集成電路和硅

❶ 集成電路為什麼可以刻在矽片上

集成電抄路基本單元為半導體電阻，二極體，三極體組成。製作這些元器件，是根據計算機設計出的版圖，在矽片上注入正離子或負離子。方法是在矽片塗滿一層保護膜，讓後通過光刻方式將需注入離子部分的保護膜去掉，然後像矽片注入離子，無保護膜部分被注入離子，形成P結（溝）或N結（溝），然後類似的方法製作其他布分。集成電路的導線，一般是電路連接的最後一道工序。同樣用光刻，將需要布線的不部分裸漏出來，然後給矽片蒸鋁，去掉保護膜後，原來裸漏布分被直接到矽片上的鋁保留下來，形成導線。或者像PCB製作，先大面積蒸鋁，然後塗保護膜，光刻，然後將不需要的部分票洗掉，形成導線。

❷ 現代集成電路主要使用什麼作為半導體材料

答案如下：

1.元素半導體有鍺、硅、硒、硼、碲、銻等。50年代，鍺在半導體中佔主導地位，但 鍺半導體器件的耐高溫和抗輻射性能較差，到60年代後期逐漸被硅材料取代。用硅製造的半導體器件，耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜製作大功率器件。

3.無定配森茄形半導體材料 用作半導體的玻璃是一種非晶體無定形半導體材料，分為氧化物玻璃和非氧化物玻璃兩種。這類材料具有良好培察的開關和記憶特性和很強的抗輻射能力，主要用來製造閾值開關、記憶開關和固體顯示器件。

4.有機增導體材料已知的有機半導體材料有幾十種，包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，目前尚未得到應用 。

❸ 集成電路的電子器件為什麼要集成在矽片上

首先，一般的電路中的絕緣體，只是一個載體，它起到支撐和絕緣的作用。而對於集成電路來講，最底下的一層叫襯底（一般為P型半導體），是參與集成電路工作的。拿cmos工藝來講，所以Nmos的襯底都是連在一起的，都是同一個襯底。
再形象一點，就是，集成電路是一些電子元器件加連線構成，沒有絕緣體充當絕緣和支撐。它通過加反偏和其他的技術來實現隔離。
而對於為什麼用硅，便宜不是用他的原因，因為它的半導體性質，才利用它。通過不同的摻雜形成P型和N型，一個多空穴，一個多電子，從而作用。GaAs貴，但是性能也好，多用於高速電路和軍工方面。
集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母「IC」表示。集成電路發明者為傑克·基爾比（基於鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基於硅（Si）的集成電路）。當今半導體工業大多數應用的是基於硅的集成電路。
是20世紀50年代後期一60年代發展起來的一種新型半導體器件。它是經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等半導體製造工藝，把構成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導線全部集成在一小塊矽片上，然後焊接封裝在一個管殼內的電子器件。其封裝外殼有圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式。集成電路技術包括晶元製造技術與設計技術，主要體現在加工設備，加工工藝，封裝測試，批量生產及設計創新的能力上。

❹ 在集成電路製造中，單晶硅和多晶硅分別有什麼用途

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單晶硅用途：單晶硅具有金剛石晶格，晶體硬而脆，具有金屬光澤，能導電，但導電率不及金屬，且隨著溫度升高而增加，具有半導體性質。單晶硅是重要的半導體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成P型半導體，摻入微量的第VA族元素，形成N型，N型和P型半導體結合在一起，就可做成太陽能電池，將輻射能轉變為電能。
單晶硅是製造半導體硅器件的原料，用於制大功率整流器、大功率晶體管、二極體、開關器件等。在開發能源方面是一種很有前途的材料。
單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區熔法（FZ）和外延法。直拉法、區熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用於半導體集成電路、二極體、外延片襯底、太陽能電池。
多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現在物理性質方面。例如，在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯；在電學性質方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至於幾乎沒有導電性。在化學活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。多晶硅是生產單晶硅的直接原料，是當代人工智慧、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的電子信息基礎材料。