㈠ 怎麼樣才能判斷三極體是工作在放大區,還是飽和區還是截止區
三極體構成的放大電路,在實際應用中,除了用做放大器外(在放大區),三極體還有兩種工作狀態,即飽和與截止狀態。
1.截止狀態所謂截止,就是三極體在工作時,集電極電流始終為0。此時,集電極與發射極間電壓接近電源電壓。對於NPN 型硅三極體來說,當U be在0~0.5V 之間時,I b很小,無論I b怎樣變化,I c都為0。
此時,三極體的內阻(Rce)很大,三極體截止。當在維修過程中,測得U be低於0.5V 或Uce接近電源電壓時,就可知道三極體處在截止狀態。
2.當 U be在0.5~0.7V 之間時,U be的微小變化就能引起I b的較大變化,I b隨U be基本呈線性變化,從而引起I c的較大變化(I c=βI b)。
這時三極體處於放大狀態,集電極與發射極間電阻(Rce)隨U be可變。當在維修過程中,測得U be在0.5~0.7V 之間時,就可知道三極體處在放大狀態。
3.飽和狀態
當三極體的基極電流(I b)達到某一值後,三極體的基極電流無論怎樣變化,集電極電流都不再增大,一直處於最大值,這時三極體就處於飽和狀態。
三極體的飽和狀態是以三極體集電極電流來表示的,但測量三極體的電流很不方便,可以通過測量三極體的電壓U be及U ce來判斷三極體是否進入飽和狀態。當U be略大於0.7V 後,無論U be怎樣變化,三極體的I c將不能再增大。
此時三極體內阻(Rce)很小,U ce 低於0.1V,這種狀態稱為飽和。三極體在飽和時的U ce 稱為飽和壓降。當在維修過程中測量到U be在0.7V 左右、而U ce低於0.1V 時,就可知道三極體處在飽和狀態。
(1)電路截止狀態擴展閱讀:
放大原理
1、發射區向基區發射電子
電源Ub經過電阻Rb加在發射結上,發射結正偏,發射區的多數載流子(自由電子)不斷地越過發射結進入基區,形成發射極電流Ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散,但由於多數載流子濃度遠低於發射區載流子濃度,可以不考慮這個電流,因此可以認為發射結主要是電子流。
2、基區中電子的擴散與復合
電子進入基區後,先在靠近發射結的附近密集,漸漸形成電子濃度差,在濃度差的作用下,促使電子流在基區中向集電結擴散,被集電結電場拉入集電區形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子(因為基區很薄)與基區的空穴復合,擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極體的放大能力。
3、集電區收集電子
由於集電結外加反向電壓很大,這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散,同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流Icn。另外集電區的少數載流子(空穴)也會產生漂移運動,流向基區形成反向飽和電流,用Icbo來表示,其數值很小,但對溫度卻異常敏感。
晶體三極體,是半導體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結,兩個PN結把正塊半導體分成三部分,中間部分是基區,兩側部分是發射區和集電區,排列方式有PNP和NPN兩種,
從三個區引出相應的電極,分別為基極b發射極e和集電極c。
發射區和基區之間的PN結叫發射結,集電區和基區之間的PN結叫集電結。基區很薄,而發射區較厚,雜質濃度大,PNP型三極體發射區"發射"的是空穴,其移動方向與電流方向一致,故發射極箭頭向里。
NPN型三極體發射區"發射"的是自由電子,其移動方向與電流方向相反,故發射極箭頭向外。發射極箭頭向外。發射極箭頭指向也是PN結在正向電壓下的導通方向。硅晶體三極體和鍺晶體三極體都有PNP型和NPN型兩種類型。
三極體的封裝形式和管腳識別
常用三極體的封裝形式有金屬封裝和塑料封裝兩大類,引腳的排列方式具有一定的規律,
底視圖位置放置,使三個引腳構成等腰三角形的頂點上,從左向右依次為e b c;對於中小功率塑料三極體按圖使其平面朝向自己,三個引腳朝下放置,則從左到右依次為e b c。
㈡ 放大電路的三種狀態是
三極體電路的三種狀態是
1、放大狀態:此時三極體的發射結處版於正向偏置,集電結處於正向偏置。
2、截止權狀態:此時三極體的發射結處於方向偏置,集電結處於正向偏置。
3、飽和狀態:此時三極體的發射結處於正向偏置,集電結處於反向偏置。
常見功率放大器的三種工作狀態是:
1、甲類放大狀態:靜態工作點設置在動態范圍的中點。
2、乙類放大狀態:靜態工作點設置在截止點。
3、甲乙類放大狀態:靜態工作點設置在微導通點。