晶體管電路圖

A. 晶體管放大電路如圖，畫出它的直流通路，交流通路，微變等效電路。

見附圖：

直流通路畫法：電容開路。

交流通路畫法：電容電源短路。

微變電路圖畫法，在交流通路基礎上，三極體be間為電阻rbe、ce間為受控電流源。

B. PNP型晶體管輸入、輸出特性測量電路是什麼樣子的請配圖，謝謝。

先要明確PNP、NPN是三極體構造的兩種不同方式接入PLC的輸入端。
PNP輸出：如下圖所示，PNP形式輸出的信號，其負載為下拉電阻，到PLC上或其他輸入設備上的接線是output( 信號線)與0V（電源負）之間，所以接在PLC上時，信號線接I（輸入）口，把0V接COM端。

C. 如何畫出放大電路的微變等效電路

現在常用的微變等效電路畫法有以下四種：

1、首尾相接法

如果是全都是首尾相連就一定是串聯，如果是首首相連，尾尾相接，就一定是並聯。如果是既有首尾相連，又有首首相連，則一定是混聯。

2、電流流向法

根據電流的流向，來判斷和串並聯的特點，來判斷串聯、並聯和混聯電路。

3、手捂法

含義是任意去掉一個用電器，其他用電器都不能工作的一定是串聯；任意去掉一個用電器，其他用電器都能工作就一定是並聯；任意去掉一個用電器，其他用電器部分能工作的一定是混聯。

4、節點法

首先標出等勢點。依次找出各個等勢點，並從高電勢點到低電勢點順次標清各等勢點字母。其次捏合等勢點畫草圖。即把幾個電勢相同的等勢點拉到一起，合為一點，然後假想提起該點「抖動」一下，以理順從該點向下一個節點電流方向相同的電阻，這樣逐點依次畫出草圖。畫圖時要注意標出在每個等勢點處電流「兵分幾路」及與下一個節點的聯接關系。最後整理電路圖。要注意等勢點、電阻序號與原圖一一對應，整理後的等效電路圖力求規范，以便計算。

(3)晶體管電路圖擴展閱讀

等效電路又稱「等值電路」。在同樣給定條件下，可代替另一電路且對外性能不變的電路。電機、變壓器等電氣設備的電磁過程可用其相應的等效電路來分析研究。

等效電路是將一個復雜的電路，通過電阻等效、電容等效，電源等效等方法，化簡成具有與原電路功能相同的簡單電路。這個簡單的電路，稱作原復雜電路的等效電路 。

注意事項：在電路圖中導線電阻看作零,其長度可任意伸長和縮短,形狀可任意改變；伏特表和安培表看作是理想電表(RV=∞,RA=0).畫等效電路時,用導線將安培表短接,將伏特表摘除；有電流流過電阻,就有電勢降落;沒有電流流過電阻,這兩點視為等勢點。

D. 晶體三極體的工作原理及電路圖

晶體三極體（以下簡稱三極體）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極體，（其中，N表示在高純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而p是加入硼取代硅，產生大量空穴利於導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。

對於NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,而集電區與基區形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。如右圖所示

當b點電位高於e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而C點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源Ec要高於基極電源Eb。

在製造三極體時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大於基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源後，由於發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大於後者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流了。

由於基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo.根據電流連續性原理得：

Ie=Ib+Ic

這就是說，在基極補充一個很小的Ib，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關系，即：

β1=Ic/Ib

式中：β1--稱為直流放大倍數，

集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為：

β= △Ic/△Ib

式中β--稱為交流電流放大倍數，由於低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。

α1=Ic/Ie(Ic與Ie是直流通路中的電流大小)

式中：α1也稱為直流放大倍數，一般在共基極組態放大電路中使用，描述了射極電流與集電極電流的關系。

α =△Ic/△Ie

表達式中的α為交流共基極電流放大倍數。同理α與α1在小信號輸入時相差也不大。

放大原理

1、發射區向基區發射電子

電源Ub經過電阻Rb加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子(自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流Ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由於多數載流子濃度遠低於發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發射結主要是電子流。

2、基區中電子的擴散與復合

電子進入基區後，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴復合，擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極體的放大能力。

3、集電區收集電子

由於集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流Icn。另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區形成反向飽和電流，用Icbo來表示，其數值很小，但對溫度卻異常敏感。