igt電路

❶ 二極體在電路圖中的符號

二極體部分參數符號：

CT---勢壘電容

Cj---結（極間）電容， ；表示在二極體兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極體的總電容

Cjo---零偏壓結電容

Cjo/Cjn---結電容變化

Ct---總電容

CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比

F---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極體在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極體在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極體正向電參數時給定的電流

IH---恆定電流、維持電流。

Ii--- ；發光二極體起輝電流

Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流

IF(ov)---正向過載電流

IB2---單結晶體管中的基極調制電流

IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流

ICM---最大輸出平均電流

Ⅳ---谷點電流

IGT---晶閘管控制極觸發電流

IR（AV）---反向平均電流

IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極體兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極體在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。

IRM---反向峰值電流

IRR---晶閘管反向重復平均電流

IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）

Irp---反向恢復電流

IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極體的最大工作電流

IZSM---穩壓二極體浪涌電流

IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極體允許通過的電流

(1)igt電路擴展閱讀：

關系：

二極體的正負二個端子。正端A稱為陽極，負端K ；稱為陰極。電流只能從陽極向陰極方向移動。一些初學者容易產生這樣一種錯誤認識：「半導體的一『半』是一半的『半』；而二極體也是只有一『半』電流流動（這是錯誤的），所有二極體就是半導體 ；」。

其實二極體與半導體是完全不同的東西。我們只能說二極體是由半導體組成的器件。半導體無論那個方向都能流動電流。

參考資料：

二極體--網路

❷ 奼借濺鐢佃剳鏉挎晠闅滄庝箞淇鐞嗭紵

奼借濺鐢佃剳鏉挎晠闅滄祬鏋怽x0dx0a淇鐞嗛珮妗ｆ苯杞︽渶璁╀漢澶寸棝鐨勶紝灝辨槸奼借濺鐨勭數鑴戜簡銆備慨鐞嗕漢鍛樼板埌鐢佃剳鏁呴殰鏃訛紝涓鏄涓嶆暍鏂瀹氬氨鏄鐢佃剳鐨勯棶棰橈紝涓斿洜鐢佃剳琛屽摢鐨勪環鏍艱緝楂樿屼笉鏁㈣交鏄撳喅瀹氳喘涔版洿鎹錛涗簩鏄涓嶅規槗鎵懼埌鍚岀被鐨勭數鑴戜駭鍝佹潵榪涜屼唬鎹㈣瘯楠岋紱涓夋槸鍗充嬌鎵懼埌浜嗗悓綾葷殑鐢佃剳浜у搧錛堟瘮濡傚逛竴杈嗗悓綾誨瀷鐨勮濺錛夛紝涔熶笉鏁㈣錘鏄岀劧灝嗗ソ鐨勭數鑴戞澘鎻掍笂鍘昏繘琛岃瘯楠岋紝鍥犱負鐢佃剳鐨勬崯鍧忓線寰閮芥槸鍥犲栭儴鐢佃礬鏈夋晠闅滆岄犳垚鐨勩俓x0dx0ax0dx0a璁╀漢鐤戞儜鐨勬槸錛氬綋浣犲悜鏌愪釜奼借濺鐢靛伐璇㈤棶鏌愪竴鐢佃礬閮ㄤ歡鐨勭姸鍐墊椂錛屾湁鐩稿綋鏁伴噺鐨勭數宸ラ兘浼氫互鈥滄湁鐢靛埌鈥濇垨鈥滄病鐢靛埌鈥濇潵浣滅瓟錛屽傛灉淇鐞嗙數宸ョ殑姘村鉤鍙鏄鍋滅暀鍦ㄢ滄湁鐢靛埌鈥'鎴栤滄病鐢靛埌鈥濈殑鐘舵佷笂錛屽逛簬淇鐞嗘苯杞︾殑鐢佃剳鍙婂叾鎺у埗緋葷粺鏄榪滆繙涓嶅熺殑銆傚洜涓鴻佸垽鏂涓涓閮ㄤ歡鍙婂叾鐩稿叧綰胯礬鐨勬晠闅滐紝浣犺嚦灝戝繀欏誨紕娓呮氬摢鍎挎潯綰挎槸鎺ラ暱鏈熺數婧愶紙+BATT錛夛紱鍝鍎挎潯綰挎槸鎺ラ氳繃鐐圭伀寮鍏蟲帶鍒剁殑鐢墊簮錛+B錛夛紱鍝浜涙槸鎺ヨ嚜鐢佃剳鎻愪緵鐨勭數婧愶紙+5V錛夛紱鍝鏉℃槸鎺ュ湴綰匡紱鍝浜涙槸灞炰簬淇″彿綰匡紝瀵逛簬淇″彿綰胯繕闇鐢ㄦ暟瀛楀紡涓囩敤琛ㄧ殑鈥滈昏緫鈥濇。榪涜岄珮浣庣數騫崇殑嫻嬭瘯錛屾垨鐢ㄢ滈戠巼鈥濇。嫻嬮噺榪愯漿鐘舵佷笅鐨勪俊鍙烽戠巼錛圚z錛夛紝褰撶劧鏈濂芥槸浣跨敤紺烘嘗鍣ㄥ療鐪嬩俊鍙風殑娉㈠艦銆俓x0dx0ax0dx0a涓嬮潰緇撳悎奼借濺鐢佃剳鏉誇慨澶嶇殑緇忛獙鏁欒錛屽氨奼借濺鐢佃剳鐨勫師鐞嗕笌緇翠慨鏂規硶鍋氫竴綆鍗曟葷粨涓庝粙緇嶏紝甯屾湜鑳藉瑰箍澶т慨鐞嗘妧鏈浜哄憳鏈夋墍瑁ㄧ泭銆俓x0dx0ax0dx0a棣栧厛錛屾垜浠瑕佸規苯杞︾數鑴戠殑鍐呴儴緇撴瀯鏈変竴涓澶ц嚧鐨勪簡瑙ｏ紝奼借濺鐢佃剳鐢卞備笅鍑犻儴鍒嗘瀯鎴愶細x0dx0ax0dx0a1.奼借濺鐢佃剳鏋勬垚x0dx0ax0dx0a1.1鐢墊簮閮ㄥ垎x0dx0ax0dx0a鐢ㄦ潵瀵規苯杞︽墍鎻愪緵鐨勭數婧愯繘琛屾護娉㈠拰紼沖帇錛屼互渚涚粰鐢佃剳鍐呴儴紼沖畾鐨勭洿嫻佺數婧愩俓x0dx0ax0dx0a1.2涓澶澶勭悊鍣錛圕PU錛塡x0dx0ax0dx0a奼借濺涓婁嬌鐢ㄧ殑涓鑸閮芥槸8浣嶆垨16浣嶇殑澶勭悊鍣錛屼篃灝辨槸璇翠竴嬈″彲鎺у埗銆佽＄畻鍜屼紶杈8浣嶆垨16浣嶇殑浜岃繘鍒舵暟錛岃繖鏄鐢佃剳鐨勪腑澶鎸囨尌鏈烘瀯銆俓x0dx0ax0dx0a1.3瀛樺偍鍣ㄩ儴鍒哱x0dx0ax0dx0a鐢ㄦ潵瀛樺偍紼嬪簭鍜屽悇縐嶆暟鎹錛屽張鍙鍒嗕負錛歕x0dx0ax0dx0a1.3.l鍙璇誨瓨鍌ㄥ櫒錛圧OM錛塡x0dx0ax0dx0a鐢ㄦ潵瀛樻斁鐢佃剳鐨勭洃鎺х▼搴忥紝鍗崇數鑴戞湰韜榪愯屾墍蹇呴』鐨勬壈琛涓浜涚▼搴忋俓x0dx0ax0dx0a1.3.2鍙緙栫▼鍙璇誨瓨鍌ㄥ櫒錛圗PROM鎴朎EPROM錛塡x0dx0ax0dx0a鐢ㄦ潵瀛樺偍璁╂墽琛岃呯疆鎴栧叾瀹冩帶鍒惰呯疆鍔ㄤ綔鐨勬帶鍒剁▼搴忋傚傦細鐕冩補鍠峰皠鐨勬帶鍒訛紝鐐圭伀鎻愬墠瑙掔殑鎺у埗銆傛犻熸帶鍒跺拰鑷鎴戣瘖鏂鐨勭▼搴忋俓x0dx0ax0dx0a1.3.3闅忔満瀛樺偍鍣錛圧AM錛塡x0dx0ax0dx0a鐢ㄤ簬鏆傚瓨鏉ヨ嚜鍚勭嶄紶鎰熷櫒鐨勬暟鎹錛屼緵涓澶澶勭悊鍣ㄤ嬌鐢錛涗篃鍙瀛樺偍緋葷粺鐨勬晠闅滅爜銆傞殢鏈哄瓨鍌ㄥ櫒鍐呯殑鍐呭瑰湪鏂鐢靛悗灝變細娑堝け銆俓x0dx0ax0dx0a1.3.4鑷閫傚簲瀛樺偍鍣錛堝睘浜庨殢鏈哄瓨鍌ㄥ櫒鐨勪竴縐嶏級鐢ㄤ簬鐢佃剳鐨勨滆嚜鎴戝︿範鈥濆拰鏍規嵁杞﹀喌鍙樺寲鑷鍔ㄨ皟鏁寸浉鍏沖弬鏁般傚傗滄犻熷︿範鈥濈瓑銆俓x0dx0ax0dx0a1.4杈撳叆/杈撳嚭閮ㄥ垎x0dx0ax0dx0a1.4.1杈撳叆閮ㄥ垎x0dx0ax0dx0a灝嗕紶鎰熷櫒浼犳潵鐨勬ā鎷熶俊鍙瘋繘琛岃漿鎹錛屽彉鎴愭暟瀛椾俊鍙鳳紙鍗砃D杞鎹錛変緵涓澶澶勭悊鍣ㄨ繘琛屽勭悊錛屼篃鏈夐儴鍒嗕紶鎰熷櫒鐩存帴浼犳潵鏁板瓧淇″彿錛屽垯鏃犻』榪涜岃漿鎹錛屼絾闇瑕佽繘琛屾暣褰錛屼緥濡傦細鏇茶醬浣嶇疆浼犳劅鍣ㄤ紶鏉ョ殑淇″彿銆俓x0dx0ax0dx0a1.4.2杈撳嚭閮ㄥ垎x0dx0ax0dx0a涓澶澶勭悊鍣ㄥ湪鎺ユ敹鍒板悇浼犳劅鍣ㄤ紶鏉ョ殑鍚勭嶄俊鍙峰悗錛岀粡榪囧勭悊錛屽啀鍙戝嚭鐩稿簲鐨勬帶鍒朵俊鍙鳳紱鐢變簬鎺у埗淇″彿鏄鏁板瓧淇″彿錛岃佸厛緇忚繃杞鎹㈠彉鎴愭ā鎷熶俊鍙鳳紙鍗矰/A杞鎹錛夌劧鍚庡啀緇忔斁澶х數璺榪涜屽姛鐜囨斁澶у悗鎵嶅彲椹卞姩鎵ц岃呯疆鍔ㄤ綔銆備篃鏈夐儴鍒嗚緭鍑轟俊鍙鋒棤闇榪涜岃漿鎹錛岀洿鎺ョ粡鏀懼ぇ鍚庤緭鍑虹粰鎵ц屽厓浠訛紝姣斿傦細鍠鋒補鍢寸殑鎺у埗灝辨槸鐩存帴鐢ㄦ暟瀛椾俊鍙鋒斁澶у悗鍔犲埌鍠鋒補鍢寸殑綰垮湀涓娿俓x0dx0ax0dx0a鍦ㄥ姩鎵嬫淇鐢佃剳涔嬪墠錛岃佸厛瀵圭數鑴戠殑鎺у埗鐢佃礬錛堝嵆澶栫數璺錛夎繘琛屾鏌ワ紝鎺掗櫎鐢佃礬涓鐨勬晠闅溿傚洜涓哄傛灉鍦ㄥ栫數璺涓瀛樺湪鏁呴殰鐨勬儏鍐典笅錛屾槗瀵圭數鑴戣繘琛岃淇錛屽嵆浣誇慨濂戒簡鎴栨槸涔板洖浜嗕竴鍧楁柊鐢佃剳鏉匡紝瑁呬笂鍘諱竴鐢ㄤ究鍙堝洜澶栫數璺鐨勬晠闅滆屽啀嬈℃崯鍧忕數鑴戙備緥濡傦細鏌愪慨鐞嗗巶灝嗕竴杈嗘。鏉庣爜鐨囧啝28杞胯濺鐢卞彸鏂瑰悜鏀逛負宸︽柟鍚戝悗錛屽彂鍔ㄦ兂涓嶈兘鍚鍔錛岀粡榪囧嚑鍚嶇數宸ュ氭℃鏌ュ潎鏈鏌ュ嚭闂棰橈紝渚挎鐤戞槸鐢佃剳鎹熷潖錛屼絾涓嶆暍鏂瀹氥傚悗緇忔鏌ュ栫數璺錛堝洜涓烘敼鏂瑰悜鐨勮濺闇鏀瑰姩綰胯礬錛屾瀬鍙鑳戒細鎺ラ敊綰匡級錛屽彂鐜板彂鍔ㄦ満鐢佃剳綰挎潫涓鏈変袱鏍歸滆壊鍜岀嚎寰勫潎鐩稿悓鐨勭嚎錛屼竴鏉￠氳嚦鑺傛皵闂ㄤ綅瀹ｄ紶鎰熷櫒錛屽彟涓鏉￠氳嚦鐐圭伀鏀懼ぇ鍣錛屽洜姝ゆ鐤戣繖涓ゆ潯綰挎湁鍙鑳藉洜棰滆壊鍜岀矖緇嗙殑鐩稿悓鑰屾帴閿欍傛墦寮鐢佃剳鐩掞紝鏌ョ湅涓庤ヤ袱鏉＄嚎鐩歌繛鐨勭數鑴戞帴鑴氬湪鐢佃礬鏉誇笂鐨勭緝鍐欑﹀彿錛屽彂鐜頒竴涓鏄鈥淚DL鈥濓紝鍙︿竴涓鏄鈥淚GL鈥濓紝涓斺淚DL鈥濋氬悜鐐圭伀鏀懼ぇ鍣錛岃屸淚GT鈥濋氬悜浜嗚妭姘旈棬浣嶇疆浼犳劅鍣ㄣ傝嚦姝わ紝鍙浠ュ垽瀹氳繖涓ゆ潯綰挎帴鍙嶄簡錛屽簲鐩鎬簰浜ゆ崲銆傚洜涓衡淚GT鈥濇槸鑻辨枃鈥淚GNIROT鈥濓紙鍗崇偣鐏鍣錛夌殑緙╁啓錛岃屸淚DL鈥濇槸鑻辨枃"IDLE"錛堝嵆鎬犻燂紝鍦ㄦゆ寚鑺傛皵闂ㄤ綅緗浼犳劅鍣ㄧ殑鎬犻熻Е鐐癸級鐨勭緝鍐欍傚皢榪欎袱鏉＄嚎浜ゆ崲鎺ラ氬悗璇曡濺錛屽彂鍔ㄦ満榪愯漿姝ｅ父銆傝繖涓浜嬩緥璇存槑錛氭淇鎴栨洿鎹㈢數鑴戝墠涓瀹氳佸瑰栫數璺榪涜屾鏌ワ紝鍚﹀垯瀹規槗鍑虹幇濂界數鑴戣淇鍧忔垨鏂扮數鑴戣呬笂鍘繪晠闅滆繕涓嶈兘娑堥櫎錛岀敋鑷沖皢鏂扮數鑴戝張鐑у潖絳夋儏鍐點俓x0dx0ax0dx0a2.鐢佃剳鏁呴殰x0dx0ax0dx0a澶栫數璺鏁呴殰鎺掗櫎鍚庯紝濡傛灉紜瀹氭槸鐢佃剳鎹熷潖錛屽彲瀵圭數鑴戞壋榪涜屾淇錛岀粡絎旇呯矖鐣ョ粺璁★紝鏈90%鐨勮鎹熷潖鐨勭數鑴戦兘鏄鍙浠ヤ慨澶嶇殑錛屼笅闈㈠氨瀹為檯宸ヤ綔涓甯歌佹晠闅滃強鍏朵慨鐞嗚繘琛屽垎綾昏茶堪錛歕x0dx0ax0dx0a2.l鐢佃剳鐢墊簮閮ㄥ垎鏁呴殰x0dx0ax0dx0a涓鑸鏄鍥犱負灝辮濺鍏呯數鏃訛紝鍥犲厖鐢墊満鐢靛帇璋冩暣榪囬珮錛屾垨鏋佹ф帴鍙嶏紝鎴栧厖鐢電殑鍚屾椂寮閽ュ寵錛岀敋鑷沖惎鍔ㄧ數鏈猴紝鎴栧彂鍔ㄦ満鍦ㄨ繍杞榪囩▼涓錛岀數奼犳帴澶存澗鑴遍犳垚鍙戠數鏈虹洿鎺ョ粰鐢佃剳鏉誇緵鐢電瓑鍘熷洜閫犳垚鐨勩傝繖縐嶆儏鍐典竴鑸浼氱儳鍧忓ぇ鍔熺巼紼沖帇浜屾瀬綆＄瓑鍏冧歡錛屾洿鎹㈠嵆鍙錛屾瘮杈冨規槗淇澶嶃俓x0dx0ax0dx0a2.2杈撳叆/杈撳嚭閮ㄥ垎鏁呴殰x0dx0ax0dx0a涓鑸鏄鏀懼ぇ鐢佃礬鍏冧歡鐑у潖錛屾湁鏃朵即闅忕潃鐢佃礬鏉誇笂瑕嗛挗綰挎潯鐑ф柇銆備緥濡傦細鏌愪慨鐞嗗巶鍦ㄥ逛竴鍙扮編鍥介洩浣涘叞杞胯濺緲繪柊鐑ゆ紗鍚庯紝鍙戠幇鍙戝姩鏈轟笉鑳藉惎鍔錛屼笖濡傛灉鎵撳紑閽ュ寵鏃墮棿涓闀匡紝奼芥補浼氫粠鎺掓皵綆°佹補搴曞３絳夊勬孩鍑烘潵銆傛墦寮閽ュ寵鍚庯紝鍙戠幇6鍙鍠鋒補鍢村叏閮ㄥ勪簬鍏ㄥ紑鐘舵侊紝奼芥補鐩存帴浠庡柗娌瑰槾嫻佸叆姘旂幾錛屾祦婊″悗婧㈠嚭錛屾鏌ュ栫數璺騫舵湭鍙戠幇闂棰橈紝鍙浠ユ柇瀹氭槸鐢佃剳涓鐨勮緭鍑烘帶鍒舵湁鏁呴殰銆傛墦寮鐢佃剳鐩掓鏌ュ彂鐜板瑰柗娌瑰槾鐨勬帶鍒朵俊鍙瘋繘琛屾斁澶х殑涓鍙澶у姛鐜囦笁鏋佺″凡緇忓嚮絀跨煭璺錛岄犳垚浜嗗柗鍢撮氱數鍗沖勪簬甯稿紑鐘舵併傛洿鎹涓鍙鐩鎬技鍨嬪彿鐨勪笁鏋佺″苟娓呯悊鏇存崲鍙戝姩鏈烘満娌瑰悗錛屽彂鍔ㄦ満鍗沖彲姝ｅ父榪愯漿銆傝繖閲岄渶瑕佹敞鎰忥細寰堝氱數鍠瘋濺杈嗙粡榪囩儰婕嗗悗錛屽啀鍚鍔ㄦ椂緇忓父浼氬嚭鐜板悇縐嶆晠闅滐紝榪欐槸鍥犱負緇忚繃鐑ゆ紗鍚庡湪奼借濺鍐呴儴錛岀壒鍒鏄鐢佃礬璁懼囧唴閮ㄧН鑱氫簡楂樻俯鍜岀儹閲忥紝涓旇繖浜涚儹閲忎粠鍐呴儴娣卞勬暎鍙戝嚭鏉ユ瘮杈冪紦鎱錛岃岀數鍣ㄨ懼囧湪楂樻俯鐘舵佷笅宸ヤ綔鏋佹槗鍙戠敓鏁呴殰銆傚洜姝ゅ湪鐑ゆ紗鍚庝笉瑕佺珛鍗沖皢杞﹀紑鍑烘潵錛岃屽簲緇忚繃鍏呭垎鐨勫喎鍗村悗鏂瑰彲鍚鍔錛屽傛灉鐢熶駭緔у紶闇瑕佽吘鍑虹儰婕嗘埧錛屽彲浠ョ敤浜哄姏灝嗚濺鎺ㄧ數鏉ワ紝寰呭叾鍏呭垎鍐峰嵈鍚庯紝鍐嶈屽惎鍔ㄣ俓x0dx0ax0dx0a2.3瀛樺偍鍣ㄩ儴鍒嗘晠闅淺x0dx0ax0dx0a鍓嶉潰璁插埌瀛樺偍鍣ㄥ叡鏈4縐嶏紝瀵逛簬鍙娑堥櫎鍙緙栫▼瀛樺偍鍣錛圗PROM鎴朎EPROM錛夊嚭鐜伴棶棰橈紝鍙榪涜屾洿鎹錛岄渶鎵句竴鍙宸茬煡鑹濂界殑甯︽湁紼嬪簭鍐呭圭殑瀛樺偍鍣ㄨ姱鐗囷紝鍐嶄拱涓鍙鍚屽瀷鍙風殑絀虹櫧鑺鐗囷紝閫氳繃鐑у綍鍣錛屼粠鍘熺墖涓璇誨嚭紼嬪簭錛屽啀鍐欏叆鍒扮┖鐧借姱鐗囦腑鍘伙紝鍙澶嶅埗鍑烘柊鐨勮姱鐗囷紝鍐嶅皢鏂扮殑鑺鐗囪呭叆鐢佃剳銆備絾涓鑸奼借濺鍘傚墮兘瑙勫畾浜嗘渶澶氬彧鑳藉嶅埗3-7嬈★紝嬈℃暟瓚呰繃鍚庡氨涓嶈兘鍐嶄嬌鐢ㄤ簡錛屼篃鏈夌殑鍘傚墮氳繃鍔犲瘑鎵嬫典嬌鑺鐗囦竴嬈′篃涓嶈兘澶嶅埗銆傚逛簬澶т紬緋誨垪鐨勬苯杞︼紝鍙鐢ㄥ師鍘備華鍣1551鎴栨繁鍦沖厓寰佸叕鍙哥爺鍒剁殑1553浠鍣ㄥ圭數鑴戣繘琛岀▼搴忔洿鎹錛屾垨瀵圭┖鐧借姱鐗囪繘琛岀▼搴忓啓鍏ャ俓x0dx0ax0dx0a2.4鐗規畩鏁呴殰x0dx0ax0dx0a琚姘存蹈榪囩殑杞﹁締錛岀數鑴戞澘浼氬嚭鐜拌厫鋩錛岄犳垚鍏冧歡寮曡剼鏂璺銆佺矘榪炴垨鍏冧歡鎹熷潖錛屽彲閫愭鏌ヤ慨澶嶆垨鏇存崲鍏冧歡銆備緥濡傦細鏌愪慨鐞嗗巶鎺ヤ慨涓杈嗗嚡榪鎷夊厠杞胯濺錛屾晠闅滅幇璞℃槸錛氬彂鍔ㄦ満姝ｅ父榪愯漿鏃跺傛灉寮/闂澶х伅鎴栧叾瀹冪數鍣ㄨ懼囧氨浼氬嚭鐜版帓姘旂℃斁鐐鐜拌薄錛屼弗閲嶆椂鍙灝嗘帓姘旂＄偢瑁傘傜粡媯鏌ュ彂鐜板栫數璺騫舵棤闂棰橈紝鎬鐤戠數鑴戞湁鏁呴殰錛屾墦寮鐢佃剳鐩掍粩緇嗘嫻嬶紝鍙戠幇鏈変竴澶勬帴鍦扮嚎鍥犺厫鋩鏂璺錛屾ゆ帴鍦扮嚎姝ｆ槸姘т紶鎰熷櫒鐨勪俊鍙峰睆钄界嚎閫氳繃鐢佃剳鍐呴儴鎺ュ湴鐨勪綅緗錛屽洜鏂璺浣垮睆钄藉け鏁堬紝鑰岄犳垚姘т紶鎰熷櫒淇″彿鍙楀埌鍏跺畠鐢靛櫒鐨勫共鎵版墍鑷達紝鐢ㄩ敗鐒婃帴閫氬悗錛屽嵆鎮㈠嶆ｅ父銆俓x0dx0ax0dx0a浠ヤ笂鏄鍑犵嶅父瑙佺殑鐢佃剳鏁呴殰錛屽湪瀹為檯宸ヤ綔涓榪樹細紕板埌鍚勭嶅悇鏍風殑鏁呴殰鐜拌薄錛屽彧瑕佸紕娓呬簡鍘熺悊錛屽苟鎺屾彙涓瀹氱殑鏂規硶錛屽叿浣撻棶棰樺叿浣撳垎鏋愶紝緇堟湁瑙ｅ喅鍔炴硶銆

❸ 二極體是怎麼實現正向導通，逆向不能通過電流的

晶體二極體為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，並建有自建電場。當不存在外加電壓時，由於p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極體的擊穿現象
二極體種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極體（Ge管）和硅二極體（Si管）。根據其不同用途，可分為檢波二極體、整流二極體、穩壓二極體、開關二極體、隔離二極體、肖特基二極體、發光二極體等。按照管芯結構，又可分為點接觸型二極體、面接觸型二極體及平面型二極體。點接觸型二極體是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶片表面，通以脈沖電流，使觸絲一端與晶片牢固地燒結在一起，形成一個「PN結」。由於是點接觸，只允許通過較小的電流（不超過幾十毫安），適用於高頻小電流電路，如收音機的檢波等。面接觸型二極體的「PN結」面積較大，允許通過較大的電流（幾安到幾十安），主要用於把交流電變換成直流電的「整流」電路中。平面型二極體是一種特製的硅二極體，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩定可靠，多用於開關、脈沖及高頻電路中。
CT---勢壘電容
Cj---結（極間）電容， 表示在二極體兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極體的總電容
Cjv---偏壓結電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度系數
Cvn---標稱電容
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極體在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極體在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極體正向電參數時給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極體的最大正向脈沖電流。發光二極體極限電流。
IH---恆定電流、維持電流。
Ii--- 發光二極體起輝電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩流二極體極限電流
ID---暗電流
IB2---單結晶體管中的基極調制電流
IEM---發射極峰值電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點電流
IV---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極體兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極體在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IDR---晶閘管斷態平均重復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）
Irp---反向恢復電流
Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流
Izk---穩壓管膝點電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極體的最大工作電流
IZSM---穩壓二極體浪涌電流
IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極體允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢復電流
Iop---工作電流
Is---穩流二極體穩定電流
f---頻率
n---電容變化指數；電容比
Q---優值（品質因素）
δvz---穩壓管電壓漂移
di/dt---通態電流臨界上升率
dv/dt---通態電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT（AV）---正向導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向導通總瞬時耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關功率
PM---額定功率。硅二極體結溫不高於150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重復浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極體允許承受的最大功率
RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結到環境的熱阻
Rz(ru)---動態電阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r δ---衰減電阻
r(th)---瞬態電阻
Ta---環境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
tf---下降時間
tfr---正向恢復時間
tg---電路換向關斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結溫
Tjm---最高結溫
ton---開通時間
toff---關斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢復時間
ts---存儲時間
tstg---溫度補償二極體的貯成溫度
a---溫度系數
λp---發光峰值波長
△ λ---光譜半寬度
η---單結晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態重復峰值電壓
VGT---門極觸發電壓
VGD---門極不觸發電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF（AV）---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
V（BR）---擊穿電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷點電壓
Vz---穩定電壓
△Vz---穩壓范圍電壓增量
Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓
av---電壓溫度系數
Vk---膝點電壓（穩流二極體）
VL ---極限電壓

❹ 可控硅電路原理

一、可控硅的概念和結構？
晶閘管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。今天大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2(a)〕：第一層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到，它和二極體一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極體完全不同的工作特性。
可控硅

二、晶閘管的主要工作特性
為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯起來，通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極，控制極G通過按鈕開關SB接在3V直流電源的正極(這里使用的是KP5型晶閘管，若採用KP1型，應接在1.5V直流電源的正極)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。現在我們合上電源開關S，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導通；再按一下按鈕開關SB，給控制極輸入一個觸發電壓，小燈泡亮了，說明晶閘管導通了。這個演示實驗給了我們什麼啟發呢?可控硅
這個實驗告訴我們，要使晶閘管導通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發電壓。晶閘管導通後，松開按鈕開關，去掉觸發電壓，仍然維持導通狀態。
晶閘管的特點： 是「一觸即發」。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導通。控制極的作用是通過外加正向觸發脈沖使晶閘管導通，卻不能使它關斷。那麼，用什麼方法才能使導通的晶閘管關斷呢?使導通的晶閘管關斷，可以斷開陽極電源(圖3中的開關S)或使陽極電流小於維持導通的最小值(稱為維持電流)。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那麼，在電壓過零時，晶閘管會自行關斷。

怎樣測試晶閘管的好壞
三、用萬用表可以區分晶閘管的三個電極嗎?怎樣測試晶閘管的好壞呢?
普通晶閘管的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結〔圖2(a)〕，相當於一個二極體，G為正極、K為負極，所以，按照測試二極體的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個就是陽極A了。測試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關S，按一下按鈕開關SB，燈泡發光就是好的，不發光就是壞的。

四、晶閘管在電路中的主要用途是什麼?
普通晶閘管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極體整流電路屬於不可控整流電路。如果把二極體換成晶閘管，就可以構成可控整流電路、逆變、電機調速、電機勵磁、無觸點開關及自動控制等方面。現在我畫一個最簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處於正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，晶閘管被觸發導通。現在，畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕，可以看到，只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。
可控硅
五、在橋式整流電路中，把二極體都換成晶閘管是不是就成了可控整流電路了呢?
在橋式整流電路中，只需要把兩個二極體換成晶閘管就能構成全波可控整流電路了。現在畫出電路圖和波形圖(圖5)，就能看明白了。
六、晶閘管控制極所需的觸發脈沖是怎麼產生的呢?
晶閘管觸發電路的形式很多，常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極體觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路，等等。今天大家製作的調壓器，採用的是單結晶體管觸發電路。
七、什麼是單結晶體管?它有什麼特殊性能呢?
單結晶體管又叫雙基極二極體，是由一個PN結和三個電極構成的半導體器件(圖6)。我們先畫出它的結構示意圖〔圖7(a)〕。在一塊N型矽片兩端，製作兩個電極，分別叫做第一基極B1和第二基極B2；矽片的另一側靠近B2處製作了一個PN結，相當於一隻二極體，在P區引出的電極叫發射極E。為了分析方便，可以把B1、B2之間的N型區域等效為一個純電阻RBB，稱為基區電阻，並可看作是兩個電阻RB2、RB1的串聯〔圖7(b)〕。值得注意的是RB1的阻值會隨發射極電流IE的變化而改變，具有可變電阻的特性。如果在兩個基極B2、B1之間加上一個直流電壓UBB，則A點的電壓UA為：若發射極電壓UE<UA，二極體VD截止；當UE大於單結晶體管的峰點電壓UP(UP=UD＋UA)時，二極體VD導通，發射極電流IE注入RB1，使RB1的阻值急劇變小，E點電位UE隨之下降，出現了IE增大UE反而降低的現象，稱為負阻效應。發射極電流IE繼續增加，發射極電壓UE不斷下降，當UE下降到谷點電壓UV以下時，單結晶體管就進入截止狀態。
八、怎樣利用單結晶體管組成晶閘管觸發電路呢?
單結晶體管組成的觸發脈沖產生電路在今天大家製作的調壓器中已經具體應用了。為了說明它的工作原理，我們單獨畫出單結晶體管張弛振盪器的電路(圖8)。它是由單結晶體管和RC充放電電路組成的。合上電源開關S後，電源UBB經電位器RP向電容器C充電，電容器上的電壓UC按指數規律上升。當UC上升到單結晶體管的峰點電壓UP時，單結晶體管突然導通，基區電阻RB1急劇減小，電容器C通過PN結向電阻R1迅速放電，使R1兩端電壓Ug發生一個正跳變，形成陡峭的脈沖前沿〔圖8(b)〕。隨著電容器C的放電，UE按指數規律下降，直到低於谷點電壓UV時單結晶體管截止。這樣，在R1兩端輸出的是尖頂觸發脈沖。此時，電源UBB又開始給電容器C充電，進入第二個充放電過程。這樣周而復始，電路中進行著周期性的振盪。調節RP可以改變振盪周期。
九、在可控整流電路的波形圖中，發現晶閘管承受正向電壓的每半個周期內，發出第一個觸發脈沖的時刻都相同，也就是控制角α和導通角θ都相等，那麼，單結晶體管張弛振盪器怎樣才能與交流電源准確地配合以實現有效的控制呢?
為了實現整流電路輸出電壓「可控」，必須使晶閘管承受正向電壓的每半個周期內，觸發電路發出第一個觸發脈沖的時刻都相同，這種相互配合的工作方式，稱為觸發脈沖與電源同步。
怎樣才能做到同步呢?大家再看調壓器的電路圖(圖1)。請注意，在這里單結晶體管張弛振盪器的電源是取自橋式整流電路輸出的全波脈沖直流電壓。在晶閘管沒有導通時，張弛振盪器的電容器C被電源充電，UC按指數規律上升到峰點電壓UP時，單結晶體管VT導通，在VS導通期間，負載RL上有交流電壓和電流，與此同時，導通的VS兩端電壓降很小，迫使張弛振盪器停止工作。當交流電壓過零瞬間，晶閘管VS被迫關斷，張弛振盪器得電，又開始給電容器C充電，重復以上過程。這樣，每次交流電壓過零後，張弛振盪器發出第一個觸發脈沖的時刻都相同，這個時刻取決於RP的阻值和C的電容量。調節RP的阻值，就可以改變電容器C的充電時間，也就改變了第一個Ug發出的時刻，相應地改變了晶閘管的控制角，使負載RL上輸出電壓的平均值發生變化，達到調壓的目的。
雙向晶閘管的T1和T2不能互換。否則會損壞管子和相關的控制電路。

十、可控硅元件的工作原理及基本特性電路
可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,其等效圖解如圖1所示
圖1 可控硅等效圖解圖
當陽極A加上正向電壓時,BG1和BG2管均處於放大狀態。此時,如果從控制極G輸入一個正向觸發信號,BG2便有基流ib2流過,經BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連,所以ib1=ic2。此時,電流ic2再經BG1放大,於是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極,表成正反饋,使ib2不斷增大,如此正向饋循環的結果,兩個管子的電流劇增,可控硅使飽和導通。
由於BG1和BG2所構成的正反饋作用, 可控硅導通後,即使控制極G的電流消失了,可控硅仍然能夠維持導通狀態,由於觸發信號只起觸發作用,沒有關斷功能,所以這種可控硅是不可關斷c 所以一旦的。
由於可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態,所以它具有開關特性,這種特性需要一定的條件才能轉化,此條件見表1
表1 可控硅導通和關斷條件
狀態 條件 說明
從關斷到導通 1、陽極電位高於是陰極電位
2、控制極有足夠的正向電壓和電流
兩者缺一不可
維持導通 1、陽極電位高於陰極電位
2、陽極電流大於維持電流
兩者缺一不可
從導通到關斷 1、陽極電位低於陰極電位
2、陽極電流小於維持電流
任一條件即可
2、基本伏安特性
可控硅的基本伏安特性見圖2
圖2 可控硅基本伏安特性
（1）反向特性
當控制極開路,陽極加上反向電壓時（見圖3）,J2結正偏,但J1、J2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓後,接差J3結也擊穿,電流迅速增加,圖3的特性開始彎曲,如特性OR段所示,彎曲處的電壓URO叫「反向轉折電壓」。此時,可控硅會發生永久性反向擊穿。
圖3 陽極加反向電壓
（2）正向特性
當控制極開路,陽極上加上正向電壓時（見圖4）,J1、J3結正偏,但J2結反偏,這與普通PN結的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態,當電壓增加,圖3的特性發生了彎曲,如特性OA段所示,彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓
圖4 陽極加正向電壓
由於電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓後,J2結發生雪崩倍增效應,在結區產生大量的電子和空穴,電子時入N1區,空穴時入P2區。進入N1區的電子與由P1區通過J1結注入N1區的空穴復合,同樣,進入P2區的空穴與由N2區通過J3結注入P2區的電子復合,雪崩擊穿,進入N1區的電子與進入P2區的空穴各自不能全部復合掉,這樣,在N1區就有電子積累,在P2區就有空穴積累,結果使P2區的電位升高,N1區的電位下降,J2結變成正偏,只要電流稍增加,電壓便迅速下降,出現所謂負阻特性,見圖3的虛線AB段。
這時J1、J2、J3三個結均處於正偏,可控硅便進入正向導電狀態---通態,此時,它的特性與普通的PN結正向特性相似,見圖2中的BC段
3、觸發導通
在控制極G上加入正向電壓時（見圖5）因J3正偏,P2區的空穴時入N2區,N2區的電子進入P2區,形成觸發電流IGT。在可控硅的內部正反饋作用（見圖2）的基礎上,加上IGT的作用,使可控硅提前導通,導致圖3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。
圖5 陽極和控制極均加正向電壓

十一、可控硅參數符號
參數符號說明:
IT(AV)--通態平均電流
VRRM--反向重復峰值電壓
IDRM--斷態重復峰值電流
ITSM--通態一個周波不重復浪涌電流
VTM--通態峰值電壓
IGT--門極觸發電流
VGT--門極觸發電壓
IH--維持電流
dv/dt--斷態電壓臨界上升率
di/dt--通態電流臨界上升率
Rthjc--結殼熱阻
VISO--模塊絕緣電壓
Tjm--額定結溫
VDRM--通態重復峰值電壓
IRRM--反向重復峰值電流
IF(AV)--正向平均電流
十二、如何鑒別可控硅的三個極
鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。
控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極體特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，並不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。
可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、軍事科研以至商業、民用電器等方面爭相採用的元件。
一、 可控硅的結構和特性
■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種（見圖表-25）。螺旋式的應用較多。
■可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P 型導體和N 型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN 結。其結構示意圖和符號見圖表-26。
■從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN 結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮「以小控大」的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能製造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
■可控硅為什麼其有「以小控大」的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。
■首先，我們可以把從陰極向上數的第一、二、三層看面是一隻NPN 型號晶體管，而二、三四層組成另一隻PNP 型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來分析。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea ，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1 的基一射間）輸入一個正的觸發信號，BG1 將產生基極電流Ib1 ，經放大，BG1 將有一個放大了β1 倍的集電極電流IC1 。因為BG1 集電極與BG2 基極相連，IC1 又是BG2 的基極電流Ib2 。BG2 又把比Ib2 （Ib1 ）放大了β2 的集電極電流IC2 送回BG1 的基極放大。如此循環放大，直到BG1 、BG2 完全導通。實際這一過程是「一觸即發」的過程，對可控硅來說，觸發信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定於可控硅的性能。
■可控硅一經觸發導通後，由於循環反饋的原因，流入BG1 基極的電流已不只是初始的Ib1 ，而是經過BG1 、BG2 放大後的電流（β1 *β2 *Ib1 ）這一電流遠大於Ib1 ，足以保持BG1 的持續導通。此時觸發信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態只有斷開電源Ea 或降低Ea ，使BG1 、BG2 中的集電極電流小於維持導通的最小值時，可控硅方可關斷。當然，如果Ea 極性反接，BG1 、BG2 由於受到反向電壓作用將處於截止狀態。這時，即使輸入觸發信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea 接成正向，而觸動發信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬於非正常工作情況了。
■可控硅這種通過觸發信號（小的觸發電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區別於普通硅整流二極體的重要特徵。

[編輯本段]二、可控硅的主要參數
可控硅的主要參數有：
1、 額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。
3、 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處於反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。
4、 控制極觸發電流Ig1 、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。
5、 維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。
■近年來，許多新型可控硅元件相繼問世，如適於高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。
可控硅
可控硅是硅可控整流元件的簡稱，亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用於各種電子設備和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。家用電器中的調光燈、調速風扇、空調機、電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機及工業控制等都大量使用了可控硅器件。
可控硅的分類
按其工作特性，可控硅（THYRISTOR)可分為普通可控硅（SCR）即單向可控硅、雙向可控硅（TRIAC)和其它特殊可控硅。
可控硅的觸發
過零觸發-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，必須是過零點才觸發，導通可控硅。
非過零觸發-無論交流電電壓在什麼相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸發，即通過改變正弦交流電的導通角（角相位），來改變輸出百分比。
可控硅的主要參數:
1. 額定通態電流（IT)即最大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
2. 反向重復峰值電壓（VRRM)或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。
3. 控制極觸發電流（IGT)，俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。
可控硅的常用封裝形式
常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
可控硅的主要廠家
主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR迪昌科技，北京瑞田達技貿有限責任公司等。