---偏壓結電容
Cj---結（極間）電容， 表示在二極體兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極體的總電容
CL---負載電容（外電路參數）
Cn---中和電容（外電路參數）
Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容
Coeo---共發射極開路輸出電容
Coe---共發射極輸出電容
Co---零偏壓電容
Co---輸出電容
Cp---並聯電容（外電路參數）
Cre---共發射極反饋電容
Cs---管殼電容或封裝電容
CTC---電容溫度系數
CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
Ct---總電容
Cvn---標稱電容
di/dt---通態電流臨界上升率
dv/dt---通態電壓臨界上升率
D---占空比
ESB---二次擊穿能量
fmax---最高振盪頻率。當三極體功率增益等於1時的工作頻率
fT---特徵頻率
f---頻率
h RE---共發射極靜態電壓反饋系數
hFE---共發射極靜態電流放大系數
hfe---共發射極小信號短路電壓放大系數
hIE---共發射極靜態輸入阻抗
hie---共發射極小信號短路輸入阻抗
hOE---共發射極靜態輸出電導
hoe---共發射極小信號開路輸出導納
hre---共發射極小信號開路電壓反饋系數
IAGC---正向自動控制電流
IB2---單結晶體管中的基極調制電流
IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內，能連續地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值
IB---基極直流電流或交流電流的平均值
Icbo---基極接地，發射極對地開路，在規定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流
Iceo---發射極接地，基極對地開路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流
Icer---基極與發射極間串聯電阻R，集電極與發射極間的電壓VCE為規定值時，集電極與發射極之間的反向截止電流
Ices---發射極接地，基極對地短路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流
Icex---發射極接地，基極與發射極間加指定偏壓，在規定的反向偏壓VCE下，集電極與發射極之間的反向截止電流
ICMP---集電極最大允許脈沖電流
ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
ICM---最大輸出平均電流
Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值
IDR---晶閘管斷態平均重復電流
ID---暗電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
Iebo---基極接地，集電極對地開路，在規定的反向電壓VEB條件下，發射極與基極之間的反向截止電流
IEM---發射極峰值電流
IE---發射極直流電流或交流電流的平均值
IF（AV）---正向平均電流
IF(ov)---正向過載電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極體的最大正向脈沖電流。發光二極體極限電流。
IFMP---正向脈沖電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極體在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極體在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極體正向電參數時給定的電流
iF---正向總瞬時電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IH---恆定電流、維持電流。
Ii--- 發光二極體起輝電流
IL---光電流或穩流二極體極限電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極體的最大工作電流
Iop---工作電流
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IP---峰點電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極體兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極體在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
Irp---反向恢復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）
ir---反向恢復電流
iR---反向總瞬時電流
ISB---二次擊穿電流
Is---穩流二極體穩定電流
IV---谷點電流
Izk---穩壓管膝點電流
IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極體允許通過的電流
IZSM---穩壓二極體浪涌電流
Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流
n---電容變化指數；電容比
PB---承受脈沖燒毀功率
PCM---集電極最大允許耗散功率
Pc---集電極耗散功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pd---耗散功率
PFT（AV）---正向導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向導通總瞬時耗散功率
PGM---門極峰值功率
PG---門極平均功率
Pi---輸入功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
PM---額定功率。硅二極體結溫不高於150度所能承受的最大功率
Pn---雜訊功率
Pomax---最大輸出功率
Posc---振盪功率
Po---輸出功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重復浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Ptot---總耗散功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極體允許承受的最大功率
Q---優值（品質因素）
r δ---衰減電阻
R(th)ja----結到環境的熱阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r(th)---瞬態電阻
rbb分鍾Cc---基極-集電極時間常數，即基極擴展電阻與集電結電容量的乘積
rbb分鍾---基區擴展電阻（基區本徵電阻）
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RBE---外接基極-發射極間電阻（外電路參數）
RB---外接基極電阻（外電路參數）
Rc ---外接集電極電阻（外電路參數）
RE---射頻電阻
RE---外接發射極電阻（外電路參數）
RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RG---信號源內阻
rie---發射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻
RL---負載電阻
RL---負載電阻（外電路參數）
roe---發射極接地，在規定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻
Rs(rs)----串聯電阻
Rth---熱阻
Rth----熱阻
Rz(ru)---動態電阻
Ta---環境溫度
Ta---環境溫度
Tc---管殼溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
td----延遲時間
tfr---正向恢復時間
tf---下降時間
tf---下降時間
tgt---門極控制極開通時間
tg---電路換向關斷時間
Tjm---最大允許結溫
Tjm---最高結溫
Tj---結溫
toff---關斷時間
toff---關斷時間
ton---開通時間
ton---開通時間
trr---反向恢復時間
tr---上升時間
tr---上升時間
tstg---溫度補償二極體的貯成溫度
Tstg---貯存溫度
ts---存儲時間
ts---存貯時間
Ts---結溫
V n---雜訊電壓
V v---谷點電壓
V（BR）---擊穿電壓
VAGC---正向自動增益控制電壓
VB2B1---基極間電壓
VBB---基極（直流）電源電壓（外電路參數）
VBE(sat)---發射極接地，規定Ic、IB條件下，基極-發射極飽和壓降（前向壓降）
VBE10---發射極與第一基極反向電壓
VBE---基極發射極（直流）電壓
VB---反向峰值擊穿電壓
VCBO---基極接地，發射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VCB---集電極-基極（直流）電壓
Vcc---集電極（直流）電源電壓（外電路參數）
VCE(sat)---發射極接地，規定Ic、IB條件下的集電極-發射極間飽和壓降
VCEO---發射極接地，基極對地開路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCER---發射極接地，基極與發射極間串接電阻R，集電極與發射極間在指定條件下的最高耐壓
VCES---發射極接地，基極對地短路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEX---發射極接地，基極與發射極之間加規定的偏壓，集電極與發射極之間在規定條件下的最高耐壓
VCE---集電極-發射極（直流）電壓
Vc---整流輸入電壓
VDRM---斷態重復峰值電壓
VEBO---基極接地，集電極對地開路，發射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VEB---飽和壓降
VEE---發射極（直流）電源電壓（外電路參數）
VF（AV）---正向平均電壓
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
VGD---門極不觸發電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VGT---門極觸發電壓
Vk---膝點電壓（穩流二極體）
VL ---極限電壓
Vn(p-p)---輸入端等效雜訊電壓峰值
Vn---中心電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vo---交流輸入電壓
Vp---穿通電壓。
Vp---峰點電壓
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VSB---二次擊穿電壓
Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
Vz---穩定電壓
δvz---穩壓管電壓漂移
η---單結晶體管分壓比或效率
λp---發光峰值波長

❻ 整流二極體的型號

測二極體，萬能表應打到，數字萬能表二極體檔位，測量正向電阻大反向電阻小，有得測萬能表二極體壞了二極體會叫正常不叫。

❼ 請教一下，半導體閘流管是指什麼具體電路圖是什麼樣子的有俗稱嗎

指晶閘管，又叫可控硅。有單向晶閘管、雙向晶閘管之分。圖中左為單向晶閘管，右為雙向晶閘管。