① 靜態RAM基本存儲電路
那個T3，T4是有源負載，相當於電阻，T3是T1的負載電阻，T4是T2的負載電阻，都是導通的，為T1，T2提供漏極電壓的。而真正導通和截止形成反相的，有兩個穩定狀態的是T1，T2。因為在集成電路內部不方便做電阻，所以，就用這種電路做電阻了。
存儲器是計算機的記憶部件。CPU 要執行的程序、要處理的數據、處理的中間結果等都存放在存儲器中。
目前微機的存儲器幾乎全部採用半導體存儲器。存儲容量和存取時間是存儲器的兩項重要指標，它們反映了存儲記憶信息的多少與工作速度的快慢。半導體存儲器根據應用可分為讀寫存儲器(RAM)和只讀存儲器(ROM)兩大類。
讀寫存儲器(RAM)
讀寫存儲器又稱隨機存取存儲器(Random Access Memory)簡稱RAM，它能夠在存儲器中任意指定的地方隨時寫入或讀出信息；當電源掉電時，RAM 里的內容即消失。根據存儲單元的工作原理，RAM 又分為靜態RAM 和動態RAM。靜態RAM 用觸發器作為存儲單元存放1 和0，存取速度快，只要不掉電即可持續保持內容不變。一般靜態RAM 的集成度較低，成本較高。
動態RAM 的基本存儲電路為帶驅動晶體管的電容。電容上有無電荷狀態被視為邏輯1 和0。隨著時間的推移，電容上的電荷會逐漸減少，為保持其內容必須周期性地對其進行刷新(對電容充電)以維持其中所存的數據，所以在硬體系統中也得設置相應的刷新電路來完成動態RAM 的刷新，這樣一來無疑增加了硬體系統的復雜程度，因此在單片機應用系統中一般不使用動態RAM。靜態RAM 的基本存儲電路為觸發器，每個觸發器存放一位二進制信息，由若干個觸發器組成
一個存儲單元，再由若干存儲單元組成存儲器矩陣，加上地址解碼器和讀／寫控制電路就組成靜態RAM。與動態RAM 相比，靜態RAM 無須考慮保持數據而設置的
刷新電路，故擴展電路較簡單。但由於靜態RAM 是通過有源電路來保持存儲器中的數據，因此，要消耗較多功率，價格也較高。
RAM 內容的存取是以位元組為單位的，為了區別各個不同的位元組，將每個位元組的存儲單元賦予一4個編號，該編號就稱為這個存儲單元的地址，存儲單元是存儲的最基本單位，不同的單元有不同的地址。在進行讀寫操作時，可以按照地址訪問某個單—元。
由於集成度的限制，目前單片RAM 容量很有限，對於一個大容量的存儲系統，往往需要若干RAM 組成，而讀／寫操作時，通常僅操作其中一片(或幾片)，這就存在一個片選問題。RAM 晶元上特設了一條片選信號線，在片選信號線上加入有效電平，晶元即被選中，可進行讀／寫操作，末被選中的晶元不工作。片選信號僅解決晶元是否工作的問題，而晶元執行讀還是寫則還需有一根讀寫信號線，所以晶元上必須設讀／寫控制線。