igbt驅動電路圖

『壹』 求一張IGBT全橋開關電源電路圖。本人是用於sstc特斯拉線圈。要有過流過壓保護的。求自己畫清晰的

這張圖只不過抄是 功率部分的拓撲結構圖
成套的電路圖誰免費給你啊
g腳是接驅動電路的 必然是懸空的

過壓保護可以用亞敏電阻或二極體來實現
過流保護可以用檢測IGBT的飽和壓降（Vce)方法，同時用霍爾檢測負載的電流 兩種方式

『貳』 igbt驅動板的典型IGBT驅動板電路原理圖

下圖為DA962Dx系列原理圖，參考下圖可設計出最大可驅動300A/1700V的IGBT驅動板，市售全功能版本的IGBT驅動板是在此基礎上增加了更多保護、指示等附加功能。
下圖為DA102Dx系列原理圖，參考下圖可設計出最大可驅動2400A/1700V的IGBT驅動板。

『叄』 igbt驅動電路的簡介

IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+ 區稱為源區，附於其上的電極稱為源極。N+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附於其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P 型區（包括P+ 和P 一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（ Subchannel region ）。而在漏區另一側的P+ 區稱為漏注入區（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP 雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附於漏注入區上的電極稱為漏極。
IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成後，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進行電導調制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態電壓。

『肆』 igbt驅動電路的種類

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在今天的電力電子領域中已經得到廣泛的應用，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅動器的作用對整個換流系統來說同樣至關重要。驅動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統的可靠性。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT 和驅動器損壞。以下總結了一些關於IGBT驅動器輸出性能的計算方法以供選型時參考。
IGBT 的開關特性主要取決於IGBT的門極電荷及內部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發射極電容、CCE 是集電極-發射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅動器電路所需輸出功率的關鍵參數。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發射極電壓VCE 的電壓有密切聯系。在IGBT數據手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應用中不是一個特別有用的參數，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得的結電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。由於門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓，在實際開關中存在的米勒效應（Miller 效應）在測量中也沒有被包括在內，在實際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數據手冊中給出的電容Cies 值大很多。因此，在IGBT數據手冊中給出的電容Cies值在實際應用中僅僅只能作為一個參考值使用。
確定IGBT 的門極電荷
對於設計一個驅動器來說，最重要的參數是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數據手冊中能夠找到這個參數，那麼我們就可以運用公式計算出：門極驅動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]
門極驅動功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW
驅動器總功率 P = PG + PS（驅動器的功耗）
平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW
最高開關頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)
峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min
其中的 RG min = RG extern + RG intern
fsw max. : 最高開關頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 晶元內部的門極電阻但是實際上在很多情況下，數據手冊中這個門極電荷參數沒有給出，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述。這時候最好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconctor devices -
Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
所給出的測試方法測量出開通能量E，然後再計算出QG。
E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE
這種方法雖然准確但太繁瑣，一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數據手
冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：
如果IGBT數據表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那麼可以近似的認為Cin=4.5Cies，
門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5
Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）
如果IGBT數據表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那麼可以近似的認為Cin=2.2Cies，
門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2
Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）
如果IGBT數據手冊中已經給出了正象限的門極電荷曲線，那麼只用Cies 近似計算負象限的門極電荷會更接近實際值：
門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5
-- 適用於Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT
門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2
-- 適用於Cies 的測試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT
當為各個應用選擇IGBT驅動器時，必須考慮下列細節：
· 驅動器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅動功率PG。驅動器的最大平均輸出電流必須大於計算值。
· 驅動器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大於等於計算得到的最大峰值電流。
· 驅動器的最大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅動器的數據表中，給出了每脈沖的最大輸出電荷，該值在選擇驅動器時必須要考慮。
另外在IGBT驅動器選擇中還應該注意的參數包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。