放大電路管子

1. 放大電路的條件是什麼

三極體組成的放大電路，其構成放大的外部條件和內部條件是：一個基本放大電路必須有 輸入信號源、晶體三極體、輸出負載以及直流電源和相應的偏置電路。其中，直流電源和相應的偏置電路用來為晶體三極體提供靜態工作點，以保證晶體三極體工作在放大區。就雙極型晶體三極體而言，就是保證發射結正偏，集電結反偏。

三極體放大狀態：
三極體基極與發射極之間的電壓: 鍺管是0.3V；硅管是0.7V.三極體導通。
對於NPN型管子,是C點電位>B點電位>E點電位。
對於PNP型管子,是E點電位>B點電位>C點電位。

2. 可控硅，場效應管，三極體的區別

場效應管VS三極體

1、微件不同：

場效應管的源極s、柵極g、漏極d分別對應於三極體的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。

2、放大系數：

場效應管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數gm一般較小，因此場效應管的放大能力較差；三極體是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。

3、輸入電阻：

場效應管柵極幾乎不取電流（ig»0）；而三極體工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效應管的輸入電阻比三極體的輸入電阻高。

4、性能不同：

場效應管只有多子參與導電；三極體有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效應管比晶體管的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用場效應管。

(2)放大電路管子擴展閱讀：

一、場效應管的工作原理：

場效應管工作原理用一句話說，就是「漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID」。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。

在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。

在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。

其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。

二、三極體的產品作用：

晶體三極體具有電流放大作用，其實質是三極體能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極體最基本的和最重要的特性。

我們將ΔIc/ΔIb的比值稱為晶體三極體的電流放大倍數，用符號「β」表示。電流放大倍數對於某一隻三極體來說是一個定值，但隨著三極體工作時基極電流的變化也會有一定的改變。

3. 在設計放大電路時，如何選著三極體又什麼經驗規則

設計放大電路選擇三極體，一般都是採用降額設計。就是說，管子額定功率200mA，實際功耗最大允許為100mW，就是50%降額設計。
晶體管選用主要考慮電流電壓及功率。管子集電極-發射極耐壓(擊穿電壓)比直流電源Ucc電壓大就行。通常Ucc=12V，管子耐壓選50V就行。
這就需要計算你的放大器中的三極體可能流過多大電流、可能消耗多大功率。目前功率放大器的晶體管功耗計算很多，隨便找一本模擬電子技術書都有，但是放大器電流計算及信號放大器的晶體管功耗計算比較少，很多都是採取經驗設計。如果您要想詳細計算，可以找元增民《模擬電子技術》看，這本書上增加了信號放大器的晶體管電流及功耗計算。

4. 放大電路中管子的工作點合適與否，對不失真地放大

在放大電路中，三極體V的基極電阻Rb一般用來確定管子靜態工作點，在實驗電路中，其大小應通過調整來確定的，也就是說調整其大小使管子的集電極電流=工作點電流。
Rb過小，使管子工作點過高，管子的工作狀態容易進入飽和區，就會使輸出信號的正峰被削去一部分，從而產生失真；
Rb過大，使管子工作點過低，管子工作在特性曲線的非線性區域，就會使輸出信號產生非線性失真，或負峰被削去一部分；
∴放大電路中管子的工作點合適與否，對不失真地放大信號極為重要。