mos電路驅動

A. 這個電路圖MOS管是怎麼驅動的

1. Q5為NMOS管，R12為限流電阻（或是偏置電阻），源漏之間的二極體內為保護二極體。
2. 源極接地容，電壓為0，當柵極（即圖中右眼驅動1）的電壓大於開啟電壓Vth（一般為0.7V）時，就可在源漏之間形成導電溝道，產生電流。
3. 柵極未加電壓（或電壓小於Vth）時，管子關閉，電阻很大，12V電壓基本全部加在管子上，R12上電壓很小，電路電流為幾乎為0；柵極電壓大於開啟電壓時，管子導通，電阻迅速變小，R12分得部分電壓，電路中產生電流。此電流大小既滿足歐姆定律（電阻電流電壓方程），也滿足薩支唐方程（管子電流電壓方程），即上下電流相同，滿足電流一致性。
4. 二極體起保護作用。當漏源電壓較大時，在管子發生源漏穿通之前，二極體先發生反向擊穿，從而保護了管子。
5. 如果二極體為穩壓管的話，就是用來恆定漏源電壓的，從而通過選擇穩壓管可以設置電流的大小。此時流過R12的電流等於流過二極體的電流與流過管子的電流之和，滿足基爾霍夫電流定律，即流入節點的電流等於流出節點的電流。

B. MOS全橋驅動電路

電路有兩個輸入端，邏輯上是互為反相的，即輸入信號使Q1導通時，會令Q2截止；

Q1漏極輸出回低電答平，通過R7使得Q4柵極也是低電平，從而令Q4導通，為電機通過了電源和電流。場效應管是電壓驅動的，與三極體的電流驅動不同，因而為Q4通過柵壓的R7，其取值小了，是浪費電，但也不能過大了，還要為此類場效應管是柵極電容提供充放電流；

另外一半電路同理

C. MOSFET 為什麼要驅動電路

現在市面上實際應用的多是平面工藝的MOSFET，在開關電源等領域應用非常普遍，一般版作為開關管使權用。實際的MOSFET有別於理想的MOSFET，柵極和源極，源極和漏極都是存在電容的，要用合適的驅動電路才能使MOS管工作在低導通損耗的開關狀態。比如600V的MOS管多用8-12V的柵極電壓驅動，並且要求一定的驅動能力。
也可以用示波器看MOS管的波形，看是否工作在完全導通狀態，上升和下降時間在輻射滿足要求的情況下，盡量的陡峭。

D. MOS管驅動電路與MOSFET作開關作用有什麼區別

MOSFET的開關作用是針對MOS特性得出的，MOS管輸出特性曲線有可變電阻區、夾斷區和恆流區，當在可回變電阻區和夾斷區內答工作時，MOS管相當於一個電子開關。
MOS管驅動電路跟MOS本身沒有必然聯系，因為MOS管的控制比一般三極體麻煩一些，特別是關斷的要求比較高，為了讓MOS用起來更簡單，就出現了驅動電路這類東西。MOS管當然不用驅動電路，也完全可以工作。
簡單的說，驅動電路類似MOSFET的服務電路。

E. 怎樣理解這個MOS管驅動電路

因為這個場效應管是作為開關管使用，那麼讓G極電位比S極低4V一下即可；

Ugs = Ug - Us =-UR3，

關於三極體有 3.3（版V）= Ube + Ue ==> Ue = 3.3-0.7=2.6（V）;

則 Ie = Ue/Re = 2.6/20 = 0.13（mA）;

所以權電阻R3的電壓 UR3= Ie*R3 = 0.13*100=13（V）;

F. 如何選擇最適合的MOS管驅動電路

1、管種類和結構

MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被製造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

至於為什麼不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。

對於這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易製造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再詳細介紹。

在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極體。這個叫體二極體，在驅動感性負載(如馬達)，這個二極體很重要。順便說一句，體二極體只在單個的MOS管中存在，在集成電路晶元內部通常是沒有的。

2、MOS管導通特性

導通的意思是作為開關，相當於開關閉合。

NMOS的特性，Vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由於導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。

3、MOS開關管損失

不管是NMOS還是PMOS，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。

導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失;降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。

4、MOS管驅動

跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高於一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。

在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

第二注意的是，普遍用於高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大於源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。

上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的餘量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小。現在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域里，但在12V汽車電子系統里，一般4V導通就夠用了。

MOS管的驅動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細，所以不打算多寫了。

5、MOS管應用電路

MOS管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動。

5種常用開關電源MOSFET驅動電路解析

在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但並不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關性能。

當電源IC與MOS管選定之後， 選擇合適的驅動電路來連接電源IC與MOS管就顯得尤其重要了。

一個好的MOSFET驅動電路有以下幾點要求：

(1)開關管開通瞬時，驅動電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振盪。

(2)開關導通期間驅動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩定且可靠導通。

(3)關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開關管能快速關斷。

(4)驅動電路結構簡單可靠、損耗小。

(5)根據情況施加隔離。