模擬cmos電路

Ⅰ 拉扎維的模擬cmos集成電路設計一書中所謂的大信號分析與小信號分析都具體指什麼呀

電路處理的一般抄都是電壓信號，比如說放大電路，就是把小的電壓信號轉變為大的電壓信號，小信號一般是指電壓變化以及電壓變化率很低的信號，大信號則相反
一般小於開啟電壓的幾十分之一就認為是小信號。
我們大學的模擬電路書上有講過晶體管,MOS的小信號模型,其後的運放,反饋的種種分析都是基於這些元件的小信號模型.當輸入信號不再是小信號(大信號),小信號模型就不再適用.
舉個例子,MOS管的關系式Id=Vgs*gm.gm在一定范圍內(既輸入信號偏離靜態工作點的范圍)是一個常數,當輸入信號的值更多的偏離靜態工作點時,gm的值會改變.這個使gm的值足以改變的信號就是大信號.
可以看到,大信號和小信號都是相對的概念.對於不同的電路,大信號的實際幅度是不同的.

標簽：

Ⅱ TTL是數字電路而CMOS是模擬電路嗎

TTL全稱Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT邏輯門電路，是數字電子技術中常用的一種邏輯門電路，應用較早，技術已比較成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即雙極結型晶體管，晶體三極體）和電阻構成，具有速度快的特點。最早的TTL門電路是74系列，後來出現了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由於TTL功耗大等缺點，正逐漸被CMOS電路取代。
TTL電平： 輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，雜訊容限是0.4V。

MOS是:金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconctor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。
CMOS電平： 1邏輯電平電壓接近於電源電壓，0邏輯電平接近於0V。而且具有很寬的雜訊容限。

附：
TTL和CMOS電路比較：
1）TTL電路是電流控制器件，而CMOS電路是電壓控制器件。
2）TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短(5-10ns)，但是功耗大。 CMOS電路的速度慢，傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。 CMOS電路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關，頻率越高，晶元集越熱，這是正常現象。 3）CMOS電路的鎖定效應

Ⅲ cmos模擬集成電路中，nmos管的襯底應該如何連接，為什麼

為防止MOS管電流從襯底泄漏，襯底PN結要加反向電壓使其呈高阻狀態，所以N溝道襯底接低電位，P溝道襯底接高電位

Ⅳ 什麼是本徵增益 模擬CMOS集成電路中的問題

可以理解為負載為無窮大時的增益，即由MOS本身參數生成的增益，比如簡單共源極情況下，本徵增益大小為gm*ro，ro為MOS本身的等效電阻。

Ⅳ 模擬cmos集成電路設計（拉扎維）頻率響應 極點

我還特意去翻了一下，這里確實應該是RS+1/(gm+gmb)，你可以把小信號電路畫出來，根據Rin=Vin/Iin來算一下輸回入電答阻，我計算的輸入電阻Rin就是Rs+1/(gm+gmb)，所以輸入極點應該是RinCin，所以我也覺得拉扎維錯了，個人的意見。

Ⅵ 拉扎維模擬cmos集成電路設計哪章最難

第三章是重難點，非常重要，要熟練到對於單及放大器閉著眼睛都能寫出增益的表達式。
《模擬CMOS集成電路設計》介紹模擬CMOS集成電路的分析與設計。從直觀和嚴密的角度闡述了各種模擬電路的基本原理和概念，同時還闡述了在SOC中模擬電路設計遇到的新問題及電路技術的新發展。《模擬CMOS集成電路設計》由淺入深，理論與實際結合，提供了大量現代工業中的設計實例。全書共18章。
畢查德·拉扎維於1985年在沙里夫理工大學的電氣工程系獲得理學學士學位，並分別於1988年和1992年在斯坦福大學電氣工程系獲得理學碩士和博士學位。他曾在AT&T貝爾實驗室工作，隨後又受聘於Hewlett-Packard實驗室，直到1996年為止。1996年9月，他成為加利福尼亞大學洛杉磯分校的電氣工程系副教授，隨後晉升為教授。他從事的研究包括無線收發、頻率合成，高速數據通信及數據轉換的鎖相和時鍾恢復。其編著的《模擬CMOS集成電路設計》一書更是加州大學洛杉磯分校（UCLA）的新教材。其組織嚴謹，內容豐富，循序漸進。在闡述原理和概念時，由淺入深，逐步分析。模擬電路設計需要直觀、嚴密和創新。在闡述各種模擬電路的改進和新電路結構的產生時，著重觀察和分析，不斷地提出問題和解決問題，重視這三方面能力的培養。

Ⅶ CMOS模擬集成電路與數字集成電路的區別

模擬集成電路：主要是針對模擬信號處理的模塊。如；話筒里的聲音信號，電版視信號和VCD輸出的圖象信號、溫權度採集的模擬信號和其它模擬量的信號處理的集成模塊。

數字集成電路：主要是針對數字信號處理的模塊。如；計算機里的2近制、8近制、10近制、16近制的數據進行處理的集成模塊。

CMOS：是一種製造工藝，它採用的是「絕緣柵場效應型三極體」作為晶元製造的主要器件。

Ⅷ 自學模擬cmos集成電路設計可能嗎

其實這是完成可以的，只要你有二本以上學歷，自學成材是極有可能的，當然如果你只是中專或者大專的話，建議不要學這個了，因為學歷太低了，學了之後也找不到工作的，

像海思、國民技術、中芯國際、復旦微，國芯微，上海微，等等晶元設計公司至少 需要本科以上學歷，最好是985的本碩連讀的高材生。

Ⅸ IC設計中的模擬CMOS電路設計，怎麼區分共源和共漏

其實很簡單哈:
CMOS管不是有三個極嗎，你就看輸入端和輸出端共用的是哪個極，那麼就內是共什麼電路了，容比如輸入端是從基極輸入的交流信號地，而輸出接在源極的，那麼就為共漏，為什麼呢？因為，漏端雖然是接的高電位，但是對於交流來說，它是接地的，所以輸入和輸出是共用一個漏極做為負極，也就是地，所以就是共漏。
依次類推，如果輸入信號接在基極，而輸出端接在漏極，源接地，那麼就是共源