集成電路歷史

『壹』 求助:中國建國60年,集成電子行業發展歷史

我國集成電路的發展歷史
我國集成電路產業誕生於六十年代，共經歷了三個發展階段：
1965年-1978年：以計算機和軍工配套為目標，以開發邏輯電路為主要產 品，初步建立集成電路工業基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件；
1978年-1990年：主要引進美國二手設備，改善集成電路裝備水平，在「治散治亂」的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產化；
1990年-2000年：以908工程、909工程為重點，以CAD為突破口，抓好科技攻關和北方科研開發基地的建設，為信息產業服務，集成電路行業取得了新的發展。

在信息技術系統中，微電子技術可稱為信息技術的核心。它的發展進程體現了信息技術的發展過程。
從微電子技術看，自從1948年晶體管被發明以後，1958年第一塊集成電路問世，引發了一場微電子革命，微電子技術使得越來越復雜的電子系統可以集成在一小塊矽片上，使電子設備和系統的微型化、低能耗成為可能。集成電路從中小規模集成電路逐步發展到大規模集成電路，超大規模集成電路，並實現了平均每18個月集成電路晶元上集成的電子器件數翻一番，而價格卻保持不變甚至下降，這就帶動了以集成電路為基礎的信息技術迅速發展，創造了信息技術產品性能不斷提高，而價格不斷下降的奇跡。
從通信技術和計算機技術看，
從19世紀上半葉莫爾斯發明電報至20世紀下半葉初第一部程式控制交換機的誕生和數字程式控制交換機的應用，使通信技術開始向數字化發展。衛星通信、稱動通信和通信技術的發展，更是開拓了通信手段，進一步擴展了通信技術的應用領域。
而從1946年世界上第一台笨重的龐大的、高電能耗的計算機問世以後，隨著集成電路和軟體技術的發展，計算機的運算速度、存儲容量和能力不斷提高，其功能也從單一的計算功能發展成能處理數字、語言、圖象等多種信息，其應用的領域也覆蓋了社會各個方面

『貳』 人類什麼年代發明了集成電路

傑克 基爾比（Jack S. Kilby） 集成電路之父 1958年9月12日，基爾比研製出世界上第一塊集成電路 1947年12月23日第一塊晶體管在貝爾實驗室誕生，從此人類步入了飛速發展的電子時代。但是對於從小就對電子技術感興趣的基爾比來說可不見得是件好的事情：晶體管的發明宣布了基爾比在大學里選修的電子管技術課程全部作廢。但是這並沒有消減這個年輕人對電子技術的熱情，反而更加堅定了他的道路。 也許這就是天意，在晶體管發明十年後的1958年，34歲的基爾比加入德州儀器公司。說起當初為何選擇德州儀器，基爾比輕描淡寫道：「因為它是惟一允許我差不多把全部時間用於研究電子器件微型化的公司，給我提供了大量的時間和不錯的實驗條件。」也正是德州儀器這一溫室，孕育了基爾比無與倫比的成就。 雖然那個時代的工程師們因為晶體管發明而備受鼓舞，開始嘗試設計高速計算機，但是問題還沒有完全解決：由晶體管組裝的電子設備還是太笨重了，工程師們設計的電路需要幾英里長的線路還有上百萬個的焊點組成，建造它的難度可想而知。至於個人擁有計算機，更是一個遙不可及的夢想。針對這一情況，基爾比提出了一個大膽的設想： 「能不能將電阻、電容、晶體管等電子元器件都安置在一個半導體單片上？」這樣整個電路的體積將會大大縮小，於是這個新來的工程師開始嘗試一個叫做相位轉換振盪器的簡易集成電路。 1958年9月12日，基爾比研製出世界上第一塊集成電路，成功地實現了把電子器件集成在一塊半導體材料上的構想，並通過了德州儀器公司高層管理人員的檢查。請記住這一天，集成電路取代了晶體管，為開發電子產品的各種功能鋪平了道路，並且大幅度降低了成本，使微處理器的出現成為了可能，開創了電子技術歷史的新紀元，讓我們現在習以為常一切電子產品的出現成為可能

『叄』 誰知道「世界集成電路(晶元)」發展簡史

半導體，即晶元，是技術發展的基石。回顧其發展史，我們可以看到，從最初的學術認可到後來的商業應用，半導體經歷了漫長而迅速的演變。

半導體是由導電性介於導體與絕緣體之間的材料構成的。在半導體材料被學術界正式確認之前，它們的發現時間相對較晚。20世紀30年代，隨著材料提純技術的進步，半導體的存在才得以被認可。

在半導體領域，集成電路、光電器件、分立器件和感測器占據了主導地位，其中，集成電路占器件總份額的80%以上。根據產品種類，集成電路主要分為微處理器、存儲器、邏輯器件和模擬器件四大類。這些集成電路，我們通常稱為晶元。

晶體管作為晶元的核心組成部分，是半導體技術發展的關鍵。晶體管的發明始於1929年，但當時的技術限制導致無法生產出足夠的純度材料。1947年，肖克利、巴丁和布拉頓團隊在貝爾實驗室成功製造出了鍺晶體管，這一發明使他們於1956年榮獲諾貝爾物理學獎。肖克利因此被譽為晶體管之父。

晶體管之所以能夠勝任晶元功能，是因為它們能夠通過電信號控制自身開合，以開關狀態代表邏輯0和邏輯1。這種功能對於數字電路至關重要，所有的邏輯功能歸根結底是基於0和1。

半導體行業的發展過程中，充滿了歷史的八卦。例如，肖克利在發明晶體管後，創辦了自己的公司，並在公司的管理上面臨了挑戰。1955年，他回到了聖克拉拉谷，並創辦了公司，隨後組建了團隊，但因專橫獨裁的管理方式，導致公司發展停滯。1957年，以諾伊斯為首的八位年輕人離職，創立了仙童半導體，這一事件也被稱為「矽谷八叛將」事件。

仙童半導體在新的管理模式下迅速發展，不到半年就實現了盈利，並在平面工藝和集成電路技術上取得了重大突破。諾伊斯和摩爾在1968年共同創立了英特爾，開啟了半導體行業的又一新篇章。隨後，AMD、美國國家半導體、Altera等知名公司也相繼成立，這些公司都是從仙童半導體發展壯大起來的。

展望未來，半導體行業正在面臨新的挑戰。隨著技術的限制，摩爾定律似乎開始接近極限。然而，量子技術的發展為半導體行業指明了新的方向。量子晶元的出現，憑借多個量子位，突破了傳統晶元的運算限制，展現了指數增長的計算能力。隨著科技的進步，未來的半導體行業將充滿無限可能，對每個人而言，這意味著一個值得期待的未來。

摩爾定律：集成電路晶元上的電路數量，每18個月翻一番。

『肆』 數字電路發展史的簡介是什麼

從60年代開始，數字集成器件以雙極型工藝製成了小規模邏輯器件。隨後發展到中規模邏輯器件；70年代末，微處理器的出現，使數字集成電路的性能產生質的飛躍。數字集成器件所用的材料以硅材料為主，在高速電路中，也使用化合物半導體材料，例如砷化鎵等。邏輯門是數字電路中一種重要的邏輯單元電路。TTL邏輯門電路問世較早，其工藝經過不斷改進，至今仍為主要的基本邏輯器件之一。隨著CMOS工藝的發展，TTL的主導地位受到了動搖，有被CMOS器件所取代的趨勢。近年來，可編程邏輯器件PLD特別是現場可編程門陣列FPGA的飛速進步，使數字電子技術開創了新局面，不僅規模大，而且將硬體與軟體相結合，使器件的功能更加完善，使用更靈活。

『伍』 電子技術的發展歷史

電子技術的發展歷史
電子技術起源於19世紀末至20世紀初，至20世紀已成為發展最為迅速、應用最為廣泛的科技之一，標志著現代科學技術的進步。
第一代電子產品以電子管作為核心組件，其缺點包括體積龐大、耗電量大和壽命短暫。1904年發明了電子管，而第一台電子計算機ENIAC，重約30噸，使用了18000個電子管，功耗達到25千瓦。
20世紀40年代末，第一支半導體三極體問世，它較電子管更為小巧、輕便、省電且壽命更長。到了50年代末，第一塊集成電路被開發出來，它在小小的矽片上集成了眾多晶體管，進一步節省了能源，並促進了電子產品的小型化。
集成電路隨後從小規模發展到大規模和超大規模，這使得電子產品朝著更高效、低耗能、高精度、高穩定性和智能化的方向發展。
電子計算機的發展經歷了四個階段，每個階段都反映了電子技術發展的特點。1946年，美國研製成功了世界上第一台電子計算機ENIAC，使用了18800個電子管，佔地170平方米，耗電140千瓦，價格超過40萬美元。ENIAC在提高了運算速度的同時，也因其龐大和耗電而被視為「龐然大物」。
自ENIAC問世後的四十多年裡，電子計算機的發展極為迅速。電子計算機的發展大致可以劃分為四個代：
- 第一代（1946-1957年）以電子管作為基本電子元件，運算速度和內存容量都有限，主要應用於軍事和科研部門。
- 第二代（1958-1970年）採用晶體管，體積小、耗電少、成本低，邏輯功能更強。
- 第三代（1963-1970年）使用集成電路，性能有了顯著提升，體積縮小，價格降低，功能增強。
- 第四代（1971年至今）以大規模和超大規模集成電路為核心，運算速度極大提升。
電子元器件是電子電路的基礎，其發展推動了技術的革新，而技術的新進展又為元器件的發展提出了新要求。

『陸』 集成電路產業的集成電路發展簡史

1947年：貝爾實驗室肖特萊等人發明了晶體管，這是微電子技術發展中第一個里程碑；集成電路
1950年：結型晶體管誕生；1950年： R Ohl和肖特萊發明了離子注入工藝；1951年：場效應晶體管發明；1956年：C S Fuller發明了擴散工藝；1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史；1960年：H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝；1962年：美國RCA公司研製出MOS場效應晶體管；1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路晶元都是基於CMOS工藝；1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍；1966年：美國RCA公司研製出CMOS集成電路，並研製出第一塊門陣列（50門）；1967年：應用材料公司（Applied Materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備製造公司；1971年：Intel推出1kb動態隨機存儲器（DRAM），標志著大規模集成電路出現；1971年：全球第一個微處理器4004由Intel公司推出，採用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發明；1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802；1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世；1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的矽片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規模集成電路（VLSI）時代的來臨；1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之後，IBM基於8088推出全球第一台PC；1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世；1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；1985年：80386微處理器問世，20MHz；1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的矽片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路（VLSI）階段；1989年：1Mb DRAM進入市場；1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，後來50MHz晶元採用 0.8μm工藝；1992年：64M位隨機存儲器問世；1993年：66MHz奔騰處理器推出，採用0.6μm工藝；1995年：Pentium Pro, 133MHz，採用0.6-0.35μm工藝；集成電路
1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世，採用0.25μm工藝；1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，採用0.25μm工藝，後採用0.18μm工藝；2000年：1Gb RAM投放市場；2000年：奔騰4問世，1.5GHz，採用0.18μm工藝；2001年：Intel宣布2001年下半年採用0.13μm工藝。2003年：奔騰4 E系列推出，採用90nm工藝。2005年：intel 酷睿2系列上市，採用65nm工藝。2007年：基於全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。2009年：intel酷睿i系列全新推出，創紀錄採用了領先的32納米工藝，並且下一代22納米工藝正在研發。 (ball grid array)球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式製作出球形凸點用 以代替引集成電路
腳，在印刷基板的正面裝配LSI 晶元，然後用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP為40mm 見方。而且BGA 不 用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola 公司開發的，首先在攜帶型電話等設備中被採用，今後在美國有 可 能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225。也有一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。BGA 的問題是迴流焊後的外觀檢查。尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為，由於焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。 美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC 和GPAC)。 表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用於封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的集成電路
Cerquad 用於封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。帶引腳的陶瓷晶元載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用於封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。 (al tape carrier package)雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳製作在絕緣帶上並從封裝兩側引出。由於 利 用的是集成電路
TAB(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用於液晶顯示驅動LSI，但多數為 定製品。 另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處於開發階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機 械工 業)會標准規定，將DICP 命名為DTP。 (surface mount type)表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列集成電路
狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝採用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可製作得 不 怎麼大，而引腳數比插裝型多(250～528)，是大規模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材製作封裝已經實用化。 (pin grid array)陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都 采 用多層陶集成電路
瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數為陶瓷PGA，用於高速大規模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64 到447 左右。 了為降低成本，封裝基材可用玻璃環氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PG A。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝 型PGA)。 (quad flat non-leaded package)四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。現在多稱為LCC。QFN 是日本電子機械工業 會規定的集成電路
名稱。封裝四側配置有電極觸點，由於無引腳，貼裝佔有面積比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，當印刷基板與封裝之間產生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點 難於作到QFP 的引腳那樣多，一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC 標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。塑料QFN 是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm 外， 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。 (Small Outline Package(Wide-Jype))寬體SOP。部分半導體廠家採用的名稱。