可控硅光耦驅動電路圖

Ⅰ 光耦moc3041控制雙向可控硅電路，圖1實驗沒成功，圖2還不知道，請高手指點，問題有哪些

圖1你沒有成功的原因是：Q1的右邊沒有電壓，所以就算你給Q1的G級一個觸發電壓 它也不會導通，所以就算你短接AB Q1同樣不會導通，因為Q1的右邊無電壓

解決辦法是 把Q1撤掉不用， B直接接到Q2的G級 然後把Q2換個方向接入電路：這樣，當光耦導通的時候，復發電壓有了，電壓和T1，T2（Q2的另外兩端）的方向一致，Q2便導通。燈就亮了

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Ⅲ 如何驅動雙向可控硅使其控制電源通斷

雙向可控硅是一種功率半導體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機控制系統中，可作為功率驅動器件，由於雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點開關使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強電網路中，其觸發電路的抗干擾問題很重要，通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統中的觸發信號載入到可控硅的控制極。為減小驅動功率和可控硅觸發時產生的干擾，交流電路雙向可控硅的觸發常採用過零觸發電路。過零觸發是指在電壓為零或零附近的瞬間接通。由於採用過零觸發，因此上述電路還需要正弦交流電過零檢測電路。

1 過零檢測電路

電路設計如圖1 所示，為了提高效率，使觸發脈沖與交流電壓同步，要求每隔半個交流電的周期輸出一個觸發脈沖，且觸發脈沖電壓應大於4V ，脈沖寬度應大於20us.圖中BT 為變壓器，TPL521 - 2 為光電耦合器，起隔離作用。當正弦交流電壓接近零時，光電耦合器的兩個發光二極體截止，三極體T1基極的偏置電阻電位使之導通，產生負脈沖信號，T1的輸出端接到單片機80C51 的外部中斷0 的輸入引腳，以引起中斷。在中斷服務子程序中使用定時器累計移相時間，然後發出雙向可控硅的同步觸發信號。過零檢測電路A、B 兩點電壓輸出波形如圖2 所示。

原理簡介：

1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，於是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。由於BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通後，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態，由於觸發信號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。

2，由於可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化，條件如下：

A、從關斷到導通1、陽極電位高於是陰極電位，2、控制極有足夠的正向電壓和電流，兩者缺一不可。

B、維持導通1、陽極電位高於陰極電位，2、陽極電流大於維持電流，兩者缺一不可。

C、從導通到關斷1、陽極電位低於陰極電位，2、陽極電流小於維持電流，任一條件即可。

Ⅳ 雙向可控硅驅動電路，如圖，我用的是MOC3041，雙向可控硅是BTA 16-600B，AA1接上面時負載一直工作，

圖中可控硅控制極接法有點奇怪，光敏器件無輸入時R2提供電壓給控制極，可控硅會導通版；而光敏器權件有輸入時，即使飽和導通，由於R3的作用可控硅還是可能導通，起不了開關作用。
可控硅控制極一般接在R3與光耦連接處。此時光耦有輸入時可控硅導通，無輸入時關斷。
R2為控制極提供觸發電壓，一般取100歐左右；R3用於消除光耦漏電流影響，防止誤觸發，一般取1K左右。這兩個電阻不需要承受多大的功率，1/8-1/4瓦都可以。
R4、C1是阻容吸收電路，一般取幾十歐，功率1W。

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