① IGBT吸收電路為什麼很少用C直接吸收
直接用C吸收,應用於直流正負母線上,即跨接在一個半橋上,若單管IGBT直接用C吸收,會引起半橋短路(電容隔直通交)
② 尖峰吸收電路是什麼意思啊
開關電源中在開關管截止的瞬間,會在開關變壓器初級感應出一個反向高回脈沖電壓,容易損壞開關管答。為此在變壓器初級並聯一個由高壓電容和快恢復二極體組成的脈沖吸收迴路,給這個反向高脈沖電壓提供一個放點通路,保護開關管。這個迴路就叫尖峰吸收迴路。
③ RC吸收電路原理
RC吸收電路原理抄~(個人理解說的不對不要扔磚頭)
相對於輸入源來講電容和電阻並聯~
正常的時候,輸入源的電壓電流穩定`電流通過電阻R向負載供電
但輸入源電壓出現波動的時候,(波動可看到幅度不穩定的交流)
大家都知道電容是隔直通交``交流電通過電容進行充電`此時直流電還是通過
電阻R向負載供電`這樣就能夠使負載保持相對穩定的電壓`
④ 晶閘管並吸收電路的作用
晶閘管並吸收電路的作用:
在沒有RC阻容吸收時,有一條反壓很高波形,回加了RC後,吸收或抑制答了下反壓增加因素,使器件電壓擊穿損壞減少。
加了RC吸收後,電路換相過零時,RC電容上電壓特性相反,使器件加入反相電壓,從而使器件可靠關斷。
晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。
(4)吸收電路擴展閱讀:
當晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導通,必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。因此,兩個互相復合的晶體管電路,當有足夠的門極電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導通,晶體管飽和導通。
設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2;發射極電流相應為Ia和Ik;電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設流過J2結的反相漏電電流為Ic0。
⑤ 我想做一個阻容吸收電路用來吸收尖峰電壓值,手裡有一個1uF188v的 ,不知道電阻該選多大的 ,希望大家幫助
嗯,先要明白概念:
阻容是應對交流電的,是一個頻敏元件,不同於壓敏元件,,主要針對於電壓的瞬間振盪和高頻電流,而且對於瞬態尖峰,效果很差或者說沒有,成熟的瞬態抑制一般都用:壓敏電阻,瞬態抑制二極體(TVS),保護用可控硅,雪崩二極體,氣體放電管等成熟器件,一般使用中使用一個就行了。
阻容只能用於濾波和防干擾,一般對於交流電力驅動的小功率負載,取100歐姆和0.05uF(瓷片電容),大容量的電容針對低頻干擾,小容量的針對高頻干擾,這個可以根據容抗計算。
計算阻容的值要有以下數據(或者粗略的):
工作電壓,工作頻率,干擾頻率,負載阻抗
1、電容電壓不得小於工作電壓的1.5倍,正極電壓谷值(波形最低端)如果始終不低於負極則可以用電解電容。
2、電阻至少大於或等於10倍負載阻抗(阻性負載,感性負載用電壓除電阻不得大於線路保護電流的100分之一【這個我沒試驗過,僅供參考】)。
3、確定干擾頻率,才能確定電容容值,根據容抗公式,
你的1uF電容針對於55赫茲的交流電來說有2.89千歐的阻抗,雖然夠大,但是對電路干擾的阻抗同樣大,如果是1K赫茲的干擾,容抗達到159歐姆(理論計算值),所以不適用於濾波,一般高頻濾波電容沒有大於0.1uF的,一般都是0.01uF。
最後,資料僅供參考,我也沒有科學論證過,如果造成您的設備爆炸什麼的,不承擔責任。
⑥ RCD吸收電路的RCD吸收電路的原理
若開關斷開,蓄積在寄生電感中能量通過開關的寄生電容充電,開回關電壓上升。答其電壓上升到吸收電容的電壓時,吸收二極體導通,開關電壓被吸收二極體所嵌位,約為1V左右。寄生電感中蓄積的能量也對吸收電容充電。開關接通期間,吸收電容通過電阻放電。
⑦ 大神解釋一下這個吸收電路作用
1. RCD尖峰吸收電路
2. 吸收高頻變壓器線圈產生的電動勢
⑧ RCD吸收電路如何設計
上面的回答有幾處錯誤,
1. 1/2(Lleak*Ipeak^2*(Vsnub/(Vsnub-N*Vout))) 是能量單位J 焦耳,計算功率P還應再乘以工作頻率內F(Hz)。容
2. 鉗位電壓一般選擇為反射電壓的1.4倍左右,這樣的綜合損耗通常最低。
選取電阻和電容時,應先估算幾個參量,匝比,初級峰值電流,鉗位電壓,另外有些參數不可忽略如次級整流管壓降,變壓器二次側漏感(尤其匝比比較大的時候)。有了這些參數之後,基本可以計算電阻了,P=V^2/R即可,選擇一個紋波電壓值Vr,如選為鉗位電壓的10%,C=I*T/Vr即可。
初步選定後,整機再做調整,即可得到合適的參數。離線式的反激電源,100K左右的頻率,最終的參數一般電阻為幾十千歐,電容為幾納法,否則計算的一定不合理或設計的不合理。
⑨ 尖峰吸收電路的原理是什麼
在圖中所示的電路中。
尖峰吸收電路
在開關管VT截止的瞬間,其集電極上產生的反峰專值電壓屬經C1、R1構成充電迴路,充電電流使尖峰電壓被控制在一定范圍內,以免開關管被擊穿。當C1充電結束後,C1通過開關變壓器T的初級繞組、300V濾波電容、地、R1構成放電迴路。因此,當R1取值小時,雖然利2.對尖峰電壓的吸收,但增大了開關管的開啟損耗;當R1取值大時,雖然降低了開關管的開啟損耗,但降低了對尖峰電壓的吸收。
⑩ 什麼叫尖峰吸收迴路電路
開關電源中在開關管截止的瞬間,會在開關變壓器初級感應出一個反向高脈沖回電壓,容易損壞開關管。答為此在變壓器初級並聯一個由高壓電容和快恢復二極體組成的脈沖吸收迴路,給這個反向高脈沖電壓提供一個放點通路,保護開關管。這個迴路就叫尖峰吸收迴路。