⑴ 在IGBT的逆變模塊上加了一種小型的電路板，問工程師他們說是作為吸收用，具體是吸收什麼大概作用是啥
在IGBT開通關斷的時候會有很大的di/dt，電路雜生電感的存在會產生dv/dt，吸收就是吸收dv/dt。可能模塊的雜生電感大吧
⑵ IGBT吸收電路為什麼很少用C直接吸收
直接用C吸收，應用於直流正負母線上，即跨接在一個半橋上，若單管IGBT直接用C吸收，會引起半橋短路（電容隔直通交）
⑶ IGBT常用緩沖電路有哪些
1、 緩沖電路的作用與基本類型
電力電子器件的緩沖電路(snubber circuit)又稱吸收電路，它是電力電子器件的一種重要的保護電路，不僅用於半控型器件的保護，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的應用技術中起著重要的作用。
晶閘管開通時，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個扼流電感，以限制過大的di/dt，串聯電感及其配件組成了開通緩沖電路，或稱串聯緩沖電路。晶閘管關斷時，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時過電壓和過大的電壓上升率，以防止晶閘管內部流過過大的結電容電流而誤觸發，需要在晶閘管的兩端並聯一個RC網路，構成關斷緩沖電路，或稱並聯緩沖電路。
GTR、GTO等全控型自關斷器件在實際使用中都必須配用開通和關斷緩沖電路;但其作用與晶閘管的緩沖電路有所不同，電路結構也有差別。主要原因是全控型器件的工作頻率要比晶閘管高得多，因此開通與關斷損耗是影響這種開關器件正常運行的重要因素之一。例如，GTR在動態開關過程中易產生二次擊穿的現象，這種現象又與開關損耗直接相關。所以減少全控器件的開關損耗至關重要，緩沖電路的主要作用正是如此，也就是說GTR和功率MOSFET用緩沖電路抑制di/dt和/dt，主要是為了改變器件的開關軌跡，使開關損耗減少，進而使器件可靠地運行。
沒有緩沖電路時GTR開關過程中集電極電壓uCE和集電極電流iC的波形，開通和關斷過程中都存在uCE和iC同時達到最大值的時刻;因此出現了瞬時的最大開關損耗功率Pon和Poff，從而危及器件的安全。所以，應採用開通和關斷緩沖電路，抑制開通時的di/dt，降低關斷時的/dt，使uCE和iC的最大值不會同時出現。
GTR開關過程中的uCE和iC的軌跡，其中軌跡1和2是沒有緩沖電路的情況，開通時uCE由UCC(電源電壓)經矩形軌跡降到0，相應地iC由0升到ICM;關斷時iC由ICM經矩形軌跡降到0，相應地uCE由0升高到UCC。不但集電極電壓和電流的最大值同時出現，而且電壓和電流都有超調現象，這種情況下瞬時功耗很大，極易產生局部熱點，導致GTR的二次擊穿而損壞。加上緩沖電路後，uCE和iC的開通與關斷軌跡分別如3和4所示，由可見，其軌跡不再是矩形，避免了兩者同時出現最大值的情況，大大降低了開關損耗，並且最大程度地利用於GTR的電氣性能。
GTR的開通緩沖電路用來限制導通時的di/dt，以免發生元件的過熱點，而且它在GTR逆變器中還起著抑制貫穿短路電流的峰值及其di/dt的作用。GTO的關斷緩沖電路不僅為限制GTO關斷時再加電壓的/dt及過電壓，而且對降低GTO的關斷損耗，使GTO發揮應有的關斷能力，充分發揮它的負荷能力起重要作用。
IGBT的緩沖電路功能更側重於開關過程中過電壓的吸收與抑制，這是由於IGBT的工作頻率可以高達30~50kHz;因此很小的電路電感就可能引起頗大的LdiC/dt，從而產生過電壓，危及IGBT的安全。PWM逆變器中IGBT在關斷和開通中的uCE和iC波形。在iC下降過程中IGBT上出現了過電壓，其值為電源電壓UCC和LdiC/dt兩者的疊加。
為開通時的uCE和iC波形，增長極快的iC出現了過電流尖峰iCP，當iCP回落到穩定值時，過大的電流下降率同樣會引起元件上的過電壓而須加以吸收。逆變器中IGBT開通時出現尖峰電流，其原因是由於在剛導通的IGBT負載電流上疊加了橋臂中互補管上反並聯的續流二極體的反向恢復電流，所以在此二極體恢復阻斷前，剛導通的IGBT上形成逆變橋臂的瞬時貫穿短路，使iC出現尖峰，為此需要串入抑流電感，即串聯緩沖電路，或放大IGBT的容量。
綜上所述，緩沖電路對於工作頻率高的自關斷器件，通過限壓、限流、抑制di/dt和/dt，把開關損耗從器件內部轉移到緩沖電路中去，然後再消耗到緩沖電路的電阻上，或者由緩沖電路設法再反饋到電源中去。此緩沖電路可分為兩在類，前一種是能耗型緩沖電路，後一種是反饋型緩沖電路。能耗型緩沖電路簡單，在電力電子器件的容量不太大，工作頻率也不太高的場合下，這種電路應用很廣泛。
⑷ 請教變頻器中IGBT的吸收電容安裝方式
我認為不一定要靠近IGBT的，畢竟這點距離對大電流電子沒有什麼關系的，我見到很多變頻器設計都不會靠近IGBT的
⑸ IGBT 中阻容吸收迴路到底是怎樣的工作原理，實現了什麼樣的保護功能，望詳細說明下，
就是利用電容器兩端電壓不能突變的原理，吸收瞬間過電壓，實現過壓保護。
⑹ igbt管中的阻容吸收迴路的工作原理是怎樣的，到底實現了什麼樣的保護功能，望較詳細說明下
IGBT關斷時，由於漏感L的存在，會引起電壓尖峰V=Ldi/dt，在IGBT管中並聯阻容吸收電路，可以吸收電壓尖峰，防止IGBT過壓擊穿；電容吸收的能量在IGBT導通的時候被釋放掉，如此循環。
⑺ IGBT吸收電容的選擇標準是什麼
以後再不要小看igbt吸收電容在電路中的作用啦，勿因小失大！
選擇不好的吸收電容影響：
電容作用於IGBT,電容本身一般不容易壞，過濾尖峰電壓能力好壞對IGBT影響很大
1，如果電壓不穩定，IGBT尖峰電壓將很大，IGBT很容易被擊穿
2.平時不出問題，不代表以後不出問題，如果IGBT尖峰電壓反復沖擊，IGBT壽命將受影響。
之前到訪好多用戶，發現IGBT被擊穿或IGBT壽命短，不耐用，最後發現，他們用的國產吸收電容濾波不太好
IGBT使用英飛凌別以為就很有保障，IGBT吸收電容是和IGBT配合的，
其實，IGBT吸收電容很重要，要選品質好的品牌，推薦使用台灣譽電，美國CDE都可以
⑻ GTR、P-MOSFET、IGBT吸收電路的基本結構如何
RC 吸收
RCD吸收
⑼ IGBT RCD吸收電路，電阻為什麼發熱厲害
一是有直流電流通過消耗功率，二是有諧波（高頻）電流通過消耗功率。故發熱是正常的。
⑽ IGBT RC吸收電路中電容電阻如何選擇
樓上說的是整流電路的RC保護電路設計
IGBT的保護電路根據IGBT規格的不同有RC、RCD和C三種，
RC吸收電路適用於中型IGBT，一般根據你的開關頻率來選擇，就是3*R*C要小於開關頻率，比如你的頻率是1000HZ，就可以選擇3uF的電容和75歐的電阻