全橋集成電路

1. 用什麼集成電路可以將交流電壓變成直流電壓

整流橋有多種方法可以用整流二極體將交流電轉換為直流電，包括半波整流、全波整流以及橋式整流等。最簡單的整流橋，就是將四個二極體封裝在一起，內部橋式連接，只引出四個引腳。四個引腳中，兩個直流輸出端標有+或－，兩個交流輸入端有～標記。全橋的正向電流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多種規格，耐壓值（最高反向電壓）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多種規格。
一般整流橋命名中有3個數字,第一個數字代表額定電流,A;後兩個數字代表額定電壓(數字*100),V.如:KBL410 即4A，1000V 。RS507 即5A，1000V。（1234567分別代表電壓檔的50V，100V，200V，400V，600V，800V，1000V）常用的國產全橋有佑風YF系列，進口全橋有ST、IR等。

2. 下圖中全橋電路之前接一個電阻，這個電阻色環是紅紅黑紅，反向是紅黑紅紅，現在已燒掉，請問這個電阻是多

從電路結構來看，應該是一個22Ω的保險電阻，在電路中起的就是保險的作用，當其後端存在短路時，電阻會燒毀。頻繁燒毀，說明後面電路存在短路，如果濾波電容沒有問題，建議將整流橋從電路中斷開後再測量二極體。另外，整流之後的好像還有穩壓電路，是不是穩壓集成電路燒壞了，也要檢查一下。

3. 電磁爐RM621A集成電路用什麼代

RM621 A是一款專門針對電磁爐電路而開發的控制器，其外形如圖1所示。該晶元採用先進的頻率跟蹤及相位補償技術，具有穩定性及一致性好、集成度高、抗干擾能力強、成本低等優點。

RM621內置三角波發生器、方波形成、頻率跟蹤、相位補償、波形整形、IGBT驅動、高壓限制、高壓保護、突波保護、電源電壓檢測、電流檢測等電路，其內部框圖如圖2所示，其主要特點如下：
該晶元採用TTL雙極型工藝，內含一個100倍精密運算放大器及多個超高速電壓比較器，抗電磁干擾能力強；微功耗，工作電流不大於15mA，靜態電流約1 mA；採用IGBT管專用驅動電路，IGBT管工作溫度低，可靠性高；最小連續輸出功率可低至300W，最大輸出功率可達2600W；電路簡單，外圍電路元件極少，線路布局方便，干擾小；兼容性強，可與多品牌、多型號的微電腦晶元（MCU）配套使用，方便維修改裝。
由於RM621A內部已集成了電磁爐所需的振盪、比較放大、驅動等電路，因此採用該晶元的電磁爐電路外圍元件極少，電路簡單，其典型應用電路如圖3所示，具體引腳功能如下：

①腳是電網電壓檢測及電網突波（脈沖）檢測輸入端。改變該腳外接電容C5的容量可改變電網突波檢測的靈敏度；改變其外接電阻R2、R3的阻值比例可改變⑩腳的輸出電壓，並影響其對電網突波的檢測所得電壓幅度值。
②、③腳分別為電源相位取樣與高壓反饋取樣輸入端。一般在靜態時，③腳電壓高過②腳電壓0.2V～0.5V。
另外，②、③腳間必須跨接一隻中和電容C12，以消除自激干擾。若C12的容量太小，會影響高壓限制點及高壓保護點，一般選為470pF。改變③腳外接電阻R14、R15與R12的阻值比例，可改變高壓限制及高壓保護點。
④腳：接地。
⑤腳：電流取樣輸入端。該端通過電阻R10外接康銅絲電阻RJ，RJ兩端的電壓作為電流檢測的依據。
RJ安裝在高壓濾波電容C2的負端與整流全橋D15的負端之間，其阻值為0.005Ω～0.01Ω。
⑥腳為＋18V供電端，為了能正常驅動IGBT管，要求18V供電電壓不能過低，也不過高，其范圍為15V～19V。
⑦腳為＋5V基準電壓輸入端。由於該腳電壓會影響IC內部電路的高壓限制及高壓保護點，因此要求5V供電穩定，誤差在0.1V內。
⑧腳管為IGBT管的驅動脈沖輸出端，通過電阻R8與IGBT管的柵極（G）相連。該腳輸出的脈沖波形如圖4所示，高電平電壓值為VCC-0.7V，此時IGBT管導通；低電平電壓值低於0.3V，此時IGBT管截止。脈沖上升沿為300±30ns，下降沿為250±25ns。
⑨腳為電流檢測輸出端，某一時刻的輸出電壓等於100倍此時的整機工作電流（單位為A）與康銅絲電阻阻值（單位為Ω）的乘積，例如：某電磁爐在某時的整機電流為10A，所用康銅絲電阻的阻值為0.01Ω，則 ⑨腳的輸出電壓U=10A×0.01Ω×100=10V。若以圖3中元件參數，則⑨腳具體電壓值見。

⑩腳為電源電壓檢測輸出端。該腳電壓值隨市電電壓的變化而變化，若以圖3中元件參數，則⑩腳具體電壓值見。

11、12腳為三角波形成端，這兩腳間接有時間常數設定電容C8（2200pF）。
13腳為中斷輸出端。當電網電壓中有瞬時尖峰高壓，或加在IGBT管c極電壓過高時，該腳輸出低電平，同時IC內部關斷⑧腳的驅動脈沖輸出。

15腳為關斷時間延時端，其延時時間由外接電容C10的容量決定。
14腳為開／關機控制輸入端，低電平關機，高電平開機。須注意的是：在開機前，需先提供給16腳一定的電壓。另外，在13腳輸出中斷信號後，應給此腳加一個低電平關機信號，待13腳電壓恢復正常後，再重新開機。
16腳為PWM功率控制信號輸入端，此腳電壓越高，整機功率越大；反之，整機功率越小。

4. 開關電源電路原理

開關電源電路原理：
供電（啟動）：晶元的VDD腳接一個電容到地，一個電阻到輸入版電壓正權極，上電時輸入電壓通過電阻給電容充電，當電容上的電壓充到晶元的啟動電壓門限值時，晶元開始工作。

供電（維持）：為了節能，啟動電阻都比較大，單靠電阻電容不能提供維持晶元正常工作所需的電流，所以要在高頻變壓器上設一個供電繞組給晶元供電。晶元一旦啟動工作，該繞組的輸出電壓就為晶元提供持續的電源。
開關管驅動：晶元一旦啟動工作，GATE腳便驅動開關管導通或截止，各輸出繞組便有電壓輸出。
開關管電流檢測：開關管源極接一個電流采樣電阻，采樣電壓送到晶元CS腳，當電流達到設計的最大值時，CS腳電壓大於晶元內部設定的基準電壓，GATE腳電壓變低，關斷開關管。
輸出電壓反饋：輸出電壓的變化經光藕反饋到晶元COMP腳，控制占空比。
振盪頻率：RT腳到地的電阻大小，決定開關頻率。

5. 各位大俠，你們好!請問電磁加熱電路有幾種方式。比如半橋 全橋 還有單管驅動。是這樣嗎

哈哈你問的問題太大了,
電磁加熱根據工作頻率分中頻加熱和高頻加熱.一般在中頻加熱比較多，根據你的 問題，你問的應該是類似電磁爐的吧，這個根據功率輸出部份的電路結構分，單管、半橋和全橋等，在家用的 電磁爐上一般使用單管，因為結構簡單價格低，在目前市場上的電磁加熱由部份採用半橋（但是不成熟，對人體由危害）。根據電路振盪電路結構分單片機和硬電路結構；單片機的結構簡單，保護電路簡單等電路設計優點、價格便宜，調試方便，可擴展觸摸開關功能等在目前的家用電磁爐和一些所謂電磁加熱技術中使用多。硬電路結構是指使用振盪集成電路產生波形通過三極體放大最後推動功率管完成工作的，在一些小功率的泡茶的電磁爐和 超大功率的電磁加熱中常見，各由優缺點。

6. Sg1731集成電路的工作原理是什麼

SG1731型PWM集成電路是專門針對直流電動機控制而設計的單片IC。它可以實現兩個象限的脈寬調制。圖示為SG1731單片PWM集成電路的功能結構圖。它包含一個三角波發生器；一個用於誤差電壓放大的寬頻帶運算放大器；一個用於平行移動三角波電平的加／減網路，外部可編程的PWM比較器和具有續流二極體的且可提供±lOOmA、±32V的圖騰極(totempole，推挽電路)全橋輸出的驅動器；一個與TTL電平兼容的封鎖端子，呈低電平時輸出驅動器呈高阻狀態。該電路可雙電源（正、負電源）使用，也可單電源應用。

其主要功能有：

(1)允許有極寬的電源工作范圍，控制電源為±3.5～±15V;驅動電源為士2.5～±22V。

(2)輸出極可提供lOOmA的正、反向驅動電流。

(3)三角波頻率的可調范圍：100～350kHz;三角波的峰一峰調整范圍為1～10V；振盪定時電容的取值范圍為200pF～2.5μF。

(4)誤差放大器的轉換速率高，典型值為15V/μs，單位增益帶寬為1MHz。

(5)具有死區調節功能，即在誤差為零時，調節土UT，的大小，可在輸出端得到相位相差180°的初始脈沖。

(6)關斷控制功能：當管腳(15)端低電平(TTL電平兼容)作用時，輸出級晶體管就瞬時地被強制到截止狀態。這種功能可用來對系統提供各種保護。

7. 功率集成電路與電力電子模塊實現集成的思路有何不同

帶來的益處：裝置體積減小、可靠性提高、使用方便、維護成本低。 功率集成電路與集成電力電子模塊實現集成的思路的不同：前者是將所有的東西都集成於一個晶元當中（晶元集成），而後者則是將一系列的器件集成為一個模塊來使用（封裝集成）。

8. 全橋應變力感測器問題與發現

壓力感測器 壓力感測器是工業實踐、儀器儀表控制中最為常用的一種感測器，並廣泛應用於各種工業自控環境，涉及水利水電、鐵路交通、生產自控、航空航天、軍工、石化、油井、電力、船舶、機床、管道等眾多行業。 力學感測器的種類繁多，如電阻應變片壓力感測器、半導體應變片壓力感測器、壓阻式壓力感測器、電感式壓力感測器、電容式壓力感測器、諧振式壓力感測器及電容式加速度感測器等。但應用最為廣泛的是壓阻式壓力感測器，它具有極低的價格和較高的精度以及較好的線性特性。下面我們主要介紹這類感測器。 1、壓阻式壓力感測器原理與應用： 壓阻式壓力感測器是利用單晶硅材料的壓阻效應和集成電路技術製成的感測器。壓阻式感測器常用於壓力、拉力、壓力差和可以轉變為力的變化的其他物理量（如液位、加速度、重量、應變、流量、真空度）的測量和控制。 壓阻效應 當力作用於硅晶體時，晶體的晶格產生變形,使載流子從一個能谷向另一個能谷散射,引起載流子的遷移率發生變化，擾動了載流子縱向和橫向的平均量，從而使硅的電阻率發生變化。這種變化隨晶體的取向不同而異，因此硅的壓阻效應與晶體的取向有關。硅的壓阻效應不同於金屬應變計，前者電阻隨壓力的變化主要取決於電阻率的變化，後者電阻的變化則主要取決於幾何尺寸的變化（應變），而且前者的靈敏度比後者大50～100倍。 壓阻式壓力感測器結構 壓阻式壓力感測器採用集成工藝將電阻條集成在單晶硅膜片上,製成硅壓阻晶元,並將此晶元的周邊固定封裝於外殼之內，引出電極引線。壓阻式壓力感測器又稱為固態壓力感測器，它不同於粘貼式應變計需通過彈性敏感元件間接感受外力，而是直接通過硅膜片感受被測壓力的。硅膜片的一面是與被測壓力連通的高壓腔，另一面是與大氣連通的低壓腔。硅膜片一般設計成周邊固支的圓形，直徑與厚度比約為20～60。在圓形硅膜片(N型)定域擴散4條P雜質電阻條,並接成全橋，其中兩條位於壓應力區，另兩條處於拉應力區，相對於膜片中心對稱。硅柱形敏感元件也是在硅柱面某一晶面的一定方向上擴散製作電阻條，兩條受拉應力的電阻條與另兩條受壓應力的電阻條構成全橋。 發展狀況 1954年C.S.史密斯詳細研究了硅的壓阻效應，從此開始用硅製造壓力感測器。早期的硅壓力感測器是半導體應變計式的。後來在N型矽片上定域擴散P型雜質形成電阻條，並接成電橋,製成晶元。此晶元仍需粘貼在彈性元件上才能敏感壓力的變化。採用這種晶元作為敏感元件的感測器稱為擴散型壓力感測器。這兩種感測器都同樣採用粘片結構，因而存在滯後和蠕變大、固有頻率低、不適於動態測量以及難於小型化和集成化、精度不高等缺點。70年代以來製成了周邊固定支撐的電阻和硅膜片的一體化硅杯式擴散型壓力感測器。它不僅克服了粘片結構的固有缺陷，而且能將電阻條、補償電路和信號調整電路集成在一塊矽片上，甚至將微型處理器與感測器集成在一起，製成智能感測器。這種新型感測器的優點是: ①頻率響應高(例如有的產品固有頻率達1.5兆赫以上),適於動態測量;②體積小（例如有的產品外徑可達0.25毫米），適於微型化；③精度高，可達0.1～0.01％； ④靈敏高,比金屬應變計高出很多倍，有些應用場合可不加放大器；⑤無活動部件，可靠性高，能工作於振動、沖擊、腐蝕、強干擾等惡劣環 境。其缺點是溫度影響較大（有時需進行溫度補償）、工藝較復雜和造價高等。缺點是： ①溫度特性差，由於壓阻式壓力感測器是用半導體材料製作的，受溫度影 響較大，因此，在溫度變化大的環境中使用時，必須進行溫度補償。 ②工藝復雜，對研製條件要求高而嚴格，尤其是擴散雜質、燒結、封裝工 藝等比其他感測器要復雜的多，因而成本也相對要高。應用 壓阻式感測器廣泛地應用於航天、航空、航海、石油化工、動力機械、生物醫學工程、氣象、地質、地震測量等各個領域。在航天和航空工業中壓力是一個關鍵參數，對靜態和動態壓力，局部壓力和整個壓力場的測量都要求很高的精度。壓阻式感測器是用於這方面的較理想的感測器。例如,用於測量直升飛機機翼的氣流壓力分布，測試發動機進氣口的動態畸變、葉柵的脈動壓力和機翼的抖動等。在飛機噴氣發動機中心壓力的測量中，使用專門設計的硅壓力感測器,其工作溫度達500℃以上。在波音客機的大氣數據測量系統中採用了精度高達0.05％的配套硅壓力感測器。在尺寸縮小的風洞模型試驗中，壓阻式感測器能密集安裝在風洞進口處和發動機進氣管道模型中。單個感測器直徑僅2.36毫米，固有頻率高達300千赫,非線性和滯後均為全量程的±0.22％。在生物醫學方面,壓阻式感測器也是理想的檢測工具。已製成擴散硅膜薄到10微米,外徑僅0.5毫米的注射針型壓阻式壓力感測器和能測量心血管、顱內、尿道、子宮和眼球內壓力的感測器。圖3是一種用於測量腦壓的感測器的結構圖。壓阻式感測器還有效地應用於爆炸壓力和沖擊波的測量、真空測量、監測和控制汽車發動機的性能以及諸如測量槍炮膛內壓力、發射沖擊波等兵器方面的測量。此外，在油井壓力測量、隨鑽測向和測位地下密封電纜故障點的檢測以及流量和液位測量等方面都廣泛應用壓阻式感測器。隨著微電子技術和計算機的進一步發展，壓阻式感測器的應用還將迅速發展。

9. 全橋整流電路從哪裡輸出5V電壓

你好：

1，橋式整流橋是整流元件，可以把交流電變為直流電。

2，電路圖中的 7805 是三端穩壓集成電路，可以輸出 +5v 的穩定電壓。

10. 誰知道L298N集成電路的組成，幫忙介紹一下，我想焊接一個。

它內部採用兩個高電壓、大電流的全橋電路A、B，每個橋需要兩個標準的TTL 邏輯電平輸入，以驅動繼電器、螺線管（電磁鐵）、直流電機和步進電機（2 相或4 相）等負載。兩個使能引腳EnA、EnB 分別使能橋A、橋B。每個橋的三極體發射極連接在一起, 分別是引腳SenseA、SenseB，以外接電流反饋電阻。此外L298 還需要一個額外的電
壓供應端Vss 作為邏輯電路部分的電源.