『壹』 cmos集成電路的主要特點有哪些
CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconctor），互補金屬氧化物半導體，
電壓控制的一種放大器件。是組成CMOS數字集成電路的基本單元。
金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconctor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated CIRcuit）。
CMOS集成電路的性能特點
微直流功耗—CMOS電路的單門靜態功耗在毫微瓦（nw）數量級。
高雜訊容限—CMOS電路的雜訊容限一般在40%電源電壓以上。
寬工作電壓范圍—CMOS電路的電源電壓一般為1.5~18伏。
高邏輯擺幅—CMOS電路輸出高、低電平的幅度達到全電壓的
「1」為VDD，邏輯「0」為VSS。
高輸入阻抗--CMOS電路的輸入阻抗大於108Ω,一般可達1010Ω。
高扇出能力--CMOS電路的扇出能力大於50。
低輸入電容--CMOS電路的輸入電容一般不大於5PF。
寬工作溫度范圍—陶瓷封裝的CMOS電路工作溫度范圍為 - 55 0C ~ 125 0C；塑封的CMOS電路為 – 40 0C ~ 85 0C。
所有的輸入均有刪保護電路，良好的抗輻照特性等。
JEDEC最低工業標准
JEDEC最低標準是電子工業協會（EIA）聯合電子器件工程委員會（JEDEC）主持下制定的CMOS集成電路的最大額定范圍和靜態參數的最低工業標准。下表即為
JEDEC制定的CMOS集成電路的最大額定范圍：
電源電壓 VDD~VSS 18 ~ -0.5V(DC)
直流輸入電流 IIN 10 mA(DC)
輸入電壓 VSS ≤VI ≤ VDD+0.5V(DC)
器件功耗 PD 200mw
工作溫度范圍 T -55~125(陶封)，-40~85（塑封）ºC
存儲溫度范圍 TSTG -65 ~ 150 ºC
輸入/輸出信號規則
所有的CMOS電路的輸入端不能浮置，最好使用一個上拉或下拉電阻，以保護器件不受損害。在某些應用場合，輸入端要串入電阻，以限制流過保護二極體的電流不大於10mA。
輸入脈沖信號的上升和下降時間必須小於15us, 否則必須經施密特電路整形後方可輸入CMOS開關電路。避免CMOS電路直接驅動雙極型晶體管，否則可能導致CMOS電路的功耗超過規范值。CMOS緩沖器或大電流驅動器由於其本身的低輸出阻抗，必須注意這些電路採用大負載電容（≥500PF）時等效於輸出短路的情況。CMOS電路的輸出不能並接成線邏輯狀態。因為導通的PMOS管和導通的NMOS管的低輸出阻抗會將電源短路。
『貳』 什麼是cmos電路
指互補金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構成的互補型MOS集成電路製造工藝，它的特點是低功耗。由於CMOS中一對MOS組成的門電路在瞬間看，要麼PMOS導通，要麼NMOS導通，要麼都截至，比線性的三極體(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。
『叄』 集成電路工藝中的TTL和CMOS分別是什麼全拼是什麼
TTL：Transistor-Transistor Logic，晶體管-晶體管邏輯
CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconctor，互補金屬氧化物半導體