㈠ 電力電子器件的緩沖電路有哪些主要作用
1、 緩沖電路的作用與基本類型
電力電子器件的緩沖電路(snubber circuit)又稱吸收電路，它是電力電子器件的一種重要的保護電路，不僅用於半控型器件的保護，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的應用技術中起著重要的作用。
晶閘管開通時，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個扼流電感，以限制過大的di/dt，串聯電感及其配件組成了開通緩沖電路，或稱串聯緩沖電路。晶閘管關斷時，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時過電壓和過大的電壓上升率，以防止晶閘管內部流過過大的結電容電流而誤觸發，需要在晶閘管的兩端並聯一個RC網路，構成關斷緩沖電路，或稱並聯緩沖電路。
GTR、GTO等全控型自關斷器件在實際使用中都必須配用開通和關斷緩沖電路;但其作用與晶閘管的緩沖電路有所不同，電路結構也有差別。主要原因是全控型器件的工作頻率要比晶閘管高得多，因此開通與關斷損耗是影響這種開關器件正常運行的重要因素之一。例如，GTR在動態開關過程中易產生二次擊穿的現象，這種現象又與開關損耗直接相關。所以減少全控器件的開關損耗至關重要，緩沖電路的主要作用正是如此，也就是說GTR和功率MOSFET用緩沖電路抑制di/dt和/dt，主要是為了改變器件的開關軌跡，使開關損耗減少，進而使器件可靠地運行。
沒有緩沖電路時GTR開關過程中集電極電壓uCE和集電極電流iC的波形，開通和關斷過程中都存在uCE和iC同時達到最大值的時刻;因此出現了瞬時的最大開關損耗功率Pon和Poff，從而危及器件的安全。所以，應採用開通和關斷緩沖電路，抑制開通時的di/dt，降低關斷時的/dt，使uCE和iC的最大值不會同時出現。
GTR開關過程中的uCE和iC的軌跡，其中軌跡1和2是沒有緩沖電路的情況，開通時uCE由UCC(電源電壓)經矩形軌跡降到0，相應地iC由0升到ICM;關斷時iC由ICM經矩形軌跡降到0，相應地uCE由0升高到UCC。不但集電極電壓和電流的最大值同時出現，而且電壓和電流都有超調現象，這種情況下瞬時功耗很大，極易產生局部熱點，導致GTR的二次擊穿而損壞。加上緩沖電路後，uCE和iC的開通與關斷軌跡分別如3和4所示，由可見，其軌跡不再是矩形，避免了兩者同時出現最大值的情況，大大降低了開關損耗，並且最大程度地利用於GTR的電氣性能。
GTR的開通緩沖電路用來限制導通時的di/dt，以免發生元件的過熱點，而且它在GTR逆變器中還起著抑制貫穿短路電流的峰值及其di/dt的作用。GTO的關斷緩沖電路不僅為限制GTO關斷時再加電壓的/dt及過電壓，而且對降低GTO的關斷損耗，使GTO發揮應有的關斷能力，充分發揮它的負荷能力起重要作用。
IGBT的緩沖電路功能更側重於開關過程中過電壓的吸收與抑制，這是由於IGBT的工作頻率可以高達30~50kHz;因此很小的電路電感就可能引起頗大的LdiC/dt，從而產生過電壓，危及IGBT的安全。PWM逆變器中IGBT在關斷和開通中的uCE和iC波形。在iC下降過程中IGBT上出現了過電壓，其值為電源電壓UCC和LdiC/dt兩者的疊加。
為開通時的uCE和iC波形，增長極快的iC出現了過電流尖峰iCP，當iCP回落到穩定值時，過大的電流下降率同樣會引起元件上的過電壓而須加以吸收。逆變器中IGBT開通時出現尖峰電流，其原因是由於在剛導通的IGBT負載電流上疊加了橋臂中互補管上反並聯的續流二極體的反向恢復電流，所以在此二極體恢復阻斷前，剛導通的IGBT上形成逆變橋臂的瞬時貫穿短路，使iC出現尖峰，為此需要串入抑流電感，即串聯緩沖電路，或放大IGBT的容量。
綜上所述，緩沖電路對於工作頻率高的自關斷器件，通過限壓、限流、抑制di/dt和/dt，把開關損耗從器件內部轉移到緩沖電路中去，然後再消耗到緩沖電路的電阻上，或者由緩沖電路設法再反饋到電源中去。此緩沖電路可分為兩在類，前一種是能耗型緩沖電路，後一種是反饋型緩沖電路。能耗型緩沖電路簡單，在電力電子器件的容量不太大，工作頻率也不太高的場合下，這種電路應用很廣泛。
㈡ "三態驅動緩沖電路" -組成原理 為了減輕匯流排負載，匯流排上的部件應通過三態驅動緩沖電路與匯流排連
三態驅動緩沖電路首先是一個俱備比較強驅動能力的電路，其次，它俱備一個使能端內，當使能無容效的時候，其輸出端是高阻（HZ）狀態。這樣，其輸出就俱備高、低、高阻三種狀態。
對於匯流排，往往其上連接多個輸入、輸出埠，多輸入問題不大，多輸出就可能存在相互的競爭，導致邏輯混亂。
為解決多輸出的競爭問題，有兩個思路。其一是採用三態輸出驅動，每個時刻最多隻有一個輸出是高或低的有效電平，其餘輸出全部是高阻態，這樣可以避免邏輯競爭，但必須合理控制各輸出驅動器的使能端；其二是採用OC門（集電極開路）或OD門（漏極開路），這兩種門電路的特點是只有低電平是有效驅動，高電平需要外部上拉電阻驅動，採用這種結構的好處是不需要控制使能端，而且各輸出端中的低電平輸出占優勢，相當於一個「與門」。
上述兩種方案各有優缺點，總體來說，OC門輸出的上拉電阻是個問題，阻值太大速度受影響，阻值太小驅動能力又受限制。所以，用三態門相對來說是個更好的方案。
㈢ 為什麼要在CMOS邏輯門電路輸入和輸出端加保護和緩沖電路
《數字電子技術基礎（第洞衫世2版）學習指導與解題指南》
另外，CMOS門電路輸出的低電平也受輸入端數目的影響納肢。輸入端數越多，則串聯的NMOS管越多，輸出的低電平電壓也越高。為了避免經過多次串、並聯後帶來的電平平移和對輸出特性的影響，實際的CMOS門電路常常引入反相器塌猜作為每個輸入端和輸出端的緩沖器，大大改善了CMOS門電路的電氣特性（比如電壓傳輸特性、輸入特性、輸出特性、動態特性等）。
㈣ 緩沖電路，什麼是緩沖電路
緩沖電路（Snubber Circuit）又稱為吸收電路。其作用是抑制電力電子器件的內因過電壓、/dt或者過電流和di/dt，減小器件的開關損耗。[1] 在電力電子電路中，用於改進電力電子器件開通和關斷時刻所承受的電壓、電流波形。通常電力電子裝置中的電力電子器件都工作於開關狀態，器件的開通和關斷都不是瞬時完成的。器件剛剛開通時，器件的等效阻抗大，如果器件電流很快上升，就會造成很大的開通損耗；同樣器件接近完全關斷時，器件的電流還比較大，如果器件承受的電壓迅速上升，也會造成很大的關斷損耗。開關損耗會導致器件的發熱甚至損壞，對於功率晶體管(GTR),還可能導致器件的二次擊穿。實際電力電子電路中，還常由於二極體、晶閘管等的反向恢復電流而增加電力電子器件的開通電流，由於感性負載或導線的分布電感等原因造成器件關斷時承受很高的感應電壓。採用緩沖電路可以改善電力電子器件的開關工作條件。 緩沖電路的基本工作原理是利用電感電流不能突變的特性抑制器件的電流上升率，利用電容電壓不能突變的特性抑制器件的電壓上升率。圖示以GTO為例的一種簡單的緩沖電路。其中L與GTO串聯,以抑制GTO導通時的電流上升率dI/dt,電容C和二極體D組成關斷吸收電路，抑制當GTO關斷時端電壓的上升率dV/dt，其中電阻R為電容C提供了放電通路。緩沖電路有多種形式，以適用於不同的器件和不同的電路
㈤ 電力電子電路中，緩沖電路和軟開關電路有什麼區別
二者的作用不同，目的不同
緩沖電路是為了避免在開通和關斷電力電子器件的過程中出現過版大的電流和電壓而權損壞電力電子器件，因為電力電子器件很昂貴而且很脆弱經不起過大的電流和電壓，而
軟開關電路是為了降低開通和關斷電力電子器件造成的開關損耗，從而提高效率。實際中，由於很多電力電子電路採用PWM控制，從而使得電力電子器件開通和關斷很頻繁，而開通和關斷是存在損耗的，如果不採取措施則損耗很大，造成整個電力電子裝置的效率很低。