eak電路

『壹』 菜鳥請求大家能幫我詳細的解釋一下這個電路中，VT1 與VT2是怎樣交替導通的。

物理定理，定律，公式表
粒子的運動（1）------直線運動
1）勻變速運動
1平均速度V = S / T級（定義）。有用的推論VT2-VO2 = 2AS
3。中間的速度Vt / 2 = V水平=（VT + VO）/ 4決賽中速度VT = VO +
中間位置，速度VS / 2 = [（VO2 + VT2）/ 2] 1/2 6。位移s = V平T = VOT + AT2 / 2 = Vt/2t
7。加速度a =（VT-VO）/ T {VO是一個積極的方向，和Vo是相同的方向（加速度）> 0;扭轉A <0}
實驗的推論Δs的= AT2 {ΔS是連續的相鄰相等的內部位移差（T）}
9。物理量及單位：初速度（VO）：米/秒，加速度（a）：m/s2末速度（Vt）：m / s的時間（t）秒（s）;位移（s）：米（M）;到家：米速度單位換算：1米/秒=3.6公里每小時。
注意：
（1）的平均流速是一個向量;
（2）對象的速度，加速度是不一定大;
（3）=（Vt的-Vo級） /噸的措施，而不是確定的模式;
（4）其它相關內容：質量，位移和路程，參考系，時間和時間[看到的第一個卷P19] / S - T圖，V - 噸圖/速度和速率的瞬時速度看第一卷P24]。
2）自由下落
1。初始速度VO = 0 2。終端速度Vt = GT
3。下降高度h = GT2 / 2（計算）4 VO位置下來。推論VT2 = 2GH
註：
（2）= G = 9.8米/
（1）自由落體的勻加速直線運動，初速度為零遵循勻變速運動規律; S2≈10m/s2（在赤道附近的重力加速小，在高山上比平地的方向直降小）。拋體運動

（3）垂直位移s = VOT-GT2 / 2。終端速度Vt = VO-GT（G = 9.8m/s2≈10m/s2）
3。有用的推論VT2攝氧量=-2GS 4。上升的最大高度Hm = Vo2/2g（拋出點計算）
往返時間T = 2Vo /克（從拋出落回原來的位置時）
請注意： />（1）處理的全過程：向上為正方向勻減速直線運動，加速度為負;
（2）分段處理：向上為勻減速直線運動的自由落體，與對稱;
（3）的上升和下落的過程中，對稱性，如在同一個點的速度等值反向。
粒子的運動（2）----曲線運動，萬有引力
1）平拋運動
1。水平方向，速度：VX = VO 2。垂直方向，速度：VY = GT
3。水平位移：X = VOT 4。垂直位移為：y = GT2 / 2
運動時間t =（2Y /克）1/2（通常表示為（2H / g）的1/2）
6。閉速度Vt =（VX2 + VY2）1/2 = [VO2 +（GT）2] 1/2
合閘速度方向和水平角度β：tgβ= Vy速度/ Vx的= gt/V0
7。總排量：S =（X2 + Y2）1/2，
位移方向與水平面夾角α：tgα= Y / X = GT / 2Vo
8。水平加速度：AX = 0，垂直加速度：AY = G
註：
（1）卧式拋體運動，勻變速曲線運動，加速度g，通常可以看作是一個合成的自由落體勻速直線運動的水平方向和垂直方向上;
（2）掉落高度h（y）的運動決定水平拋出速度無關;
（3）θ和β之間的關系tgβ=2tgα;
（4）的時間t是解決關鍵的平坦的拋物線的運動，（5）的曲線運動的對象必須速度和力的方向的加速度，當遭受曲線運動（加速度）的方向是不相同的直線，對象指南。
2）勻速圓周運動
線速度V = S / T =2πR/ T 2。角速度ω=Φ/噸=2π/ T =2πF
向心加速度= V2 / R =ω2r=（2π/ T）2R 4。同心F心= MV2 / R =mω2r= MR（2π/ T）2 =mωv= F一起
5周期和頻率：T = 1 / F 6。角速度和線速度的關系：V =ωR
角速度和速度ω=2πN（相同的頻率和速度的意義在這里）
8主要物理量和單位：電弧長度（s）： m個（m）角度（Φ）：弧度（RAD），頻率（F）：他（HZ）;周期（T）：秒（s），轉速（n）：R / S;半徑（R）：米（米）的線速度（V）：m / s的角速度（ω）：為rad / s，向心加速度：m/s2之間。
注意：
（1）向心力可以由一個特定的力的提供，還可以提供由力還可以提供由分力的方向的方向總是垂直於速度，指向圓心;
（2）做勻速圓周運動的物體，向心力等於力，向心力只改變速度的方向，不改變大小的速度，使對象的動能保持不變，和向心力，沒有做的工作，但的勢頭正在發生變化。
）引力
1。開普勒第三定律：T2/R3 = K（=4π2/GM）{R：軌道半徑，T：周期，K：常數（做了行星的質量無關。取決於質量的核心對象）}
2。萬有引力定律：F = Gm1m2/r2（G = 6.67×10-11N？m2/kg2方向在它們的連線）
3。天體由於重力和加速度的比重：GMm/R2 =毫克; G = GM/R2 {R：天體半徑（m），M：天體質量（kg）}
4顆衛星的軌道速度，角速度，周期：V =（GM / R）1/2;ω=（GM/r3）1/2; T =2π（r3/GM）的1/2 {M：中心天體的質量}
第一（第二3）宇宙速度V1 =（G地方R地）1/2 =（GM / R接地）1/2 =7.9公里/秒; V2 =11.2公里/秒; V3 =16.7公里/秒
地球同步軌道衛星GMM /（R + h）的2 =m4π2（R至+ H）/ T2 {≈36000公里從地球的表面河，h：高度：地球的半徑}
註： BR />（1）天體運動所需的向心力是由引力，F = F 000;
（2）應用萬有引力定律可估算天體的質量密度;
（3 ）對地靜止衛星在赤道上空運行，運行周期與地球的自轉周期是相同的;
（4）衛星軌道半徑小時，勢能變小，較大的動能，速度，更大的周期較小（與3反）; >（5）地球衛星環繞速度和最小的傳輸速度是7.9公里/ s的。
力（常見的力，力的合成與分解）
1）常見的力
1。重力G =毫克（直降方向，G = 9.8m/s2≈10m/s2，點的重心，適用於地球表面附近）
胡克定律F = KX {方向沿著回收變形方向，K：剛性系數（N / m的），X：變形（米）}
3。滑動摩擦力F =μFN{物體??的運動方向相反μ：摩擦系數，FN：正壓力（N）}
靜摩擦力0≤F靜態≤FM（相對運動方向發展的趨勢和對象相反，fm為最大靜摩擦力）
5引力F = Gm1m2/r2（G = 6.67×10-11N？m2/kg2，其連接的方向）
6。電場力F = kQ1Q2/r2（K = 9.0×109N？m2/C2，其連接的方向）
7。電場力F =式（E：電場強度N / C，問：電力?，正電荷，在電場力的磁場方向相同）
8。安培力F =BILsinθ（θ為B和L的角度，當L⊥B：F = BIL，B / / L時：F = 0）
9。洛倫茲力f =qVBsinθ（θB和V，當V⊥B：F = QVB，V / /：f = 0時）
註：
（1）的剛度系數k的角度確定由彈簧本身;
（2）獨立的摩擦系數μ和壓力的大小和接觸面積的大小，由接觸表面的表面狀態的決定的材料性質;
（3）調頻稍大比μFN，通常被視為FM≈μFN;
（4）其它相關內容：靜摩擦力（大小，方向）卷P8];
（5）物理量符號及單位B：磁感應強度（T），L：有效長度（m），I：電流強度（A），V：帶電粒子速度（米/秒），Q：帶電粒子（帶電體）電源（C）;
（ 6）安培力的洛倫茲力的方向是用左手判斷。組合和分解

2）力。同一條直線上力的合成：F = F1 + F2，反向：F = F1-F2（F1> F2）

F. =（F12 + F22 +2角度力的合成：F1F2cosα ）1/2（餘弦）F1⊥F2的法律：F =（F12 + F22）1/2
3。在一起的Fx的=Fcosβ，Fy的=Fsinβ，（β連同與x軸的正交tgβ= Fy的尺寸范圍內：| F1-F2 |≤F≤| F1 + F2 |
4。力分解之間的角度/ FX）
註：
（1）力（矢量）的合成和分解遵循平行四邊形;
（2）聯合部隊的受力零件之間的關系是等價的替代品可用合力替代建立分力在一起，反之亦然;
（3）在除了式方法中也可以被用來作為一個圖方法要選擇縮放嚴格映射;
F1和F2（4）的值是恆定的，較大的角度（α角）的F1和F2，迫使越小;
的合成（5）的同一條直線上的力，可以沿一條直線的正方向，用符號表示的方向力，從而簡化了代數運算。
動能（運動和力）
1。牛頓第一運動定律（慣性定律）：物體具有慣性始終保持勻速直線運動或靜止狀態，直到有外力迫使它改變這三個國家至今
牛頓第二運動定律：F合共= mA或A = F合/ MA {與合作的總的外部決定，在外力的方向}
3。牛頓第三運動定律：F =-F'{負號表示方向相反，F，F'各自在對方，平衡和力反應力差，實際應用：反沖運動}
共通點力平衡F一起= 0，推廣{正交分解法，三所收集的原則}
5超重：FN> G，失重：FN <G {加速向下的方向是失重，加速度向上，超重} BR /> 6。牛頓運動規律的適用條件：適用於適用於宏觀物體低速運動問題，不適用於高速加工的問題並不適用於微觀粒子[請參閱P67卷]
注意：平衡狀態是指該對象是在靜止或勻速直線狀態，或勻速轉動。
振動與波（機械振動和機械振動的傳播）
簡諧准F = KX {F：恢復力，K：比例系數，x：位移，負號表示F的方向所述始終扭轉}
2。擺周期T =2π（L / G）1/2 {L：擺長度（m）G：的局部加速度的重力值既定的條件下：擺角θ> R}
3 。受迫振動頻率特性：F = F驅動力
4。共振條件：F驅動力= F固體，A =最大值，共振預防卷P175]
機械波，橫波和縱波卷II P2]
波速度V = S / T =λF =λ/ T {波的傳播和應用[見一個周期向前傳播的波長，波速度的大小是由介質本身}
聲波速度（在空氣中）0°C：332米/秒; 20°C：344米/ S，30°C：349米/秒;（聲波是縱波）
8波明顯的衍射（波繞過障礙物或孔繼續傳播）條件：障礙物的大小孔比光的波長，或相差不大
9。波干擾的情況下：相同的兩波的頻率（相差恆定的幅度相似，相同的振動方向）
10多普勒效應：由於波源和觀測者之間的相互運動，產生不同的波源發射頻率和接收頻率{彼此接近，接收頻率的增加，反之亦然，減少[見第II卷P21]}
注意：
（1）的固有頻率和振幅的對象，不管驅動力的頻率，取決於振動系統本身;
（2）加強區峰和波峰或波谷和波谷滿足在薄弱區的波峰和波谷滿足;
（3 ）波傳播的振動，介質本身波不發生遷移的方式來傳遞能量;
（4）干涉和衍射的一些波特
（5）振動圖像和波動圖像;
（六）其他有關：超聲波及其應用[見第二卷P22] /振動能量轉換[，第一卷P173]。
六，沖量和動量（強制的變化勢頭對象）
勢頭：p = mv的電話號碼：動量（千克/秒），M：質量（kg），V：速度（m /秒），同樣的方向和速度方向}
沖動：I = FT {I：脈沖（N），F：恆力（N），T：力的作用時間（S），方向是確定的F}
動量定理：I =ΔPFT = MVT-MVO {△P：動量變化ΔP= MVT-MVO，是向量}
5。動量守恆定律：P前= p或p =''也可以是m1v1 + m2v2 = m1v1'+ m2v2'
6。彈性碰撞：在ΔP= 0;ΔEk= 0 {系統的動量和動能守恆}
7。非彈性碰撞ΔP= 0，0 <ΔEK<ΔEKm{ΔEK：動能的損失，EKM：損失的最大動能}
完全非彈性碰撞ΔP= 0;ΔEK=ΔEKm{碰在一起成一整體}
9。對象M1彈性速度和M2早期v1的一個靜止的物體的被觸摸的
v1的'=（M1-M2）/（M1 + M2）v1的v2的'= 2m1v1 /（M1 + M2）
10 。 9 -----優質彈性觸感，當兩個開關速度（動能守恆，動量守恆）
11發子彈米的水平速度VO事件靜止的長木塊放置在一個水平的光滑曲面M，並嵌入在推論他們一起移動時，機械能損失
?損失= mvo2/2-（M + m）的，VT2 / 2 = fs的相對{名詞：一個共同的速度，傳真：電阻的相對位移的子彈相對長的木件}??
註：
（1）被感動了，也被稱為中央碰撞速度方向，在他們的「中心」連接;
（2）上述表達式的計算是矢量除了為動能，在理想成一維的代數運算;
（3）系統保護的勢頭條件的情況下，積極的方向發展：總的外力為零或系統外力，系統動量守恆（碰撞問題，爆炸問題，反沖）;碰撞過程
（4）（在很短的時間內，碰撞的物體構成的系統）的保護的勢頭，核衰變，動量守恆定律;
（5）爆炸過程中動量守恆定律，化學能轉化為動能，動能增加;（6）其它相關內容：反沖，火箭和空間技術的發展和宇宙的航程[見第二卷P128]。
七，功和能（電源的能量轉換是衡量）
功能：W =Fscosα（定義）{W：功能（J），F：恆力（N），S：位移（M）之間的夾角，α：F，S}
重力作用：WAB = mghab {m：質量的對象，G = 9.8m/s2≈10m/s2哈：A和B的高度差（HAB = HA-HB）}
電場力作用：WAB = qUab【q：用電量（C），UAB：A和B之間的電勢差（V），UAB =ΦA，ΦB}
> 4。電力：W = UIT（普遍的）{U：電壓（V），I：電流（A）T：通電時間（s）}
功率：P = W / T（定義）{P：功率[瓦（W），W：時間做反應（J），T：長效使用時間（s）}
6。車輛牽引功率：P = FV，P水平= FV {P：瞬時功率P水平：平均功耗}
汽車啟動的恆定功率，恆定的加速度啟動車的最高行駛速度（VMAX = P額/ F ）
8。電機功率：P = UI（普遍的）{U：電路電壓（V），I：短路電流（A）}
9。焦耳定律：Q = I2Rt {Q：電熱（J），I：電流強度（A），R：電阻值（Ω），T：通電時間（s）}
10。純電阻電路I = U / R，P = UI = U2 / R = I2R，Q = W = UIT = U2T / R：= I2Rt
11。動能：EK = MV 2/2 {EK：動能（J），M：對象的質量（kg），V：物體瞬時速度（米/秒）}
12。重力勢能：EP =麻省總醫院{EP：重力勢能（J），G：由於重力，H：垂直高度（m）（從零勢能面達）}

13電加速度勢能：EA =qφA{EA：帶電體在點A電勢能（J），Q：用電量（C），φA：A點的電勢（V）（從零勢能面自）} /> 14。動能定理（對象做積極的工作，一個物體的動能）：
W的CO = mvt2/2-mvo2/2或W一起ΔEK
{W在一起：外部勢力的對象做總功率ΔEK：動能變化ΔEK=（mvt2/2-mvo2/2）}

15。機械能守恆定律：ΔE= 0或EK1 + EP1 = EK2 + EP2也可以是mv12 / 2 + mgh1 = mv22的WG = / 2 + MgH2的
16。在重力作用的重力勢能（重力等於物體的重力勢能增加負）增加率
註：
（1）功率的大小表示快和慢作用署的數字表示多少能源轉換;
（2）O0≤α<90°做積極的工作; 90O <α≤180°做負功;α= 90°不工作（力的方向的位移（速度）方向垂直時，力不採取行動， ）;
（3）重力（彈力，電場強度，分子間作用力）做了積極的工作和重力（彈性，電，分子）可能減少
（4）重力作用電場力做功獨立的路徑（見2,3方程）（5）機械能守恆成立的條件：沒有工作的其他部隊，但比重（有彈性），動能和勢能之間的轉換（6）單位換算：1千瓦時（度）= 3.6 ×106J，1EV = 1.60×10-19J *（7）彈簧彈性勢能E = KX2 / 2，相關的剛度系數和形變數。
8動力學理論，法律節約能源
1。阿伏加德羅常數NA = 6.02×1023/mol的分子直徑的數量級10-10米
膜法測得的分子直徑e= V / S {V：單分子膜體積（m3），S：膜的表面面積（m）2}
動力學理論內容：由大量分子組成的材料，大量的分子做無規則熱運動的分子之間存在的相互作用力。
4。分子間的引力斥力（1）R <R0，F引<F譴責，F R = R0，F鉛= F譴責分子的受力性能的排斥
（2），F分子力= 0，E分子勢能能量=艾敏（最小）
（3）R> R0，F引> F譴責的F分子力表現為引力
（4）R> 10R0 f引= F譴責≈0 F分子力≈0，E分子勢能≈0
第一定律，熱力學W + Q =ΔU{（做功和傳熱都改變對象的方式可以是等效的效果）， W：外部對象做定期的功能（J），Q：物體吸收的熱量（J），ΔU：增加的內能（J），涉及到第一類永動機不能創建[見第二卷P40]} BR /> 6。配方的第二定律熱力學
克氏：這是不可能的，讓熱量傳遞的身體從低到高溫物體，而不引起其他變化（熱傳導的方向）;
開爾文聲明：不可能從單一熱源和它的所有吸收熱量是用來做什麼工作，而不引起其他變化（機械能，內能轉化的方向），第二類是涉及永動機不能創建[見第二卷的P44]}
熱力學第三定律：熱力學不能達到零宇宙的溫度下限：-273.15攝氏度（熱力學零度）}
注意：</（1）布朗粒子不是分子，布朗粒子是體積更小，更明顯的布朗運動，溫度越高，更多的暴力;
（2）溫度是分子的平均動能的標志;
3）分子間的引力和斥力同時存在，分子之間的距離，減少排斥遠引力下降的速度比
（4）分子的力量做積極的工作，分子勢能減小在r0 F引= F劑分子勢能最小;
（5）氣體膨脹，外部的氣體做負工件W 0;吸收熱量，Q> 0
（6的對象）的內部可以
（7）r0是分子的對象的所有分子的動能和分子勢能的總和為零的理想氣體的分子間力和分子勢能是零;平衡狀態，分子間的距離;
（8）：可以轉化和給定的常數法[見第二卷P41] /能源的開發和利用，以及環境保護[見第二卷P47] /對象內分子的動能的分子勢能[見第II卷P47]。
9，氣體
1的性質。氣體的狀態參數：
溫度：宏觀層面上，一個物體的冷熱程度;微觀物體內部分子無標志的強度的規則運動之間的關系
熱力學溫度，攝氏溫度：T = T +273 {T：熱力學溫度（K），T：攝氏溫度（°C）}
體積V：氣體分子占據的空間，單位換算：1立方米= 103L = 106毫升的
壓力p：每單位面積的，和一個大的氣體分子數頻繁擊中了牆壁，並產生一個連續的，均勻的壓力和標准大氣壓的壓力：1大氣壓= 1.013×105Pa = 76cmHg（1Pa的1N/m2）
2。氣體分子運動的特點：大的分子之間的差距，除了碰撞的瞬間，是弱的相互作用，偉大的分子的流動性
3。理想氣體狀態方程：p1V1/T1 p2V2 / T2 {PV / T =常數，T為熱力學溫度（K）}
註：
（1）理想氣體的內能無關做的理想氣體，溫度的材料的量的體積; >（2）的公式成立的條件是一定的質量的理想氣體，使用公式要注意的溫度的單位，噸是攝氏溫度（°C），以及T為熱力學溫度（K）。

10，電場
1。兩種電荷，電荷守恆定律，基本費用：（E = 1.60×10-19C）;帶電體的電荷量相等的電荷的整數倍
2。庫侖定律：F = kQ1Q2/r2（真空）{F：點電荷之間的力（N），K：靜電常數k = 9.0×109N？ m2/C2，Q1 Q2：什麼兩個帶電的電力消費（C），距離（m）R：兩個收費點，他們的連接，作用力與反作用力的方向，相同的電荷排斥，異種電荷相互吸引對方}
3的電場強度：E = F / q（下定義，公式）{E：電場強度（N / C），是矢量（電場），Q疊加的原則：測試費的電力（C）}
4。真空點（源）收取的電場E = kQ/r2 {R：源電荷的距離（米）的位置，Q：源電荷的電量}
均勻電場的場強E = UAB / D {UAB電壓（V）：AB兩點之間，D：AB兩點在場強方向的距離（米）}
6。電場力：F = QE {F：電場力（N），問：電力的充電電池（C），E：電場強度（N / C）}
7。電勢和電勢差：UAB =φAφB，UAB = WAB / Q =ΔEAB/ Q
8。電場力做功：WAB = qUAB = EQD {WAB：帶電體由A到B時電場力作用（J），Q：用電量（C），UAB：電場中兩點之間的電勢差B（V）（電場力做功路徑無關），E：均勻的電場強度，D：沿磁場方向的兩個點的距離（M）}
9。電勢能：EA =qφA{EA：帶電體在A，Q點的電勢能（J）：電力消費（C），φA：A點的電勢（V）}
/> 10電勢變化ΔEAB的EB-EA {帶電體在電場中從A到B位置的電勢差}

11點。電場力做功電位能量變化ΔEAB=-WAB =-qUAB（增量電勢能等於負的電場力做功值）
12。電容C = Q / U（）{定義的公式，其計算公式C：電容（F），Q：電荷（C），U：電壓（雙極板的電勢差）（V）}
13。平行板電容器的電容C =εS/4πkd（S：兩塊板之間的垂直距離的面積，d：兩塊板，ω：介電常數）
通用電容器[見第II卷P111]
14。加速的帶電粒子在電場（武= 0）：W =ΔEK或曲= mVt2 / 2 Vt的=（2QU /米）1/2
15帶電粒子沿垂直方向的電場為了加快武成偏轉均勻電場（而不考慮重力的情況下）的
平面垂直於電場的方向：勻速直線運動L = VOT（在平行板時，與等量異種電荷：E = U / D）
投擲運動平行電場方向：初速度為零勻加速直線運動D = AT2 / 2，A = F / M = QE /米
註：
（1）兩個完全相同的帶電金屬球接觸，的電力分布規律：原帶異種電荷的第一和拆分後，原來的帶相同電荷，總均分;
（2）的電場線從正電荷偏離結束於一個負電荷，電場線不相交，磁場方向的切線方向，在欄位中的強電場線密度，越來越低的電場線的電位降低垂直於電場線和等勢線;
常見的電場的電場線記憶[圖（3）的分布[第II卷P98] （4）的電場強度（矢量）和潛在的（標量）由電場本身決定的電場力和電勢能的積極和消極的多少和電源帶電荷的帶電體; （5）中的靜電平衡導體是一個等電位體，其表面是一個等電位表面，和附近的表面上的外導體的電場線垂直於導體表面，導體總磁場強度為零，沒有凈電荷內部的導體，凈電荷只分布在導體的外表面;
（6）電容器單元轉換：1F =106μF= 1012PF;
（7）電子伏特（eV）是一個單位的能源，1EV = 1.60×10-19J;
（8）其它相關內容：靜電屏蔽[見第二卷P101 / CRT示波器及其應用[見第二卷P114的勢能面[看第二卷P105]。

11，恆定電流
1電流強度：I = Q / T {I：電流強度（A），Q：在時間t通過導線橫載體表面的力量（C），t：時間（S）}
2歐姆定律：I = U / R {I：導體的電流強度（A），U：導體兩端的電壓（V），R：導體電阻（Ω）}
3。電阻，電阻定律：R =ρL/ S {ρ：電阻率（Ω·米）L：長度（m）的導體，S：導體截面積（平方米）}
4。關閉電歐姆定律：I = E /（R + R），或E = IR + IR也可以是E = U-內+ U外
{I：電路總電流（A），E：電源電動勢（V），R：外電路電阻（Ω），R：電源內部電阻（Ω）}
5。電力和電力：W = UIT，P = UI {W：電力（J），U：電壓（V），I：電流（A），T：時間（s），P：電功率（W ）}
6焦耳定律：Q = I2Rt {Q：電熱（J），I：電流（A）通過的導體，R，T的導體的電阻值（Ω）：通電時間（S） ，}
7。純電阻電路：由於I = U / R和W = Q，W = Q = UIT = I2Rt = U2T / R
電源的差餉總的電源輸出功率，電源效率：P總= IE瀏覽器，P = IU，η= P / P的總{I：電路的總電流（A），E：電源電動勢（V），U：的路側電壓（V）電源效率，η：}
電路串聯/並聯電路（P，U和R串聯成比例）的並聯電路（P，I和R是成反比）的
電阻關系（相同的字元串，和反）R字元串= R1 + R2 + R3 + 1 / R = 1/R1 +1 / R2 +1 / R3 +
電流關系I = I1 = I2 = I3的I = I1 + I2 + I3 +的

11。

『貳』 誰有電路圖所用到的英文縮寫資料

計算機硬體英漢對照表

VDD、VCC 電源
5VSB = 5V StandBy 待機5V電源
Acer--> 宏基公司?]@8
A/D--> 模擬/數據(@=
Address bus--> 地址匯流排-=:!g
ALT=Alternate--> 轉換鍵/更改/更動=.
ALT=Alteration Switch--> 轉換開關rP
AMD=Advanced Micro Devices Inc. --> 高級微設備公司G^(WN
AMI=American Megatrends Inc. --> 美國米格特雷德公司%@lu~
AGP=Accelerated Graphics Port --> 圖形加速埠}
API=Application Program Interface --> 應用程序介面Z6#e9-
APM=Advanced Power Driver --> 高級動力驅動器"^p!"_
ASCII=American Standard Code for Information Interchange 美國信息交換用標准碼t2L
BIN --> 收集器/二進制+ZTo-u
BIOS=Basic Input/Output System --> 基本輸入輸出系統V%iI`
Bit --> 位=RQ
Block --> 模塊d
BS=Backspace --> 退格鍵^l[?7
Cache --> 高速緩存X9<O
CD=Compact Disc --> 緻密盤，光碟6Y&anr
CGA=Colour Graphic Adapter --> 彩色圖形顯示器wzXb=1
CHCP=Display The Active Code Page Number --> 顯示活動模式頁碼數(dy
Chips --> 晶元a4Kd
Clock Freq 時鍾頻率kX6U:e
CMOS=Complementary Metal-Oxide-Semiconctor --> 互補型金屬氧化物半導體LK:>
CN=Connector --> 連接器2ysO
Columns --> 列>L6u
Com=Concatenation of Merge Way--> 串列口p+_5H
Control lines --> 控制線o
Controller --> 控制器vQ "J
Copyright --> 版權U6OuD
CPU=Central Processing Unit --> 中央處理器]#
CRT=Circuits --> 電路.& 9
CRT=Cathode Ray Tube --> 陰極射線管=Fcp)9
CTRL=Control --> 控制/控制鍵k=&
Cylinder --> 磁柱面Cyrix--->西列克斯公司^Ax
DAta Bus --->數據匯流排"
Daughterboard--->子板,X_F
3 -Ds= 3-Dimension studio --->三維繪圖工作室qcl@Nq
DEL=Delete --->刪除鍵A&
DHCP=Dynamic Handle Configrue Processor--->動態配置處理器NG
DM=Disk Manager --->磁碟管理器WouF{R
DMA=Direct Memory Access --->存儲器直接存取（訪問）OC>x(#
DOT=Device Operating Terminal--->設備操作終端QVqiX
DPMI=Data Processing Memory Information--->數據處理內存信息p
DRAM=Dynamic Random-Access Memory--->動態隨機存儲器SG\
DRV=Drive --->驅動器P
DSP=Digital Signal Processor --->數字信號處理器+D]ws
EGA=Enhanced Graphic Adapter--->增強型圖形顯示器h
EMM=Expanded Memory Management--->擴展內存管理rD]
EMS=Expanded Memory System --->擴展內存系統:
EMS=Expanded Memory Specification --->擴展內存規范-<
Encoded Keyboard --->編碼鍵盤flRE
EROM=Erasable Read Only Memory--->可擦除只讀存儲器v(Yw
ESC=Escape --->退出鍵/退出系統U'
ESDI=Enhanced Small Device Interface--->增強型小型設備界面（介面）ju%;
FDD=Floppy Disk Drive --->軟碟機7"
FPU=Floating Point Unit --->浮點處理器（數學協處理器）[2
GB=Gigabyte --->千兆位元組VL?af
Gold Finger--->金插腳o5k
HDD=Hard Disk Light-emitting diode--->硬碟指示燈（發光二極體）{
Head--->磁頭}BIl
HPM=Hyper-Page-Mode--->超頁模式n8k
IBM=International Business Machines Corporation--->國際商業機器公司R,+kST
ID=Identifier--->標識符kWT&gd
ID=Inside Diameter--->內徑4;y
IDE=Insede Diameter Enhanced--->內部直徑增強介面w(
INS=Insert--->插入行/插入鍵k}1Q,r
Intel--->英特爾公司9g4n`
Interleave--->交叉（存取）因子%?
Intersections--->內部結點31f
I/O=Input/Output---->輸入輸出v1
IRC=Interrupt Controller--->中斷控制7\&d:y
IRQ=Interrupt Require --->中斷請求G%6x
Joysticks--->操縱桿<
JP(Jumper)--->跳線;Ws
JCP=Jumper Channel Port--->跳通道線端 Q!Y
KB=Kilobytes--->千位元組^9I
KB=Keyboard--->鍵盤8
Land Zone Cylinder--->焊盤存儲區磁柱面4Rk\1!
LASER=Light Amplification By Stimulation Emission Of Eadiation--->激光/鐳射G:jF&
LPT=Line Parrallel Tandem--->並行口!u\1-=
Mainboard--->主板awCF#h
MAP=Microprocessor Application Project--->微處理機應用計劃+{
Master Clock--->主時鍾rMD@o
MCI=Media Control Interface--->媒體控制介面fF2G{
MIDI=Musecal Instrument Digital Interface--->樂器數字介面J||
Modem=Molator and Demolator--->數據機e&Z
Motherboard--->母板2$S{
MPU=Micro-Processor(Processing) Unit--->微處理器 +0b;
MS=Microsoft---->微軟w
MS=Memory System/Main Storage--->內存/主存?V[
NMOS=Negative Metal-Oxide-Semiconctor--->陰極金屬氧化物半導體Rc,
NT=New Technology--->新技術('
NTAS=New Technology Advanced Server--->新技術超級伺服器h
NTFS=New Technology File System--->新科技文件系統 =tX`-
&;雷傲極酷超級論壇 -- 雷傲極酷超級論壇，最新軟體，BT 下載，游戲娛樂，交友聊天，您網上的自由天堂 cS%v
&;雷傲極酷超級論壇 -- 雷傲極酷超級論壇，最新軟體，BT 下載，游戲娛樂，交友聊天，您網上的自由天堂 qTEat-
&;雷傲極酷超級論壇 -- 雷傲極酷超級論壇，最新軟體，BT 下載，游戲娛樂，交友聊天，您網上的自由天堂 bO$.mU
PC=Private Compatible Machine--->個人兼容機YNmmca
PCI=Peripheral Component Interconnect--->外圍元件互連u |,rN
PDI=Program Device Information--->程序設備信息=g
PDQ=Parrallel Data Query--->並行數據查詢d*}yC6
Peripherals--->外設<${4
PgDn=Page Down--->向下翻頁{S
PgUp=Page Up--->向上翻頁V
Pins--->插腳.&?B-
PMOS=Positive Metal-Oxide-Semiconctor--->陽極金屬氧化物半導體M:JY
Power--->電源((/;^
Precompensation Cylinder--->預補償磁柱面B~A>Rs
Printer--->列印機/列印"@,a
PROM=Programmable Read Only Memory--->可編程序只讀存儲器A
RAM=Random-Access Memory--->隨機存儲器/內存c*u>]
RBS=Remote Boot Service--->遠程引導（啟動）服務kQZH?|
Regulator--->調整器K(e
Reset--->復位/復位鍵mZY+
REV.=Revision--->版本號^aWVmY
RISC=Reced Instruction Set Computer--->精減指令集計算機系統#`7
ROM=Read Only Memory--->只讀存儲器p_?.53
Rows--->行~=?==
RTC=Real Time Clock--->實時鍾 o
&;雷傲極酷超級論壇 -- 雷傲極酷超級論壇，最新軟體，BT 下載，游戲娛樂，交友聊天，您網上的自由天堂 }11
SB=Sound Blaster--->有聲裝置/音效卡c`jFy
SCSI=Small Computer System Interface--->小型計算機系統界面（介面）C[YC
Sector--->扇區owJ+
Selector--->選擇器p1<'n
SFT=Shifter--->換檔鍵]
SIMM（Single-In-Line Memory Moles）--->單列直插式內存模塊\b
SL=Slot--->插槽Y7v%
SMM(System Management Mode)--->系統管理模式7)i
SPK=Speaker--->喇叭`/q.=K
SRAM(System Random Access Memory)--->系統隨機訪問存儲器S#1>
SW=Switch--->開關V`
SYS=System--->系統Wrm>.s
Tag RAM--->標記隨機存儲器nD^0
TM=Trade Mark--->商標rd,W
Track--->磁軌9X~>\r
UPS=Uninterruptible Power System--->連續供電電源系統%TnT
UPS=Uninterruptible Power Supply--->不間斷供電電源6Vcc
VB=Vision Blaster--->視霸卡peV
VCC=Volt Current Condenser--->電源電位3i_<b
Video Display Generator--->視頻顯示器0Wd
VGA=Video Graphic Adapter--->視頻圖形顯示器ks~[
&;雷傲極酷超級論壇 -- 雷傲極酷超級論壇，最新軟體，BT 下載，游戲娛樂，交友聊天，您網上的自由天堂 0LL~
&;雷傲極酷超級論壇 -- 雷傲極酷超級論壇，最新軟體，BT 下載，游戲娛樂，交友聊天，您網上的自由天堂 Kyxw;]
計算機常用英語術語、詞彙表 etvj
&;雷傲極酷超級論壇 -- 雷傲極酷超級論壇，最新軟體，BT 下載，游戲娛樂，交友聊天，您網上的自由天堂 6
轉自INTERNET'Pi@"X
&;雷傲極酷超級論壇 -- 雷傲極酷超級論壇，最新軟體，BT 下載，游戲娛樂，交友聊天，您網上的自由天堂 p`
Computer Vocabulary In Common Use .z.K
一、硬體類(Hardware) qJ
二、軟體類(Software) ;-+Wn
三、網路類(Network) %<
四、其它 v{e(vx
&;雷傲極酷超級論壇 -- 雷傲極酷超級論壇，最新軟體，BT 下載，游戲娛樂，交友聊天，您網上的自由天堂 SfO
CPU(Center Processor Unit)中央處理單元 r(p
mainboard主板 aCYH:}
RAM(random access 9&
memory)隨機存儲器(內存) \nM(V
ROM(Read Only Memory)只讀存儲器 ?#Sz\
Floppy Disk軟盤 @V%d
Hard Disk硬碟 s,
CD-ROM光碟驅動器(光碟機) .'
monitor監視器 /X2H
keyboard鍵盤 9ECM
mouse滑鼠 *(d@
chip晶元 3?7zfX
CD-R光碟刻錄機 'XO5"
HUB集線器 Er
Modem= MOlator-DEMolator,數據機 \
P-P(Plug and Play)即插即用 ko9G$
UPS(Uninterruptable Power Supply)不間斷電源 W
BIOS(Basic-input-Output \(}/9x
System)基本輸入輸出系統 e>Q
CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconctor)互補金屬氧化物半導體 A
setup安裝 De
uninstall卸載 o
wizzard向導 vP/c,
OS(Operation Systrem)操作系統 %R
OA(Office AutoMation)辦公自動化 sp8f
exit退出 H7
edit編輯 X_8XD(
復制 S/R
cut剪切 3rQ2>
paste粘貼 *_r[
delete刪除 oP%I
select選擇 F
find查找 _x v\
select all全選 tP
replace替換 5eCUf>
undo撤消 x\,1#1
redo重做 a*CVZ
program程序 3<i^N!
license許可(證) .
back前一步 `z
next下一步 rU8w}`
finish結束 /![u6y
folder文件夾 t!PX
Destination Folder目的文件夾 k
user用戶 ~k|'
click點擊 N
double click雙擊 AA(pm^
right click右擊 a
settings設置 S
update更新 rUm:
release發布 xL;
data數據 ;y
data base資料庫 Nmh
DBMS(Data Base Manege u8X(3n
System)資料庫管理系統 {
view視圖 Zym#f
insert插入 s'g7V
object對象 *1
configuration配置 |;
command命令 N=z-{H
document文檔 F~a
POST(power-on-self-test)電源自檢程序 ,(h
cursor游標 D>:c7
attribute屬性 &>:{
icon圖標 T
service pack服務補丁 F|t'
option pack功能補丁 CKknC7
Demo演示 *j5t1
short cut快捷方式 v
exception異常 RkuVNG
debug調試 rjc| 0
previous前一個 0f
column行 /
row列 2UW#
restart重新啟動 kx8
text文本 w^$
font字體 %kG
size大小 ^#
scale比例 z
interface界面 aY%od1
function函數 &5_Y
access訪問 <?c
manual指南 %xp.M?
active激活 ,0}
computer language計算機語言 ]v
menu菜單 foWI
GUI(graphical user QS
interfaces )圖形用戶界面 0a
template模版 7J6
page setup頁面設置 lc{ws
password口令 g\T\#'
code密碼 D{Zu[
print preview列印預覽 U
zoom in放大 X.+
zoom out縮小 H$x)A
pan漫遊 fq("[
cruise漫遊 $Io
full screen全屏 <l=>f
tool bar工具條 JU
status bar狀態條 1
ruler標尺 R*X]Om
table表 K^xGY
paragraph段落 /x32,
symbol符號 (O<
style風格 &d>t
execute執行 "
graphics圖形 <b*%
image圖像 GUOa
Unix用於伺服器的一種操作系統 4Iu
Mac OS蘋果公司開發的操作系統 $
OO(Object-Oriented)面向對象 1RD:b
virus病毒 [oAn6
file文件 tGmAZ
open打開 :Vj}
colse關閉 MnY*
new新建 t2cV
save保存 E)
exit退出 8KTS
clear清除 aN
default默認 $[L)TV
LAN區域網 7
WAN廣域網 y;
Client/Server客戶機/伺服器 $XC.
ATM( Asynchronous C>V>#}
Transfer Mode)非同步傳輸模式 w7$Og
Windows NT微軟公司的網路操作系統 8B\Z!
Internet互聯網 :1H{ac
WWW(World Wide Web)萬維網 p[
protocol協議 ajEI^
HTTP超文本傳輸協議 \DPws3
FTP文件傳輸協議 u>t
Browser瀏覽器 tiV(NG
homepage主頁 oWA]
Webpage網頁 f&Q
website網站 K!`~
URL在Internet的WWW服務程序上 (ROZYR
用於指定信息位置的表示方法 8JyJXE
Online在線 kmI
Email電子郵件 &8,
ICQ網上尋呼 {%
Firewall防火牆 sYMH[F
Gateway網關 mf;i
HTML超文本標識語言 cF]2Q
hypertext超文本 ke8a
hyperlink超級鏈接 ("5Xqy
IP(Address)互聯網協議(地址) Vl
SearchEngine搜索引擎 0
TCP/IP用於網路的一組通訊協議 0~,Sn]
Telnet遠程登錄 [
IE(Internet Explorer)探索者(微軟公司的網路瀏覽器) geEt'a
Navigator引航者(網景公司的瀏覽器) E`$._#
multimedia多媒體 4Fb:]w
ISO國際標准化組織 ahnf;K
ANSI美國國家標准協會 nx_Xq
able 能 9N`#R
activefile 活動文件 ]
addwatch 添加監視點 "n5`
allfiles 所有文件 m(N
allrightsreserved 所有的權力保留 }
altdirlst 切換目錄格式 8Ip
並能夠解決更大范圍內的磁碟問題 0D
andotherinformation 以及其它的信息 "}
archivefileattribute 歸檔文件屬性 |Oo(AI
assignto 指定到 R9e
autoanswer 自動應答 W3 R)
autodetect 自動檢測 c{G
autoindent 自動縮進 <O.
autosave 自動存儲 le`XXh
availableonvolume 該盤剩餘空間 %'6
badcommand 命令錯 ^
badcommandorfilename 命令或文件名錯 qYn
batchparameters 批處理參數 WNV$)
binaryfile 二進制文件 Z~Sj
binaryfiles 二進制文件 r^Y!z
borlandinternational borland國際公司 WrTl+
bottommargin 頁下空白 s+w?
bydate 按日期 X
byextension 按擴展名 @^=Anv
byname 按名稱 QZO4n
bytesfree 位元組空閑 PWZ.
callstack 調用棧 lXJ
casesensitive 區分大小寫 OZ[g!
要求出現確認提示,在你想覆蓋一個 T
centralpointsoftwareinc central point 軟體股份公司 c
changedirectory 更換目錄 Dv])J
changedrive 改變驅動器 )np&F,
changename 更改名稱 /}
characterset 字元集 O
checkingfor 正在檢查 g~,,|X
檢查磁碟並顯示一個狀態報告 |]~g>
chgdrivepath 改變盤/路徑 [a<M

『叄』 99秒倒計時電路圖

可鍵盤設置倒計時時間

#include<reg52.h>

#defineucharunsignedchar

#defineuintunsignedint

sbitp20=P2^0;

sbitp21=P2^1;

sbitp30=P3^0;

sbitp31=P3^1;

sbitp32=P3^2;

#definekey_00x18

#definekey_10x14

#definekey_20x12

#definekey_30x11

#definekey_40x28

#definekey_50x24

#definekey_60x22

#definekey_70x21

#definekey_80x48

#definekey_90x44

#definekey_reset0x42

#definekey_stop0x88

#definekey_start0x84

#definekey_shi0x82

#definekey_ge0x81

uchart;

ucharct=10;

uchardh=1,dl=0;

uchartab[]={0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90};//共陽極時的0～9

ucharkey_table[]={0x18,0x14,0x12,0x11,0x28,0x24,0x22,0x21,0x48,0x44};

voiddelay(uintz)

{

uintx,y;

for(x=z;x>0;x--)

for(y=110;y>0;y--);

}

voidinit(void)

{

TMOD=0x01;//選擇方式1

TH0=0x3c;//12M晶振，定時時間50ms

TL0=0xb0;

EA=1;//開啟總中斷

ET0=1;//開啟定時器溢出中斷

TR0=1;//啟動定時器0

}

voiddisplay(void)

{

P0=tab[dh];

p20=1;

delay(2);

p20=0;

P0=tab[dl];

p21=1;

delay(2);

p21=0;

}

voiddisplay0(void)

{

P0=tab[dh];

p20=1;

delay(2);

p20=0;

P0=tab[dl];

p21=1;

delay(100);

p21=0;

}

voiddisplay1(void)

{

P0=tab[dh];

p20=1;

delay(100);

p20=0;

P0=tab[dl];

p21=1;

delay(2);

p21=0;

}

voidtimer0(void)interrupt1//定時器中斷

{

uchart;

TH0=(65536-50000)/256;

TL0=(65536-50000)%256;

t++;

dh=ct/10;

dl=ct%10;

display();

if(t==20)//每秒進一次中斷

{

t=0;

ct--;

if(ct==-1)

{

TR0=0;

p32=1;p31=1;p30=0;

}

}

}

voiddlms(void)

{uchari;

for(i=200;i>0;i--)

{}

}

ucharkbscan(void)

{ucharscode,recode;

P1=0xf0;

if((P1&0xf0)!=0xf0)

{dlms();

if((P1&0xf0)!=0xf0)

{scode=0xfe;

while((scode&0x10)!=0)

{P1=scode;

if((P1&0xf0)!=0xf0)

{recode=(P1&0xf0)|0x0f;

return((~scode)+(~recode));

}

else

scode=(scode<<1)|0x01;

}

}

}

return(0);

}

voidkey_process(ucharkey,uchar*dh,uchar*dl,uchar*ct)

{

staticuchark;

if(key==key_reset)

{*dh=0;

*dl=0;

*ct=(*dh)*10+(*dl);

p32=1;p31=1;p30=0;

}

if(key==key_0||key==key_1||key==key_2||key==key_3||key==key_4||key==key_5||key==key_6||key==key_7||key==key_8||key==key_9)

{k=0;

while(1)

{if(key==key_table[k])

break;

k++;

}

}

if(key==key_stop)

{TR0=0;

p32=1;p31=0;p30=1;

}

if(key==key_start)

{TR0=1;

p32=0;p31=1;p30=1;

}

if(key==key_shi)

{*dh=k;

display0();

*ct=(*dh)*10+(*dl);

}

if(key==key_ge)

{*dl=k;

display1();

*ct=(*dh)*10+(*dl);

}

}

voidmain()

{

ucharkey;

p32=0;p31=1;p30=1;

init();

while(1)

{

key=kbscan();

dlms();

if(key!=0)

{

//switch(key)

//{case0x18:n=0;break;

//case0x14:n=1;break;

//case0x12:n=2;break;

//case0x11:n=3;break;

//case0x28:n=4;break;

//case0x24:n=5;break;

//case0x22:n=6;break;

//case0x21:n=7;break;

//case0x48:n=8;break;

//case0x44:n=9;break;

//case0x42:n=10;break;

//case0x41:n=11;break;

//case0x88:TR0=0;break;

//case0x84:TR0=1;break;

//case0x82:n=14;break;

//case0x81:n=15;break;

//}

key_process(key,&dh,&dl,&ct);

//if(p26==0)

//{dh=n;display0();ct=dh*10+dl;}

//if(p27==0)

//{dl=n;display1();ct=dh*10+dl;}

}

//if(p26==0)display0();

//if(p27==0)display1();

//elsedisplay();

display();

}

}

源程序供你參考可以改動

『肆』 單片機控制電機的正反轉 程序及電路圖

這個很簡單，我教你怎麼玩，下面是思路和方式
思路：有三個輸入，分別是一個按鈕、兩個霍爾感測器（也就是接近開關），我用p0.0到p0.2來代替；輸出2個或以上（這看你接什麼顯示器，如果是pc的話，就不用數字量輸出，直接串口就可以了）控制正反轉的繼電器管腳用p1.0、p1.1；
ps:顯示那塊我不知道你怎麼處理，但是需要與一個全局變數轉動次數k連接起來，另外兩個輸入接近開關選用npn感測器或用光電隔離，總之有效信號能把管腳電壓拉低就可以了，具體硬體要注意什麼，有需要就問我
現在我們來寫程序：
#include
//選用晶振11.0592mhz
unsigned
char
k=0;
//k表示正反轉次數
sbit
x0=p3^2;
//調節按鈕
sbit
x1=p1^1;
//上限位接近開關信號
sbit
x2=p1^2;
//下限位接近開關信號
sbit
y1=p0^0;
//電機上升(注意:我使用的是管腳輸出為0時候，電機運動，這樣可以避免啟動時候，單片機自復位對電機點動的影響)
sbit
y2=p0^1;
//電機下降
void
delay50ms(unsigned
int
i)
{
unsigned
int
j;
for
(i;i>0;i--)
for(j=46078;j>0;j--);
}
main()
{
it0=1;
//下降沿觸發
ex0=1;
//開p3.2外部中斷
ea=1;
//總中斷開
while(1)
while(k)
{
y1=0;
//正轉
while(x1==1);
//等待正轉接近開關反應
y1=1;
//正轉停
delay50ms(1);
//停止時間50ms
y2=0;
//反轉
while(x2==1);
//等待反轉接近開關反應
y2=1;
//反轉停
k--;
//圈數減一
}
}
void
counter0(void)
interrupt
0
{
k++;
//外部中斷控制圈數加一
//這個位置可以加你顯示程序
}
程序已經通過測試，放上去就能用，很好玩喲，呵呵

『伍』 印刷機電路板eak英文縮寫是什麼意思

EAK輸入輸出控制電路板

『陸』 可控硅電路原理

一、可控硅的概念和結構？
晶閘管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。今天大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2(a)〕：第一層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到，它和二極體一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極體完全不同的工作特性。
可控硅

二、晶閘管的主要工作特性
為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯起來，通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極，控制極G通過按鈕開關SB接在3V直流電源的正極(這里使用的是KP5型晶閘管，若採用KP1型，應接在1.5V直流電源的正極)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。現在我們合上電源開關S，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導通；再按一下按鈕開關SB，給控制極輸入一個觸發電壓，小燈泡亮了，說明晶閘管導通了。這個演示實驗給了我們什麼啟發呢?可控硅
這個實驗告訴我們，要使晶閘管導通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發電壓。晶閘管導通後，松開按鈕開關，去掉觸發電壓，仍然維持導通狀態。
晶閘管的特點： 是「一觸即發」。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導通。控制極的作用是通過外加正向觸發脈沖使晶閘管導通，卻不能使它關斷。那麼，用什麼方法才能使導通的晶閘管關斷呢?使導通的晶閘管關斷，可以斷開陽極電源(圖3中的開關S)或使陽極電流小於維持導通的最小值(稱為維持電流)。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那麼，在電壓過零時，晶閘管會自行關斷。

怎樣測試晶閘管的好壞
三、用萬用表可以區分晶閘管的三個電極嗎?怎樣測試晶閘管的好壞呢?
普通晶閘管的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結〔圖2(a)〕，相當於一個二極體，G為正極、K為負極，所以，按照測試二極體的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個就是陽極A了。測試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關S，按一下按鈕開關SB，燈泡發光就是好的，不發光就是壞的。

四、晶閘管在電路中的主要用途是什麼?
普通晶閘管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極體整流電路屬於不可控整流電路。如果把二極體換成晶閘管，就可以構成可控整流電路、逆變、電機調速、電機勵磁、無觸點開關及自動控制等方面。現在我畫一個最簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處於正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，晶閘管被觸發導通。現在，畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕，可以看到，只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。
可控硅
五、在橋式整流電路中，把二極體都換成晶閘管是不是就成了可控整流電路了呢?
在橋式整流電路中，只需要把兩個二極體換成晶閘管就能構成全波可控整流電路了。現在畫出電路圖和波形圖(圖5)，就能看明白了。
六、晶閘管控制極所需的觸發脈沖是怎麼產生的呢?
晶閘管觸發電路的形式很多，常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極體觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路，等等。今天大家製作的調壓器，採用的是單結晶體管觸發電路。
七、什麼是單結晶體管?它有什麼特殊性能呢?
單結晶體管又叫雙基極二極體，是由一個PN結和三個電極構成的半導體器件(圖6)。我們先畫出它的結構示意圖〔圖7(a)〕。在一塊N型矽片兩端，製作兩個電極，分別叫做第一基極B1和第二基極B2；矽片的另一側靠近B2處製作了一個PN結，相當於一隻二極體，在P區引出的電極叫發射極E。為了分析方便，可以把B1、B2之間的N型區域等效為一個純電阻RBB，稱為基區電阻，並可看作是兩個電阻RB2、RB1的串聯〔圖7(b)〕。值得注意的是RB1的阻值會隨發射極電流IE的變化而改變，具有可變電阻的特性。如果在兩個基極B2、B1之間加上一個直流電壓UBB，則A點的電壓UA為：若發射極電壓UE<UA，二極體VD截止；當UE大於單結晶體管的峰點電壓UP(UP=UD＋UA)時，二極體VD導通，發射極電流IE注入RB1，使RB1的阻值急劇變小，E點電位UE隨之下降，出現了IE增大UE反而降低的現象，稱為負阻效應。發射極電流IE繼續增加，發射極電壓UE不斷下降，當UE下降到谷點電壓UV以下時，單結晶體管就進入截止狀態。
八、怎樣利用單結晶體管組成晶閘管觸發電路呢?
單結晶體管組成的觸發脈沖產生電路在今天大家製作的調壓器中已經具體應用了。為了說明它的工作原理，我們單獨畫出單結晶體管張弛振盪器的電路(圖8)。它是由單結晶體管和RC充放電電路組成的。合上電源開關S後，電源UBB經電位器RP向電容器C充電，電容器上的電壓UC按指數規律上升。當UC上升到單結晶體管的峰點電壓UP時，單結晶體管突然導通，基區電阻RB1急劇減小，電容器C通過PN結向電阻R1迅速放電，使R1兩端電壓Ug發生一個正跳變，形成陡峭的脈沖前沿〔圖8(b)〕。隨著電容器C的放電，UE按指數規律下降，直到低於谷點電壓UV時單結晶體管截止。這樣，在R1兩端輸出的是尖頂觸發脈沖。此時，電源UBB又開始給電容器C充電，進入第二個充放電過程。這樣周而復始，電路中進行著周期性的振盪。調節RP可以改變振盪周期。
九、在可控整流電路的波形圖中，發現晶閘管承受正向電壓的每半個周期內，發出第一個觸發脈沖的時刻都相同，也就是控制角α和導通角θ都相等，那麼，單結晶體管張弛振盪器怎樣才能與交流電源准確地配合以實現有效的控制呢?
為了實現整流電路輸出電壓「可控」，必須使晶閘管承受正向電壓的每半個周期內，觸發電路發出第一個觸發脈沖的時刻都相同，這種相互配合的工作方式，稱為觸發脈沖與電源同步。
怎樣才能做到同步呢?大家再看調壓器的電路圖(圖1)。請注意，在這里單結晶體管張弛振盪器的電源是取自橋式整流電路輸出的全波脈沖直流電壓。在晶閘管沒有導通時，張弛振盪器的電容器C被電源充電，UC按指數規律上升到峰點電壓UP時，單結晶體管VT導通，在VS導通期間，負載RL上有交流電壓和電流，與此同時，導通的VS兩端電壓降很小，迫使張弛振盪器停止工作。當交流電壓過零瞬間，晶閘管VS被迫關斷，張弛振盪器得電，又開始給電容器C充電，重復以上過程。這樣，每次交流電壓過零後，張弛振盪器發出第一個觸發脈沖的時刻都相同，這個時刻取決於RP的阻值和C的電容量。調節RP的阻值，就可以改變電容器C的充電時間，也就改變了第一個Ug發出的時刻，相應地改變了晶閘管的控制角，使負載RL上輸出電壓的平均值發生變化，達到調壓的目的。
雙向晶閘管的T1和T2不能互換。否則會損壞管子和相關的控制電路。

十、可控硅元件的工作原理及基本特性電路
可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,其等效圖解如圖1所示
圖1 可控硅等效圖解圖
當陽極A加上正向電壓時,BG1和BG2管均處於放大狀態。此時,如果從控制極G輸入一個正向觸發信號,BG2便有基流ib2流過,經BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連,所以ib1=ic2。此時,電流ic2再經BG1放大,於是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極,表成正反饋,使ib2不斷增大,如此正向饋循環的結果,兩個管子的電流劇增,可控硅使飽和導通。
由於BG1和BG2所構成的正反饋作用, 可控硅導通後,即使控制極G的電流消失了,可控硅仍然能夠維持導通狀態,由於觸發信號只起觸發作用,沒有關斷功能,所以這種可控硅是不可關斷c 所以一旦的。
由於可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態,所以它具有開關特性,這種特性需要一定的條件才能轉化,此條件見表1
表1 可控硅導通和關斷條件
狀態 條件 說明
從關斷到導通 1、陽極電位高於是陰極電位
2、控制極有足夠的正向電壓和電流
兩者缺一不可
維持導通 1、陽極電位高於陰極電位
2、陽極電流大於維持電流
兩者缺一不可
從導通到關斷 1、陽極電位低於陰極電位
2、陽極電流小於維持電流
任一條件即可
2、基本伏安特性
可控硅的基本伏安特性見圖2
圖2 可控硅基本伏安特性
（1）反向特性
當控制極開路,陽極加上反向電壓時（見圖3）,J2結正偏,但J1、J2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓後,接差J3結也擊穿,電流迅速增加,圖3的特性開始彎曲,如特性OR段所示,彎曲處的電壓URO叫「反向轉折電壓」。此時,可控硅會發生永久性反向擊穿。
圖3 陽極加反向電壓
（2）正向特性
當控制極開路,陽極上加上正向電壓時（見圖4）,J1、J3結正偏,但J2結反偏,這與普通PN結的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態,當電壓增加,圖3的特性發生了彎曲,如特性OA段所示,彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓
圖4 陽極加正向電壓
由於電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓後,J2結發生雪崩倍增效應,在結區產生大量的電子和空穴,電子時入N1區,空穴時入P2區。進入N1區的電子與由P1區通過J1結注入N1區的空穴復合,同樣,進入P2區的空穴與由N2區通過J3結注入P2區的電子復合,雪崩擊穿,進入N1區的電子與進入P2區的空穴各自不能全部復合掉,這樣,在N1區就有電子積累,在P2區就有空穴積累,結果使P2區的電位升高,N1區的電位下降,J2結變成正偏,只要電流稍增加,電壓便迅速下降,出現所謂負阻特性,見圖3的虛線AB段。
這時J1、J2、J3三個結均處於正偏,可控硅便進入正向導電狀態---通態,此時,它的特性與普通的PN結正向特性相似,見圖2中的BC段
3、觸發導通
在控制極G上加入正向電壓時（見圖5）因J3正偏,P2區的空穴時入N2區,N2區的電子進入P2區,形成觸發電流IGT。在可控硅的內部正反饋作用（見圖2）的基礎上,加上IGT的作用,使可控硅提前導通,導致圖3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。
圖5 陽極和控制極均加正向電壓

十一、可控硅參數符號
參數符號說明:
IT(AV)--通態平均電流
VRRM--反向重復峰值電壓
IDRM--斷態重復峰值電流
ITSM--通態一個周波不重復浪涌電流
VTM--通態峰值電壓
IGT--門極觸發電流
VGT--門極觸發電壓
IH--維持電流
dv/dt--斷態電壓臨界上升率
di/dt--通態電流臨界上升率
Rthjc--結殼熱阻
VISO--模塊絕緣電壓
Tjm--額定結溫
VDRM--通態重復峰值電壓
IRRM--反向重復峰值電流
IF(AV)--正向平均電流
十二、如何鑒別可控硅的三個極
鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。
控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極體特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，並不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。
可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、軍事科研以至商業、民用電器等方面爭相採用的元件。
一、 可控硅的結構和特性
■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種（見圖表-25）。螺旋式的應用較多。
■可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P 型導體和N 型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN 結。其結構示意圖和符號見圖表-26。
■從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN 結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮「以小控大」的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能製造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
■可控硅為什麼其有「以小控大」的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。
■首先，我們可以把從陰極向上數的第一、二、三層看面是一隻NPN 型號晶體管，而二、三四層組成另一隻PNP 型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來分析。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea ，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1 的基一射間）輸入一個正的觸發信號，BG1 將產生基極電流Ib1 ，經放大，BG1 將有一個放大了β1 倍的集電極電流IC1 。因為BG1 集電極與BG2 基極相連，IC1 又是BG2 的基極電流Ib2 。BG2 又把比Ib2 （Ib1 ）放大了β2 的集電極電流IC2 送回BG1 的基極放大。如此循環放大，直到BG1 、BG2 完全導通。實際這一過程是「一觸即發」的過程，對可控硅來說，觸發信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定於可控硅的性能。
■可控硅一經觸發導通後，由於循環反饋的原因，流入BG1 基極的電流已不只是初始的Ib1 ，而是經過BG1 、BG2 放大後的電流（β1 *β2 *Ib1 ）這一電流遠大於Ib1 ，足以保持BG1 的持續導通。此時觸發信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態只有斷開電源Ea 或降低Ea ，使BG1 、BG2 中的集電極電流小於維持導通的最小值時，可控硅方可關斷。當然，如果Ea 極性反接，BG1 、BG2 由於受到反向電壓作用將處於截止狀態。這時，即使輸入觸發信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea 接成正向，而觸動發信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬於非正常工作情況了。
■可控硅這種通過觸發信號（小的觸發電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區別於普通硅整流二極體的重要特徵。

[編輯本段]二、可控硅的主要參數
可控硅的主要參數有：
1、 額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。
3、 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處於反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。
4、 控制極觸發電流Ig1 、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。
5、 維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。
■近年來，許多新型可控硅元件相繼問世，如適於高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。
可控硅
可控硅是硅可控整流元件的簡稱，亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用於各種電子設備和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。家用電器中的調光燈、調速風扇、空調機、電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機及工業控制等都大量使用了可控硅器件。
可控硅的分類
按其工作特性，可控硅（THYRISTOR)可分為普通可控硅（SCR）即單向可控硅、雙向可控硅（TRIAC)和其它特殊可控硅。
可控硅的觸發
過零觸發-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，必須是過零點才觸發，導通可控硅。
非過零觸發-無論交流電電壓在什麼相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸發，即通過改變正弦交流電的導通角（角相位），來改變輸出百分比。
可控硅的主要參數:
1. 額定通態電流（IT)即最大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
2. 反向重復峰值電壓（VRRM)或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。
3. 控制極觸發電流（IGT)，俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。
可控硅的常用封裝形式
常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
可控硅的主要廠家
主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR迪昌科技，北京瑞田達技貿有限責任公司等。