施密特電路

1. 施密特觸發器/單穩態觸發器、多諧振盪器各電路都有什麼作用

施密特觸發器/單穩態觸發器等等觸發器根據他們的功能具有值位作用，就是在輸入端R,S上面給定一個特定的0或者1，在輸出端Q上面得到1或者0。用於計算機晶元的置位、復位電路。
多諧振盪器是沒有穩定狀態的輸出，一旦給電就會在輸出端得到不停變換的0和1，變換的頻率決定於電阻電容的參數。用於直流電變成交流電的使用場合。

2. 施密特觸發器有什麼具體作用

施密特觸發器作用是兩個臨界電壓且形成一個滯後區，可以防止在滯後范圍內之雜訊干擾電路的正常工作。如遙控接收線路，感測器輸入電路都會用到它整形。

施密特觸發器也有兩個穩定狀態，但與一般觸發器不同的是，施密特觸發器採用電位觸發方式，其狀態由輸入信號電位維持；對於負向遞減和正向遞增兩種不同變化方向的輸入信號，施密特觸發器有不同的閥值電壓。

門電路有一個閾值電壓，當輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時電路的狀態將發生變化。施密特觸發器是一種特殊的門電路，與普通的門電路不同，施密特觸發器有兩個閾值電壓，分別稱為正向閾值電壓和負向閾值電壓。

在輸入信號從低電平上升到高電平的過程中使電路狀態發生變化的輸入電壓稱為正向閾值電壓，在輸入信號從高電平下降到低電平的過程中使電路狀態發生變化的輸入電壓稱為負向閾值電壓。正向閾值電壓與負向閾值電壓之差稱為回差電壓。

(2)施密特電路擴展閱讀

利用施密特觸發器狀態轉換過程中的正反饋作用，可以把邊沿變化緩慢的周期性信號變換為邊沿很陡的矩形脈沖信號。輸入的信號只要幅度大於vt+，即可在施密特觸發器的輸出端得到同等頻率的矩形脈沖信號。

當輸入電壓由低向高增加，到達V+時，輸出電壓發生突變，而輸入電壓Vi由高變低，到達V-，輸出電壓發生突變，因而出現輸出電壓變化滯後的現象，可以看出對於要求一定延遲啟動的電路，它是特別適用的。

從感測器得到的矩形脈沖經傳輸後往往發生波形畸變。當傳輸線上的電容較大時，波形的上升沿將明顯變壞；當傳輸線較長，而且接受端的阻抗與傳輸線的阻抗不匹配時，在波形的上升沿和下降沿將產生振盪現象。

當其他脈沖信號通過導線間的分布電容或公共電源線疊加到矩形脈沖信號時，信號上將出現附加的雜訊。無論出現上述的那一種情況，都可以通過用施密特反相觸發器整形而得到比較理想的矩形脈沖波形。

只要施密特觸發器的vt+和vt-設置得合適，均能受到滿意的整形效果。

3. 多諧振盪器,單穩態觸發器,施密特觸發器三者電路怎麼區分

多諧振盪器可以直接產生矩形脈沖信號，單穩態和施密特可以對波形信號進行變換和整形

4. 施密特電路有什麼作用

電路的功能都是因情況而定的，同樣的功能在不同的電路中，可以有不同的效果。就比回如555，有的人用他答來產生時鍾基頻，有的用他來產生可調占空比脈沖。但他的原理其實很簡單，就是產生脈沖。掌握原理，不電路環境的約束，你才能更合理的運用它。施密特觸發器的原理，可以說，就是上升和下降電平不一樣的比較器電路吧。一般可以在它周圍加電容，用來構成脈沖發生，以控制其他電路。就比如把，有時候，施密特觸發器構成的電路，可以在施密特觸發器接受一個高電平時，發出一個極短時間的脈沖。但這並不是施密特的固定用法。

5. 圖中的施密特觸發器電路中，電平偏移電路是怎樣工作的，求解釋

這里電平偏移也叫電平位移，主要是通過二極體的0，7V的導通電壓來進行的；版
這樣，T2集電極電壓，經過權T3、D5後，就降低了1.4V；
要使T4、T5導通，T4基極電壓就需要1.4V，如果T2集電極輸出高電平也取1.4V，那麼T3、D5就不需要了。可是這個電壓不足以保證T1、T2正常工作，因此才出現T2集電極到T4基極之間出現電壓差，就需要做電平移位。

6. 請問 ：施密特反相器在電路中有什麼作用

以ttl為例，穩定的邏輯電平是：輸入低電平電壓
≤
0.8v，輸入高電平電壓
≥
2v。由於器件製造內的離散性，0.8v＜輸容入電壓＜2v的區域，邏輯是不穩定的，而在許多場合輸入電壓是不規范的，這時就要用施密特觸發器整形，輸出產生規范的數字信號電平，當電路同時需要反相信號時，就選用施密特反相器。至於施密特整形的原理，你看以下鏈接。
http://ke..com/view/172185.htm
許多復雜的集成電路的輸入端子，也帶有施密特功能，這樣可以增強抗干擾能力，避免誤觸發。

7. 由555定時器構成的施密特觸發器,當Vcc=12V且外接控制電壓Vcon=6V時,V+,V-。。。如圖

這個東西你可以參考一下數字電路教科書。
555組成的施密特觸發器，當外接電壓作為控制信號時，V+=Vcon=6V，而V-=1/2 *Vcon=3V，回差電壓就是3V。

8. 施密特電路圖

施密特觸發器不同於前述的各類觸發器，它具有以下特點：
1. 施密特觸發器屬於電平觸發，對於緩慢變化的信號仍然適用，當輸入信號達到某一定電壓值時，輸出電壓會發生突變。
2. 輸入信號增加和減少時，電路有不同的閾值電壓，它具有如圖10.9.1所示的傳輸特性。

10.9.1 CMOS門電路組成的施密特觸發器
由CMOS門組成的施密特觸發器如圖10.9.2所示。電路中兩個CMOS反相器串聯，分壓電阻R1、R2將輸出端的電壓反饋到輸入端對電路產生影響。

（a）邏輯電路 （b）邏輯符號
圖10.9.1 施密特電路的傳輸特性 圖10.9.2 CMOS反相器組成的施密特觸發器
假定電路中CMOS反相器的閾值電壓Vth≈VDD/2，R1< R2,且輸入信號vI為三角波，下面分析電路的工作過程。
由電路不難看出，G1門的輸入電平vⅠ1決定著電路的狀態，根據疊加原理有：

當vⅠ=0V時，G1門截止，G2門導通，輸出端vO=0V。此時vⅠ1≈0V。輸入從0V電壓逐漸增加，只要vⅠ1< Vth，則電路保持vO=0V不變。當vⅠ上升使得vⅠ1=Vth時，使電路產生如下正反饋過程：
這樣，電路狀態很快轉換為vO≈VDD， 此時VⅠ的值即為施密特觸發器在輸入信號正向增加時的閾值電壓，稱為正向閾值電壓，用VT+表示。即由式

得

所以

當vⅠ1>Vth時，電路狀態維持vO=VDD不變。vⅠ繼續上升至最大值後開始下降，當vⅠ1=Vth時，電路產生如下正反饋過程：

這樣電路又迅速轉換為vO≈0V的狀態，此時的輸入電平為vⅠ減小時的閾值電壓，稱為負向閾值電壓，用VT+表示。根據式

此時有

將VDD=2Vth代入可得

只要滿足vⅠ< VT-，施密特電路就穩定在vO≈0V的狀態。由式和式可求得回差電壓為
ΔVT=VT+-VT-
上式表明，回差電壓的大小可以改變R1、R2的比值來調節。電路工作波形及傳輸特性如圖10.9.3 所示。
圖10.9.3 施密特觸發器工作波形及傳輸特性
施密特反向器

10.9.2 用TTL門構成的施密特觸發器
圖10.9.4所示為用兩個TTL門構成的施密特觸發器電路。圖中 G1為與非門，G2為反相器，vⅠ通過電阻R1和R2來控制門的狀態。因為R1R2值不能取很大，因此串接二極體D,防止vO=VOH時,G2的負載電流過大。

圖10.9.4 兩級TTL門構成的施密特觸發器
當輸入vⅠ=0時，門G1截止，vO=VOH；門G2導通，輸出vO=VOL。當vⅠ逐步上升，使二極體D導通，則:

式中，VD為二極體D導通壓降，VOL≈0.3V≈0V.當v1上升到Vth時，由於G1另一輸入端v1』仍低於Vth，電路狀態不變。當vⅠ逐步上升至使v1』≥Vth(Vth為TTL門閾值電平）時，門G1將由截止轉為導通；門G2由導通轉為截止，vO=VOH，觸發器發生一次翻轉。此時vⅠ為上限觸發電平,如果忽略v1』＝Vth時G1的輸入電流，則可得到
故得

只要輸入vⅠ>VT+，觸發器就處於輸出 vO=VOH的穩定狀態。
當輸入vⅠ逐步下降時，只要vⅠ≤Vth，門G1將由導通轉為截止，vO=VOH；門G2由截止轉為導通，vO=VOL，觸發器再次發生翻轉，此時vⅠ為下限觸發電平VT-=Vth，因此，電路的回差電壓

調整電阻R1和R2得分壓值，可以改變回差大小。其工作波形如圖10.9.3所示。

10.9.3 集成施密特觸發器
在集成門電路中，帶有施密特觸發器輸入的反相器和與非門,如施密特CMOS六反相器CC40106,施密特TTL四輸入雙與非門CT5413/CT7413等。集成施密特觸發器性能穩定，應用廣泛，下面以CMOS集成施密特觸發器CC40106為例介紹其工作原理。
圖10.9.5 CMOS集成施密特觸發器電路 (a) 電路圖 (b) 邏輯符號 (c) 傳輸特性曲線
由圖10.9.5(a)可見，它由施密特電路、整形及和緩沖輸出級組成。
1.施密特電路
施密特電路由P溝道MOS管TP1～TP3、N溝道MOS管TN4～TN6組成，設P溝道MOS管的開啟電壓VGS為VTP，N溝道MOS管開啟電壓VGS為VTN，輸入信號vⅠ為三角波。
當vⅠ=0時，TP1、TP2導通，TN4、TN5截止，電路中vO』為高電平（vO』≈VDD），TP9截止，TN10導通，v」為低電平，使TP11導通，TN12截止，vO=VOH。v0"使TP7導通，TN8截止，維持vO』≈VDD,vO』的高電平同時使Tp3截止，TN6導通且工作於源極輸出狀態。即TN5的源極TN4的漏極電位vS5≈VDD-VTN6，該電位較高。
vⅠ電位逐漸升高，當vⅠ>VTN4時，TN4先導通，由於TN5其源極電壓vS5較大，即使vⅠ>VDD/2，TN5仍不能導通，直至vⅠ繼續升高直至TP1、TP2趨於截止時，隨著其內阻增大，vO』和vS5才開始相應減少。
當vⅠ-VS5≥VTN5時，TN5導通，並引起如下正反饋過程：
於是TP1、TP2迅速截止，vO』為低電平，電路輸出狀態轉換為vO=0。
vO』的低電平使TN6截止，TP3導通且工作於源極輸出器狀態，TP2的源極電壓vS2≈0-VTP。
同理可分析，當vⅠ逐漸下降時，電路工作過程與vⅠ上升過程類似，只有當│vⅠ-vS2│>│VTP│時，電路又轉換為vO』為高電平，vO=VOH的狀態。
在VDD>>VTN +│VTP│的條件下，電路的正向閾值電壓VT+遠大於VDD/2，且隨著VDD增加而增加。在vⅠ下降過程中的負向閾值電壓VT-也要比VDD/2低得多。
由上述分析可知，電路在vⅠ上升和下降過程分別有不同的兩個閾值電壓，具有施密特電壓傳輸特性。其傳輸特性如圖10.9.3所示。
2.整形級
整形級由TP7、TP8、TP9、T10組成，電路為兩個首尾相連的反相器。在vO』上升和下降過程中，利用兩級反相器的正反饋作用可使輸出波形有陡直的上升沿和下降沿。
3.輸出級
輸出級為TP11和TN12組成的反相器，它不僅能起到與負載隔離的作用，而且提高了電路帶負載能力。
圖10.9.6所示為4輸入與非門（TTL）電路，圖中D1～D4構成四輸入二極體與門，T1、T2構成射級耦合雙穩態觸發器（施密特觸發器），T3、D5是射級跟隨器，完成電平轉移，T4、T5、T6構成推拉式輸出電路。
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9. 555電路組成施密特觸發器 AD怎麼畫

將555定時器閾值輸入端th和觸發器輸入端¯
tr連在一起作為觸發器信號u1輸入端，並且從out端取出u0，就構成一個反向輸出施密特觸發器。希望可以幫到你，望採納哈！

10. 求一個施密特觸發器實現的方波發生器， 電路越簡單越好

給你個用74LS19六反相器（施密特觸發）構成的方波發生器電路作參考

可用的施密特觸發器晶元還有很多，自己找找