srl電路

A. 點火器接線的小妙招

想必大部分的朋友都沒有接觸過點火器吧，它是安裝在摩托車上的裝置，在啟動摩托車時起到點著火的作用，點火器也有很多種類型，不同的點火器因為其結構的不同，它們的功率大小也有所不同，功率越大它們的燃起的火就越大，摩托車啟動的就越快，並且越順暢，點火器可能會因為其接線沒有接好，而導致點火器燃爆，所以小兔來為大家介紹一下點火器的接線方法。

一、接線方法

1.它觸發式CDI點火器最基本的引線有四條：①點火電源線，一般為黑/紅色;②觸發線，一般本田為藍/黃色，雅馬哈為白/紅色，鈴木為白/藍色，川崎為藍色;③接高壓包線，一般本田為黑/黃色，雅馬哈為橙色，鈴木為白/藍色，川崎為黑色;④公共線(地線)，本田為綠色或綠/白色、雅馬哈為黑色、鈴木為黑/白色，川崎為黑/黃色。為了控制發動機熄火，將點火電源黑/紅線接點火開關，開關接地熄火。

2.5條線CDI點火器是從內部引出一根專用熄火線接開關，一般為黑/白色，鈴木為黑/黃色，區別是：自觸發式內部多用了一個二極體，二極體的正極接點火電源線，負極接熄火線引出，兩種點火器在使用中沒什麼區別。

3.6條線CDI與5條線CDI的區別是：前者觸發線圈的一端沒有搭鐵利用機體當地線迴路，而是將觸發線圈的迴路專用一條線引入點火器，該線一般本田為綠/白色，雅馬哈為白/藍色。經剖析，點火器內這條線與地線連在一起。如將觸發線圈的綠伯色線就近搭鐵，再接點火器，這樣，與5條線CDI是一樣的如6條線CDI的綠/白色線空著或接地也一樣使用。

4.7條線與h條線CDI的區別是：前者點火電源線圈的一端也沒用機體當地線迴路，而是用一條專用線引入點火器，如雅馬哈SRl25Z車CDI的這條線為綠/白色。清楚了CDI不同的接線方式，CDI點火器互換後完全可以工作。值得注意的是，有些點火器引線是輔助功能線，如CHl25有一根黃/黑線是接化油器開關的，的接油壓開關或接側支撐開關。首先弄清原車接點火器引線的功能，CDl代換才能成功。

5.如將2所述CDI與高壓包組合，地線用鐵芯引出，就為3根線，如將1所述CDI與高壓包組成一體，地線用鐵芯引出，可變為兩根線，注意與下面所述自觸發式的兩線不同。

6.少量CDI點火系不是接地熄火，而是接地點火，如代換接地熄火開關，可將原點火器接開關線直接搭鐵接地，將點火電源線連接代換開關線即可。如用常見CDI點火器代換原車點火器，可將代換點火器地線不搭鐵，而接原點火開關線，其它功能線接法不變。

二、自觸發式CDI的接線方式及代換

1.自觸發式CDI基本線也是4條：①點火電源線，一般也為黑/紅色;②自觸發線，一般為紅/黑色(是點火電源線圈的另一端);③地線，鈴木為黑/白色;④接高壓包線，一般為黑/黃色。

2.鈴木車系列多用自觸發式CDI點火器，而且多將CDI與高壓包組合成一體。如高壓包地線不用鐵芯引出，CDI高壓包組合就有兩條線。如果點火電源線圈一端搭鐵接地，CDl高壓包組合內將自觸發線接鐵芯，用鐵芯外引搭鐵，就變成一根線了。這兩種高壓包內部電子元件基本相同，是可以互換的，但是前者內部有些特殊的接線是不能代換後者的，不接地的高壓包現在很少見。為了控制發動機熄火，要將點火電源黑/紅線引入點火開關，接地熄火。

3.有些車型，如鈴木AG50、CZ50的點火系，將CDI高壓包組合的黑/紅線與點火電源線相接後引入點火開關，紅/黑電源線也引入點火開關，熄火時，黑/紅線接地，同時紅/黑線與地斷開;點火時，黑/紅線與地斷開，同時紅/黑線接地。這種接法有一定的防盜功能，如將其剪斷或斷開點火開關線束插接器，不能啟動發動機。換用常見接地熄火開關時，只要將紅/黑線直接搭鐵即可。

4.維修時，用自觸發式CDI可以代換它觸發式CDI，尤其是自觸發式CDI高壓包組合接線相當簡單，並可省掉觸發線圈或高壓包。它觸發式一般不能代換自觸發式CDI。

三、維修CDI點火系統時，一定要弄清電路原理和接線方式，如有的高壓包地線是通過點火開關線束插接器與點火開關地線相接，如換用不同的點火開關，將使高壓包無接地迴路，點火系統不工作。可將高壓包地線就近搭鐵，這樣接法，也是防止剪斷或斷開點火開關線束啟動發動機。

如果有的朋友使用的是高功率的點火器，那麼就要注意了，在點火時不要太長時間，因為功率大所以火花溫度高，長時間的燃燒會導致點火器燒壞，或是將接線燒短褲，所以點火器的也是有很多的缺陷。我們在對點火器進行接線時，首先我們要鑒別點火器的種類，然後根據它的種類進行接線，對於點火器的接線方法小兔在上文也仔細介紹過了，還不會接線的朋友要仔細研讀哦。

B. 二極體是共陽接法，80C51單片機中的匯編程序如下所示。請根據電路及所給的程序，寫出8個發光二極體的現象

8個發光二極體輪流閃爍著點亮，先從最左邊LED開始，亮1秒，來1秒，再換另一隻LED,依次到最右邊亮完結束一個循環。

C. 半導體光刻技術的電子束直寫

在SOC的開發中，更具靈活性
電子束（EB）具有波長短、解析度高、焦深長、易於控制和修改靈活的特點，廣泛應用於光學和非光學曝光的掩模製造。電子束直寫能在圓片上直接做圖，但其生產率很低，限制了使用，在下一代曝光（NGL）中，能否使EB的高分辨與高效率尋得統一，是EB開發商追求的目標。
美國矽谷的離子診斷（Ion Diagnostic）公司開發了微型電子束矩陣，可同時平行直寫，稱電子束曝光系統（MELS），它設計了201個電子光學柱，每柱32電子束，用於300mm片子的曝光。電子束的產生採用微細加工方法製造的場致發射冷陰極，每束供15nA，每柱供480nA。用三腔集成製造系統，生產率可達90片/時，MELS的目標是70nm高效曝光，並爭取延伸到35nm。
21世紀集成電路（IC）向系統集成（IS）方向發展，在系統集成晶元（SOC）的開發中，電子束直寫（EBDW）比其它方法更具靈活性，它可直接接受圖形數據成像，毋需復雜的掩模製作，因此前景十分誘人。日本東芝、Canon和Nikon已聯手進行研究高效的EBDW，美國IBM曾在這方面做過探索，也准備加入其中。
X光曝光作為下一代曝光技術前景誘人
X光曝光（XRL）具有波長短、焦深長、生產率高、寬容度大、曝光視場大、無鄰近效應、對環境不敏感等特點，作為下一代曝光技術具有誘人的前景，近年來人們一直致力於X光光源和掩模的研究，使之成為有競爭力的下一代曝光設備。
日本1996年成立了超先進電子技術聯盟（ASET）對X光曝光進行研究。日本NTT公司研製了用於製造X光掩模的EBX3電子束曝光機。日本NEC則已做出100nm線寬的用於4GDRAM的X光掩模。在主機方面，Canon公司開發了第二代X光步進機XRA-1000，產量達60片/時，供ASET使用。在同步輻射源（SOR）方面，住友重工積累了多年經驗開發了Aurora-2s同步輻射裝置。在工藝研究方面，富士通、ASET和NTT公司用接近式X光曝光（PXL）做出了80nm器件。去年，日本Kitayama提出對PXL進行延伸，不用0.8nm而用0.4nm波長，則線寬可到25或35nm，當用0.4nm波長時，掩模吸收層必須200nm厚，而掩模膜必須用金剛石，其厚度為0.8nm時的2至3倍。
在美國，XRL在麻省理工大學、威斯康星大學和路易斯安那州大學進行研發，佛蒙達州的SAL公司製造PXL設備。X光點光源由美國科學實驗室（SRL）、JMAR和ALFT三家研發，SRL有千瓦級的密集等離子體X射線源（DPFX），SAL公司用DPEX源製造了XRS-2000曝光機，用於洛克希德-馬丁公司的Sanders生產線上，生產0.15μmGaAs的MMIC晶元，其掩模則由佛蒙達州的光掩模中心（MCDC）製作。
麻省理學院的Henry I.Smith認為：近年來美國對PXL有所忽視，而日本在ASET組織下繼續發展，取得了很大成果，假如日本用PXL製作100-25nm器件取得成功，那麼，日本晶元製造商將在幾年內無對手，而器件製造方法也將隨之改變。
離子投影曝光力爭盡快推出商業化設備
離子投影曝光（IPL）就是由氣體（氫或氦）離子源發出的離子通過多極靜電離子透鏡投照於掩模並將圖像縮小後聚焦於塗有抗蝕劑的片子上，進行曝光和步進重復操作。IPL具有解析度高而焦深長，數值孔徑小而視場大，衍射效應小，損傷小，產量高，而且對抗蝕劑厚度變化不敏感，工藝成本低等特點。
德國FhGISiT公司在IPL上用深紫外光膠，做出50nm的間隔線條，證實了這項技術用於曝光的可行性。歐洲應用微電子開發項目（MEDEA）從1997年開始，投資3600萬美元開發IPL，參加的單位有ASML、Leica、IMS公司等。目標是對300mm片子曝光，解析度<100nm，生產率為75片/時。
IPL是縮小曝光，需要4倍的硅膜鏤孔掩模，它面臨應力和入射離子造成的發熱。小的掩模變形，導致大的曝光尺寸誤差，為此採取了對膜進行摻雜，對膜增加保護層，設計了冷卻系統，並通過有限元分析改進了掩模框架的設置，避免氣流對掩模造成振動。從加州召開的研討會上看IPL已經克服了眾多技術難題，現在正在對離子光學柱、圖像鎖定系統進行攻關，力爭盡快推出商業化設備。參加IPL研製的Ehrmann認為：雖然SEMATECH看好EUV和EPL，但這並不意味IPL失去最後成功的機會。