❶ 索爾kda1000b逆變器燒場效應管求解
常規要型號批號一致，才能用，另外查一下KA3525及其外圍電路，
❷ 急求助。在網上那裡可以查到集成電路型號的性能和參數！
這些型號好多廠家都會生產,但是每個廠家的具體參數有可能不通,所以您要先弄清楚需要哪個廠家 就可以去廠家的網站 進行查找了.
A INTECH(美國英特奇公司)
A- INTECH(美國英特奇公司
AC TEXAS INSTRUMENTS [T1](美國德克薩斯儀器公司) http://www.ti.com/
AD ANALOG DEVICES(美國模擬器件公司) http://www.analog.com/
AM ADVANCED MICRO DEVICES（美國先進微電子器件公司） http://www.advantagememory.com/
AM DATA-INTERSIL(美國戴特-英特錫爾公司) http://www.datapoint.com/
AN PANASONIC(日本松下電器公司) http://www.panasonic.com/
AY GENERAL INSTRUMENTS[G1](美國通用儀器公司)
BA ROHM(日本東洋電具製作所)(日本羅姆公司) http://www.rohmelectronics.com/
BX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CA RCA(美國無線電公司)
CA PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
CA SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
CAW RCA(美國無線電公司)
CD FAIRCHILD(美國仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
CD RCA(美國無線電公司)
CIC SOLITRON(美國索利特羅器件公司)
CM CHERRY SEMICONDUCTOR(美國切瑞半導體器件公司) http://www.cherry-semi.com/
CS PLESSEY(英國普利西半導體公司)
CT SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXA SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXD SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXK DAEWOO(韓國大宇電子公司)
DBL PANASONIC(日本松下電器公司) http://www.panasonic.com/
DN AECO(日本阿伊闊公司)
D...C GTE(美國通用電話電子公司微電路部)
EA SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
EEA THOMSON-CSF(法國湯姆遜半導體公司) http://www.thomson.com/
EF THOMSON-CSF(法國湯姆遜半導體公司) http://www.thomson.com/
EFB PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
EGC THOMSON-SGF(法國湯姆遜半導體公司)
ESM PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
F FAIRCHILD(美國仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
FCM FAIRCHILD(美國仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
G GTE(美國微電路公司)
GD GOLD STAR[韓國金星(高爾達)電子公司]
GL GOLD STAR[韓國金星(高爾達)電子公司]
GM GOLD STAR[韓國金星(高爾達)電子公司]
HA HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
HD HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
HEF PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
HM， HZ HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
ICL， IG INTERSIL(美國英特錫爾公司)
IR， IX SHARP[日本夏普(聲寶)公司] http://www.sharp.com/
ITT， JU ITT(德國ITT半導體公司) http://www.ittcannon.com/
KA， KB SAMSUNG(韓國三星電子公司) http://www.sec.samsung.com/
KC SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
KDA SAMSUNG(韓國三星電子公司) http://www.sec.samsung.com/
KIA， KID KEC(韓國電子公司)
KM KS SAMSUNG(韓國三星電子公司) http://www.sec.samsung.com/
L SGS-ATES SEMICONDUCTOR(義大利SGS-亞特斯半導體公司) http://www.st.com/
L SANYO(日本三洋電氣公司) http://www.sanyo.com/
LA SANYO(日本三洋電氣公司) http://www.sanyo.com/
LB SANYO(日本三洋電氣公司) http://www.sanyo.com/
LC SANYO(日本三洋電氣公司) http://www.sanyo.com/
LC GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美國通用儀器公司)
LF PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
LF NATIONAL SEMICONDUCTOR(美國國家半導體公司) http://www.national.com/
LH NATIONAL SEMICONDUCTOR(美國國家半導體公司) http://www.national.com/
LH LK SHARP[日本夏普(聲寶)公司] http://www.sharp.com/
LM SANYO(日本三洋電氣公司) http://www.sanyo.com/
LM NATIONAL SEMICONDUCTOR(美國國家半導體公司) http://www.national.com/
LM SIGNETICS(美國西格尼蒂公司) http://www.spt.com/
LM FAIRCILD(美國仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
LM SGS-ATES SEMICONDUCTOR(義大利SGS-亞特斯半導體公司) http://www.st.com/
LM PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
LM MOTOROLA(美國莫托羅拉半導體產品公司) http://www.motorola.com/
LM SAMSUNG(韓國三星電子公司) http://www.sec.samsung.com/
LP NATIONAL SEMICONDUCTOR(美國國家半導體公司) http://www.national.com/
LR LSC SHARP[日本夏普(聲寶)公司] http://www.sharp.com/
M SGS-ATES SEMICONDUCTOR(義大利SGS-亞特斯半導體公司) http://www.st.com/
M MITSUBISHI(日本三菱電機公司) http://www.mitsubishi.com/
MA ANALOG SYSTEMS(美國模擬系統公司) http://www.analog.com/
MAX （美國）美信集成產品公司 http://www.maxim-ic.com/ http://www.maxim-ic.com.cn/
MB FUJITSU(日本富士通公司) http://www.fujitsu.com/
MBM FUJITSU(日本富士通公司) http://www.fujitsu.com/
MC MOTOROLA(美國莫托羅拉半導體產品公司) http://www.motorola.com/
MC PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
MC ANALOG SYSTEMS(美國模擬系統公司) http://www.analog.com/
MF MITSUBISHI(日本三菱電機公司) http://www.mitsubishi.com/
MK MOSTEK(美國莫斯特卡公司)
ML PLESSEY(美國普利西半導體公司)
ML MITEL SEMICONDUCTOR(加拿大米特爾半導體公司) http://www.mitelsemi.com/
MLM MOTOROAL(美國莫托羅拉半導體產品公司) http://www.motorola.com/
MM NATIONAL SEMICONDUCTOR(美國國家半導體公司) http://www.national.com/
MN PANASONIC(日本松下電器公司) http://www.panasonic.com/
MN MICRO NETWORK(美國微網路公司)
MP MICRO POWER SYSTEMS(美國微功耗系統公司)
MPS MICRO POWER SYSTEMS(美國微功耗系統公司)
MSM OKI(美國OKI半導體公司) http://www.oki.com/
MSM OKI(日本沖電氣有限公司) http://www.oki.com/
N NA SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
NC NITRON(美國NITROR公司)
NE SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
NE PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
NE MULLARD(英國麥拉迪公司)
NE SGS-ATES SEMICONDUCTOR(義大利SGS-亞特斯半導體公司) http://www.st.com/
NJM NEW JAPAN RADIO(JRC)(新日本無線電公司)
OM PANASONIC(日本松下電器公司) http://www.panasonic.com/
OM SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
RC RAYTHEON(美國雷聲公司)
RM RAYTHEON(美國雷聲公司)
RH-IX SHARP[日本夏普(聲寶)公司] http://www.sharp.com/
S SIEMENS(德國西門子公司) http://www.siemens.com/
S AMERICAN MICRO SYSTEMS(美國微系統公司)
SA PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SAA PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SAA SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAA GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美國通用儀器公司)
SAA ITT(德國ITT-半導體公司) http://www.ittcannon.com/
SAB SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAB AEG-TELEFUNKEN(德國德律風根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
SAF SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAK PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SAS HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
SAS AEG-TELEFUNKEN(德國德律風根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
SAS SIEMENS(德國西門子公司) http://www.siemens.com/
SDA (德國西門子公司) http://www.siemens.com/
SC SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SE SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SE PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SG SILICON GENERAL(美國通用矽片公司) http://www.ssil.com/
SG MOTOROAL(美國莫托羅拉半導體產品公司) http://www.motorola.com/
SG PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SH FAIRCHILD(美國仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
SI SANKEN(日本三肯電子公司) http://www.sanken-elec.co.jp/
SK RCA(美國無線電公司)
SL PLESSEY(英國普利西半導體公司)
SN MOTOROAL(美國莫托羅拉半導體產品公司) http://www.motorola.com/
SN TEXAS INSTRUMENTS(TI)(德國德克薩斯儀器公司) http://www.ti.com/
SND SSS(美國固體科學公司) http://www.s3.com/
SO SIEMENS(德國西門子公司) http://www.siemens.com/
SP PLESSEY(英國普利西半導體公司)
STK SANYO(日本三洋電氣公司) http://www.sanyo.com/
STR SANKEN(日本三肯電子公司) http://www.sanken-elec.co.jp/
SW PLESSEY(英國普利西半導體公司)
T TOSHIBA(日本東芝公司) http://www.toshiba.com/
T GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美國通用儀器公司)
TA TOSHIBA(日本東芝公司) http://www.toshiba.com/
TAA SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TAA SIEMENS(德國西門子公司) http://www.siemens.com/
TAA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(義大利SGS-亞特斯半導體公司) http://www.st.com/
TAA PRO ELECTRON(歐洲電子聯盟)
TAA PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
TAA PLESSEY(英國普利西半導體公司)
TAA MULLARD(英國麥拉迪公司)
TBA FAIRCHILD(美國仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
TBA SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TBA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(義大利SGS-亞特斯半導體公司) http://www.st.com/
TBA HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
TBA NEC EIECTRON(日本電氣公司) http://www.nec-global.com/
TBA ITT(德國ITT半導體公司) http://www.ittcannon.com/
TBA AEG-TELEFUNKEN(德國德律風根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
TBA PRO ELECTRON(歐洲電子聯盟)
TBA SIEMENS(德國西門子公司) http://www.siemens.com/
TBA PLESSEY(英國普利西半導體公司)
TBA NATIONAL SEMICONDUCTOR(美國國家半導體公司) http://www.national.com/
TBA THOMSON-CSF(法國湯姆遜半導體公司) http://www.thomson.com/
TBA PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
TBA MULLARD(英國麥拉迪公司)
TC TOSHIBA(日本東芝公司) http://www.toshiba.com/
TCA ITT(德國ITT半導體公司) http://www.ittcannon.com/
TCA SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TCA SPRAGUE ELECTRIC(美國史普拉格電子公司)
TCA MOTOROAL(美國莫托羅拉半導體公司) http://www.motorola.com/
TCA PRO ELECTRON(歐洲電子聯盟)
TCA PLESSEY(英國普利西半導體公司)
TCA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(義大利SGS-亞特斯半導體公司) http://www.st.com/
TCA MULLARD(英國麥拉迪公司)
TCA PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
TCA AEG-TELEFUNKEN(德國德律風根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
TCA SIEMENS(德國西門子公司) http://www.siemens.com/
TCM TEXAS INSTRUMENTS[TI](美國德克薩斯儀器公司) http://www.it.com/
TDA SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TDA SPRAGUE ELECTRIC(美國史普拉格電子公司)
TDA MOTOROLA(美國莫托羅拉半導體公司) http://www.motorola.com/
TDA PRO ELECTRON(歐洲電子聯盟)
TDA NATIONAL SEMICONDUCTOR(美國國家半導體公司) http://www.national.com/
TDA PLESSEY(英國普利西半導體公司)
TDA SIEMENS(德國西門子公司) http://www.siemens.com/
TDA NEC ELECTRON(日本電氣公司) http://www.nec-global.com/
TDA AEG-TELEFUNKEN(德國德律風根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
TDA ITT(德國ITT半導體公司) http://www.ittcannon.com/
TDA HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
TDA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(義大利-SGS亞特斯半導體公司) http://www.st.com/
TDA PRO ELECTRON(歐洲電子聯盟)
TDA PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
TDA RCA(美國無線電公司)
TDA MULLARD(英國麥拉迪公司)
TDA THOMSON-CSF(法國湯姆遜半導體公司) http://www.thomson.com/
TDB THOMSON-CSF(法國湯姆遜半導體公司) http://www.thomson.com/
TDC TRW LSI PRODUCTS(美國TRW大規模集成電路公司)
TEA THOMSON-CSF(法國湯姆遜半導體公司) http://www.thomson.com/
TEA PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
TL TEXAS INSTRUMENTS(TI)(美國德克薩斯儀器公司) http://www.toshiba.com/
TL MOTOROLA(美國莫托羅拉半導體產品公司) http://www.motorola.com/
TM TOSHIBA(日本東芝公司) http://www.toshiba.com/
TMM TOSHIBA(日本東芝公司) http://www.toshiba.com/
TMS TEXAS INSTRUMENTS(TI)(美國德克薩斯儀器公司) http://www.ti.com/
TP TEXAS INSTRUMENTS(TI)(美國德克薩斯儀器公司) http://www.ti.com/
TP NATIONAL SEMICONDUCTOR(美國國家半導體公司) http://www.national.com/
TPA SIEMENS(德國西門子公司) http://www.siemens.com/
TUA SIEMENS(德國西門子公司) http://www.siemens.com/
U AEG-TELEFUNKEN(德國德律風根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
UAA SIEMENS(德國西門子公司) http://www.siemens.com/
UC SOLITRON(美國索利特羅器件公司) http://www.solitron.com/
ULN SPRAGUE EIECTRIC(美國史普拉格電子公司) http://www.sharp.com/
ULN SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
ULN MOTOROLA(美國莫托羅拉半導體產品公司) http://www.motorola.com/
ULS SPRAGUE ELECTRIC(美國史普拉格電子公司) http://www.sharp.com/
ULX SPRAGUE ELECTRIC(美國史普拉格電子公司) http://www.sharp.com/
XR TEXAR INTEGRATED SYSTEMS(美國埃克薩集成系統公司) http://www.ti.com/
YM YAMAHA(日本雅馬哈公司) http://www.yamaha.co.jp/
UA MOTOROLA(美國莫托羅拉半導體產品公司) http://www.motorola.com/
UA SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
UA PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
UA FAIRCHILD(美國仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
UAA THOMSON-CSF(法國湯姆遜半導體公司) http://www.thomson.com/
UPA NEC ELECTRON(日本電氣公司) http://www.nec-global.com/
UPB NEC ELECTRON(日本電氣公司) http://www.nec-global.com/
UPC NEC ELECTRON(日本電氣公司) http://www.nec-global.com/
UPD NEC ELECTRON(日本電氣公司) http://www.nec-global.com/
UPD NEC-MIRO(美國NEC電子公司微電腦分部) http://www.nec-global.com/
❸ 主板電池電壓值應該是多少
這個肯定對你有幫助 看看吧
首先是老規程，開機按」del」進bios，藍底白字使得我們的第一感覺並不陌生。
第一大項（standard cmos features）標准cmos設置，進入後感覺更加貼切了，和我們所用過得其他bios大相徑庭，設時間、設硬碟、光碟機、軟碟機（沒裝軟碟機的朋友就把它設為「none」以免開機報錯）完成，就這么簡單！
「esc」選擇第二大項（advanced bios features）bios高級設置，進入從上至下依次為：1、harddisk boot priority硬碟開機優先權；2、cd-rom boot priority光碟機開機優先權；3、first/second/third/other boot device第一、二、三開機方式；4、boot up floppy seek啟動時是否偵測軟碟機（沒裝軟碟機的朋友就把它設為「disabled」以免開機報錯）；5、security option在開機或進bios時設置密碼，家裡的電腦這一步基本多餘；6、hdd s.m.a.r.t capability硬碟智能診斷，最好設為「disabled」；7、full screen logo show自檢階段顯示全屏logo，想減少開機等待時間就設為「disabled」。完成了。
第三大項開始與超頻相關了（advanced chipset features）晶元組高級設置，進入第一項便是至關重要的dram configuration內存設置項，超頻是否穩定與其設置息息相關。進入內存項：
1、max memclock內存頻率值選項，大家都知道只有當內存頻率與外頻同步時才能最大限度的發揮cpu性能，而amd64已經將外頻提高到了200這就意味著ddr400內存已成為其最低標准配置，這樣同步超高頻率時，ddr400內存被設為「auto」就顯得很吃力了，除非你花大價錢購買了tccd核心或其他超頻性能強的內存，否則最好將其設為200（極不推薦使用ddr333內存，會極大拖累整機性能，如果暫時只有ddr333那就把該值設為166最為保險）。
2、1t/2t memory timing內存時鍾選項，分為1t、2t，跑1t時內存速度發揮到及至，而對內存品質要求更加苛刻，內存不行的話跑1t會導致不穩定、死機甚至藍屏。奉勸大家如果想穩定的同步超頻最好選擇2t。
3、tcl/trcd/tras/trp這四項便是我們曾經探討過得內存時序設置，不超頻時高品質的ddr400內存可以完成5-3-3-2.0跑1t的任務，速度相當快，但如果是同步超頻的話還是設的保守些吧，必盡是安全第一。
完成了對內存的設置我們接著設置顯卡，1、agp aperture size agp顯卡緩沖大小，128m顯卡選128m，64m顯卡也可選128m來適當提升顯卡性能；2、agp 2.0 speed agp2.0顯卡打開此項選擇agp4x；agp3.0顯卡選擇auto或agp8x；3、agp fast write agp快寫功能，此項打開可以小幅提升顯卡性能，一旦感覺顯卡不穩不妨試試關閉它看是否能得到解決；4、ht frequency amd64獨到的hyper transport頻率，nforce3 250gb支持1g的ht，但高頻ht會使超頻受影響我在超頻時就選擇了2x的ht，頻率是400，效果不錯；5、system bios cacheable將系統bios映射到內存以提高系統性能，但是超頻時打開它極易造成藍屏。
而第四、第五、第六大項都是主板的一些板載硬體的設置、ide及pci設備管理與超頻無關，大家可以在配置這些設備時參照說明書一步一步來，我就不多說了。
第七大項（pc health status）系統狀態偵測，磐正主板開機顯示pc health也是它的特徵之一，所以第一項就是是否在開機時顯示pc health，當然是毫不猶豫的「enabled」；2、smart cpu fan temperate 智能風扇溫度調整，想超頻安全還是把它「disabled」了吧；再朝下不可調的便是主板感測器採集的即時電壓，溫度，風扇轉速等數據，依次為：風扇轉速、cpu電壓、agp電壓、晶元組電壓、內存電壓、電池電壓、電源電壓。最後一項對超頻安全很有意義acpi shutdown temperature 溫度過熱保護項，由於amd64先進的製成使其發熱不大，所以此項應該設置為低於70℃。
我的經驗是：未超頻時記錄這些數據及波動范圍，在超頻成功點亮機器後先到這里來看一下，對照每個數據特別是溫度和電壓波動，如果差異很大，就及時調整，省得還要進系統費硬碟。
第八大項（power bios features）這就是磐正引以為榮的「power bios」強大的超頻選項，也是我們diy最重要的「武器」
1、system performance 系統功能項，此項有兩項可選不超頻時選擇「normal」（常規）；超頻時選擇「fastest」（高速）
2、cpu overclock in mhz cpu外頻調節項，amd效仿intel鎖死了倍頻，這是我們amdfans最大的悲哀，不過我們發現超外頻比超倍頻的系統性能提高的多，所以磐正也沒含糊，此項允許用戶1m步進，逐步超頻，並且一旦超頻失敗，無法點亮機器，您只要一直按住鍵盤上的「insert」即可恢復進入bios進行降頻處理，省了許多麻煩，磐正的這款主板居然能將外頻調到400！
3、amd k8 cool』n』quiet 該項就能控制amd64「冷靜」技術的開關，此技術大概原理是，在cpu空閑時，cpu自動降頻、降壓，散熱風扇減速，從而延長cpu的使用壽命同時更加安靜。如果是超頻用戶最好不要開它，開了它超頻就失去意義了，並且會給超頻增加難度。
4、agp overclock in mhz agp/pci鎖頻，超頻對其它硬體特別是agp設備和pci設備的影響大小就看這一項了，將agp設為66即可將超頻對其它硬體帶來的負面影響降到最低。
5、cpu ratio control cpu倍頻調節項，其實此項形同虛設，倍頻被鎖，豈是磐正能解？
6、cpu voltage cpu電壓調節，amd64 2800+的默認電壓為1.55v，電壓較「巴頓」低了0.1v發熱小可性能卻比2500+強了不少，還是老原則加壓不要超過默認電壓的10%
7、dimm voltage 內存電壓調節，想使ddr400運行更高頻率，一方面是參數設置，另一方面就是適當加壓，推薦使用大機箱+整體式純銅內存散熱片，這樣內存電壓即使加到2.9v也應該不會有問題，但是保險起見還是不推薦超過2.7v
8、agp voltage agp電壓調節，對於需要外接供電的顯卡最好是加0.1v電壓以加強顯卡穩定性。但是一般情況下是沒有必要的。
9、chipset voltage 晶元組電壓調節，適當加晶元組電壓對超頻的穩定很有幫助，加0.1v即可，如果自己設計了晶元組散熱器，可以自己決定加壓幅度，但還是不太推薦。
至此我們完成了nforce3 250gb 主板的bios超頻介紹，我用實際範例給大家總結一下：
具體配置：cpu：amd64 2800+(.13nm 512k l2)
cpu散熱：酷冷至尊多用途散熱底座+avc紅騎士
主板：磐正ep-8kda3j
內存：金士頓ddr400 512m×1（d-43核心 酷冷至尊整體純銅散熱片）
顯卡：雙敏5718v(5700v)( 酷冷至尊酷飛熱管散熱oc500/600)
硬碟：邁拓 ata-133 80g （2m緩存）
具體bios設置：進入標准cmos設置（standard cmos features）設軟碟機為「none」
進入bios高級設置 （advanced bios features）設boot up floppy seek啟動時軟碟機檢測設為「disabled」
進入晶元組高級設置（advanced chipset features）設內存設置項dram configuration分別為：auto/2t/3/3/8/3（此為同步的超頻設置，不敢同步可把auto改為200，時序可設為2.5-3-8-3跑2t）
顯卡設置為128m/agp 8x/ht頻率2 x/bios映射關閉
進入系統狀態偵測（pc health status）設acpi shutdown temperature溫度過熱保護項為70℃
進入power bios設system performance 系統功能項為「fastest」
設cpu overclock in mhz cpu外頻調節項為250 mhz
設agp overclock in mhz agp/pci鎖頻為66mhz
設cpu voltage cpu電壓調節為加0.1v
設dimm voltage 內存電壓調節為2.8v
agp電壓不動
設chipset voltage 晶元組電壓調節為1.6v
「f10」回車，點亮！進系統，一切正常，cpu溫度32℃，super pi成績104萬位41秒，運行測試，游戲，上網，聽歌，十分穩定，超頻成功！
再補充點超完後測試超頻的穩定性的軟體
為了確認獲得的最大頻率，我們建議使用三個免費軟體。它們可以量化性能上的得益，並且可以測試獲得的頻率是否穩定。
superpi 1m：它是一個非常快的測試，計算pi值的小數點後一百萬位數字。它可以迅速檢測到由內存或處理器引起的不穩定問題。但是請注意，超頻的處理器成功通過這個superpi 1m測試並不表示它就很穩定了。在這里，它是超頻確認的第一個步驟。如果處理器沒有通過這個測試，那就要重新向下設定它的頻率了。
superpi 32m：同樣的軟體，但這次pi值的計算結果擁有3千2百萬位小數。它是對內存和處理器十分徹底的測試。如果這個測試成功地完成，那就代表了非常好的穩定性...
prime95：在測試模式中，這個軟體「野蠻」地使用處理器，導致了大量的發熱。由於這個原因，它成為一個非常好的穩定性測試。為了確認超頻，要讓它運行幾個小時。通常3個小時已經足夠了，但如果想要百分之百地確定處理器的穩定性，那就運行24個小時。遇到穩定性問題會彈出出錯信息，但也可能發生死機或重啟。
3dmark2001：它是3dmark的老版本了，2001版。我們用它是因為2003和2005版帶有特別佔用顯卡資源的3d場景。例如，用相同的顯卡，athlon 64 3000+相對於athlon fx-55的分數沒有太大的差別。2001版的場景更簡單一些，因此更多佔用處理器。理想的情況是循環運行它，持續數小時。為此應該在模式中設定：在選項中點擊change，並在benchmark中勾上loop。它也是檢查顯卡和處理器完全超頻的系統穩定性的理想測試，同時包括內存。如果3dmark 2001通過，你還可以測試3dmark03和3dmark05，以確保萬無一失。如果這些測試全都通過的話，就可以肯定已經獲得了穩定的超頻。但superpi，premium 95和3dmark 2001的組合已經足夠了。
【一】超頻原理
為了更好的超頻，超頻原理不可不學。以超頻最有效果的CPU 為例，目前CPU的生產可以說是非常精密的，以至於生產廠家都無法控制每塊CPU到底可以在什幺樣的頻率下工作，廠家實際上就已經自己做了次測試，將能工作在高頻率下的CPU標記為高頻率的，然後可以賣更高的價錢。但為了保證它的質量，這些標記都有一定的富餘，也就是說， 一塊工作在600MHZ的CPU，很有可能在800MHZ下依然穩定工作，為了發掘這些潛在的富餘部分，我們可以進行超頻。
此外，我們還可以藉助一些手段來使CPU穩定工作在更高的頻率上，這些手段主要是兩點：增加散熱效果、增加工作電壓。
對於電腦的其它配件，依然利用這樣的原理進行超頻，如顯示卡、內存、 甚至滑鼠等等。
好了，你已經開始著急了，我要超頻，得怎幺來呢？該如何下手？
【二】超頻准備
別著急，超頻之前要做一些准備，這些准備將使你超頻可以順利進行。磨刀不誤砍柴工，多准備一點沒壞處。
CPU散熱風扇 —— 非常關鍵的超頻工具，一定要買好風扇，絕對很值得！
導熱硅脂 —— 增加CPU和風扇散熱片之間的熱傳遞，很有用的東西，價格便宜。
導熱硅膠 —— 一般用來往晶元上粘貼小的散熱片，給主板晶元降溫、顯卡晶元降溫、給內存晶元降溫用。
小散熱片 —— 輔助降溫用，主要用來給發熱略大的晶元降溫。
【三】超頻CPU
最有效果的超頻，莫過於超頻CPU了，而且現在的CPU大多數都是可超的，我們就多說一說如何超頻電腦的CPU。
電腦的CPU工作頻率為主頻，它是由外頻和倍頻的乘積決定的，超頻CPU，超倍頻是最佳方案。但有的廠家為 防止我們超頻，將CPU的外頻鎖定了（這更證實了超頻的合理性），如Intel大部分的CPU都是鎖了外頻的。那幺對於這種CPU，我們也只能通過提升外頻來進行了。這種提升可能有局限，但可以帶來更大的好處。
目前的主流CPU有兩家：Intel的和AMD的。
1、Intel，CPU當之無愧的龍頭老大，它生產的CPU始終佔有相當大的市場。
2、AMD，CPU廠商中的後起之秀，也佔有相當的市場份額。
知道了自己的電腦是何種CPU之後，我們要查找它的最高可超頻率，以便確定超頻的目標，可超頻率可以在《各種CPU超頻編號大集合》中查到.
大家所使用的電腦中大多數都是用的這兩種CPU，當你確定了自己的CPU型號之後，還要確定CPU的核心工藝 和出廠日期。對於超頻來說，越先進的核心工藝就越好超，同一型號的CPU，出廠日期越靠後的也越好超。如.18微米的內核工藝，則理論上最多能到1.2G左右。要想上再高的頻率只有用更好的工藝生產。
教你如何超頻（下）
超頻CPU正式開始，分為以下幾步：
【1】更換好的散熱片：
這步要看原來的CPU風扇和散熱片是否優良，優質的風扇價格一般都在50元以上，這筆投資盡量要保證。對於超頻非常有用。在換上優質風扇的同時，注意在CPU與風扇散熱片底座的接觸部分塗抹導熱硅脂，這樣可以提高散熱速度。
【2】提升CPU倍頻：
此法目前僅適合K62和Duron以及T bird的CPU，如果是Duron和T bird還要用鉛筆來破解倍頻，很多文章有介紹，這里不再贅述。超倍頻需要主板支持修改倍頻，選購主板的時候要十分注意。
【3】提升CPU外頻：
提升外頻可以帶來系統性能的大幅度提升，對於PIII處理器，目前的一般都是100外頻，只有超到133左右，在散熱優良而還可以加電壓的時候，甚至可到150以上。但在這時，需要您的電腦的內存、顯卡可以工作在如此之高的頻率之下。因此相對來說，100外頻的PIII處理器，是超外頻比較理想的CPU。此法跟提升CPU倍頻的方法一起用，效果最好。當然，這需要您的主板支持外頻的調節，有的主板支持逐兆調節，就是專門為了超外頻而設計的。
【4】增加電壓：
增加電壓帶有一定的危險性，建議不採用，如確實需要增加電壓來增加超頻後的穩定性，則要一點一點的加，並監視溫度以策安全。對於Intel的CPU，稍微加一些電壓效果是明顯的；對於AMD的CPU，可以多加一些電壓。這里要提到的是主板要支持更改電壓，否則超頻餘地不會太大。如果是需要轉接卡的話，要注意選擇或更換可以調節電壓的轉接卡為上策。
【5】軟體超頻：
軟體超頻是利用超頻軟體來進行的，例如技嘉的主板，就有可以軟體超頻的型號。這些軟體超頻的例子會在以後的文章中介紹。
一般的來說，超頻CPU只要按照以上的步驟，應該可以做到超頻成功的，至於超頻的幅度，就取決於您的機器 的各個配件的質量了，值得注意的是：超頻會縮短CPU的壽命，如果您想讓現在的機器能使用個十年八年的， 還是不要超頻為好。不過現在電腦的更新換代實是快，10年對於電腦來說，太漫長了……:-)
【四】超頻顯卡
對於狂熱的超頻愛好者來說，任何一個超頻的機會也不容錯過，顯卡是電腦中第二個可以超頻的對象，自然也倍受青睞，超頻顯卡也要看顯卡的晶元核心工藝，越先進的越耐超。
超頻顯卡除了超頻核心頻率以外，還可以超頻顯存頻率，為什幺市面上出現了很多使用5.5ns的顯存的顯卡呢? 就是因為顯存的反應時間越小，可超的頻率就越高，6ns顯存一般也能超到200M，5.5ns自然可超到更高。超頻顯存可能會帶來很多熱量，我們可以在顯存上粘貼散熱片來緩解這個問題。
【五】超頻滑鼠
不要奇怪，超頻滑鼠是指讓滑鼠的刷新率增加，不信你快速晃動滑鼠，你會發現其實滑鼠的游標也不是連續的，一般的PS2滑鼠刷新率是80HZ，也就是說1秒鍾畫出80個游標。當然，刷新率是越高越好的，這樣可以使得游標顯示效果細膩，改變刷新率是通過軟體更改的，目前有一款軟體叫PS2PLUS，它可將PS2滑鼠的刷新率刷到200！拿市面上隨處可見的普通的雙飛燕2D滑鼠來試驗，當運行刷新軟體將刷新率調整到200MHZ的時候，滑鼠變得非常好用，點擊准確，移動平滑，感覺跟100多元的羅技滑鼠相當啦！不花錢升級了滑鼠，何樂而不為！但要注意該軟體好象不能用在windows2000下，且不能改變USB滑鼠的刷新率，好在USB滑鼠的刷新率已經是120了，基本夠了。在前文提到的網址可以下載該軟體。
【六】超頻內存、硬碟
千萬別有誤會，超頻內存和硬碟，其實是不太可能的，我們所說的超頻，其實是指提升了CPU的外頻之後，匯流排頻率上升了帶來的內存、硬碟的工作頻率的提高，因為這兩樣東東可改變的東西更少了，幾乎就不能做什幺手腳，所以最好也不要進行超頻工作。前一陣子有的文章介紹可以超頻硬碟轉速，這也是騙人的空談，沒有理論基礎。至於內存的CAS=2和=3之分，效果也是很小的，可忽略不計。
【七】超頻測試
成功的超頻，應該禁得起嚴格的測試，一般是系統正常運行，軟體運行穩定，運行各種測試軟體表示性能確實穩定，無其它故障出現即可。
【八】幾種超頻性能很好的CPU介紹
很多朋友的超頻經歷告訴我們，如下的幾款CPU超頻性能很好：
1）PIII550E、PIII650E比較好超。
2）ron，生產日期靠後的比較好超。
想來現在主要也只有這幾種東西可以超頻了，如果您已經成功的超頻了，並且很穩定，那幺恭喜您已經完成了少花錢升級的目標，但如果您達不到您的目的或者出現了超頻失敗，也不用灰心喪氣，我們來看看超頻失敗的幾種現象。
【超頻失敗現象小結】
現象一：系統可以啟動，但運行大的軟體的時候死機，而且時快時慢。 分析和解決：此時您的系統已經達到瓶頸，若不能略微降低CPU主頻，則應該利用提升電壓、增加散熱效果等手段來使之穩定下來。
現象二：電腦可以啟動，但進不了操作系統。分析和解決：您的電腦處在不能啟動的邊緣，您應該降低超頻幅度以求得穩定。
現象三：電腦不能啟動，完全黑屏。分析和解決：超的太高了，導致CPU運算頻繁出錯而無法正常工作，別太貪心，少超一點啦。
現象四：系統可以啟動，但屏幕時而出現斑塊花點。分析和解決：顯卡頂不住了，可考慮降低顯卡的超頻幅度或者匯流排的超頻幅度。
現象五：系統其它板卡工作不正常。但系統穩定。分析和解決：您的主板設計不良，導致超頻之後的電磁干擾增加，影響板卡的工作穩定性，可以換到距離比較遠的 插槽重新試驗，或者更換抗干擾能力強的板卡
主板結構對超頻的影響
時下，隨著圍繞超頻這個話題寫的文章很多。大家看多了，自然而然就會對超頻的硬體環境有了較深的了解。比如：選擇好的主板、硬碟、散熱風扇、內存、甚至電源對超頻成功率的高低也有一定的影響。在這些設備之中，對超頻幫助最大的應該是主板了。主板超頻給廣大DIYer帶來了豐富的話題，「可加CPU工作電壓」、「可加外部I/O電壓」、「AGP同步工作」、「外頻微調技術」、「線性調頻技術」、「內存非同步」等等。對超頻有幫助的新功能不斷涌現，而一些DIYer卻過分依賴這些功能來達到超頻的目的。很多DIYer對主板的用料方面，都抱著相同的觀點：採用昂貴電子組件的主板就是好主板，穩定性好，超頻成功率高。那些用廉價電子組件的「爛板子」不適合用來超頻。這個觀點有其正確的一面，也有其不完全的地方。
一、主板兩個加電壓功能（CPU工作電壓、外部I/O工作電壓）的工作原理：
「這塊CPU超頻不上去，加電壓試試」，這是很多發燒友在超頻失敗後首先會想到的。從理論上講，為什幺加電壓會使CPU超頻成功率上升或工作得更穩定，在很多的文章中都有說明——主要原理是放大高低電平的訊號，在這里我就不重復了。但從主板的角度來講（特別是長期超頻使用的主板），增加CPU的工作電壓是十分危險的。以前在各種計算機雜志發表的文章中，無數次提到過加電壓會損壞CPU的觀點，可幾乎很少會提到加電壓對主板的影響。主板上控制CPU和各部分電壓的組件是POWER IC和場效應管（俗稱MOS管或三極體），主要的分壓功能是靠場效應管來實現的，場效應管（下面簡稱為MOS管）就是我們平時看到一般附有散熱片的組件。主板的每個重要部分，如：CPU、內存、晶元組、Cache都有一個相對應的MOS管供給其穩定的電壓，MOS管本身有自己的額定電壓和額定電流的限制，長時間過高的電壓會使MOS管過熱，很容易燒毀MOS管。其實不靠加大CPU的工作電壓，而加大MOS管對CPU的供電電流也能對超頻起到很好的效果，由於電壓不變MOS管也不會過熱。只要在設計的時候安置一個能供應CPU較強電流的MOS管就可以了。但事實並不是這樣簡單的，無論是增加電壓還是增強供電電流，對主板布線的要求都很高，供電的線路一定要布得足夠粗才行，否則有燒壞板子的危險（主板的PCB燒壞的話，十之八九是報廢了）。如果你長時間加電壓超頻使用的主板，請檢查一下主板背面的線路（綠色的主板看得更清楚）有沒有發黃的線路，那就是因為加電壓超頻對供電線路造成的傷害，時間長的話，有可能會起泡甚至燒斷線路（PCB一般都是4層板，如果燒斷的是中間層的線路就徹底報廢了）。由此可見，加電壓超頻對主板來說也很危險。
「提高I/O電壓，可以使差的內存穩定工作在更高的工作頻率上」。不知從什幺時候開始，一些主板開始提供提升外部I/O電壓的功能來，而提升I/O電壓主要是為了讓差一些的內存也能更穩定地超頻。如果靠提高內存工作電壓就能使它工作得更快的話，是不是所有的PC100內存只要標明3.5V工作電壓，就能立刻升級到PC133規格了呢？當然不是。事實上很多標明5V的EDO內存也可以穩定工作在3.3V，另一方面，很多3.3V的SDRAM即使工作在5V的環境下，也無法穩定工作在更高的工作頻率下。從設計原理上分析，好的布線和時鍾RC電路（R=電容 C=電阻）的配合對內存工作的影響遠比工作電壓的高低要明顯。時鍾發生器（CLOCK GEN）到內存的時鍾線最好是等長的，如果有明顯短的線則必須加上RC電路對數據傳輸進行延時（也就是數據相位的調整），目的就是要讓一組數據同時到達內存中，不能有相位差。如果出現了相位偏差，那就會造成內存工作不穩定。在高工作頻率下，由於訊號的周期短，更容易出現相位偏差的情況，也就是為什幺越高的外頻，越挑內存的原因。因此從理論上來講，主板布線合理標准並配合RC電路可以使較差的內存穩定工作在較高的系統外頻下。筆者曾經在一塊還是工程樣品的主板上，通過調節RC電路使PC100的內存以同步方式穩定工作在140MHz的外頻，夠酷吧！可惜那塊主板經過這樣的調整，對一些PC133的內存反而更挑了，RC電路是很難調的。
雖然主板可以靠提高工作電壓的方法來達到超頻的目的，但真正應該注重的是依靠主板本身良好電路設計來實現超頻的穩定，何況提高工作電壓對CPU和主板的危害是很大的。
二、主板電容的用料對超頻的影響：
很多發燒友都認為，主板採用了越大的電容，性能就越穩定。因此大家對一些使用了1500μF，甚至是2000μF電容的「高檔」主板十分推崇，其實是陷入了一個誤區。要說明這點，我們先要從主板的供電系統談起。
現在的個人電腦越來越快，隨著CPU主頻和系統匯流排工作頻率的提高，對主板供電的要求也越來越嚴格，尤其在我們將CPU超頻的時候。因此主板穩定工作的前提是必須有純凈的電流供應。主板是由機箱電源直接供電的，從機箱電源出來的電流是很「臟」的，如果用示波儀觀察會發現有很多的尖峰和雜波。在這點上，細心的讀者應該可以看出選擇一個好的機箱電源對超頻是有一定的幫助。有時候換一個優質的大功率機箱電源，能使主板超頻更加穩定。現在回到正題上來，主板必須對電源進行過濾和凈化才能使用。過濾凈化的方法就如同我們平時家用凈水器的原理，我們知道凈水器用不同的濾質對水中的無機雜質和有機雜質進行過濾。主板也一樣，針對不同的雜訊用不同的組件來進行過濾和凈化。主要的組件有扼流線圈和大小電容。原始電流首先流經扼流線圈（俗稱線圈），因為線圈有一個蓄能的特性，它可以初步過濾掉一些高頻雜訊，然後進入電容組進一步過濾，凈化，拉平（把峰形波拉成方波）。電容組由大小兩種電容組成，小電容一般指0.1μ或小於0.1μ的貼片電容，其規格為0805，主要是過濾高頻雜訊的。這種電容的頻率響應范圍比較大，也可以過濾掉一些中頻雜訊。大電容指的是1000μ以上的電解電容（俗稱直立電容），它的頻響范圍主要在低頻區，所以一般用它來過濾低頻雜訊。
稍稍介紹一下關於大電解電容的知識，一般的大電解電容的外皮上都有一條金色的帶狀線，上面印有一個大大的「I」字母，表示該電容是LOW ESR（低漏電，低噪音）的。電容外皮上還印著該電容的耐溫參數，一般為105℃。1000μ以上的電解電容以前只有日本才能生產，現在大陸和台灣也能生產了，製作工藝絲毫不比日本的差，所以這種電容不一定非用日本產的不可。外皮的顏色差異（有黃色、黑色、綠色、藍色）僅表示該電容的熱補償能力的不同。不過，根據實際使用的效果來看，差別不大，所以只要電容能達到其標稱的性能就可以了。簡略介紹完電解電容後，現在我用一個例子來比喻1000μ和2000μ電容濾波的效果。我們把電容濾波的過程比喻成削梨。有的人削梨皮比較寬，所以削得快，但浪費比較多；有的人削梨皮比較窄，所以削得慢，但浪費少。採用2000μ的大電解電容如同前一種削梨的方法，可以用較少的電容來完成電源的濾波過程，而採用1000μ的小電解電容如同後一種削梨的方法，用較多的電容並聯來完成電源的濾波動作。前者濾波波形損失較大，嚴重的甚至會濾掉一些重要的波形，（可以做實驗來驗證，把現有主板上1000μ的電容全改為1500μ或2000μ的?/ca>
❹ 我的電腦光碟機為什麼放進碟片時CPU的風扇轉的劇烈
應該是聽錯了，剛放進碟片時應該是光碟機的讀盤噪音。我的機器也是，噪音相當之大。咔咔響也是光碟機的讀盤聲。好像是dvd的光頭尋道發出的聲音。
sata的介面當然是接sata設備啊。光碟機硬碟什麼的。
cpu沒有機械部分理論上不會發出聲音。即使是觸點接觸不良也不應該發出耳朵可以聽見的打火聲。這個問題值得研究。至於音箱發出的聲音是因為設計缺陷或濾波電容有問題而產生的雜波引起的。特徵是，開機時較小或沒有關機的一瞬間較大逐漸減小。關掉電源後（關機之後沒關掉電源時主板和電源的一部分電路是在工作的。）主板不再通電也就沒有了的聲音。如果不嚴重應該不是什麼大問題。cpu是個問題。你確定它發出了聲音？
❺ 急求寬頻放大器(2003 b題)原理圖及論文
寬頻放大器
摘 要
本作品基於壓控對數放大器設計，由主放大及輸入輸出電路、增益控制電路、顯示及處理模塊、測量電路和電源模塊組成，具有寬頻數字程式控制和數字AGC功能。其中的AD603的使用方便了程式控制增益，AD844的使用提高了輸出電壓的有效值范圍。由於綜合應用了電容去耦、磁珠濾波等降噪措施，較好地抑制了放大器的雜訊。
關鍵詞： 壓控對數放大器 寬頻數字程式控制 數字AGC 降噪
一：方案比較與論證
分析題目要求，我們將本設計分為：主放大電路及輸入輸出電路、增益控制、鍵盤顯示及處理、測量和穩壓電源五大功能模塊。各模塊間的關系如圖1-1所示。
圖1-1 各模塊的關系
1．主放大器及輸入輸出電路
方案一：採用分立元件設計。此方案元器件成本低，易於購置。但
是設計、調試難度太大，周期很長，尤其是短時間內手工製作難以保證可
靠性及指標，故不採用此方案。
方案二：採用高速寬頻集成運放設計。此方案優勢是電路容易實現，指標和可靠性容易得到保證。故採用此方案。
2．增益控制電路
方案一：採用場效應管或三極體控制增益。主要利用場效應管的可變電阻區（或三極體等效為壓控電阻）實現增益控制，電路簡單，調試復雜。
方案二：採用高速乘法器型D/A實現。利用D/A轉換器的VRef作信號的輸入端，D/A的輸出端做輸出。用D/A轉換器的數字量輸入端控制傳輸衰減實現增益控制。此方案簡單易行，但經實驗知：當信號頻率較高時，系統容易發生自激，因此不選此方案。
方案三：利用能夠壓控增益的放大器實現。其特點是可以用單片機方便地預置增益。
由於主放大器可以找到壓控增益的器件，本系統採用方案三。
3. 有效值測量電路
方案一：採用真有效值轉換器件測量，此方案電路簡單、精度高。但價格較貴，同時器件難找。現有的有效值轉換器件如AD637、AD737在較高頻率段無法滿足本題測量要求。
方案二：採用峰值檢波測量。採用峰值檢波電路，檢出峰值經A/D轉換後由單片機轉換為有效值。電路簡單可靠，但前提是信號是正弦波，否則誤差較大。考慮到本題要求測量的是標准正弦波，因此選擇本方案。
4. 穩壓電源
方案一：線性穩壓電源。其中包括並聯型和串聯型兩種結構。並聯型電路復雜，效率低，僅用於對調整速率和精度要求較高的場合；串聯型電路比較簡單，效率較高，尤其是若採用集成三端穩壓器，更是方便可靠。
方案二：開關穩壓電源。此方案效率高，但電路復雜, 開關電源的工作頻率通常為幾十～幾百KHz，基波與很多諧波均在本放大器通頻帶內，極容易帶來串擾。
電源模塊選擇方案一中的串聯型穩壓電源。
總體系統框圖如圖1-2所示。
圖1-2 系統框圖
二．理論分析與參數計算
放大器鏈路的組成如圖2-1所示：
圖2-1 主放大器電路圖
圖中註明了設計中每級增益的分配，並在下方依據器件的官方資料給出了各級-3dB通頻帶的上限。
通頻帶計算
如圖2-1，系統通頻帶由BUF634緩沖器、兩級AD603放大器和AD844放大器共同決定，由頻率響應公式可知系統增益與頻率的關系如下：
(式2-1)
式中：, , ，為器件資料中相應運放的通頻帶，為放大鏈路中各級放大器的中頻電壓放大倍數。
經計算，系統3dB帶寬，符合設計要求。
2．增益控制范圍及精度
為實現60dB放大能力，本設計採取兩級AD603級聯和後級AD844放大電路的增益分配方式。依據資料，AD603採用的是增益為-11dB～31dB、帶寬90MHz的工作方式，其每級增益為：
GAD603（dB）=40×Vg+10 （式2-2）
式中，Vg為AD603的增益控制電壓，范圍為-0.50V～0.50V。
按圖3-3接法，AD844放大電路增益為17.8dB ,前級輸入衰減6dB, 所以整個放大器的增益為：
G（dB）=2×GAD603+17.8-6=80×Vg+31.8 （式2-3）
Vg的變化范圍為-0.5～0.5V，因此理論上的增益控制范圍為-8.2～71.8 dB。
單片機通過D/A的輸出電壓控制AD603的增益，若採用的是8位D/A轉換器，則D/A輸入值KDA與AD603控制電壓的對應關系為：
（式2-4）
式中，KDA為D/A的輸入值。
由式2-3及式2-4可知增益G與D/A輸入值KDA的對應關系為：
（式2-5）
則可得增益控制的理論精度為：
（式2-6）
由以上分析可知，該電路滿足對增益控制范圍及精度的指標要求。
3．自動增益控制范圍
AGC范圍的計算式為：
G=20log（Vs2/Vs1）-20log(VOH/VOL) （式2-7）
式中，Vs2、Vs1分別為輸入信號的最大和最小值；VOH、VOL分別為輸出的最大和最小值。
由式2-7推知，當輸入信號的有效值為0.0012VVi2.0V時，要保證輸出電壓有效值為4.5VVO5.5V，則AGC范圍為64dB。圖2-2給出了放大器在進入AGC模式後的傳輸特性在matlab中的模擬結果。由圖知，此功能滿足題目要求。
圖2-2
4．系統雜訊
本系統雜訊主要由輸入端電阻熱雜訊、BUF634電路雜訊、AD603電路雜訊及AD844電路雜訊等引起。在最高增益60dB狀態下，對系統各級雜訊分別進行近似計算：
= （式2-8）
= （式2-9）
= （式2-10）
= （式2-11）
= （式2-12）
在式（2-8）～（2-12）中：取K=、T=300K、R=、B=90MHz；、、和表示各器件雜訊系數，分別為4、1.3，1.3和2；B1、B2、B3、B4和 G1、G2、G3m、G4m分別表示各器件的帶寬和增益，具體數值如圖2-1所示。由此進一步可推知，系統雜訊有效值及峰峰值分別為：
=0.054V（式2-13）
Un峰峰==0.153V （式2-14）
由以上分析可知，該電路可滿足題目對雜訊的指標要求。
5.運放之間的耦合電容
AD603的輸入阻抗為100，為了保證9KHz以上的信號通過，把高通濾波的截止頻率設置為8KHz。
由 可得，兩個AD603之間應該加的電容的大小為：
C2====199nF （式2-15）
選標稱值 C2=330 nF。
在buf634與AD603之間所加的電容值為：
C1==== 99nF （式2-16）
為了留一定的餘量，取標稱值C1=220 nF
同理可得，在AD603與AD844之間的電容為：C3=220 nF
三、單元電路設計與實現
綜合分析本題目的基本要求和發揮部分要求，我們確定的總設計目標為完成題目全部功能和指標。各單元電路設計如下：
1. 輸入緩沖電路
為了使輸入阻抗 1K，帶寬8KHz~10MHz，採用BB公司的BUF634來完成，本級增益為0dB 。具體電路圖如下所示：
圖3-1 輸入緩沖級電路圖
考慮到通頻帶帶寬的要求以及降低緩沖級的輸入雜訊，BUF634選用30MHz帶寬的電路連接形式。BUF634具有高輸入阻抗，為了降低系統引入的雜訊和干擾，並且滿足輸入阻抗大於，在BUF634的輸入端對地並接一電阻。
BUF634的輸出端串接一100Ω電阻，與後級AD603的輸入阻抗（100Ω）構成一衰減倍數為0.5的衰減器，以保證輸入信號有較大的范圍。
2．主放大電路
此電路可以由ADI公司的AD603完成。AD603在寬頻帶工作模式下，增益控制范圍為-11dB～+31dB ，且控制電壓與增益dB 數成線性關系，為達到設計目標可用兩級級聯。AD603的雜訊譜密度只有1.3 ，能夠滿足低雜訊的設計要求。
圖3-2 主放大電路
其具體電路如上圖2-2所示，其每級增益為
（式3-1）
其中，為AD603的增益控制電壓，單位伏特，范圍-0.50V～0.50V。故兩級AD603的可控增益范圍為-22dB～62dB，可以保證本電路有較大的增益預置范圍和AGC控制范圍。
3． 輸出級放大電路
本級採用AD844放大電路完成，AD844具有高達2000V/us的壓擺率和很強的帶負載能力，開環輸出電阻15，在電源為±15V、負載電阻為600Ω時，就能夠使輸出電壓的有效值達到8.40V。AD844的全功率帶寬為20MHz,滿足放大器帶寬的要求。電路如圖2-3所示。
圖 3-3 輸出級電路
鑒於主放大器AD603的最大輸出電壓為2.5V，AD844輸出阻抗約為15，為確保在600電阻負載上輸出8.5V,則設計此級增益至少為：
（式3-2）
調試完成後，測得增益為7.67倍，即17.7dB。
4． 增益控制電路
採用AD7528實現。電路圖如圖3-4所示。
圖3-4 增益控制電路
有效值測量電路
該電路由峰值檢波（輸出時電阻分壓）和A/D轉換電路實現。具體電路如圖3-5所示。
圖3-5
圖3-5中，R1的作用是把檢波電路輸出的電壓范圍轉換至A/D的輸入電壓范圍0～5.0V。經過調試，最終確定輸出電壓有效值與A/D數值的關系為：
U有效=KAD×34.1+300 （式中，U有效 的單位mV） （式3-3）
其中的檢波電路採用最常見的峰值檢波形式，檢波時常數以通頻帶的低端頻率（）為依據來設計。對應的周期為0.11ms，則檢波時常數取1ms。具體器件的參數為： R1=100K，C1=10nF
電路
圖3-5 峰值包絡檢波電路圖
multisim模擬結果
圖3-6
若採用如圖3-7所示的電路圖，則可以解決小振幅電壓的測量問題，但該電路調試比較麻煩，故不採用。
圖3-7 一種可測小振幅電壓的檢波電路
6． MCU及顯示鍵盤系統
單片機採用AT89C55,鍵盤控制採用專用晶元ZLG7289A,使按鍵的處理和控制變得簡單、易控。測量輸出有效值、控制增益以及實現自動增益控制都可由具體的軟體演算法實現。採用128*64的圖形液晶顯示模塊作為顯示界面。
為了使放大器的實用性更好，我們還用PCF8583為系統擴展了掉電保護功能，可讓預設的增益值長時間保持。
7．電源部分
電源提供+5V/1A、5V/0.5A 和15V/0.5A五路輸出，以保證系統正常工作。
參數計算
A）輸出5V電壓時，輸出的電流至少為1.5A，變壓器輸出電壓為9.5V。
在0.01s內穩壓器件輸入級電壓變化為：
=4.06V （式3-4）
式中，U=9.5V為變壓器交流輸出電壓值，Ud=2.3為LM323K的最小管壓降。1.4V為二極體壓降。
濾波電容C為：
式中，ΔUIP-P為穩壓器輸入端紋波電壓的峰峰值；
T為電容放電時間；
IC為電容放電電流，可取Ic=I0。
取標程值 C=4700uf
B）輸出+15V電壓時，輸出的電流至少為0.5A，變壓器輸出電壓為23.8V。
在0.01s內穩壓器件輸入級電壓變化為：
=13.7V （式3-5）
濾波電容C為：
為了進一步減小紋波，取 C=3300uf
C）輸出-15V電壓時，輸出的電流至少為0.5A，變壓器輸出電壓為-23.8V。
與+15V計算方法相同，確定濾波電容為；
C=3300 uf （式3-7）
電路圖
圖3-8 電源電路
8. 去耦和降噪
（1）放大器級聯時採用電容耦合，電容值依據通頻帶下限頻率確定。
（2）放大器板上所有運放電源線及數字信號線均加磁珠和電容濾波。磁珠可濾除電流上的高頻毛刺，電容濾除較低頻率的干擾，它們配合在一起可較好地濾除電路上的串擾。其電路形式如圖3-9所示。安裝時盡量靠近IC電源和地。
（3）在兩個焊接板之間傳遞模擬信號時用同 圖3-9
軸線，以使傳輸阻抗匹配，並可減少空間電磁波對本電路的干擾。
（4）數字電路部分和模擬電路部分的電源嚴格分開，同時數字地和模擬地電源地一點相連。
（5）在BUF634的輸入端及AD844的輸出端都並聯有小電阻，以提高系統抗干擾能力，使系統更加穩定。
四：系統軟體設計與控制演算法分析
1．軟體功能和結構
本系統軟體採用結構化程序設計方法，功能模塊各自獨立，包括系統初始化、程式控制放大模塊、自動增益控制模塊、測量電壓有效值、按鍵處理模塊和顯示模塊。軟體主體流程圖如下圖4-1所示。
圖4-1主程序流程圖 圖4-2自動增益控制流程圖
2．功能模塊演算法設計
（1）有效值測量模塊 該模塊利用峰值檢波方式實現電壓有效值的測量。採集峰值時，採取的是采樣10次、均值濾波的方式，從而減小誤差，使測量更准確。所測電壓的有效值與A/D的值成線性對應關系，多測量幾組數據，再由式3-3求出有效值。
（2）程式控制增益模塊 增益控制字由式2-5確定。為了保護系統，軟體對設置的增益范圍進行了限定，當超出0~60dB時，則視為無效輸入，並顯示相應提示。
（3）自動增益控制（AGC）模塊 當執行AGC功能時，輸出信號經過檢波後，由A/D轉換送入單片機，然後與AGC輸出電壓范圍的最大值和最小值作比較，根據三者之間的大小關系改變程式控制放大器的增益。單片機每次讀取A/D的值經過運算輸出控制電壓總共需要60us左右的時間，本設計中軟體增益控制約為100個執行周期，即。因此軟體AGC的時常數約為6ms。根據不同的要求設定軟體可方便的實現可變時常數AGC。其流程如圖4-2所示。
（3）按鍵處理模塊 此系統的按鍵功能包括選定設計要求的九級增益（數字鍵1～9）、任意增益（10dB～60dB）預設、AGC功能、日期時間的顯示和預設。其中增益預設對輸入數據的范圍進行了限定，當輸入數據超出范圍時，顯示相應的錯誤提示。
（4）顯示模塊 採用128*64的圖形液晶顯示模塊顯示預設的增益值以及輸出電壓的有效值，形象直觀。預設時採用反顯字元的方式提示正在進行的操作，界面友好。
（5）掉電保護功能 使用實時日歷鍾晶元PCF8583顯示當前的時間、日期，並可對其預設，還利用其內部的低壓RAM實現了掉電保護功能。
五：系統測試
測試條件
室溫25℃，工頻220V交流電源
測試儀器
勝利儀器 DT890 數字式萬用表
Agilent 33120A 信號發生器 15MHZ
Tektronix TDS 210 數字示波器 60MHZ
測試方案、結果與結果分析
輸入阻抗測試
圖5-1 阻抗測試 圖5-2 幅頻特性測試
如圖5-1連接，用示波器測量V和Vi,則輸入電阻為：
= （式5-1）
表5-1 （R=1.2KΩ）
f(Hz) 5K 10K 20K 80K 500K 1M 2M 4M 6M 8M
V(mV) 468 424 420 420 424 420 420 408 400 392
Vi(mV) 170 148 172 172 168 172 152 156 148 128
Ri(K) 1.14 1.07 1.39 1.39 1.31 1.39 1.13 1.24 1.17 0.97
結果分析：經過測量，在5KHz到6MHz范圍內滿足輸入阻抗1K，滿足並超過了設計要求。
幅頻特性測試
測試電路連接如下圖5-3-2，改變不同頻率，分別測試輸入、輸出電壓，按下式計算增益，得出幅頻特性。
， G=20lg AV （式5-2）
表5-2
f（Hz） 7K 10K 20K 500K 2M 5M 6M 12M
2.00 2.00 2.00 2.00 1.92 1.96 1.88 1.64
13.0 15.0 17.2 19.2 18.2 18.0 17.6 10.8
6.50 7.50 8.60 9.60 9.50 9.18 9.36 6.59
G（dB） 16.3 17.5 18.7 19.6 19.6 19.3 19.4 16.4
結論：由上表可看出，本放大器的3dB 帶寬為7KHz~12MHz， 在20KHz~6MHz頻帶內增益起伏1dB ，滿足並超過了題目的要求。
最大增益 G max=，電路接法同圖（5-2）
表5-3
F 10K 50K 500K 6M
Vop-p（V） 17.0 19.8 20.0 21.6
Vip-p（mV） 20 20 20 20
Gm（ dB ） 50.6 52.0 60.0 52.7
結果分析，本放大器的最大增益滿足了發揮部分58dB 的要求，並達到了60 dB。
增益步進測試 測試電路如下圖所示：
圖5-3 增益步進測試
6dB步進測試
G設（ dB ） 10 16 22 28 34 40 52 46 58
Vi（mV） 50 50 50 50 20 20 20 20 20
V0（V） 0.161 0.364 0.632 1.240 1.030 1.900 7.440 4.080 16.200
V0/Vi 3.22 7.28 12.64 24.80 51.50 95.00 372.0 204.0 810.0
G測 10.2 17.2 22.0 27.9 34.2 39.6 51.4 46.2 58.2
| -G設| 0.2 1.2 0.0 0.1 0.2 0.4 0.6 0.2 0.2
表5-4 f=500kHz
結論：從上表可看出，6dB步進時測試的增益與預置的增益最大差值為1.2dB，達到發揮部分的要求。
2dB 步進測試表
表5-5 f=500kHz
G設（ dB ） 42 44 46 48 50 52 54 56
Vi（mV） 20 20 20 20 20 20 20 20
V0（V） 2.61 3.03 4.04 5.14 5.97 8.15 9.91 13.12
V0/Vi 130.5 151.5 202.0 257.0 298.5 407.4 495.5 660.7
G測 42.3 43.6 46.1 48.2 49.5 52.2 53.9 56.3
| G測-G設| 0.3 0.4 0.1 0.2 0.5 0.2 0.1 0.3
結論：由上表可以看出，預設增益2dB步進時測試的增益與預置的增益最大差值為0.5dB，達到發揮部分的要求。
輸出有效值顯示測試
改變輸入信號的幅度，觀察不同輸出電壓時的示波器顯示值與液晶顯示值，比較並計算出其誤差。測試結果如下表：
表5-6 f=1MHz G=20dB
Vi(mV) 5 25 50 100 200 300 400 500 560 580 600
Vo液晶（V） 0.30 0.30 0.37 0.89 1.90 2.96 3.93 4.92 5.71 5.78 5.78
（V） 0.05 0.25 0.50 1.00 2.00 3.00 4.00 5.00 5.60 5.80 6.00
0.25 0.05 0.13 0.11 0.10 0.04 0.07 0.08 0.11 0.02 0.22
測試結論：從上表可以看出，單片機測試顯示的電壓有效值在0.5V～5.8V之間時，誤差較小。在此范圍外，由於A/D的限制，無法正常測試顯示。（前面已論述）
最大有效值輸出
圖5-4 最大有效值輸出測量
設置增益G=40dB，調節使輸出最大且不失真。
表5-7
f（Hz） 50K 100K 1M 2M 5M 6M
（V） 9.10 9.00 8.54 7.50 7.79 7.16
結論：在輸出信號不失真的情況下，通頻帶內最大輸出電壓有效值大於6.00V，滿足並超過設計基本及發揮部分的要求。
（6）AGC性能測量
切換電路到AGC功能，使輸入信號從一個較小值逐漸增大，觀察輸出，找出輸出能夠穩定在4.5V～5.5V之間的輸入信號范圍。
圖5-5 AGC性能測量
表5-8 f= 500kHz
Vi（mV） 50 100 500 800 1000 2000 5000 10000
Vo 4.89 4.86 5.22 5.17 5.25 5.00 5.23 5.30
結論: 經測試，輸入信號幅值從50mV～10V之間變化時，輸出能夠穩定在4.8V～5.3V之間。所以，AGC控制系統的調整范圍為 ，輸出電壓有效值穩定在4.8V到5.3V之間，滿足了設計發揮部分的要求。
（7）輸出雜訊測試
圖5-6 輸出雜訊測試
結果分析： 經測試，在增益為58dB 情況下，輸出雜訊電壓峰-峰值為300mV , 滿足題目要求。
（8） 『其他』項功能測試
A：自動計時和校時功能
能夠實時地顯示年、月、日、小時、分鍾和秒的時間信息。
B：掉電保護功能
在前面程式控制功能完成的前提下測試, 觀察系統斷電前後初始增益值是否改變。測試結果如下表：表5-9
斷電前（dB） 10 28 40
重啟後（dB） 10 28 40
結論：具有計時和校時的功能，掉電保護功能正常。
C. 輸出限定提示
我們設定放大器的增益范圍為8dB～60dB,當設定增益超過這個范圍時，液晶將顯示「Input Over!」的提示。經測試，此功能實現完好。
（9）電源測試
三路負載均為1K，用示波器測電壓。
圖5-7 電源輸出電壓測試
表5-10
+5V +15V -15V
輸出電壓（V） 4.97 14.87 -14.87
當輸出電壓降至95%時，電流為最大輸出電流。
圖5-8 電源最大電流測試
表5-11
+5V +15V -15V
最大電流（A） 1.50 0.56 0.67
給三路電源同時加上500的負載，用示波器測其紋波。
圖5-9 穩壓電源紋波測試
表5-12
+5V +15V -15V
紋波電壓（mV） 12 15 18
結果分析：電源的各項參數均滿足設計要求。
六：總體結論
綜合上述各部分的測試結果：本設計圓滿地完成了題目基本部分的要求，還較好地完成了題目發揮部分的要求並擴展了掉電存儲和輸入限定等功能。前級降壓、後級升壓的設計不但擴展了AGC的范圍，還提高了輸出電壓幅度。各種去耦和降噪措施的綜合應用保證放大器穩定工作並且降低了雜訊如果能對輸出增益進行進一步實測校正或者使用性能更好的器件，還可以進一步提高指標。
七．附錄：
參考文獻
（ 1 ）《電子線路設計、試驗、測試》 謝自美主編 華中理工大學出版社出版
（ 2 ）《第四屆全國電子設計競賽獲獎作品選編》第三屆全國電子設計競賽組委會編 北京理工大學出版社出版
（ 3 ）《全國大學生電子設計競賽獲獎作品精選 1994-1999 》
全國大學生電子設計競賽組委會編 北京理工大學出版社
（ 4 ）《 MCS-51 系列單片機應用系統設計》何立民編著 北京航空航天大學出版社出版
（ 5 ）《電子測量》 劉國林 殷貫西等編著 機械工業出版社出版
（ 6 ）《一種性能優良的自動增益控制電路》 張淑娥 楊再旺 李文田 華北電力大學
2.整個系統完整的電路圖
（1）主要功能實現電路
（2）最小系統板
（3）電源部分
3．重要晶元資料
器件特性：
·「Linear in dB」Gain control
·pin programmable gain ranges -11dB to +31dB with 90MHz
·1.3 input noise spectral density
·線性增益（以dB為單位）控制；
·1.3輸入雜訊譜密度；
·275輸出信號壓擺率；
·90MHz 帶寬下可實現-11dB到+31dB增益變化范圍；
·0.5 dB典型增益控制精度；
·帶寬獨立於可變增益。
BUF634特性：
·HIGH OUTPUT CURRENT: 250mA
·SLEW RATE: 2000V/s
·PIN-SELECTED BANDWIDTH:
30MHz to 180MHz
·WIDE SUPPLY RANGE: 2.25 to 18V
AD 844特性：
·Wide Bandwidth: 60 MHz at Gain of –1
·Wide Bandwidth: 33 MHz at Gain of –10
·Very High Output Slew Rate: Up to 2000 V/_s
·20 MHz Full Power Bandwidth, 20 V p-p, RL = 500 _
·Fast Settling: 100 ns to 0.1% (10 V Step)
·Differential Gain Error: 0.03% at 4.4 MHz
·Differential Phase Error: 0.158 at 4.4 MHz
·High Output Drive: 650 mA into 50 _ Load
·Low Offset Voltage: 150 mV Max (B Grade)
·Low Quiescent Current: 6.5 mA
·Available in Tape and Reel in Accordance with
·EIA-481A Standard
❻ 磐正這個主板Epox EP-8KDA7I如何超頻
進了系統後，用CPU-Z測試你的CPU外頻到底是多少。
這個主板有自動恢復的功能，你調到400，如果啟動不成功，會自動恢復默認值。
你先把bios刷到最新，然後把內存頻率降到100，再超CPU外頻（建議以10遞增），成功啟動後，用CPU-Z測試是否真正超頻成功，成功了再重啟調整。
另外，你的AMD Sempron, 1600即使超頻成功，比如外頻超到250，也不會有很大的飛躍，畢竟你這個CPU已經很老了，和現在主流已經跨越了幾代，你要想超頻一下就達到雙核或四核的效果，這是不可能的。
一般來說超頻可以提升10%~40%左右的效能（具體要看你CPU的體制和整機的搭配），但參照物是你原CPU的基礎之上。
❼ 電腦主板
你說的是不是io錯誤啊？
實話說回答不了你去電腦城咨詢一下修二手的！他們應該知道！
不好意思
❽ 有沒有全球集成電路器件廠商的資料啊
集成電路
型號前綴 對應國外生產廠商 互聯網網址
A INTECH(美國英特奇公司)
A- INTECH(美國英特奇公司
AC TEXAS INSTRUMENTS [T1](美國德克薩斯儀器公司) http://www.ti.com/
AD ANALOG DEVICES(美國模擬器件公司) http://www.analog.com/
AM ADVANCED MICRO DEVICES（美國先進微電子器件公司） http://www.advantagememory.com/
AM DATA-INTERSIL(美國戴特-英特錫爾公司) http://www.datapoint.com/
AN PANASONIC(日本松下電器公司) http://www.panasonic.com/
AY GENERAL INSTRUMENTS[G1](美國通用儀器公司)
BA ROHM(日本東洋電具製作所)(日本羅姆公司) http://www.rohmelectronics.com/
BX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CA RCA(美國無線電公司)
CA PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
CA SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
CAW RCA(美國無線電公司)
CD FAIRCHILD(美國仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
CD RCA(美國無線電公司)
CIC SOLITRON(美國索利特羅器件公司)
CM CHERRY SEMICONDUCTOR(美國切瑞半導體器件公司) http://www.cherry-semi.com/
CS PLESSEY(英國普利西半導體公司)
CT SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXA SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXD SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXK DAEWOO(韓國大宇電子公司)
DBL PANASONIC(日本松下電器公司) http://www.panasonic.com/
DN AECO(日本阿伊闊公司)
D...C GTE(美國通用電話電子公司微電路部)
EA SIGNETICS(美國西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
EEA THOMSON-CSF(法國湯姆遜半導體公司) http://www.thomson.com/
EF THOMSON-CSF(法國湯姆遜半導體公司) http://www.thomson.com/
EFB PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
EGC THOMSON-SGF(法國湯姆遜半導體公司)
ESM PHILIPS(荷蘭菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
F FAIRCHILD(美國仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
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GL GOLD STAR[韓國金星(高爾達)電子公司]
GM GOLD STAR[韓國金星(高爾達)電子公司]
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HD HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
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HM， HZ HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
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UPA NEC ELECTRON(日本電氣公司) http://www.nec-global.com/
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UPC NEC ELECTRON(日本電氣公司) http://www.nec-global.com/
UPD NEC ELECTRON(日本電氣公司) http://www.nec-global.com/
UPD NEC-MIRO(美國NEC電子公司微電腦分部) http://www.nec-global.com/
❾ KDA幣和CkB幣那個收益高
kda，
金貝已成功完成LTC、CKB、HNS、SC等幣種的多款算力伺服器的研發、量產和銷售。
金貝礦機總部位於上海，在杭州、香港、新加坡等地設有辦事處，現有研發人員占公司人數70%以上，核心團隊具備10年以上集成電路領域從業經驗，成功流片超過10顆，覆蓋高性能計算、區塊鏈應用等領域。
本著成為卓越的區塊鏈算力提供商，並推動行業發展這一理念，基於強大的核心團隊和卓越的體系能力，金貝建立了從演算法研究、晶元研發、晶元實現到量產交付的高效運營體系，並不斷提升產品計算性能和競爭力，為數字經濟的發展提供高性能、高可靠的算力基礎設施。
除了目前所專注區塊鏈領域外，金貝還響應國家晶元戰略，根據公司發展戰略和規劃，正計劃通過自主研發、戰略合作等形式，將晶元及產品核心研發能力向物聯網、人工智慧等其他高性能計算、邊緣計算領域探索延伸，進一步實現業務多元化。