內存晶元電路

A. 內存顆粒引腳定義

引腳，又叫管腳，英文叫Pin。就是從集成電路（晶元）內部電路引出與外圍電路的接線，所有的引腳就構成了這塊晶元的介面。

「內存顆粒」是中國港台地區對內存晶元的一種稱呼（僅對內存），其他的晶元則稱為「晶片」。晶片經過封裝之後就成為一個快閃記憶體顆粒。

一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星ddr內存，使16samsungk4h280838b-tcb0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位「28」代表該顆粒是128mbits，第6、7位「08」代表該顆粒是8位數據帶寬。

相關拓展

原廠顆粒與白片的區別：

內存顆粒分為原廠（major brand或者簡稱major，列印晶元原廠商標）/白片/次品。「白片」又可以細分為ett、utt以及其他更差的等級。在正規市場上交易的一般就是major、ett、utt這幾種。

utt名字是untested就是未經測試，但實際上最基本的物理測試還是做的，而ett名為effectively

tested，就是通過有效性測試的顆粒，測試工序比utt多了不少，質量也要強不少。

但是它們都沒有經過原廠major顆粒那樣的嚴酷測試。原廠顆粒一般要在測試時通過物理條件來模擬顆粒在惡劣環境下長時間工作幾年老化以後的情況（但不會使顆粒真的老化），能通過這種測試的顆粒當然能夠保證長時間使用的穩定性。只有這樣的顆粒，才有資格打上原廠標。

以上內容參考 網路-內存顆粒

B. 內存晶元的集成電路和CPU的集成電路有沒有區別

內存，先製造晶圓，隨後將晶元的電路元件（晶體管、電阻器和電容器）置於硅晶圓片的分層結構中。構築電路之前，需先在計算機上對電路進行研發、模擬測試和完善。設計完成後，將製造玻璃光掩模——並為每層電路准備一塊光掩模。光掩模是帶有小孔或透明體的不透光板，可以讓光線以特定形狀透過。在無菌的潔凈室環境中，晶圓片將經過多步光蝕刻程序的處理，電路每需要一塊光掩模即重復一次。光掩模可用於 (a) 確定用於構建集成電路的晶體管、電容器、電阻器或連接器的不同部件，及 (b) 定義設備組裝的各層電路圖案。接下來，晶圓片將被統一覆蓋一層具有一定厚度的光敏液體，稱為光刻膠。通過將紫外線光源和晶圓片之間的光掩模對齊，選擇晶圓片的暴露部分。光線將穿過該光掩模的透明區域，並將光刻膠暴露在光線中。暴露在紫外線中時，光刻膠將發生化學變化，從而讓顯影液將曝光的光刻膠去除，並在晶圓片上留下未曝光的部分。電路每多一塊光掩模，就需要多重復一次光刻法/光刻膠程序。蝕刻流程中，將在晶圓片上放置濕酸或干離子氣體，以去除不受硬化的光刻膠保護的氮化層部分。該操作將在晶圓片上留下與所設計的光掩模形狀一致的氮化圖案。使用其他化學劑將硬化的光刻膠去除（清除）後，便可以將數以百計的內存晶元以蝕刻的方式嵌入晶圓片上了。在製造流程的第 I 部分中，所有電路元件（晶體管、電阻器和電容器）均在首次掩膜操作中完成構建。接下來，通過生成一組分層，將這些元件連接起來。要開始連接電路元件，需先在晶圓片上覆蓋一層玻璃絕緣層（被稱為 BPSG），並用接觸式掩模確定每個電路元件的接觸點（或接觸窗）。完成接觸窗蝕刻後，整個晶圓片將在一個濺射室內鍍上一層薄薄的鋁。對鋁層加蓋金屬掩模時，將形成一個薄薄的金屬連接或線路網路，構成電路的路徑。整個晶圓片隨後將覆蓋一層玻璃和氮化硅以避免其在組裝過程中受損。該保護層被稱為鈍化層。隨後則是最後的掩模和鈍化蝕刻程序，從端子（也被稱為焊盤）上去除鈍化材料。將焊盤用於模具至塑料或陶瓷封裝上金屬引腳的電氣連接，集成電路此時即告完成。將晶圓片發往模具組裝前，必須對晶圓片上的每個集成電路進行測試。識別功能和非功能性晶元，並在計算機數據文件中做出標記。然後用金剛石鋸將晶圓片切割成獨立的晶元。非功能性晶元將被廢棄，其餘部分則可用於組裝。這些獨立晶元被稱為晶粒。對晶粒進行封裝前，會將其安裝於引線框上，並用薄金線將晶元上的焊盤與該框相連接，從而在晶粒和引線指之間形成電路。

CPU也是一樣，先是製造晶圓，然後影印(Photolithography) 蝕刻(Etching)在經過熱處理得到的硅氧化物層上面塗敷一種光阻(Photoresist)物質，紫外線通過印製著CPU復雜電路結構圖樣的模板照射硅基片，被紫外線照射的地方光阻物質溶解。而為了避免讓不需要被曝光的區域也受到光的干擾，必須製作遮罩來遮蔽這些區域。這是個相當復雜的過程，每一個遮罩的復雜程度得用10GB數據來描述。接下來停止光照並移除遮罩，使用特定的化學溶液清洗掉被曝光的光敏抗蝕膜，以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅。然後，曝光的硅將被原子轟擊，使得暴露的硅基片局部摻雜，從而改變這些區域的導電狀態，以製造出N井或P井，結合上面製造的基片，CPU的門電路就完成了。為加工新的一層電路，再次生長硅氧化物，然後沉積一層多晶硅，塗敷光阻物質，重復影印、蝕刻過程，得到含多晶硅和硅氧化物的溝槽結構。重復多遍，形成一個3D的結構，這才是最終的CPU的核心。每幾層中間都要填上金屬作為導體。Intel的Pentium 4處理器有7層，而AMD的Athlon 64則達到了9層。這時的CPU是一塊塊晶圓，它還不能直接被用戶使用，必須將它封入一個陶瓷的或塑料的封殼中，這樣它就可以很容易地裝在一塊電路板上了。封裝結構各有不同，但越高級的CPU封裝也越復雜，新的封裝往往能帶來晶元電氣性能和穩定性的提升，並能間接地為主頻的提升提供堅實可靠的基礎。

看清了沒有，關鍵是在影印、蝕刻、分層時，製作的電路是不一樣的。CPU復雜電路結構圖樣的模板比內存晶元的復雜多了。

C. 請問下什麼是內存晶元

內存條上的儲存單元,就是內存上的晶元,什麼是晶元,
內存上的晶元屬於儲存類晶元,屬於臨時儲存,一斷電裡面的信息就丟失.晶元簡單地講就是設計出符合自己應用需要的電路，將非常復雜的電路集成在一枚很小的晶元上。百萬門級的晶元意味著這個晶元可以看作是高端晶元，是邏輯功能強大的標志。
內存的容量大小與晶元密切相關

D. cpu和內存晶元屬於什麼集成電路

cpu採用的集成電力屬於超大規模的集成電路，內存晶元屬於數字集成電路。

1. 中央處理器（cpu），超大規模集成電路（Very Large Scale Integration Circuit，VLSI）是一種將大量晶體管組合到單一晶元的集成電路，其集成度大於大規模集成電路。集成的晶體管數在不同的標准中有所不同。從1970年代開始，隨著復雜的半導體以及通信技術的發展，集成電路的研究、發展也逐步展開。計算機里的控制核心微處理器就是超大規模集成電路的最典型實例，超大規模集成電路設計（VLSI design），尤其是數字集成電路，通常採用電子設計自動化的方式進行，已經成為計算機工程的重要分支之一。

2. RAM隨機存取存儲器 主要用於存儲計算機運行時的程序和數據，需要執行的程序或者需要處理的數據都必須先裝入RAM內，是指既可以從該設備讀取數據，也可以往裡面寫數據。RAM的特點是：計算機通電狀態下RAM中的數據可以反復使用，只有向其中寫入新數據時才被更新；斷電後RAM中的數據隨之消失。
   

E. 晶元存儲數據的原理

1、 sram 裡面的單位是若干個開關組成一個觸發器, 形成可以穩定存儲 0, 1 信號, 同時可以通過時序和輸入信號改變存儲的值。

2、dram, 主要是根據電容上的電量, 電量大時, 電壓高表示1, 反之表示0
晶元就是有大量的這些單元組成的, 所以能存儲數據。

所謂程序其實就是數據. 電路從存儲晶元讀數據進來, 根據電路的時序還有電路的邏輯運算, 可以修改其他存儲單元的數據

F. 主要的四種類型內部存儲器晶元是什麼

按照功能劃分，可以分為四種類型，主要是內存晶元、微處理器、標准晶元和復雜的片上系統（SoCs）。按照集成電路的類型來劃分，則可以分為三類，分別是數字晶元、模擬晶元和混合晶元。

從功能上看，半導體存儲晶元將數據和程序存儲在計算機和數據存儲設備上。隨機存取存儲器（RAM）晶元提供臨時的工作空間，而快閃記憶體晶元則可以永久保存信息，除非主動刪除這些信息。只讀存儲器（ROM）和可編程只讀存儲器（PROM）晶元不能修改。而可擦可編程只讀存儲器（EPROM）和電可擦只讀存儲器（EEPROM）晶元可以是可以修改的。

微處理器包括一個或多個中央處理器（CPU）。計算機伺服器、個人電腦（PC）、平板電腦和智能手機可能都有多個CPU。PC和伺服器中的32位和64位微處理器基於x86、POWER和SPARC晶元架構。而移動設備通常使用ARM晶元架構。功能較弱的8位、16位和24位微處理器則主要用在玩具和汽車等產品中。

標准晶元，也稱為商用集成電路，是用於執行重復處理程序的簡單晶元。這些晶元會被批量生產，通常用於條形碼掃描儀等用途簡單的設備。商用IC市場的特點是利潤率較低，主要由亞洲大型半導體製造商主導。

SoC是最受廠商歡迎的一種新型晶元。在SoC中，整個系統所需的所有電子元件都被構建到一個單晶元中。SoC的功能比微控制器晶元更廣泛，後者通常將CPU與RAM、ROM和輸入/輸出（I/O）設備相結合。在智能手機中，SoC還可以集成圖形、相機、音頻和視頻處理功能。通過添加一個管理晶元和一個無線電晶元還可以實現一個三晶元的解決方案。

晶元的另一種分類方式，是按照使用的集成電路進行劃分，目前大多數計算機處理器都使用數字電路。這些電路通常結合晶體管和邏輯門。有時，會添加微控制器。數字電路通常使用基於二進制方案的數字離散信號。使用兩種不同的電壓，每個電壓代表一個不同的邏輯值。

但是這並不代表模擬晶元已經完全被數字晶元取代。電源晶元使用的通常就是模擬晶元。寬頻信號也仍然需要模擬晶元，它們仍然被用作感測器。在模擬晶元中，電壓和電流在電路中指定的點上不斷變化。模擬晶元通常包括晶體管和無源元件，如電感、電容和電阻。模擬晶元更容易產生雜訊或電壓的微小變化，這可能會產生一些誤差。

混合電路半導體是一種典型的數字晶元，同時具有處理模擬電路和數字電路的技術。微控制器可能包括用於連接模擬晶元的模數轉換器（ADC），例如溫度感測器。而數字-模擬轉換器（DAC）可以使微控制器產生模擬電壓，從而通過模擬設備發出聲音。

G. 內存是由內存晶元、電路板、金手指等部分組成的。金手指是什麼意識

金手指就是底下那兩行一列列的金黃色銅皮,每面各一行,用它來和內存插槽上的接觸片接觸.

H. 存儲器晶元由哪些電路組成其作用是什麼

用2k*4的RAM晶元組抄成32KB的外擴存儲器，共需襲晶元32片。晶元指內含集成電路的矽片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備的一部分。存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。

I. 存儲器晶元屬於哪種集成電路

存儲器晶元屬於數字集成電路。
RAM隨機存取存儲器 主要用於存儲計算機運行時的程序和數據，需要執行的程序或者需要處理的數據都必須先裝入RAM內，是指既可以從該設備讀取數據，也可以往裡面寫數據。RAM的特點是：計算機通電狀態下RAM中的數據可以反復使用，只有向其中寫入新數據時才被更新；斷電後RAM中的數據隨之消失。
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要佔用一部分面積。
ROM只讀存儲器，是指只能從該設備中讀取數據而不能往裡面寫數據的存儲器。Rom中的數據是由設計者和製造商事先編好固化在裡面的一些程序，使用者不能隨意更改。ROM主要用於檢查計算機系統的配置情況並提供最基本的輸入輸出（I/O）程序，如存儲BIOS參數的CMOS晶元。Rom的特點是計算機斷電後存儲器中的數據仍然存在。
PROM （Programmable Read-Only Memory）可編程只讀存儲器，也叫One-Time Programmable (OTP)ROM「一次可編程只讀存儲器」，是一種可以用程序操作的只讀內存。最主要特徵是只允許數據寫入一次，如果數據燒入錯誤只能報廢。
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可編程ROM）晶元可重復擦除和寫入，解決了PROM晶元只能寫入一次的弊端。EPROM晶元有一個很明顯的特徵，在其正面的陶瓷封裝上，開有一個玻璃窗口，透過該窗口，可以看到其內部的集成電路，紫外線透過該孔照射內部晶元就可以擦除其內的數據，完成晶元擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM內資料的寫入要用專用的編程器，並且往晶元中寫內容時必須要加一定的編程電壓（VPP=12—24V，隨不同的晶元型號而定）。EPROM的型號是以27開頭的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM晶元。EPROM晶元在寫入資料後，還要以不透光的貼紙或膠布把窗口封住，以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。 EPROM晶元在空白狀態時（用紫外光線擦除後），內部的每一個存儲單元的數據都為1（高電平）。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電後數據不丟失的存儲晶元。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。EEPROM（電可擦寫可編程只讀存儲器）是可用戶更改的只讀存儲器（ROM），其可通過高於普通 EEPROM電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM晶元，EEPROM不需從計算機中取出即可修改。在一個EEPROM中，當計算機在使用的時候是可頻繁地重編程的，EEPROM的壽命是一個很重要的設計考慮參數。EEPROM的一種特殊形式是快閃記憶體，其應用通常是個人電腦中的電壓來擦寫和重編程。 EEPROM,一般用於即插即用（Plug & Play）。 常用在介面卡中，用來存放硬體設置數據。
Flash Memory，也稱快閃記憶體（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位（注意：NOR Flash 為位元組存儲。），區塊大小一般為256KB到20MB。快閃記憶體是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與快閃記憶體不同的是，它能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫，這樣快閃記憶體就比EEPROM的更新速度快。由於其斷電時仍能保存數據，快閃記憶體通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、PDA（個人數字助理）、數碼相機中保存資料等 。
4

J. 目前計算機使用的處理器和存儲器晶元主要是什麼電路

目前計算機使用的處理器和存儲器晶元主要是VLSI超大規模集成電路。

超大規模集成電路（ Very Large Scale Integration Circuit，VLSI）是一種將大量晶體管組合到單一晶元的集成電路，其集成度大於大規模集成電路。

集成的晶體管數在不同的標准中有所不同。從1970年代開始，隨著復雜的半導體以及通信技術的發展，集成電路的研究、發展也逐步展開。

計算機里的控制核心微處理器就是超大規模集成電路的最典型實例，超大規模集成電路設計（ VLSI design），尤其是數字集成電路，通常採用電子設計自動化的方式進行，已經成為計算機工程的重要分支之一。

(10)內存晶元電路擴展閱讀：

世界上超大規模集成電路廠（Integrated Circuit， 簡稱IC，台灣稱之為晶圓廠）主要集中分布於美國、日本、西歐、新加坡及台灣等少數發達國家和地區，其中台灣地區佔有舉足輕重的地位。

但由於近年來台灣地區歷經地震、金融危機、政府更迭等一系列事件影響，使得本來就存在資源匱乏、市場狹小、人心浮動的台灣島更加動盪不安，於是就引發了一場晶圓廠外遷的風潮。而具有幅員遼闊、資源充足、巨大潛在市場、充沛的人力資源供給等方面優勢的祖國大陸當然順理成章地成為了其首選的遷往地。