① 請教電路圖
是這樣的：
三個LED都是發光二極體，作指示燈用。插上電源時，LED亮，插上負載時，LED1、LED2亮。
未按下K1時，正半波電流經J2－D4－J8－負載－J7－J1形成迴路，負半波電壓經J1－J7-負載－J8－LED2－R2－J2形成迴路。由於負半波的時候有4。7K的R2限流，電流只有發光二極體的發光電流（約3mA），所以此時流經負載的實際是半波電流，負載低檔位工作。
按下K1時，負半波電壓經J1－J7-負載－J8－K1－D1－D2－D3－J2形成迴路，把負半波電流也加到負載上，負載在高檔位工作。
D4的作用是在K1未按下時只讓正半波電流經過負載，阻止負半波的電流經過負載。
D1、D2、D3的作用是利用每個硅P－N結0.7V的正向壓降，形成較穩定的2.1V左右的電壓，供LED3發光，同時形成負半波電流的通路。
這里的正、負半波的說法是為了我們敘述方便而自行規定的。
② 這個電路圖元件是什麼
是電阻，舊符號。
③ 求助冠威7k1r電路圖
www.hbwxlm.cn
④ 請高人解釋此電路圖的原理和功能
是這樣的：
三個LED都是發光二極體，作指示燈用。插上電源時，LED亮，插上負載時，LED1、LED2亮。
未按下K1時，正半波電流經J2－D4－J8－負載－J7－J1形成迴路，負半波電壓經J1－J7-負載－J8－LED2－R2－J2形成迴路。由於負半波的時候有4。7K的R2限流，電流只有發光二極體的發光電流（約3mA），所以此時流經負載的實際是半波電流，負載低檔位工作。
按下K1時，負半波電壓經J1－J7-負載－J8－K1－D1－D2－D3－J2形成迴路，把負半波電流也加到負載上，負載在高檔位工作。
D4的作用是在K1未按下時只讓正半波電流經過負載，阻止負半波的電流經過負載。
D1、D2、D3的作用是利用每個硅P－N結0.7V的正向壓降，形成較穩定的2.1V左右的電壓，供LED3發光，同時形成負半波電流的通路。
這里的正、負半波的說法是為了我們敘述方便而自行規定的。
⑤ 請高人指教此電路圖的功能和工作原理
是這樣的：
三個LED都是發光二極體，作指示燈用。插上電源時，回LED亮，插答上負載時，LED1、LED2亮。
未按下K1時，正半波電流經J2－D4－J8－負載－J7－J1形成迴路，負半波電壓經J1－J7-負載－J8－LED2－R2－J2形成迴路。由於負半波的時候有4。7K的R2限流，電流只有發光二極體的發光電流（約3mA），所以此時流經負載的實際是半波電流，負載低檔位工作。
按下K1時，負半波電壓經J1－J7-負載－J8－K1－D1－D2－D3－J2形成迴路，把負半波電流也加到負載上，負載在高檔位工作。
D4的作用是在K1未按下時只讓正半波電流經過負載，阻止負半波的電流經過負載。
D1、D2、D3的作用是利用每個硅P－N結0.7V的正向壓降，形成較穩定的2.1V左右的電壓，供LED3發光，同時形成負半波電流的通路。
這里的正、負半波的說法是為了我們敘述方便而自行規定的。
⑥ AOC 7klr1電路圖
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⑦ 冠捷顯示器7KLRC7原理圖
首先拆開把線重新插一下，不行的話換主板或者高壓條試試看，分別試，換了哪個之後是正常的就是哪個的問題，還有，冠捷的顯示器三年上門保修的，如果在保修期內，能保就保吧！
⑧ 聯想筆記本電路圖裡面的電容參數0.01UF_0402_25V7K或者33P_0402_50V8J後面的7K或者8J或者6m是什麼意思啊
。。電容器型號中的7K、8J、6M，前面的數字7、8、6，表示電容的類型，6，瓷介質管形；7、無極性類型；8，高壓類型。而字母K，表示電容量的允許誤差為±5%，K表示±10%，M表示±20% 。
⑨ 誰有內存條電路圖/PCB圖
內存條晶元參數
整個DDR SDRAM顆粒的編號，一共是由14組數字或字母組成，他們分別代表內存的一個重要參數，了解了他們，就等於了解了現代內存。
顆粒編號解釋如下：
1． HY是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現代製造的產品。
2． 內存晶元類型：（5D=DDR SDRAM）
3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 晶元容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 內存條晶元結構：（4＝4顆晶元；8＝8顆晶元；16＝16顆晶元；32＝32顆晶元）
6． 內存bank（儲蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 介面類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 內核代號：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10． 封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11． 封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12． 封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素）
13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14． 工作溫度：（I=工業常溫（-40 - 85度）；E=擴展溫度（-25 - 85度））
由上面14條註解，我們不難發現，其實最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數字的實際含義，就能輕松實現對使用現代DDR SDRAM內存顆粒的產品進行辨別。尤其是第13位數字，它將明確的告訴消費者，這款內存實際的最高工作狀態是多少。假如，消費者買到一款這里顯示為L的產品（也就是說，它只支持DDR 200的工作頻率），那麼就算內存條上貼的標簽或者包裝盒上吹的再好，它也只是一款低檔產品。
常見SDRAM 編號識別
維修SDRAM內存條時，首先要明白內存晶元編號的含義，在其編號中包括以下幾個內容：廠商名稱（代號）、容量、類型、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標志等。通過對這些參數的分析比較，就可以正確認識和理解該內存條的規格以及特點。
(1)世界主要內存晶元生產廠商的前綴標志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 現代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西門子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 東芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 勝創
(2)內存晶元速度編號解釋如下:
★ -7 標記的SDRAM 符合 PC143 規范,速度為7ns.
★ –75標記的SDRAM 符合PC133規范,速度為7.5ns.
★ –8標記的SDRAM 符合PC125規范,速度為8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S標記的SDRAM 符合PC100規范,速度為10ns.
★ –10K標記的SDRAM符合PC66規范,速度為15ns.
(3) 編 號 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示晶元類別,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示電壓,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示帶寬。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.
g表示版本號，B—第三代。
h表示電源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。
ii表示封裝形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75
按照解釋該內存條應為：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解釋該內存條應為：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ
全球主要內存晶元生產廠家(掌握內存晶元生產技術的廠家主要分布在美國、韓國、日本、德國、台灣)：
序號 品牌 國家/地區 標識 備注
1 三星 韓國 SAMSUNG
2 現代 韓國 HY
3 樂金 韓國 LGS 已與HY合並
4 邁克龍 美國 MT
5 德州儀器 美國 Ti 已與Micron合並
6 日電 日本 NEC
7 日立 日本 HITACHI
8 沖電氣 日本 OKI
9 東芝 日本 TOSHIBA
10 富士通 日本 F
11 西門子 德國 SIEMENS
12 聯華 台灣 UMC
13 南亞 台灣 NANYA
14 茂矽 台灣 MOSEI
SAMSUNG內存
體含義解釋：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——晶元功能K，代表是內存晶元。
第2位——晶元類型4，代表DRAM。
第3位——晶元的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。
第11位——連線「-」。
第14、15位——晶元的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。
知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位「28」代表該顆粒是128Mbits，第6、7位「08」代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存條的容量是128Mbits（兆數位） × 16片/8bits=256MB（兆位元組）。
註：「bit」為「數位」，「B」即位元組「byte」，一個位元組為8位則計算時除以8。關於內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。
Hynix(Hyundai)現代
現代內存的含義：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是現代的產品
2、內存晶元類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、晶元容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表晶元輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、晶元內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新
9、代表功耗：L=低功耗晶元，空白=普通晶元
10、內存晶元封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A
Infineon（億恆）
Infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，「128」標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。
-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；
-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。
例如：
1條Kingston的內存條，採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆位元組）。
1條Ramaxel的內存條，採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位） × 8 片/8=128MB（兆位元組）。
KINGMAX、kti
KINGMAX內存的說明
Kingmax內存都是採用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用Kingmax顆粒製作的內存條全是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。
容量備註：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。
Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一條Kingmax內存條，採用16片KSV884T4A0A-7A 的內存顆粒製造，其容量計算為： 64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆位元組）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。
A2——內存內核版本號。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
實例：一條Micron DDR內存條，採用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。
其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆位元組）。
Winbond（華邦）
含義說明：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5
1、W代表內存顆粒是由Winbond生產
2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM
3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H；
4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝
5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz
⑩ 求一個電路圖，想用一個溫度感測器控制一個12V供電的繼電器，當阻值達到7K的時候繼電器吸合，隨著阻值的增
老大，你的意思是電阻在7-30K之間吸合，小與7和大於30都斷開，是嗎？